JP3701619B2 - 光送信器 - Google Patents
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Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、一般的に、光ファイバ通信システムに用いられる光送信器に関し、特に、電界吸収型(ＥＡ)光変調器やマッハツェンダ(ＭＺ)型光変調器に適した駆動回路及び該駆動回路が適用される光送信器に関する。
【０００２】
【従来の技術】
光ファイバ通信システムにおいては、伝送路の大容量化に伴い変調速度の増大が急務である。レーザダイオードの直接強度変調では、比較的大きな波長チャーピングが伝送距離及び変調速度を制限する。チャーピングのある信号光が色分散（波長分散）を有する光ファイバを通過すると、通常は波形の歪みが生じる。
【０００３】
この問題を避けるために、チャーピングを生じさせにくい外部光変調器の使用に対する期待が高まっている。実用的な外部光変調器として、マッハツェンダ型光変調器（ＭＺ変調器）が開発された。光源からの一定強度のキャリア光がＭＺ変調器に供給され、光の干渉を用いたスイッチング動作によって、強度変調された信号光が得られる。例えば、ＬｉＮｂＯ3結晶を用いたＭＺ変調器や化合物半導体結晶を用いたＭＺ変調器が報告されている。
【０００４】
またＭＺ変調器より低電力駆動が可能で小型化に適した外部光変調器として、電界吸収型光変調器（ＥＡ変調器）が提案されている。ＥＡ変調器は、印加電圧に応じてキャリア光を吸収することにより、強度変調された信号光を生成する。例えば、化合物半導体結晶を用いたＥＡ変調器が報告されている。
【０００５】
実用的なＥＡ変調器は、半導体積層技術により半導体チップとして提供される。ＥＡ変調器は、キャリア光源として用いられるレーザダイオードとの一体化が容易である。従って、キャリア光源と変調器との間の結合損失の低減による高出力化や小型化が可能となる。例えば、ＤＦＢ−ＬＤ（分布帰還型レーザダイオード）とＥＡ変調器とをモノリシックに一体化したＥＡ−ＤＦＢレーザ半導体チップが報告されている。
【０００６】
一般的な光変調器とその駆動回路とを含む光送信器について、図１４及び図１５を参照して説明する。図１４は変調器とその駆動回路とを含む光送信器の回路構成を示す図であり、図１５は図１４の光送信器の等価回路図である。
【０００７】
図１４に示すように、光送信器Ｘは、第１のパッケージ内にチップ実装された駆動回路１００−１と、第１のパッケージとは異なる第２のパッケージ内にチップ実装された光変調器（ＥＡ変調器）１００−２とを含んで構成されている。
【０００８】
駆動回路１００−１は、エミッタが共通接続された２つのバイポーラトランジスタ１０１−１、１０１−２と、それぞれのトランジスタと直列接続された負荷抵抗１０３−１，１０３−２とを含んでいる。共通接続されたエミッタは、電源電圧ＶＥＥに接続され、その間には電流源１０４−１が設けられている。負荷抵抗１０３−１，１０３−２側は、接地（ＧＮＤ）されている。２つのバイポーラトランジスタ１０１−１、１０１−２のそれぞれのベース端子には、ＤＡＴＡ信号とその反転ＤＡＴＡ信号とが入力される。いわゆる差動増幅器である。
【０００９】
光変調器側１００−２は、ｐ−ｎ接合ダイオード１０２と、ｐ−ｎ接合ダイオード１０２から分岐して形成される抵抗１１０とを有している。差動増幅器の出力端１０７−２と光変調器１０２のアノードとが接続され、差動増幅器からの出力電圧（駆動電圧）が光変調器１０２のアノードに印加され、入射光を変調して出力する。
【００１０】
以上のように、光送信器Ｘにおける駆動回路１００−１と光変調器１００−２とは、一般的には別々のパッケージに実装される。パッケージ間は５０Ωのコネクタ１０８（Ｚ）やケーブルを用いるため、変調器−駆動回路間は５０Ωの線路で結合されている。
【００１１】
【発明が解決しようとする課題】
上述のように、光変調器１００−２と変調器を駆動する駆動回路１００−１とは、別々にパッケージングされる。光変調器１００−２用の駆動回路１００−１の出力回路（出力段）としては、図１４及び例えば特開平１１−１４９５１号公報にも記載されているコレクタ出力回路が用いられる。コレクタ出力回路を用いた場合のインピーダンスは、５０Ω整合される。
【００１２】
図１５に示すように、上記の回路構成では、ＥＡ光変調器１００−２自身が有する容量Ｃ１２と配線容量などの他の寄生容量Ｃ１１とによる容量（Ｃ）と終端抵抗(Ｒ)とにより大きなＣＲ時定数を有する低域通過フィルタが形成され、ＣＲ時定数により帯域が制限され、高周波域の信号が遮断されてしまう。
【００１３】
例えば、図１５において、光変調器の容量Ｃ１２が０．５ｐＦであり、寄生容量を含めた駆動回路側の容量Ｃ１１が０．５ｐＦであると仮定する。また、光変調器を駆動する駆動電圧を２Ｖとする。この場合、並列のＺ１（１０３−２）とＺ２（１１０）とが共に５０Ωとすると、実質的な寄生抵抗は２５Ωとなる。従って、ＣＲ時定数は、２５ｐｓとなる。この場合には、動作周波数は最大（ｆｍ）でも１０ＧＨｚ程度が限界となってしまう。すなわち、高速（高周波域）で動作させた場合に、“０”と“１”の信号が切り替わる、いわゆる立ち上がり／立ち下がりに要する遅延時間が大きくなり、光送信器が正常に動作しなくなる可能性が高い。
【００１４】
上記の回路においては、５０Ω整合をとる必要があるためにＲの値は固定されている。従って、ＣＲ時定数を小さくするためにはＣを小さくする必要がある。Ｃを小さくするには、光変調器の容量Ｃ１２を小さくする必要があるが、光変調器の容量Ｃ１２を小さくすると駆動電圧を２Ｖよりも大きくしなければならなくなる。つまり動作帯域と駆動電圧とはトレードオフの関係にある。駆動電圧を大きくすると、駆動回路の高速動作に困難をきたす。
【００１５】
加えて、光変調器の容量Ｃ１２を小さくすると光変調器の出力光のパワーも制限されてしまう。出力光のパワーが小さいと、光通信システム上で光アンプを必要とし、システム全体が高価になるなどの点で不利である。
【００１６】
本発明は、光ファイバ通信システムにおける光送信器の高速化をはかることを目的とする
【００１７】
【課題を解決するための手段】
本発明の一観点によれば、印加される駆動電圧に応じて入力光を変調させて出力する光変調器と、該光変調器に対して前記駆動電圧を出力する駆動回路であって、該駆動回路の出力段にエミッタフォロワ回路を有する駆動回路とを備え、前記エミッタフォロワ回路の出力端子と前記光変調器の電圧入力端子との間を接続する配線の長さＬが、前記光送信器の最大動作周波数ｆｍにおいて、前記駆動回路と前記光変調器とを集中定数的に取り扱える距離以下であることを特徴とする光送信器が提供される。
【００１８】
上記光送信器によれば、光変調器の容量値を維持しつつ高速化を図ることができる。
【００１９】
本発明の他の観点によれば、基板と、該基板にそれぞれ形成され、印加される駆動電圧に応じて入力光を強度変調させて出力する光変調器と、該光変調器に対して前記駆動電圧を出力する駆動回路であって、該駆動回路の出力段にエミッタフォロワ回路を有する駆動回路とを備え、前記エミッタフォロワ回路の出力端子と前記光変調器の電圧入力端子との間を接続する配線の長さＬが、前記光送信器の最大動作周波数ｆｍにおいて、前記駆動回路と前記光変調器とを集中定数的に取り扱える距離以下であることを特徴とする光送信器が提供される。
【００２０】
本発明の光送信器によれば、駆動回路と光変調器とを同一基板上に集積化したので、両者の間を接続する配線の距離を短くすることが容易になる。
【００２１】
【発明の実施の形態】
本明細書においてエミッタフォロワ回路との記載は、バイポーラトランジスタをスイッチング素子として用いた場合を前提としたものであるが、電界効果型トランジスタ（ＦＥＴ）を用いた場合には、ソースフォロワ回路で置換することができる。従って、本願明細書においては、「エミッタフォロワ回路」との用語は、ソースフォロワ回路をも含む。ソースフォロワを出力段に用いた回路も本願の権利範囲内である。
【００２２】
本発明の実施の形態について説明する前に、発明が行った考察について説明する。発明者は、光変調器自身が有する容量を小さくすると光変調器の性能が低下することから、ＣＲ時定数τにより最大動作周波数ｆｍが制限される図１４に示す駆動回路構成による高性能化には限界があることに気が付いた。すなわち、ｆｍ＝１／２πτ＝１／２πＣＲ（τ＝ＣＲ）の式から最大動作周波数が求まる。従って、光変調器の性能によりＣの値をあまり小さくできない状況下では、最大動作周波数ｆｍは、ＣＲ時定数でリミットされる。
【００２３】
