JP2011023474A - 半導体レーザ駆動回路 - Google Patents
半導体レーザ駆動回路 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2011023474A JP2011023474A JP2009165896A JP2009165896A JP2011023474A JP 2011023474 A JP2011023474 A JP 2011023474A JP 2009165896 A JP2009165896 A JP 2009165896A JP 2009165896 A JP2009165896 A JP 2009165896A JP 2011023474 A JP2011023474 A JP 2011023474A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- transistor
- semiconductor laser
- light emitting
- semiconductor light
- drive circuit
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Images
Abstract
【課題】高速光通信に適用可能なシャント駆動方式の半導体レーザ駆動回路の広帯域化を実現する。
【解決手段】半導体レーザ駆動回路1は、半導体発光素子11と、N型MOSFETであるトランジスタ14と、NPN型バイポーラトランジスタであるトランジスタ15とを備える。半導体発光素子11のアノードはバイアス電流の供給端子であるリードピンP1に接続されている。トランジスタ14は、半導体発光素子11のアノード及びカソードのそれぞれに接続されたドレイン及びソースと、バイアス電流を変調するための変調信号の入力端子であるリードピンP2にトランジスタ15を介して接続されたゲートとを有する。
【選択図】図1
【解決手段】半導体レーザ駆動回路1は、半導体発光素子11と、N型MOSFETであるトランジスタ14と、NPN型バイポーラトランジスタであるトランジスタ15とを備える。半導体発光素子11のアノードはバイアス電流の供給端子であるリードピンP1に接続されている。トランジスタ14は、半導体発光素子11のアノード及びカソードのそれぞれに接続されたドレイン及びソースと、バイアス電流を変調するための変調信号の入力端子であるリードピンP2にトランジスタ15を介して接続されたゲートとを有する。
【選択図】図1
Description
本発明は、半導体レーザ駆動回路に関する。
従来より、シャント型の駆動方式を採用したレーザモジュールが知られている(特許文献1〜特許文献4)。シャント駆動方式は、LD(レーザダイオード)とFETとを並列に配置し、FETゲートに一定のゲートバイアス電圧とHigh信号又はLow信号とを印加することによってバイアス電流をスイッチングする。このバイアス電流のスイッチングによってLDの光出力を変調する。例えば、FETのゲートにHigh信号が印加されている場合、LD側よりもFET側の方により多くの電流が流れるのでLDの光出力はLowとなり、逆に、FETのゲートにLow信号が印加されている場合には、FET側よりもLD側の方により多くの電流が流れるのでLDの光出力はHighとなる。このようにしてLDの光出力が変調される。
ところで、このようにシャント駆動方式を用いて、特に10Gb/s等の高速光通信を実現しようとする場合、変調信号の周波数帯域の広帯域化が必要となる。高速光通信の場合、半導体発光素子を駆動するために比較的大きな変調電流が必要となり、このような変調電流を実現するためには比較的大きなサイズのFETが必要となる。しかし、このような大きなサイズのFETの場合、入力容量が大きくなり、ゲート側に生じるポールによって(ポール周波数が低減されることによって)周波数帯域の広帯域化が困難となる。そこで本発明の目的は、高速光通信に適用可能なシャント駆動方式の半導体レーザ駆動回路の広帯域化を実現することである。
本発明の半導体レーザ駆動回路は、半導体発光素子と、第1及び第2のトランジスタとを備え、半導体発光素子のアノードは(抵抗素子及びチョークコイルを介して)バイアス電流の供給端子に接続され、第1のトランジスタは、半導体発光素子のアノードに接続された第1の電流端子と、半導体発光素子のカソードに接続された第2の電流端子と、バイアス電流を変調するための変調信号の入力端子に第2のトランジスタを介して接続された第1の制御用端子とを有する、ことを特徴とする。
このように、本発明の半導体レーザ駆動回路のレーザ駆動方式は、半導体発光素子のアノード及びカソードのそれぞれに第1のトランジスタの第1及び第2の電流端子が接続されているので、シャント駆動方式となっている。そして、第1のトランジスタの第1の制御用端子と変調信号の入力端子との間に、第2のトランジスタによるエミッタフォロワ回路が設けられているので、第1のトランジスタの第1の制御用端子の容量と、変調信号の入力端子側の抵抗とによる第1の制御用端子におけるポールの形成が回避される。従って、広帯域の変調信号に対応可能となる。
