JP5768551B2 - 外部変調型レーザ素子の駆動回路 - Google Patents
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Description
ことも好ましい。かかるコンデンサ素子を備えれば、DFBレーザ素子に与えられるバイアス電流を安定化させることができ、安定した光信号を出力させることができる。
図4には、本実施形態の駆動回路1の具体的な実施例の回路構成を示している。同図に示すように、駆動回路1は、EA−DFBチップを構成するDFBレーザ素子3及びEA部5を駆動するために、レーザ駆動回路部27とトランスコンダクタンスアンプ部29とを備える。トランスコンダクタンスアンプ部29は、半導体集積回路(IC)であり、EA−DFBチップと共に光送信器パッケージ内に実装される。このように、トランスコンダクタンスゲインを持つトランスコンダクタンスアンプ部29を用いることで、出力電圧振幅の小さい、しかも消費電力が小さいレーザ駆動回路部27をEA−DFBの駆動に使用できるようになる。
Ibias = I0 + Iop+ Iro +Iphoto ,
Iro +Iphoto = I1 + Ion
が成立する。なお、I0、I1は、それぞれ、電流源43,47の電流値、Iop、Ionは、それぞれ、トランスコンダクタンスアンプ部29の2つの差動出力に流れ込む電流値、Iroは、抵抗素子19を流れる電流値である。
μmプロセスのモデルを使用した。図7(a)に示す周波数特性から、−3dB帯域は約14.7GHzである。周波数特性の19GHz付近には、容量39とインダクタ33との共振による大きなディップが見られており、15Gb/s以上の高速動作にはこの部分の改善が必要である。図7(b)には、11.3Gb/sでの光出力波形を示している。トランスコンダクタンスアンプ部29への片相の入力振幅が500mVppにおいて消光比約10dBが得られ、アイ開口も十分な結果が得られている。
Claims (5)
- バイアス電流が供給されて直流光を出射するDFBレーザ素子と、前記直流光を変調する光吸収型の光変調素子とを駆動する回路であって、
バイアス電圧印加用の2つの電源端子間において前記DFBレーザ素子を挟んで直列に接続されたバイアス電流源及びスイッチング素子を備えており、
前記スイッチング素子は、
前記光変調素子に並列に接続された抵抗素子及び第1のトランジスタが直列に接続された第1の直列回路を含む第1の回路部と、
前記DFBレーザ素子に直列に接続されたダイオード素子及び第2のトランジスタが直列に接続された第2の直列回路と、前記第2の直列回路をバイパスする第2の電流源と、を含む第2の回路部と、
が並列に接続されて構成されており、
前記第1のトランジスタ及び前記第2のトランジスタは、相補的な差動信号によって駆動される、
ことを特徴とする外部変調型レーザ素子の駆動回路。 - 前記第1の回路部は、
前記第1の直列回路をバイパスする第1の電流源をさらに含む、
ことを特徴とする請求項1記載の外部変調型レーザ素子の駆動回路。 - 前記DFBレーザ素子に並列に接続されたコンデンサ素子をさらに備える、
ことを特徴とする請求項2に記載の外部変調型レーザ素子の駆動回路。 - 前記2つの電源端子のうちの高電位側の電源端子の電圧が正の電圧値に設定され、かつ、前記2つの電源端子のうちの低電位側の電源端子の電圧がグラウンドに設定された場合に、前記DFBレーザ素子のカソード及び前記光変調素子のカソードの共通の電位が前記正の電圧値と前記グラウンドとの間の電圧値に設定される、
請求項1〜3のいずれか1項に記載の外部変調型レーザ素子の駆動回路。 - 前記ダイオード素子に生じる電圧降下は、前記抵抗素子に生じる電圧降下と略等しくなるように動作する、
請求項1〜4のいずれか1項に記載の外部変調型レーザ素子の駆動回路。
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