発明者は、光変調器自身が有する容量（Ｃ１２）に関しては、ある程度の値を保ちつつ、高速性を追求できる回路構成を思いついた。まず第１に、ＣＲ時定数により動作周波数が制限される上記回路に代えて、新しい駆動方式を有する回路を用いる。発明者の考えついた回路構成について図２を参照して説明する。光変調器としてＥＡ型（Ｅｌｅｃｔｒｉｃ Ｆｉｅｌｄ Ａｂｓｏｒｐｔｉｏｎ Ｔｙｐｅ）光変調器を用いた例を示す。ＥＡ型光変調器は、印加電圧（駆動電圧）に応じてキャリア光の吸収量を調整することにより、強度変調された信号光を生成する。
【００２４】
図２は、発明者の考えついた光送信器の一部の回路構成を示す概略的な等価回路図である。図２に示すように、光送信器Ａは、駆動回路Ａ−１側の出力段（出力回路）であるエミッタフォロワ型回路Ａ−３と、光変調器Ａ−２側のＥＡ変調器（ここでは、容量Ｃ２（９−２）のみを示している。）とを含む。
【００２５】
エミッタフォロワ型回路Ａ−３は、例えばバイポーラトランジスタ１−４と電流源４−３とを有している。バイポーラトランジスタ１−４のエミッタ側の出力端Ｔ１は、ＥＡ型光変調器９−２の電圧入力端子Ｔ２と接続されている。ＥＡ型光変調器９−２の電圧入力端子Ｔ２の他端Ｔ３は接地（ＧＮＤ）されている。この際、エミッタフォロワ型回路Ａ−３は、駆動電圧ＶｍをＥＡ型光変調器９−２の電圧入力端子Ｔ２に印加する。
【００２６】
上記の光送信器Ａにおいては、遅延時間τ1は基本的にエミッタフォロワに流す電流Ｉと、ＥＡ型光変調器９−２の容量Ｃ２とにより決まる。すなわち、Ｃ２×Ｖ＝Ｑ＝Ｉτ1である。従ってＥＡ型光変調器９−２の容量Ｃ２を小さくしなくても、エミッタフォロワに流す電流Ｉの大きさに反比例して、遅延時間τ1を小さくすることができる。駆動回路の出力回路（出力段）にエミッタフォロワ回路を用いればＣＲ時定数による高速性の制限を受けにくい。
【００２７】
以上のように、駆動回路の出力回路（出力段）にエミッタフォロワ型回路を配置すれば、遅延時間（最大動作周波数）は、エミッタフォロワ型回路に流す電流Ｉと光変調器の容量Ｃの充放電時間によりほぼ決まるため、エミッタフォロワに電流をより多く流すことにより高速化が可能となる。このとき、通常用いられる光変調器側の終端抵抗は必要ない。
【００２８】
とりわけ、駆動回路-光変調器間の距離を、光送信器の最大動作周波数ｆｍにおいて、駆動回路と光変調器とを集中定数的に取り扱える距離以下にするのが好ましい。高周波信号が駆動回路-光変調器間の距離を感じなければ、多重反射を防ぐことができ、５０Ωのインピーダンス整合を考えずに回路を設計できる。このような回路では、ＣＲ時定数制限のある駆動方式から容量の低インピーダンス駆動に置き換わる。高速性の制限はエミッタフォロワに流す電流と光変調器の容量の充放電時間に置き換わるため、エミッタフォロワに電流をより多く流すことにより高速性が上がる。このとき、通常用いられる光変調器側の終端抵抗は必要ない。
【００２９】
より詳細には、集中定数とみなせる距離Ｌとは、電気信号（電磁波）の波長λが光送信器の最大動作周波数ｆｍから求められる波長よりも短い距離であり、より好ましくは、ｆｍから求められる波長λよりも十分に短い距離である。この距離Ｌについて以下により具体的に説明する。
【００３０】
λ＝ｃ／ｆ、Ｃ＝（μ0ε0）-0.5である。ここで、λは波長であり、ｆは周波数、Ｃは容量、μ0は真空透磁率であり、１．２５６×１０-6（Ｈ／ｍ）である。με0は真空誘電率であり、８．８５×１０-12（Ｆ／ｍ）である。光速ｃは、２．９９８×１０-8（ｍ／ｓ）である。
【００３１】
例えば、動作周波数ｆが１０ＧＨｚであれば、波長λは、約３ｃｍとなる。動作周波数ｆが４０ＧＨｚであれば、波長λは、約７．５ｍｍとなる。誘電率が異なる場合は比誘電率εｓの平方根で上記の式を除算すれば良い。実際の距離Ｌは、上記の式により求まる波長λより小さいことが好ましい。好ましくは、例えばλの１／３、より好ましくは１／１０以下である。
【００３２】
比誘電率εｓは、エミッタフォロワ型出力回路の出力端とＥＡ型光変調器の電圧入力端子との間を接続する配線の周辺材料により決まる。例えば、ＩｎＰ基板上に素子を形成し、Ａｕで配線を行えば、電界がもれているＩｎＰ層(比誘電率εｓ＝１２．１)と空気層(比誘電率ε＝１)とのほぼ平均的な値(配線形状などにより多少変化する)が実効的な比誘電率となる。
【００３３】
以上の考察に基づき、本発明の第１の実施の形態による光送信器について、図１から図４までを参照して説明する。図１は、本発明の第１の実施の形態による光送信器の回路図であり、その出力段は図２の等価回路により表される。図３は、本発明の第１の実施の形態による光送信器の構造を示す斜視図であり、図４（Ａ）は概略化した平面図、図４（Ｂ）は図４（Ａ）のＩＶＩＢａ−ＶＩＢｂ線沿う断面図である。
【００３４】
図１に示すように、パッケージＰＫ１内には、駆動回路Ａ−１と光変調器Ａ−２とを有する光送信器Ａが集積化されている。
【００３５】
駆動回路Ａ−１は、差動増幅器Ａ−３−１と、その差動出力端子に接続された第１エミッタフォロワ回路Ａ−３−２と、反転出力端子に接続された第２のエミッタフォロワ回路Ａ−３−３とを有している。差動増幅器は、エミッタが共通接続された２つのバイポーラトランジスタ１−１、１−２と、それぞれのトランジスタと直列接続された負荷抵抗３−１，３−２とを含んでいる。共通接続されたエミッタは、電源電圧ＶＥＥに接続され、その間には電流源（例えば、エミッタ−ベース間が接続されたバイポーラトランジスタなど）４−１が設けられている。負荷抵抗３−１，３−２のバイポーラトランジスタ１−１、１−２と反対側の端子は、接地（ＧＮＤ）されている。２つのバイポーラトランジスタ１−１、１−２のそれぞれのベース端子には、ＤＡＴＡ信号とその反転ＤＡＴＡ信号とが入力される。
【００３６】
第１のエミッタフォロワ回路Ａ−３−２は、トランジスタ１−４と電流源４−３との直列接続を有しており、第２のエミッタフォロワ回路Ａ−３−３は、トランジスタ１−３と電流源４−２との直列接続を有している。トランジスタ１−４のベースに差動増幅器Ａ−３−１の差動出力信号が入力され、トランジスタ１−３のベースに差動増幅器Ａ−３−１の反転差動出力信号が入力される。電流源４−３及び電流源４−２のトランジスタと反対側の端子は、それぞれ電源電圧ＶＥＥに接続されている。両エミッタフォロワ回路のうちトランジスタ１−３，１−４のコレクタ側も、接地されている。
【００３７】
上記駆動回路Ａ−１においては、トランジスタ１−１、１−２と、抵抗３−１、３−２とに流れる電流で決まる出力電圧がトランジスタ１−３、１−４のベースに印加される。トランジスタ１−３、１−４はコレクタが接地された、いわゆるエミッタフォロワ形式である。このエミッタフォロワを出力回路として用いる駆動用回路Ａ−１により電界吸収型光変調器２を駆動する。
【００３８】
図１においては、第１のエミッタフォロワ回路Ａ−３−２は、差動増幅器の出力と接続されて駆動回路Ａ−１の出力段を構成している。その出力端子Ｔ１は、ＥＡ型光変調器２のアノード側の端子Ｔ２と、配線ＬＩＮＥにより接続されている。ＥＡ型光変調器２のカソード側の端子Ｔ３は接地（ＧＮＤ）されている。
【００３９】
図３、図４（Ａ）及び（Ｂ）を参照して、本実施の形態による光送信器の構造をより詳細に説明する。
【００４０】
これらの図に示されるように、本実施の形態による光送信器Ａは、パッケージＰＫ１内に１チップＣＰの形態で収容されている。光送信器Ａは、ＥＡ型光変調器６−１と、そのアノードに所定の駆動電圧を印加するための駆動回路５−１とを含む。前述のように、駆動回路５−１の出力段の出力端子と光変調器６−１の入力端子とは、長さＬの配線ＬＩＮＥにより接続されている。
【００４１】
図４（Ｂ）に示すように、本実施の形態による光送信器Ａは、例えば、ＩｎＰ基板２１に形成されている。半絶縁性ＩｎＰ基板２１内に、ｎ型不純物拡散層２１ａと、このｎ型不純物拡散層２１ａに近接してｐ型不純物拡散層２１ｂとが形成されている。ｎ型不純物拡散層２１ａとｐ型不純物拡散層２１ｂとは、例えばイオン注入法などにより形成することも可能である。また、不純物拡散層形成領域を露出する開口部を同一マスクを用いて形成し、例えば開口部から露出したＩｎＰ基板２１にそれぞれｎ型とｐ型との半導体層を選択成長する方法などを用いて形成することもできる。同一マスクを用いてｎ型不純物拡散層２１ａとｐ型不純物拡散層２１ｂとを形成すれば、位置合わせ工程が不要になり、ほぼマスク設計のよって決められた寸法通りに両不純物拡散層間の距離を設定することもできる。特に、両者の距離を短くする場合に上記選択成長工程を用いると有効である。
【００４２】
ｎ型不純物拡散層２１ａ（エミッタ層）上には、ｐ型半導体層２５（ベース層）とｎ型半導体層２６（コレクタ層）とが順次積層されており、いわゆるｎｐｎ型のバイポーラトランジスタがエミッタフォロワ回路のトランジスタ１−４として形成されている。
【００４３】