本発明の半導体レーザ駆動回路では、第2のトランジスタは、半導体発光素子のアノードに(抵抗素子を介して)接続された第3の電流端子と、第1のトランジスタの第1の制御用端子に接続された第4の電流端子と、変調信号の入力端子に接続された第2の制御用端子とを有するのが好ましい。また、本発明の半導体レーザ駆動回路は、容量素子を更に備え、容量素子を介して第1のトランジスタの第1の制御用端子と第2のトランジスタの第2の制御用端子とが接続されているのが好ましい。
本発明によれば、高速光通信に適用可能なシャント駆動方式の半導体レーザ駆動回路の広帯域化が実現できる。
以下、図面を参照して、本発明に係る好適な実施形態について詳細に説明する。なお、図面の説明において、可能な場合には、同一要素には同一符号を付し、重複する説明を省略する。図1に、実施形態に係る半導体レーザ駆動回路1の構成を示す。半導体レーザ駆動回路1は、図示しないレーザモジュールに含まれており、このレーザモジュール内のステム(不図示)上に搭載される。このステムには、四本のリードピン(リードピンP1〜リードピンP4)が設けられており、半導体レーザ駆動回路1は、リードピンP1〜リードピンP4に接続されている。リードピンP1は電流源2に接続され、リードピンP2はゲートバイアス供給回路3に接続され、リードピンP3は接地され、リードピンP4は図示しないAPC回路(APC:Automatic Power Control)に接続されているものとする。APC回路から出力されるバイアス電流の制御信号は電流源2に入力され、電流源2は、この制御信号に応じてバイアス電流を出力する。リードピンP1には電流源2から出力されるバイアス電流が入力する。
ゲートバイアス供給回路3は、インダクタンス素子3a及び容量素子3bを有する。インダクタンス素子3aの一端はゲートバイアス電圧の入力端子C2に接続され、他端はリードピンP2及び容量素子3bに接続されている。容量素子3bの一端は、バイアス電流を変調するための変調信号Vm(電圧)の入力端子C3に接続され、他端はリードピンP2及びインダクタンス素子3aに接続されている。リードピンP2には、ゲートバイアス供給回路3からゲートバイアス電圧と変調信号Vmとが入力する。
半導体レーザ駆動回路1は、半導体発光素子11、抵抗素子12、チョークコイル13、トランジスタ14(第1のトランジスタ)、トランジスタ15(第2のトランジスタ)、電流源16、抵抗素子17、容量素子18及び半導体受光素子19を有する。リードピンP3には、半導体発光素子11、抵抗素子12、チョークコイル13及びリードピンP1が、この順に直列接続されている。半導体発光素子11はレーザダイオードであり、リードピンP1、チョークコイル13及び抵抗素子12を介して電流源2から供給されるバイアス電流によって発光する。半導体発光素子11のアノードは、抵抗素子12、チョークコイル13及びリードピンP1を介して電流源2に接続されている。半導体発光素子11のカソードは、リードピンP3を介して接地されている。抵抗素子17は50オーム程度であり、容量素子18は0.1マイクロファラッド程度である。
トランジスタ14は、例えばN型MOSFETであり、半導体発光素子11に並列に接続されている。トランジスタ14のドレイン(第1の電流端子)は半導体発光素子11のアノード及び抵抗素子12に接続されており、トランジスタ14のソース(第2の電流端子)は半導体発光素子11のカソード及びリードピンP3に接続され、トランジスタ14のゲート(第1の制御用端子)はトランジスタ15を介してリードピンP2に接続されていると共に電流源16を介してリードピンP3に接続されている。このように、半導体レーザ駆動回路1は、半導体発光素子11とトランジスタ14とが並列接続されたシャントン駆動方式が用いられている。
トランジスタ15は、例えばNPN型バイポーラトランジスタである。トランジスタ15のコレクタ(第3の電流端子)は、チョークコイル13及びリードピンP1を介して電流源2に接続されていると共に抵抗素子12を介して半導体発光素子11のアノードに接続され、トランジスタ15のベース(第2の制御用端子)はリードピンP2(変調信号Vmの入力端子)に接続されていると共に抵抗素子17及び容量素子18を介してリードピンP3に接続され、トランジスタ15のエミッタ(第4の電流端子)はトランジスタ14のゲートに接続されていると共に電流源16を介してリードピンP3に接続されている。
半導体受光素子19は、フォトダイオードであり、カソードはリードピンP4に接続され、アノードはリードピンP3に接続されている。半導体受光素子19は、半導体発光素子11からの光出力をモニタするための素子であり、モニタ結果を示す信号をリードピンP4を介してAPC回路に送信する。APC回路は、このモニタ結果を示す信号に応じて、バイアス電流の制御信号を生成し、電流源2に出力する。