一方、ｐ型不純物拡散層２１ｂ（アノード層）上には、ｎ型半導体層２７（カソード層）が形成されており、いわゆるｐ−ｎ接合を有するＥＡ型光変調器６−１が形成される。
【００４４】
エミッタフォロワ回路のトランジスタ１−４とＥＡ型光変調器６−１とを覆って、例えば窒化珪素により絶縁膜２２が形成されている。絶縁膜２２に形成され、ｎ型半導体層２５の一部表面領域上を開口する開口部２２ａとｐ型半導体層２６の一部表面領域上を開口する開口部２２ｂとが形成され、開口部２２ａ及び２２ｂ内に、第１電極２３及び第２電極２４がそれぞれ形成されている。これらの電極２３・２４間であって、絶縁膜２２上にＡｕによる配線層２８（図４（Ａ）の配線ＬＩＮＥ）が形成されている。 駆動回路の出力段のバイポーラトランジスタのエミッタ層（２１ａ）とＥＡ型光変調器６−１のアノード層（２１ｂ）とが接続される。
【００４５】
本発明の第１の実施の形態による光送信器によれば、エミッタフォロワを出力回路として用いることにより、出力インピーダンスを低くできる。すなわち、駆動回路Ａ−１の出力段にエミッタフォロワ型回路１−４を設けることにより、ＣＲ時定数制限のある駆動方式から容量の低インピーダンス駆動に置き換わる。
【００４６】
動作周波数は、エミッタフォロワに流す電流Ｉによる光変調器の容量Ｃの充放電時間によって決まるため、エミッタフォロワ型回路１−４に流れる電流Ｉを調整することにより、最大動作周波数を高くすることも可能である。この場合に、駆動回路Ａ−１と光変調器Ａ−２間は、最大動作周波数においても集中定数とみなせる距離に配置することが好ましい。
【００４７】
尚、図１ではトランジスタとしてバイポーラトランジスタを用いているが、例えば、高移動度トランジスタ（ハイエレクトロンモビリティトランジスタ： ＨＥＭＴ）などの電界効果型トランジスタを用いても同様に構成することが可能である。
【００４８】
前述のように、動作周波数がＣＲ時定数で制限される（図１４）場合には、例えばＣＲ時定数は２５ｐｓとなる。
【００４９】
本実施の形態による光送信器の場合には、光変調器の容量と駆動電圧とで決まる電荷ＱはＣ×Ｖ＝１ｐＣである。例えばエミッタフォロワにＩ＝５０ｍＡの電流を流すと、時定数は２０ｐｓとなる。エミッタフォロワにＩ＝１００ｍＡの電流を流すと、時定数は１０ｐｓとなる。このように、エミッタフォロワに電流Ｉを多く流すことにより、容量値に対して時定数を小さくすることが可能となる。従って、光送信器の高速化が可能となる。
【００５０】
本発明の一実施の形態による光送信器においては、光送信器の動作周波数を高くしても正常に動作させることが可能である。加えて、ＥＡ光変調器の容量Ｃを大きくしたままでも、光送信器の高速性を維持できる。従って、同じ動作周波数において光変調器の駆動電圧を下げることも可能であり、或いは、光変調器の出力パワーを大きくすることも可能である。
【００５１】
同一基板上に、光変調器（ＥＡ型光変調器）と駆動回路とを形成することにより、両者の間の配線を短くすることができ、光送信器の高速化が可能となる。また、１チップに集積化することにより、チップサイズ自体も小さくすることができる。
【００５２】
尚、本実施の形態による光送信器のうち、差動増幅器Ａ−３−１のコレクタ側共通端子とエミッタフォロワ回路Ａ−３−２、Ａ−３−３のコレクタ側端子とは、いずれも接地（ＧＮＤ）されている例を示したが、両者に共通の一定電圧を印加することも可能である。或いは、差動増幅器とエミッタフォロワ回路とで異なる電圧を印加できるように構成しても良い。
【００５３】
次に、本発明の第２の実施の形態による光送信器について図５及び図６（Ａ）及び（Ｂ）を参照して説明する。適宜図１をも参照する。
【００５４】
図５及び図６（Ａ）に示すように、本実施の形態による光送信器は、駆動回路５−２が形成された第１のチップＣＰ１と、第１のチップＣＰ１上に形成されＥＡ型光変調器６−２が形成された第２のチップＣＰ２とを有している。駆動回路５−２の出力段の出力端子と光変調器６−２の入力端子とは、配線ＬＩＮＥ２により接続されている。
【００５５】
図６（Ｂ）に示すように、本実施の形態による光送信器Ｂは、例えば、ＩｎＰ基板３１に形成されている。半絶縁性ＩｎＰ基板３１内に、ｎ型不純物拡散層２１ａが形成される。このｎ型不純物拡散層２１ａに近接して、ｐ型のＩｎＰ基板３１ｂとｎ型導電層３７との積層構造を有するＥＡ型光変調器のチップがＩｎＰ基板３１上に搭載されている。
【００５６】
より詳細には、ｎ型不純物拡散層２１ａ（エミッタ層）上には、ｐ型半導体層２５（ベース層）とｎ型半導体層２６（コレクタ層）とが順次積層されており、いわゆるｎｐｎ型のバイポーラトランジスタがエミッタフォロワ回路のトランジスタ１−４として形成されている。
【００５７】
一方、ｐ型ＩｎＰ基板３１ｂ（アノード層）上には、ｎ型半導体層３７（カソード層）が形成されており、いわゆるｐ−ｎ接合を有するＥＡ型光変調器６−１が形成される。
【００５８】
エミッタフォロワ回路のトランジスタ１−４を覆って、例えば窒化珪素により絶縁膜３２が形成されている。絶縁膜３２にｎ型半導体層３５の一部領域上を開口する開口部３２ａが形成され、開口部３２ａ内に、第３電極３３が形成されている。第３電極３３からＥＡ型光変調器に向けて、絶縁膜３２上にＡｕによる配線層３２（図６（Ａ）の配線ＬＩＮＥ２）が形成されている。ｐ型ＩｎＰ基板３１ｂ（アノード層）の下面と配線層３２の上面とは、例えばハンダバンプ３０により電気的に接続されている。
【００５９】
以上の構造により、駆動回路の出力段のバイポーラトランジスタのエミッタ層（３１ａ）とＥＡ型光変調器６−２のアノード層（３１ｂ）とが接続される。
【００６０】
光送信器の動作などに関しては、第１の実施の形態による光送信器の場合と同様である。
【００６１】
次に、本発明の第３の実施の形態による光送信器について説明する前に、発明の行った第２の考察について図１６を参照して説明する。
【００６２】
図１６に示す光送信器は、図１４に示す光送信器に加えて、光変調器側と駆動回路側との間に、ハイレベルの調整回路を設けている。
【００６３】
図１６に示すように、駆動回路１００−１と光変調器１００−２との間の配線ＬＩＮＥ１００の途中（駆動回路１００−１の出力回路の出力端子と光変調器１００−２の入力端子との間）にレベル調整回路１４１を設けている。レベル調整回路１４１により電流を流すことでハイレベルの調整を行うことができる。しかしながら、レベル調整回路１４１を設けると寄生容量が増え、最大動作周波数ｆｍが低くなるという問題がある。
【００６４】
そこで、発明者は、駆動回路の出力段の出力端子と光変調器の入力端子との間にレベル調整回路を設けなくてもハイレベルの調整を行うことができるレベル調子機能を有する光送信器を考案した。本発明の実施の形態によるレベル調整機能付き光送信器について図７Ａを参照して説明する。
【００６５】
図７Ａに示すように、図７Ａに示すレベル調整機能付き光送信器Ｃは、基本的には図１に示す本発明の第１の実施の形態による光送信器と同様の構成、すなわち、光変調器を駆動する駆動回路の出力段としてエミッタフォロワ回路を設けた回路である。
【００６６】
図７Ａに示す光送信器が、図１に示される光送信器と異なる点は、差動増幅器Ａ−３−１の共通コレクタ端子に、所望の電圧を印加できる電圧発生回路ＬＣＣが設けられている点である。電圧発生回路ＬＣＣにより共通コレクタ端子に印加される電圧ＶＣＣ１が可変であるため、差動増幅器Ａ−３−１の共通コレクタ端子とＶＥＥとの間に印加される電圧を調整するレベル調整機能を発揮させることができる。これにより、駆動回路Ａ−１のハイレベルを調整することが可能になる。この構成によれば、エミッタフォロワ回路Ａ−３−２、Ａ−３−３の出力端子Ｔ１と光変調器２の電圧入力端子Ｔ２との間の容量を増加させることがないため、動作速度に与える影響は少ない。
【００６７】
尚、図７Ｂに示すように、エミッタフォロワ回路のコレクタ端側に上記ＬＣＣから付与される電圧ＶＣＣ１とは異なる電圧ＶＣＣ２を付与することも可能である。電圧ＶＣＣ１とは異なる電圧ＶＣＣ２を付与するように構成すると、ある程度ＶＣＥ（コレクタ−エミッタ間電圧）を小さくすることができ、エミッタフォロワとなるトランジスタ１−３、１−４のトランジスタの性能を十分に引き出すことができる。
【００６８】
次に、本発明の第４の実施の形態による光送信器について図８から図１０までを参照して説明する。図８は図３に対応する図であり、図３に示す光送信器に加えて、さらに、１チップＣＰに、光変調器６−１とエミッタフォロワ回路を出力回路とする駆動回路５−１とともに、キャリア光を発するレーザダイオードＬＤ１を集積化した構造を有する。
【００６９】
レーザダイオードＬＤ１も、例えばＩｎＰ系の材料により形成することができる。レーザダイオードＬＤ１から出射されＥＡ型光変調器６−１に入射されたキャリア光（入力光）が、駆動回路５−１から印加された駆動電圧により変調され出射光（変調光）を出射する。
【００７０】
図９に、図８に示すチップＣＰ（図９では符号１６（ＣＰ）で示される）内に集積化された、光源−光変調器集積−エミッタフォロワ駆動回路モジュール１６と、多重回路(ＭＵＸ：Ｍｕｔｉｐｌｅｘｅｒ)モジュール１２とを有する。ｎ：１多重のＭＵＸモジュール１２からの電気信号を本実施の形態によるモジュール１６（ＣＰ）に入力させることにより、光源からのキャリア光を変調し光ファイバ１５−２を介して外部に光を出力することができる。
【００７１】
図１０は、図９に示すモジュールを用いることにより得られた動作波形例を示す図である。図１０に示すように、符号１０１１で示される本実施の形態によるモジュールの動作波形は、立ち上がり時間ｔ１と立ち下がり時間ｔ３との和が、ほぼ５ｐｓと、“０”と“１”との切り替わりの周期（２５ｐｓ）と比べて小さい値が得られ、正常に動作していることが判る。一方、従来の回路を用いた場合には、符号１００１に示すように、立ち上がり時間ｔ２と立ち下がり時間ｔ４との和が、ほぼ２０ｐｓと周期（２５ｐｓ）と同等の値となってしまうため、“０”と“１”との識別が難しくなっている。このように、動作周波数ｆが５０ＧＨｚ程度になると、他の条件が同じ場合でも、本実施の形態によるモジュールがきわめて有利であることがわかる。
【００７２】
次に、本発明の第５の実施の形態による光送信器について図１１及び図１２を参照して説明する。図１１は図３に対応する図であり、図３に示す光送信器に加えて、さらに、エミッタフォロワ回路を出力回路とする駆動回路５−２が形成されたチップＣＰ１上に、光変調器６−２が形成された別のチップＣＰ２と、キャリア光を発するレーザダイオードＬＤ２が形成されたさらに別のチップＣＰ３とが搭載されている。
【００７３】
レーザダイオードＬＤ２から出射され導波路を介してＥＡ型光変調器６−２に入射されたキャリア光（入力光）が、駆動回路５−２から印加された駆動電圧により変調され出射光（変調光）を出射する。
【００７４】
図１２に、図１１に示す光変調器集積−エミッタフォロワ駆動回路モジュール１４（ＣＰ１及びＣＰ２）と、光源１３（ＣＰ３）と、光変調器集積−エミッタフォロワ駆動回路モジュール１４（ＣＰ１及びＣＰ２）と光源１３（ＣＰ３）とを結合する光ファイバ１５−１と、多重回路(ＭＵＸ：Ｍｕｔｉｐｌｅｘｅｒ)モジュール１２とを有する。ｎ：１多重のＭＵＸモジュール１２からの電気信号を本実施の形態によるモジュールに入力させることにより、光源からのキャリア光を変調し光ファイバ１５−２を介して外部に光を出力することができる。それぞれの素子を別チップとすることにより、個々の特性に応じて適したチップを選択すれば、全体としての光送信器の高性能化が可能である。
【００７５】
尚、本実施の形態による光送信器においても、多重回路(ＭＵＸ：Ｍｕｔｉｐｌｅｘｅｒ)モジュール１２をＣＰ１と同一チップ内に集積化しても良い。
【００７６】
次に、本発明の第１から第５までの各実施の形態による光送信器の変形例について図１３を参照して説明する。図１３に示す光送信器は、基本的には本発明の第１から第５までの実施の形態による光送信器と同様の構成を有している。但し、光変調器として、ＥＡ型光変調器の代わりにマッハツェンダ型光変調器Ｄ−２を用いている点が異なる。マッハツェンダ型光変調器Ｄ−２は、例えば、入力光を受け入れるための第１導波路ＲＴ１と、この第１導波路ＲＴ１から第２導波路ＲＴ２と第３導波路ＲＴ３とに分岐した分岐路と、第２導波路ＲＴ２と第３導波路ＲＴ３とが合流して形成された第４導波路ＲＴ４とを有している。第４導波路ＲＴ４から光が出射する。
【００７７】
例えば第２導波路ＲＴ２に対して、駆動回路Ａ−１の出力段からの駆動電圧を印加するための電極Ｅ１が形成されている。駆動回路Ａ−１から印加される駆動電圧により、第２導波路ＲＴ２を通る光の位相が変調される。光の位相の変調の度合いは、駆動回路Ａ−１から印加される駆動電圧により調整することができる。第３導波路ＲＴ３を通る光の位相は変調されない。従って、第２導波路ＲＴ２を通る光と第３導波路ＲＴ３を通る光が第４導波路ＲＴ４において合流して出射される際に入射光とは異なる位相を有することになる。
【００７８】
ＥＡ型光変調器の代わりにマッハツェンダ型光変調器を用いた場合にも、電極Ｅ１に電圧を印加するための駆動回路の出力回路としてエミッタフォロワ型の出力回路を用いると、マッハツェンダ型光変調器が有する容量Ｃとはほぼ独立に光送信器の最大動作周波数ｆｍを向上させることができる。
【００７９】
この場合にも、駆動回路-光変調器間を高周波においても集中定数とみなせる短い距離に配置するのが好ましい必要がある。
【００８０】
その他の構成及び応用については、第１から第５の実施の形態における説明と同様である。
【００８１】
以上、実施の形態に沿って本発明を説明したが、本発明はこれらに制限されるものではない。その他、種々の変更、改良、組み合わせが可能なことは当業者に自明であろう。
【００８２】
【発明の効果】
光変調器用の駆動回路の出力にエミッタフォロワ回路を適用することにより、ＣＲ時定数による帯域制限を受けずに、光変調器を高速化することが可能になる。同一基板に駆動回路と光変調器を集積化すると、さらに高速化と高集積化とが可能になる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の第１の実施の形態による光送信器の回路図である。
【図２】図１の概略的な等価回路図である。
【図３】本発明の第１の実施の形態による光送信器の斜視図である。
【図４】本発明の第１の実施の形態による光送信器の構造を示す図であり、図４（Ａ）は平面図、図４（Ｂ）は図４（Ａ）のＩＶＢａ−ＩＶＢｂ線に沿う断面図である。
【図５】本発明の第２の実施の形態による光送信器の斜視図である。
【図６】本発明の第２の実施の形態による光送信器の構造を示す図であり、図６（Ａ）は平面図、図６（Ｂ）は図４（Ａ）のＶＩＢａ−ＶＩＢｂ線に沿う断面図である。
【図７】図７（Ａ）は本発明の第１の実施の形態による光送信器の回路図であり、図７（Ｂ）は図７（Ａ）の変形例を示す回路図である。
【図８】本発明の第３の実施の形態による光送信器の斜視図である。
【図９】本発明の第３の実施の形態による光送信器の全体構成を示す機能ブロック図である。
【図１０】図９の光送信器の高速動作波形例を示す図である。合わせて一般的な光送信器の高速動作波形を示す。
【図１１】本発明の第４の実施の形態による光送信器の斜視図である。
【図１２】本発明の第４の実施の形態による光送信器の全体構成を示す機能ブロック図である。
【図１３】本発明の各実施の形態による光送信器の変形例を示す回路図である。
【図１４】一般的な光送信器の回路図の例である。
【図１５】図１４の概略的な等価回路図である。
【図１６】図１４の回路にハイレベル調整回路を付した構成を有する回路図である。
【符号の説明】
１−１〜１−４…トランジスタ、２…電界吸収（ＥＡ）型光変調器、３−１、３−２…抵抗、４−１〜４−３…電流源、５…（エミッタフォロワ出力変調器）駆動回路、６…光変調器、７、２１…半導体基板、ＬＩＮＥ、２８…配線（伝送線路）、９−１〜９−２…容量、ＬＣＣ…ハイレベル調整回路、１２…多重回路(ＭＵＸ：Ｍｕｔｉｐｌｅｘｅｒ)、１３…光源（レーザダイオード）、１４…光変調器−エミッタフォロワ出力変調器駆動回路集積モジュール、１５−１、１５−２…光ファイバ、１６…光源-光変調器-エミッタフォロワ出力変調器駆動回路集積モジュール。
【発明の属する技術分野】
本発明は、一般的に、光ファイバ通信システムに用いられる光送信器に関し、特に、電界吸収型(ＥＡ)光変調器やマッハツェンダ(ＭＺ)型光変調器に適した駆動回路及び該駆動回路が適用される光送信器に関する。
【０００２】
【従来の技術】
光ファイバ通信システムにおいては、伝送路の大容量化に伴い変調速度の増大が急務である。レーザダイオードの直接強度変調では、比較的大きな波長チャーピングが伝送距離及び変調速度を制限する。チャーピングのある信号光が色分散（波長分散）を有する光ファイバを通過すると、通常は波形の歪みが生じる。
【０００３】
この問題を避けるために、チャーピングを生じさせにくい外部光変調器の使用に対する期待が高まっている。実用的な外部光変調器として、マッハツェンダ型光変調器（ＭＺ変調器）が開発された。光源からの一定強度のキャリア光がＭＺ変調器に供給され、光の干渉を用いたスイッチング動作によって、強度変調された信号光が得られる。例えば、ＬｉＮｂＯ3結晶を用いたＭＺ変調器や化合物半導体結晶を用いたＭＺ変調器が報告されている。
【０００４】
またＭＺ変調器より低電力駆動が可能で小型化に適した外部光変調器として、電界吸収型光変調器（ＥＡ変調器）が提案されている。ＥＡ変調器は、印加電圧に応じてキャリア光を吸収することにより、強度変調された信号光を生成する。例えば、化合物半導体結晶を用いたＥＡ変調器が報告されている。