次に、上記構成の半導体レーザ駆動回路1の動作を説明する。リードピンP1からチョークコイル13及び抵抗素子12を介して入力されるバイアス電流は、トランジスタ14がオフの場合、半導体発光素子11に流れ、トランジスタ14がオンの場合、トランジスタ14にも電流が流れるので半導体発光素子11に流れるバイアス電流はトランジスタ14がオフの場合に比較して小さい。このように、トランジスタ14のオン/オフによって、半導体発光素子11に供給するバイアス電流が変動する。トランジスタ14のオン/オフは、ゲートバイアス供給回路3から入力される変調信号Vmの内容(High/Low)に応じて切り替わるので、トランジスタ14がオン/オフされることよってバイアス電流に変調信号Vmが重畳される。変調信号VmがHighを示す場合、トランジスタ15はエミッタフォロワ回路を形成しているのでトランジスタ15のエミッタの電位が追従してHighとなりトランジスタ14がオンとなる。変調信号VmがLowを示す場合、やはりエミッタフォロワ回路によりトランジスタ15のエミッタの電位が追従してLowとなり、トランジスタ14もオフとなる。
ここで、図5及び図6を参照して、半導体レーザ駆動回路1の効果を説明する。図5は、ゲートバイアス供給回路3を介して入力される変調信号Vmの周波数と電気信号透過率特性との相関を示す図であり、図6は、半導体発光素子11を流れる電流のアイパターンを示す図である。図5に示すグラフG1は、従来のシャントン駆動方式の半導体レーザ駆動回路を用いた場合の電気信号透過率特性を示しており、グラフG2は、半導体レーザ駆動回路1を用いた場合の電気信号透過率特性を示している。グラフG1に示す結果は、電気帯域が5.77GHzであり、波形のフォールタイム(立下がり時間)が38ps(図6(A)に示す従来の半導体レーザ駆動回路に係るアイパターンを参照)となっているのに対し、グラフG2に示す結果は、電気帯域が6.85GHzであり、波形のフォールタイム(立下がり時間)が36ps(図6(B)に示す半導体レーザ駆動回路1に係るアイパターンを参照)に改善されている。なお、電気帯域は低周波数域(たとえば100MHz)から3dB下がる周波数を意味し、フォールタイムはアイパターンの立ち下がり20−80%の時間を意味する。
このように、半導体レーザ駆動回路1は、半導体発光素子11のアノードにトランジスタ14のドレインが接続され、半導体発光素子11のカソードにトランジスタ14のソースが接続されているので、シャント駆動方式となっている。そして、トランジスタ14のゲートと、変調信号の入力端子であるリードピンP2との間にトランジスタ15によるエミッタフォロワ回路が設けられているので、トランジスタ14のゲート容量とリードピンP2側の抵抗素子17とによるポールがゲートにおいて形成されるのを回避できる。従って、高速光通信用に比較的大きなゲート幅を有するトランジスタ14が用いられても、広帯域化が可能となる。また、上記構成の半導体レーザ駆動回路1は、4本のリードピンの設けられたステム上に搭載可能となっている。
なお、本発明は、図2に示す半導体レーザ駆動回路1aによっても実現できる。図2に半導体レーザ駆動回路1aの構成を示す。半導体レーザ駆動回路1aは、半導体レーザ駆動回路1の抵抗素子12に替えてトランジスタ20を備え、半導体レーザ駆動回路1aのその他の構成は半導体レーザ駆動回路1と同様である。トランジスタ20は、例えばNPN型バイポーラトランジスタであり、コレクタがベースに接続され、コレクタ及びベースがチョークコイル13に接続されている。トランジスタ20のエミッタは半導体発光素子11のアノード及びトランジスタ14のドレインに接続されている。また、本発明は、図3に示す半導体レーザ駆動回路1bによっても実現できる。図3に半導体レーザ駆動回路1bの構成を示す。半導体レーザ駆動回路1bは、半導体レーザ駆動回路1の構成に加えて容量素子21を更に備える。容量素子21を介してトランジスタ14のゲートとトランジスタ15のベースとが接続される。また、本発明は、図4に示す半導体レーザ駆動回路1cによっても実現できる。図4に半導体レーザ駆動回路1cの構成を示す。半導体レーザ駆動回路1cは、半導体レーザ駆動回路1bの抵抗素子12に替えてトランジスタ20を備え、半導体レーザ駆動回路1cのその他の構成は半導体レーザ駆動回路1bと同様である。なお、容量素子21の電気容量は、1.5pF程度とする。
ここで、特に、半導体レーザ駆動回路1bの効果を図7〜図10を参照して説明する。図7に示す図は、半導体レーザ駆動回路1bの動作を示すグラフであり、変調信号Vmのパルス入力に応じたゲート電圧Vgとベース電圧Vbとの差分(Vg−Vb)の変化の様子を示す。図7に示すグラフG4は変調信号Vmを表しており、グラフG5はゲート電圧Vgとベース電圧Vbとの差分(Vg−Vb)を表している。また、図8に示す図も、半導体レーザ駆動回路1bの動作を示すグラフであり、変調信号Vmの入力に応じたゲート電圧Vg、ベース電圧Vb及び容量素子21を流れる電流Icの変化の様子を示す。図8に示すグラフG6はベース電圧Vbを表し、グラフG7はゲート電圧Vgを表し、グラフG8は電流Icを表している。