【０００５】
実用的なＥＡ変調器は、半導体積層技術により半導体チップとして提供される。ＥＡ変調器は、キャリア光源として用いられるレーザダイオードとの一体化が容易である。従って、キャリア光源と変調器との間の結合損失の低減による高出力化や小型化が可能となる。例えば、ＤＦＢ−ＬＤ（分布帰還型レーザダイオード）とＥＡ変調器とをモノリシックに一体化したＥＡ−ＤＦＢレーザ半導体チップが報告されている。
【０００６】
一般的な光変調器とその駆動回路とを含む光送信器について、図１４及び図１５を参照して説明する。図１４は変調器とその駆動回路とを含む光送信器の回路構成を示す図であり、図１５は図１４の光送信器の等価回路図である。
【０００７】
図１４に示すように、光送信器Ｘは、第１のパッケージ内にチップ実装された駆動回路１００−１と、第１のパッケージとは異なる第２のパッケージ内にチップ実装された光変調器（ＥＡ変調器）１００−２とを含んで構成されている。
【０００８】
駆動回路１００−１は、エミッタが共通接続された２つのバイポーラトランジスタ１０１−１、１０１−２と、それぞれのトランジスタと直列接続された負荷抵抗１０３−１，１０３−２とを含んでいる。共通接続されたエミッタは、電源電圧ＶＥＥに接続され、その間には電流源１０４−１が設けられている。負荷抵抗１０３−１，１０３−２側は、接地（ＧＮＤ）されている。２つのバイポーラトランジスタ１０１−１、１０１−２のそれぞれのベース端子には、ＤＡＴＡ信号とその反転ＤＡＴＡ信号とが入力される。いわゆる差動増幅器である。
【０００９】
光変調器側１００−２は、ｐ−ｎ接合ダイオード１０２と、ｐ−ｎ接合ダイオード１０２から分岐して形成される抵抗１１０とを有している。差動増幅器の出力端１０７−２と光変調器１０２のアノードとが接続され、差動増幅器からの出力電圧（駆動電圧）が光変調器１０２のアノードに印加され、入射光を変調して出力する。
【００１０】
以上のように、光送信器Ｘにおける駆動回路１００−１と光変調器１００−２とは、一般的には別々のパッケージに実装される。パッケージ間は５０Ωのコネクタ１０８（Ｚ）やケーブルを用いるため、変調器−駆動回路間は５０Ωの線路で結合されている。
【００１１】
【発明が解決しようとする課題】
上述のように、光変調器１００−２と変調器を駆動する駆動回路１００−１とは、別々にパッケージングされる。光変調器１００−２用の駆動回路１００−１の出力回路（出力段）としては、図１４及び例えば特開平１１−１４９５１号公報にも記載されているコレクタ出力回路が用いられる。コレクタ出力回路を用いた場合のインピーダンスは、５０Ω整合される。
【００１２】
図１５に示すように、上記の回路構成では、ＥＡ光変調器１００−２自身が有する容量Ｃ１２と配線容量などの他の寄生容量Ｃ１１とによる容量（Ｃ）と終端抵抗(Ｒ)とにより大きなＣＲ時定数を有する低域通過フィルタが形成され、ＣＲ時定数により帯域が制限され、高周波域の信号が遮断されてしまう。
【００１３】
例えば、図１５において、光変調器の容量Ｃ１２が０．５ｐＦであり、寄生容量を含めた駆動回路側の容量Ｃ１１が０．５ｐＦであると仮定する。また、光変調器を駆動する駆動電圧を２Ｖとする。この場合、並列のＺ１（１０３−２）とＺ２（１１０）とが共に５０Ωとすると、実質的な寄生抵抗は２５Ωとなる。従って、ＣＲ時定数は、２５ｐｓとなる。この場合には、動作周波数は最大（ｆｍ）でも１０ＧＨｚ程度が限界となってしまう。すなわち、高速（高周波域）で動作させた場合に、“０”と“１”の信号が切り替わる、いわゆる立ち上がり／立ち下がりに要する遅延時間が大きくなり、光送信器が正常に動作しなくなる可能性が高い。
【００１４】
上記の回路においては、５０Ω整合をとる必要があるためにＲの値は固定されている。従って、ＣＲ時定数を小さくするためにはＣを小さくする必要がある。Ｃを小さくするには、光変調器の容量Ｃ１２を小さくする必要があるが、光変調器の容量Ｃ１２を小さくすると駆動電圧を２Ｖよりも大きくしなければならなくなる。つまり動作帯域と駆動電圧とはトレードオフの関係にある。駆動電圧を大きくすると、駆動回路の高速動作に困難をきたす。
【００１５】
加えて、光変調器の容量Ｃ１２を小さくすると光変調器の出力光のパワーも制限されてしまう。出力光のパワーが小さいと、光通信システム上で光アンプを必要とし、システム全体が高価になるなどの点で不利である。
【００１６】
本発明は、光ファイバ通信システムにおける光送信器の高速化をはかることを目的とする
【００１７】
【課題を解決するための手段】
本発明の一観点によれば、印加される駆動電圧に応じて入力光を変調させて出力する光変調器と、該光変調器に対して前記駆動電圧を出力する駆動回路であって、該駆動回路の出力段にエミッタフォロワ回路を有する駆動回路とを備え、前記エミッタフォロワ回路の出力端子と前記光変調器の電圧入力端子との間を接続する配線の長さＬが、前記光送信器の最大動作周波数ｆｍにおいて、前記駆動回路と前記光変調器とを集中定数的に取り扱える距離以下であることを特徴とする光送信器が提供される。
【００１８】
上記光送信器によれば、光変調器の容量値を維持しつつ高速化を図ることができる。
【００１９】
本発明の他の観点によれば、基板と、該基板にそれぞれ形成され、印加される駆動電圧に応じて入力光を強度変調させて出力する光変調器と、該光変調器に対して前記駆動電圧を出力する駆動回路であって、該駆動回路の出力段にエミッタフォロワ回路を有する駆動回路とを備え、前記エミッタフォロワ回路の出力端子と前記光変調器の電圧入力端子との間を接続する配線の長さＬが、前記光送信器の最大動作周波数ｆｍにおいて、前記駆動回路と前記光変調器とを集中定数的に取り扱える距離以下であることを特徴とする光送信器が提供される。
【００２０】
本発明の光送信器によれば、駆動回路と光変調器とを同一基板上に集積化したので、両者の間を接続する配線の距離を短くすることが容易になる。
【００２１】
【発明の実施の形態】
本明細書においてエミッタフォロワ回路との記載は、バイポーラトランジスタをスイッチング素子として用いた場合を前提としたものであるが、電界効果型トランジスタ（ＦＥＴ）を用いた場合には、ソースフォロワ回路で置換することができる。従って、本願明細書においては、「エミッタフォロワ回路」との用語は、ソースフォロワ回路をも含む。ソースフォロワを出力段に用いた回路も本願の権利範囲内である。
【００２２】
本発明の実施の形態について説明する前に、発明が行った考察について説明する。発明者は、光変調器自身が有する容量を小さくすると光変調器の性能が低下することから、ＣＲ時定数τにより最大動作周波数ｆｍが制限される図１４に示す駆動回路構成による高性能化には限界があることに気が付いた。すなわち、ｆｍ＝１／２πτ＝１／２πＣＲ（τ＝ＣＲ）の式から最大動作周波数が求まる。従って、光変調器の性能によりＣの値をあまり小さくできない状況下では、最大動作周波数ｆｍは、ＣＲ時定数でリミットされる。
【００２３】
発明者は、光変調器自身が有する容量（Ｃ１２）に関しては、ある程度の値を保ちつつ、高速性を追求できる回路構成を思いついた。まず第１に、ＣＲ時定数により動作周波数が制限される上記回路に代えて、新しい駆動方式を有する回路を用いる。発明者の考えついた回路構成について図２を参照して説明する。光変調器としてＥＡ型（Ｅｌｅｃｔｒｉｃ Ｆｉｅｌｄ Ａｂｓｏｒｐｔｉｏｎ Ｔｙｐｅ）光変調器を用いた例を示す。ＥＡ型光変調器は、印加電圧（駆動電圧）に応じてキャリア光の吸収量を調整することにより、強度変調された信号光を生成する。
【００２４】
図２は、発明者の考えついた光送信器の一部の回路構成を示す概略的な等価回路図である。図２に示すように、光送信器Ａは、駆動回路Ａ−１側の出力段（出力回路）であるエミッタフォロワ型回路Ａ−３と、光変調器Ａ−２側のＥＡ変調器（ここでは、容量Ｃ２（９−２）のみを示している。）とを含む。
【００２５】
エミッタフォロワ型回路Ａ−３は、例えばバイポーラトランジスタ１−４と電流源４−３とを有している。バイポーラトランジスタ１−４のエミッタ側の出力端Ｔ１は、ＥＡ型光変調器９−２の電圧入力端子Ｔ２と接続されている。ＥＡ型光変調器９−２の電圧入力端子Ｔ２の他端Ｔ３は接地（ＧＮＤ）されている。この際、エミッタフォロワ型回路Ａ−３は、駆動電圧ＶｍをＥＡ型光変調器９−２の電圧入力端子Ｔ２に印加する。
【００２６】
上記の光送信器Ａにおいては、遅延時間τ1は基本的にエミッタフォロワに流す電流Ｉと、ＥＡ型光変調器９−２の容量Ｃ２とにより決まる。すなわち、Ｃ２×Ｖ＝Ｑ＝Ｉτ1である。従ってＥＡ型光変調器９−２の容量Ｃ２を小さくしなくても、エミッタフォロワに流す電流Ｉの大きさに反比例して、遅延時間τ1を小さくすることができる。駆動回路の出力回路（出力段）にエミッタフォロワ回路を用いればＣＲ時定数による高速性の制限を受けにくい。
【００２７】
以上のように、駆動回路の出力回路（出力段）にエミッタフォロワ型回路を配置すれば、遅延時間（最大動作周波数）は、エミッタフォロワ型回路に流す電流Ｉと光変調器の容量Ｃの充放電時間によりほぼ決まるため、エミッタフォロワに電流をより多く流すことにより高速化が可能となる。このとき、通常用いられる光変調器側の終端抵抗は必要ない。
【００２８】
とりわけ、駆動回路-光変調器間の距離を、光送信器の最大動作周波数ｆｍにおいて、駆動回路と光変調器とを集中定数的に取り扱える距離以下にするのが好ましい。高周波信号が駆動回路-光変調器間の距離を感じなければ、多重反射を防ぐことができ、５０Ωのインピーダンス整合を考えずに回路を設計できる。このような回路では、ＣＲ時定数制限のある駆動方式から容量の低インピーダンス駆動に置き換わる。高速性の制限はエミッタフォロワに流す電流と光変調器の容量の充放電時間に置き換わるため、エミッタフォロワに電流をより多く流すことにより高速性が上がる。このとき、通常用いられる光変調器側の終端抵抗は必要ない。
【００２９】
より詳細には、集中定数とみなせる距離Ｌとは、電気信号（電磁波）の波長λが光送信器の最大動作周波数ｆｍから求められる波長よりも短い距離であり、より好ましくは、ｆｍから求められる波長λよりも十分に短い距離である。この距離Ｌについて以下により具体的に説明する。
【００３０】
λ＝ｃ／ｆ、Ｃ＝（μ0ε0）-0.5である。ここで、λは波長であり、ｆは周波数、Ｃは容量、μ0は真空透磁率であり、１．２５６×１０-6（Ｈ／ｍ）である。με0は真空誘電率であり、８．８５×１０-12（Ｆ／ｍ）である。光速ｃは、２．９９８×１０-8（ｍ／ｓ）である。
【００３１】
例えば、動作周波数ｆが１０ＧＨｚであれば、波長λは、約３ｃｍとなる。動作周波数ｆが４０ＧＨｚであれば、波長λは、約７．５ｍｍとなる。誘電率が異なる場合は比誘電率εｓの平方根で上記の式を除算すれば良い。実際の距離Ｌは、上記の式により求まる波長λより小さいことが好ましい。好ましくは、例えばλの１／３、より好ましくは１／１０以下である。
【００３２】
比誘電率εｓは、エミッタフォロワ型出力回路の出力端とＥＡ型光変調器の電圧入力端子との間を接続する配線の周辺材料により決まる。例えば、ＩｎＰ基板上に素子を形成し、Ａｕで配線を行えば、電界がもれているＩｎＰ層(比誘電率εｓ＝１２．１)と空気層(比誘電率ε＝１)とのほぼ平均的な値(配線形状などにより多少変化する)が実効的な比誘電率となる。
【００３３】
以上の考察に基づき、本発明の第１の実施の形態による光送信器について、図１から図４までを参照して説明する。図１は、本発明の第１の実施の形態による光送信器の回路図であり、その出力段は図２の等価回路により表される。図３は、本発明の第１の実施の形態による光送信器の構造を示す斜視図であり、図４（Ａ）は概略化した平面図、図４（Ｂ）は図４（Ａ）のＩＶＩＢａ−ＶＩＢｂ線沿う断面図である。
【００３４】
図１に示すように、パッケージＰＫ１内には、駆動回路Ａ−１と光変調器Ａ−２とを有する光送信器Ａが集積化されている。
【００３５】
駆動回路Ａ−１は、差動増幅器Ａ−３−１と、その差動出力端子に接続された第１エミッタフォロワ回路Ａ−３−２と、反転出力端子に接続された第２のエミッタフォロワ回路Ａ−３−３とを有している。差動増幅器は、エミッタが共通接続された２つのバイポーラトランジスタ１−１、１−２と、それぞれのトランジスタと直列接続された負荷抵抗３−１，３−２とを含んでいる。共通接続されたエミッタは、電源電圧ＶＥＥに接続され、その間には電流源（例えば、エミッタ−ベース間が接続されたバイポーラトランジスタなど）４−１が設けられている。負荷抵抗３−１，３−２のバイポーラトランジスタ１−１、１−２と反対側の端子は、接地（ＧＮＤ）されている。２つのバイポーラトランジスタ１−１、１−２のそれぞれのベース端子には、ＤＡＴＡ信号とその反転ＤＡＴＡ信号とが入力される。
【００３６】
第１のエミッタフォロワ回路Ａ−３−２は、トランジスタ１−４と電流源４−３との直列接続を有しており、第２のエミッタフォロワ回路Ａ−３−３は、トランジスタ１−３と電流源４−２との直列接続を有している。トランジスタ１−４のベースに差動増幅器Ａ−３−１の差動出力信号が入力され、トランジスタ１−３のベースに差動増幅器Ａ−３−１の反転差動出力信号が入力される。電流源４−３及び電流源４−２のトランジスタと反対側の端子は、それぞれ電源電圧ＶＥＥに接続されている。両エミッタフォロワ回路のうちトランジスタ１−３，１−４のコレクタ側も、接地されている。
【００３７】
上記駆動回路Ａ−１においては、トランジスタ１−１、１−２と、抵抗３−１、３−２とに流れる電流で決まる出力電圧がトランジスタ１−３、１−４のベースに印加される。トランジスタ１−３、１−４はコレクタが接地された、いわゆるエミッタフォロワ形式である。このエミッタフォロワを出力回路として用いる駆動用回路Ａ−１により電界吸収型光変調器２を駆動する。
【００３８】
図１においては、第１のエミッタフォロワ回路Ａ−３−２は、差動増幅器の出力と接続されて駆動回路Ａ−１の出力段を構成している。その出力端子Ｔ１は、ＥＡ型光変調器２のアノード側の端子Ｔ２と、配線ＬＩＮＥにより接続されている。ＥＡ型光変調器２のカソード側の端子Ｔ３は接地（ＧＮＤ）されている。
【００３９】
図３、図４（Ａ）及び（Ｂ）を参照して、本実施の形態による光送信器の構造をより詳細に説明する。
【００４０】
これらの図に示されるように、本実施の形態による光送信器Ａは、パッケージＰＫ１内に１チップＣＰの形態で収容されている。光送信器Ａは、ＥＡ型光変調器６−１と、そのアノードに所定の駆動電圧を印加するための駆動回路５−１とを含む。前述のように、駆動回路５−１の出力段の出力端子と光変調器６−１の入力端子とは、長さＬの配線ＬＩＮＥにより接続されている。
【００４１】
図４（Ｂ）に示すように、本実施の形態による光送信器Ａは、例えば、ＩｎＰ基板２１に形成されている。半絶縁性ＩｎＰ基板２１内に、ｎ型不純物拡散層２１ａと、このｎ型不純物拡散層２１ａに近接してｐ型不純物拡散層２１ｂとが形成されている。ｎ型不純物拡散層２１ａとｐ型不純物拡散層２１ｂとは、例えばイオン注入法などにより形成することも可能である。また、不純物拡散層形成領域を露出する開口部を同一マスクを用いて形成し、例えば開口部から露出したＩｎＰ基板２１にそれぞれｎ型とｐ型との半導体層を選択成長する方法などを用いて形成することもできる。同一マスクを用いてｎ型不純物拡散層２１ａとｐ型不純物拡散層２１ｂとを形成すれば、位置合わせ工程が不要になり、ほぼマスク設計のよって決められた寸法通りに両不純物拡散層間の距離を設定することもできる。特に、両者の距離を短くする場合に上記選択成長工程を用いると有効である。
【００４２】
ｎ型不純物拡散層２１ａ（エミッタ層）上には、ｐ型半導体層２５（ベース層）とｎ型半導体層２６（コレクタ層）とが順次積層されており、いわゆるｎｐｎ型のバイポーラトランジスタがエミッタフォロワ回路のトランジスタ１−４として形成されている。
【００４３】
一方、ｐ型不純物拡散層２１ｂ（アノード層）上には、ｎ型半導体層２７（カソード層）が形成されており、いわゆるｐ−ｎ接合を有するＥＡ型光変調器６−１が形成される。
【００４４】
エミッタフォロワ回路のトランジスタ１−４とＥＡ型光変調器６−１とを覆って、例えば窒化珪素により絶縁膜２２が形成されている。絶縁膜２２に形成され、ｎ型半導体層２５の一部表面領域上を開口する開口部２２ａとｐ型半導体層２６の一部表面領域上を開口する開口部２２ｂとが形成され、開口部２２ａ及び２２ｂ内に、第１電極２３及び第２電極２４がそれぞれ形成されている。これらの電極２３・２４間であって、絶縁膜２２上にＡｕによる配線層２８（図４（Ａ）の配線ＬＩＮＥ）が形成されている。 駆動回路の出力段のバイポーラトランジスタのエミッタ層（２１ａ）とＥＡ型光変調器６−１のアノード層（２１ｂ）とが接続される。
【００４５】
本発明の第１の実施の形態による光送信器によれば、エミッタフォロワを出力回路として用いることにより、出力インピーダンスを低くできる。すなわち、駆動回路Ａ−１の出力段にエミッタフォロワ型回路１−４を設けることにより、ＣＲ時定数制限のある駆動方式から容量の低インピーダンス駆動に置き換わる。
【００４６】
動作周波数は、エミッタフォロワに流す電流Ｉによる光変調器の容量Ｃの充放電時間によって決まるため、エミッタフォロワ型回路１−４に流れる電流Ｉを調整することにより、最大動作周波数を高くすることも可能である。この場合に、駆動回路Ａ−１と光変調器Ａ−２間は、最大動作周波数においても集中定数とみなせる距離に配置することが好ましい。
【００４７】