図7に示すように、変調信号Vmのパルス入力が開始すると(変調信号VmがHighに向かう場合)、ベース電圧Vbは、ゲートバイアス供給回路3から入力するゲートバイアス電圧に加えて変調信号Vmのパルス分だけ増加し始めるが、ゲート電圧Vgにはトランジスタ15が形成するエミッタフォロワ回路を介して電圧変化が伝わるのでベース電圧Vbの増加に遅れて増加する。従って、ゲート電圧Vg及びベース電圧Vbの差分(Vg−Vb)は、変調信号Vmのパルスの立上がりに伴って減少し、立上がり終了に伴ってゼロとなる(Vgが追い付いてVbと同じになる)。また、変調信号Vmのパルス入力が終了すると(変調信号VmがLowに向かう場合)、ベース電圧Vbは、ゲートバイアス供給回路3から入力するゲートバイアス電圧から変調信号Vm分減少し始めるが、ゲート電圧Vgは、ベース電圧Vbの減少に遅れて減少する。従って、ゲート電圧Vg及びベース電圧Vbの差分(Vg−Vb)は、変調信号Vmのパルスの立下がりに伴って増加し、立下がり終了に伴ってゼロとなる(Vgが追い付いてVbと同じになる)。
変調信号Vmのパルスの立上がり時及び立下がり時には、VbとVgとの間に電圧差が生じるので、トランジスタ14のゲートとトランジスタ15のベースとの間に容量21を介して過渡電流が流れる。図10に、この過渡電流の電流路を示すパス30を示す。パス30を流れる過渡電流は、変調信号Vmのパルスの立上がり時においてはトランジスタ15のベースからトランジスタ14のゲートに流れ(パス30の矢印の向き)、変調信号Vmのパルスの立下がり時においてはトランジスタ14のゲートからトランジスタ15のベースに流れる(パス30の矢印の向きとは逆の向き)。この過渡電流は,差動増幅回路22の出力終端抵抗(抵抗素子26)と入力終端抵抗(抵抗素子17)からもたらされる。従って変調信号Vmのパルスの立上がり/立下がりがリードピンP2においてそれぞれ強調されることになり、半導体レーザ駆動回路1bを流れる電流のアイパターンが改善することになる(図9)。実際、図5に示すグラフG3は、半導体レーザ駆動回路1bを用いた場合の電気信号透過率特性を示しており、このグラフG3が示すように、電気帯域は8.34GHzに改善されている。また、半導体レーザ駆動回路1bを用いた場合の半導体発光素子11を流れる電流のアイパターンが図9に示されているが、フォールタイムが34psに改善され、アイ開口がハッキリしており良好なものとなっている。
ここで、差動増幅回路22について説明する。図10に示すように、差動増幅回路22はゲートバイアス供給回路3を介して半導体レーザ駆動回路1bに接続されている。差動増幅回路22は、トランジスタ23、トランジスタ24、入力端子23a、入力端子24a、抵抗素子25、抵抗素子26、変調電流源27を有する。差動増幅回路22は、直列接続されたトランジスタ23及び抵抗素子25と、直列接続されたトランジスタ24及び抵抗素子26とが並列に接続された構成を有する。トランジスタ23及びトランジスタ24は、例えばNPN型バイポーラトランジスタである。変調電流源27は、トランジスタ23のエミッタとトランジスタ24のエミッタとに接続されている。トランジスタ23のベースには入力端子23aが接続され、トランジスタ23のコレクタには抵抗素子25の一端が接続され、抵抗素子25の他端には電源及び抵抗素子26の一端が接続されている。抵抗素子26の他端はトランジスタ24のコレクタ及び入力端子C3に接続され、トランジスタ24のベースには入力端子24aが接続されている。このような構成を有する差動増幅回路22は、入力端子23a及び入力端子24aに入力する差動変調信号に応じて変調信号Vmを生成し、この変調信号Vmを、ゲートバイアス供給回路3を介して半導体レーザ駆動回路1bに送る。なお、半導体レーザ駆動回路1,1a,1cのそれぞれは、半導体レーザ駆動回路1bと同様に、ゲートバイアス供給回路3を介して差動増幅回路22に接続され、差動増幅回路22は、ゲートバイアス供給回路3を介して半導体レーザ駆動回路1,1a,1cのそれぞれに変調信号Vmを送る。
以上、好適な実施の形態において本発明の原理を図示し説明してきたが、本発明は、そのような原理から逸脱することなく配置および詳細において変更され得ることは、当業者によって認識される。本発明は、本実施の形態に開示された特定の構成に限定されるものではない。したがって、特許請求の範囲およびその精神の範囲から来る全ての修正および変更に権利を請求する。
1…半導体レーザ駆動回路、11…半導体発光素子、12…抵抗素子、13…チョークコイル、14,15…トランジスタ、16…電流源、17…抵抗素子、18…容量素子、19…半導体受光素子、1a,1b,1c…半導体レーザ駆動回路、2…電流源、20…トランジスタ、21…容量素子、22…差動増幅回路、23,24…トランジスタ、23a,24a…入力端子、25,26…抵抗素子、27…変調電流源、3…ゲートバイアス供給回路、3a…インダクタンス素子、3b…容量素子、C1,C2,C3…入力端子、Ic…電流、P1,P2,P3,P4…リードピン、Vb…ベース電圧、Vg…ゲート電圧、Vm…変調信号
Claims (3)
- 半導体発光素子と、第1及び第2のトランジスタとを備え、
前記半導体発光素子のアノードはバイアス電流の供給端子に接続され、
前記第1のトランジスタは、前記半導体発光素子のアノードに接続された第1の電流端子と、前記半導体発光素子のカソードに接続された第2の電流端子と、前記バイアス電流を変調するための変調信号の入力端子に前記第2のトランジスタを介して接続された第1の制御用端子とを有する、ことを特徴とする半導体レーザ駆動回路。 - 前記第2のトランジスタは、前記半導体発光素子のアノードに接続された第3の電流端子と、前記第1のトランジスタの前記第1の制御用端子に接続された第4の電流端子と、前記変調信号の入力端子に接続された第2の制御用端子とを有する、ことを特徴とする請求項1に記載の半導体レーザ駆動回路。
- 容量素子を更に備え、
前記容量素子を介して前記第1のトランジスタの前記第1の制御用端子と前記第2のトランジスタの前記第2の制御用端子とが接続されている、ことを特徴とする請求項1又は2に記載の半導体レーザ駆動回路。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2009165896A JP2011023474A (ja) | 2009-07-14 | 2009-07-14 | 半導体レーザ駆動回路 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2009165896A JP2011023474A (ja) | 2009-07-14 | 2009-07-14 | 半導体レーザ駆動回路 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2011023474A true JP2011023474A (ja) | 2011-02-03 |
Family
ID=43633301
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2009165896A Pending JP2011023474A (ja) | 2009-07-14 | 2009-07-14 | 半導体レーザ駆動回路 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP2011023474A (ja) |
Cited By (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US8571078B2 (en) | 2010-10-28 | 2013-10-29 | Sumitomo Electric Industries, Ltd. | Laser driver and optical transmitter implementing the same |
US8649406B2 (en) | 2010-10-28 | 2014-02-11 | Sumitomo Electric Industries, Ltd. | Shunt driver circuit for laser diode with push pull architecture |
US8737442B2 (en) | 2010-10-28 | 2014-05-27 | Sumitomo Electric Industries, Ltd. | Driver circuit for laser diode outputting pre-emphasized signal |
WO2017093704A1 (en) * | 2015-12-01 | 2017-06-08 | Spi Lasers Uk Limited | Apparatus and method for providing optical radiation |
CN109891690A (zh) * | 2016-10-20 | 2019-06-14 | 日本电信电话株式会社 | 直接调制激光器驱动电路 |
WO2021029218A1 (ja) * | 2019-08-09 | 2021-02-18 | オムロン株式会社 | 駆動回路 |
CN116247507A (zh) * | 2022-12-30 | 2023-06-09 | 重庆师范大学 | 一种兆赫兹级的大电流ld调制方法及电路 |
-
2009
- 2009-07-14 JP JP2009165896A patent/JP2011023474A/ja active Pending
Cited By (12)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US8571078B2 (en) | 2010-10-28 | 2013-10-29 | Sumitomo Electric Industries, Ltd. | Laser driver and optical transmitter implementing the same |