尚、図１ではトランジスタとしてバイポーラトランジスタを用いているが、例えば、高移動度トランジスタ（ハイエレクトロンモビリティトランジスタ： ＨＥＭＴ）などの電界効果型トランジスタを用いても同様に構成することが可能である。
【００４８】
前述のように、動作周波数がＣＲ時定数で制限される（図１４）場合には、例えばＣＲ時定数は２５ｐｓとなる。
【００４９】
本実施の形態による光送信器の場合には、光変調器の容量と駆動電圧とで決まる電荷ＱはＣ×Ｖ＝１ｐＣである。例えばエミッタフォロワにＩ＝５０ｍＡの電流を流すと、時定数は２０ｐｓとなる。エミッタフォロワにＩ＝１００ｍＡの電流を流すと、時定数は１０ｐｓとなる。このように、エミッタフォロワに電流Ｉを多く流すことにより、容量値に対して時定数を小さくすることが可能となる。従って、光送信器の高速化が可能となる。
【００５０】
本発明の一実施の形態による光送信器においては、光送信器の動作周波数を高くしても正常に動作させることが可能である。加えて、ＥＡ光変調器の容量Ｃを大きくしたままでも、光送信器の高速性を維持できる。従って、同じ動作周波数において光変調器の駆動電圧を下げることも可能であり、或いは、光変調器の出力パワーを大きくすることも可能である。
【００５１】
同一基板上に、光変調器（ＥＡ型光変調器）と駆動回路とを形成することにより、両者の間の配線を短くすることができ、光送信器の高速化が可能となる。また、１チップに集積化することにより、チップサイズ自体も小さくすることができる。
【００５２】
尚、本実施の形態による光送信器のうち、差動増幅器Ａ−３−１のコレクタ側共通端子とエミッタフォロワ回路Ａ−３−２、Ａ−３−３のコレクタ側端子とは、いずれも接地（ＧＮＤ）されている例を示したが、両者に共通の一定電圧を印加することも可能である。或いは、差動増幅器とエミッタフォロワ回路とで異なる電圧を印加できるように構成しても良い。
【００５３】
次に、本発明の第２の実施の形態による光送信器について図５及び図６（Ａ）及び（Ｂ）を参照して説明する。適宜図１をも参照する。
【００５４】
図５及び図６（Ａ）に示すように、本実施の形態による光送信器は、駆動回路５−２が形成された第１のチップＣＰ１と、第１のチップＣＰ１上に形成されＥＡ型光変調器６−２が形成された第２のチップＣＰ２とを有している。駆動回路５−２の出力段の出力端子と光変調器６−２の入力端子とは、配線ＬＩＮＥ２により接続されている。
【００５５】
図６（Ｂ）に示すように、本実施の形態による光送信器Ｂは、例えば、ＩｎＰ基板３１に形成されている。半絶縁性ＩｎＰ基板３１内に、ｎ型不純物拡散層２１ａが形成される。このｎ型不純物拡散層２１ａに近接して、ｐ型のＩｎＰ基板３１ｂとｎ型導電層３７との積層構造を有するＥＡ型光変調器のチップがＩｎＰ基板３１上に搭載されている。
【００５６】
より詳細には、ｎ型不純物拡散層２１ａ（エミッタ層）上には、ｐ型半導体層２５（ベース層）とｎ型半導体層２６（コレクタ層）とが順次積層されており、いわゆるｎｐｎ型のバイポーラトランジスタがエミッタフォロワ回路のトランジスタ１−４として形成されている。
【００５７】
一方、ｐ型ＩｎＰ基板３１ｂ（アノード層）上には、ｎ型半導体層３７（カソード層）が形成されており、いわゆるｐ−ｎ接合を有するＥＡ型光変調器６−１が形成される。
【００５８】
エミッタフォロワ回路のトランジスタ１−４を覆って、例えば窒化珪素により絶縁膜３２が形成されている。絶縁膜３２にｎ型半導体層３５の一部領域上を開口する開口部３２ａが形成され、開口部３２ａ内に、第３電極３３が形成されている。第３電極３３からＥＡ型光変調器に向けて、絶縁膜３２上にＡｕによる配線層３２（図６（Ａ）の配線ＬＩＮＥ２）が形成されている。ｐ型ＩｎＰ基板３１ｂ（アノード層）の下面と配線層３２の上面とは、例えばハンダバンプ３０により電気的に接続されている。
【００５９】
以上の構造により、駆動回路の出力段のバイポーラトランジスタのエミッタ層（３１ａ）とＥＡ型光変調器６−２のアノード層（３１ｂ）とが接続される。
【００６０】
光送信器の動作などに関しては、第１の実施の形態による光送信器の場合と同様である。
【００６１】
次に、本発明の第３の実施の形態による光送信器について説明する前に、発明の行った第２の考察について図１６を参照して説明する。
【００６２】
図１６に示す光送信器は、図１４に示す光送信器に加えて、光変調器側と駆動回路側との間に、ハイレベルの調整回路を設けている。
【００６３】
図１６に示すように、駆動回路１００−１と光変調器１００−２との間の配線ＬＩＮＥ１００の途中（駆動回路１００−１の出力回路の出力端子と光変調器１００−２の入力端子との間）にレベル調整回路１４１を設けている。レベル調整回路１４１により電流を流すことでハイレベルの調整を行うことができる。しかしながら、レベル調整回路１４１を設けると寄生容量が増え、最大動作周波数ｆｍが低くなるという問題がある。
【００６４】
そこで、発明者は、駆動回路の出力段の出力端子と光変調器の入力端子との間にレベル調整回路を設けなくてもハイレベルの調整を行うことができるレベル調子機能を有する光送信器を考案した。本発明の実施の形態によるレベル調整機能付き光送信器について図７Ａを参照して説明する。
【００６５】
図７Ａに示すように、図７Ａに示すレベル調整機能付き光送信器Ｃは、基本的には図１に示す本発明の第１の実施の形態による光送信器と同様の構成、すなわち、光変調器を駆動する駆動回路の出力段としてエミッタフォロワ回路を設けた回路である。
【００６６】
図７Ａに示す光送信器が、図１に示される光送信器と異なる点は、差動増幅器Ａ−３−１の共通コレクタ端子に、所望の電圧を印加できる電圧発生回路ＬＣＣが設けられている点である。電圧発生回路ＬＣＣにより共通コレクタ端子に印加される電圧ＶＣＣ１が可変であるため、差動増幅器Ａ−３−１の共通コレクタ端子とＶＥＥとの間に印加される電圧を調整するレベル調整機能を発揮させることができる。これにより、駆動回路Ａ−１のハイレベルを調整することが可能になる。この構成によれば、エミッタフォロワ回路Ａ−３−２、Ａ−３−３の出力端子Ｔ１と光変調器２の電圧入力端子Ｔ２との間の容量を増加させることがないため、動作速度に与える影響は少ない。
【００６７】
尚、図７Ｂに示すように、エミッタフォロワ回路のコレクタ端側に上記ＬＣＣから付与される電圧ＶＣＣ１とは異なる電圧ＶＣＣ２を付与することも可能である。電圧ＶＣＣ１とは異なる電圧ＶＣＣ２を付与するように構成すると、ある程度ＶＣＥ（コレクタ−エミッタ間電圧）を小さくすることができ、エミッタフォロワとなるトランジスタ１−３、１−４のトランジスタの性能を十分に引き出すことができる。
【００６８】
次に、本発明の第４の実施の形態による光送信器について図８から図１０までを参照して説明する。図８は図３に対応する図であり、図３に示す光送信器に加えて、さらに、１チップＣＰに、光変調器６−１とエミッタフォロワ回路を出力回路とする駆動回路５−１とともに、キャリア光を発するレーザダイオードＬＤ１を集積化した構造を有する。
【００６９】
レーザダイオードＬＤ１も、例えばＩｎＰ系の材料により形成することができる。レーザダイオードＬＤ１から出射されＥＡ型光変調器６−１に入射されたキャリア光（入力光）が、駆動回路５−１から印加された駆動電圧により変調され出射光（変調光）を出射する。
【００７０】
図９に、図８に示すチップＣＰ（図９では符号１６（ＣＰ）で示される）内に集積化された、光源−光変調器集積−エミッタフォロワ駆動回路モジュール１６と、多重回路(ＭＵＸ：Ｍｕｔｉｐｌｅｘｅｒ)モジュール１２とを有する。ｎ：１多重のＭＵＸモジュール１２からの電気信号を本実施の形態によるモジュール１６（ＣＰ）に入力させることにより、光源からのキャリア光を変調し光ファイバ１５−２を介して外部に光を出力することができる。
【００７１】
図１０は、図９に示すモジュールを用いることにより得られた動作波形例を示す図である。図１０に示すように、符号１０１１で示される本実施の形態によるモジュールの動作波形は、立ち上がり時間ｔ１と立ち下がり時間ｔ３との和が、ほぼ５ｐｓと、“０”と“１”との切り替わりの周期（２５ｐｓ）と比べて小さい値が得られ、正常に動作していることが判る。一方、従来の回路を用いた場合には、符号１００１に示すように、立ち上がり時間ｔ２と立ち下がり時間ｔ４との和が、ほぼ２０ｐｓと周期（２５ｐｓ）と同等の値となってしまうため、“０”と“１”との識別が難しくなっている。このように、動作周波数ｆが５０ＧＨｚ程度になると、他の条件が同じ場合でも、本実施の形態によるモジュールがきわめて有利であることがわかる。
【００７２】
次に、本発明の第５の実施の形態による光送信器について図１１及び図１２を参照して説明する。図１１は図３に対応する図であり、図３に示す光送信器に加えて、さらに、エミッタフォロワ回路を出力回路とする駆動回路５−２が形成されたチップＣＰ１上に、光変調器６−２が形成された別のチップＣＰ２と、キャリア光を発するレーザダイオードＬＤ２が形成されたさらに別のチップＣＰ３とが搭載されている。