US8649406B2 (en) | 2010-10-28 | 2014-02-11 | Sumitomo Electric Industries, Ltd. | Shunt driver circuit for laser diode with push pull architecture |
US8737442B2 (en) | 2010-10-28 | 2014-05-27 | Sumitomo Electric Industries, Ltd. | Driver circuit for laser diode outputting pre-emphasized signal |
WO2017093704A1 (en) * | 2015-12-01 | 2017-06-08 | Spi Lasers Uk Limited | Apparatus and method for providing optical radiation |
JP2019503070A (ja) * | 2015-12-01 | 2019-01-31 | エスピーアイ レーザーズ ユーケー リミテッド | 光放射を提供する装置及び方法 |
US10511141B2 (en) | 2015-12-01 | 2019-12-17 | Spi Lasers Uk Limited | Apparatus and method for providing optical radiation |
CN109891690A (zh) * | 2016-10-20 | 2019-06-14 | 日本电信电话株式会社 | 直接调制激光器驱动电路 |
WO2021029218A1 (ja) * | 2019-08-09 | 2021-02-18 | オムロン株式会社 | 駆動回路 |
JP2021028924A (ja) * | 2019-08-09 | 2021-02-25 | オムロン株式会社 | 駆動回路 |
JP7275984B2 (ja) | 2019-08-09 | 2023-05-18 | オムロン株式会社 | 駆動回路 |
CN116247507A (zh) * | 2022-12-30 | 2023-06-09 | 重庆师范大学 | 一种兆赫兹级的大电流ld调制方法及电路 |
CN116247507B (zh) * | 2022-12-30 | 2023-11-03 | 重庆师范大学 | 一种兆赫兹级的大电流ld调制方法及电路 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP6024197B2 (ja) | 発光素子駆動回路 | |
JP2011023474A (ja) | 半導体レーザ駆動回路 | |
JP5768551B2 (ja) | 外部変調型レーザ素子の駆動回路 | |
US20160013614A1 (en) | Laser driver and optical module including same | |
US20160141833A1 (en) | Laser driver for driving laser diode | |
CN102637996A (zh) | 对称直接耦合激光器驱动器 | |
JP2014096405A (ja) | 光送信回路 | |
JP2015005971A (ja) | 垂直キャビティ面発光レーザー用の電力効率の優れた高速ドライバ | |
JP2009189006A (ja) | 光受信回路 | |
JP4566692B2 (ja) | 発光ダイオード駆動装置及びそれを備えた光伝送装置 | |
US8737442B2 (en) | Driver circuit for laser diode outputting pre-emphasized signal | |
JP2013251375A (ja) | 光送信回路及び光送受信回路モジュール | |
CA2936736C (en) | Drive circuit and optical network unit | |
JP6582640B2 (ja) | レーザ駆動回路 | |
JP2019135740A (ja) | レーザ駆動回路及び光送信器 | |
JP2004241505A (ja) | E/o変換回路 | |
JP6367984B2 (ja) | ドライバ回路 | |
JP2008034479A (ja) | レーザダイオード駆動回路 | |
JP2007042955A (ja) | 光送信サブアセンブリ及びそれを備える光送信モジュール | |
JP5948817B2 (ja) | 駆動回路、及び、光送信装置 | |
JP4337842B2 (ja) | 光送信回路 | |
JP4790306B2 (ja) | レーザダイオード駆動回路 | |
JP6310139B1 (ja) | フォトカプラの出力回路及びフォトカプラ | |
US8649406B2 (en) | Shunt driver circuit for laser diode with push pull architecture | |
JP2008243875A (ja) | 発光素子駆動回路 |