【００７３】
レーザダイオードＬＤ２から出射され導波路を介してＥＡ型光変調器６−２に入射されたキャリア光（入力光）が、駆動回路５−２から印加された駆動電圧により変調され出射光（変調光）を出射する。
【００７４】
図１２に、図１１に示す光変調器集積−エミッタフォロワ駆動回路モジュール１４（ＣＰ１及びＣＰ２）と、光源１３（ＣＰ３）と、光変調器集積−エミッタフォロワ駆動回路モジュール１４（ＣＰ１及びＣＰ２）と光源１３（ＣＰ３）とを結合する光ファイバ１５−１と、多重回路(ＭＵＸ：Ｍｕｔｉｐｌｅｘｅｒ)モジュール１２とを有する。ｎ：１多重のＭＵＸモジュール１２からの電気信号を本実施の形態によるモジュールに入力させることにより、光源からのキャリア光を変調し光ファイバ１５−２を介して外部に光を出力することができる。それぞれの素子を別チップとすることにより、個々の特性に応じて適したチップを選択すれば、全体としての光送信器の高性能化が可能である。
【００７５】
尚、本実施の形態による光送信器においても、多重回路(ＭＵＸ：Ｍｕｔｉｐｌｅｘｅｒ)モジュール１２をＣＰ１と同一チップ内に集積化しても良い。
【００７６】
次に、本発明の第１から第５までの各実施の形態による光送信器の変形例について図１３を参照して説明する。図１３に示す光送信器は、基本的には本発明の第１から第５までの実施の形態による光送信器と同様の構成を有している。但し、光変調器として、ＥＡ型光変調器の代わりにマッハツェンダ型光変調器Ｄ−２を用いている点が異なる。マッハツェンダ型光変調器Ｄ−２は、例えば、入力光を受け入れるための第１導波路ＲＴ１と、この第１導波路ＲＴ１から第２導波路ＲＴ２と第３導波路ＲＴ３とに分岐した分岐路と、第２導波路ＲＴ２と第３導波路ＲＴ３とが合流して形成された第４導波路ＲＴ４とを有している。第４導波路ＲＴ４から光が出射する。
【００７７】
例えば第２導波路ＲＴ２に対して、駆動回路Ａ−１の出力段からの駆動電圧を印加するための電極Ｅ１が形成されている。駆動回路Ａ−１から印加される駆動電圧により、第２導波路ＲＴ２を通る光の位相が変調される。光の位相の変調の度合いは、駆動回路Ａ−１から印加される駆動電圧により調整することができる。第３導波路ＲＴ３を通る光の位相は変調されない。従って、第２導波路ＲＴ２を通る光と第３導波路ＲＴ３を通る光が第４導波路ＲＴ４において合流して出射される際に入射光とは異なる位相を有することになる。
【００７８】
ＥＡ型光変調器の代わりにマッハツェンダ型光変調器を用いた場合にも、電極Ｅ１に電圧を印加するための駆動回路の出力回路としてエミッタフォロワ型の出力回路を用いると、マッハツェンダ型光変調器が有する容量Ｃとはほぼ独立に光送信器の最大動作周波数ｆｍを向上させることができる。
【００７９】
この場合にも、駆動回路-光変調器間を高周波においても集中定数とみなせる短い距離に配置するのが好ましい必要がある。
【００８０】
その他の構成及び応用については、第１から第５の実施の形態における説明と同様である。
【００８１】
以上、実施の形態に沿って本発明を説明したが、本発明はこれらに制限されるものではない。その他、種々の変更、改良、組み合わせが可能なことは当業者に自明であろう。
【００８２】
【発明の効果】
光変調器用の駆動回路の出力にエミッタフォロワ回路を適用することにより、ＣＲ時定数による帯域制限を受けずに、光変調器を高速化することが可能になる。同一基板に駆動回路と光変調器を集積化すると、さらに高速化と高集積化とが可能になる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の第１の実施の形態による光送信器の回路図である。
【図２】図１の概略的な等価回路図である。
【図３】本発明の第１の実施の形態による光送信器の斜視図である。
【図４】本発明の第１の実施の形態による光送信器の構造を示す図であり、図４（Ａ）は平面図、図４（Ｂ）は図４（Ａ）のＩＶＢａ−ＩＶＢｂ線に沿う断面図である。
【図５】本発明の第２の実施の形態による光送信器の斜視図である。
【図６】本発明の第２の実施の形態による光送信器の構造を示す図であり、図６（Ａ）は平面図、図６（Ｂ）は図４（Ａ）のＶＩＢａ−ＶＩＢｂ線に沿う断面図である。
【図７】図７（Ａ）は本発明の第１の実施の形態による光送信器の回路図であり、図７（Ｂ）は図７（Ａ）の変形例を示す回路図である。
【図８】本発明の第３の実施の形態による光送信器の斜視図である。
【図９】本発明の第３の実施の形態による光送信器の全体構成を示す機能ブロック図である。
【図１０】図９の光送信器の高速動作波形例を示す図である。合わせて一般的な光送信器の高速動作波形を示す。
【図１１】本発明の第４の実施の形態による光送信器の斜視図である。
【図１２】本発明の第４の実施の形態による光送信器の全体構成を示す機能ブロック図である。
【図１３】本発明の各実施の形態による光送信器の変形例を示す回路図である。
【図１４】一般的な光送信器の回路図の例である。
【図１５】図１４の概略的な等価回路図である。
【図１６】図１４の回路にハイレベル調整回路を付した構成を有する回路図である。
【符号の説明】
１−１〜１−４…トランジスタ、２…電界吸収（ＥＡ）型光変調器、３−１、３−２…抵抗、４−１〜４−３…電流源、５…（エミッタフォロワ出力変調器）駆動回路、６…光変調器、７、２１…半導体基板、ＬＩＮＥ、２８…配線（伝送線路）、９−１〜９−２…容量、ＬＣＣ…ハイレベル調整回路、１２…多重回路(ＭＵＸ：Ｍｕｔｉｐｌｅｘｅｒ)、１３…光源（レーザダイオード）、１４…光変調器−エミッタフォロワ出力変調器駆動回路集積モジュール、１５−１、１５−２…光ファイバ、１６…光源-光変調器-エミッタフォロワ出力変調器駆動回路集積モジュール。
Claims (10)
- 印加される駆動電圧に応じて入力光を変調させて出力する光変調器と、該光変調器に対して前記駆動電圧を出力する駆動回路であって、該駆動回路の出力段にエミッタフォロワ回路を有する駆動回路とを備え、前記エミッタフォロワ回路の出力端子と前記光変調器の電圧入力端子との間を接続する配線の長さＬが、前記光送信器の最大動作周波数ｆｍにおいて、前記駆動回路と前記光変調器とを集中定数的に取り扱える距離以下であることを特徴とする光送信器。
- 印加される駆動電圧に応じて入力光を変調させて出力する光変調器と、該光変調器に対して前記駆動電圧を出力する駆動回路であって、該駆動回路の出力段にエミッタフォロワ回路を有する駆動回路とを備え、前記エミッタフォロワ回路の出力端子と前記光変調器の電圧入力端子との間を接続する配線の長さＬが、前記光送信器の最大動作周波数ｆｍにおいて、前記駆動回路と前記光変調器とを集中定数的に取り扱える距離以下であって、前記Ｌは、以下の（１）式で表される距離であることを特徴とする請求項１に記載の光送信器。
Ｌ＝（μ0ε0εs）-0.5／ｆｍ （１）
但し、μ0は真空の透磁率であり、ε0は真空の誘電率、εsは前記エミッタフォロワ回路の出力端子と前記光変調器の電圧入力端子との間を接続する配線周りの材料の実効的な比誘電率である。 - 前記光変調器側に終端抵抗を有しないことを特徴とする請求項１又は２に記載の光送信器。
- 前記駆動回路は増幅器を含み、該増幅器の入力側に該増幅器の電圧振幅を調整できる電圧調整回路を有する請求項１に記載の光送信器。
- 前記増幅器は出力端子と反転出力端子とを有する差動増幅器であり、前記出力端子又は前記反転出力端子のいずれか一方に前記エミッタフォロワ回路が接続されている請求項４に記載の光送信器。
- 前記変調器は、電界吸収型光変調器又はマッハツェンダ型光変調器である請求項１に記載の光送信器。
- 基板と、該基板にそれぞれ形成され、印加される駆動電圧に応じて入力光を強度変調させて出力する光変調器と、該光変調器に対して前記駆動電圧を出力する駆動回路であって、該駆動回路の出力段にエミッタフォロワ回路を有する駆動回路とを備え、前記エミッタフォロワ回路の出力端子と前記光変調器の電圧入力端子との間を接続する配線の長さＬが、前記光送信器の最大動作周波数ｆｍにおいて、前記駆動回路と前記光変調器とを集中定数的に取り扱える距離以下であることを特徴とする光送信器。
- 基板と、該基板にそれぞれ形成され、印加される駆動電圧に応じて入力光を変調させて出力する光変調器と、該光変調器に対して前記駆動電圧を出力する駆動回路であって、該駆動回路の出力段にエミッタフォロワ回路を有する駆動回路とを備え、前記エミッタフォロワ回路の出力端子と前記光変調器の電圧入力端子との間を接続する配線の長さＬが、前記光送信器の最大動作周波数ｆｍにおいて、前記駆動回路と前記光変調器とを集中定数的に取り扱える距離以下であって、前記Ｌは、以下の（１）式で表される距離であることを特徴とする請求項７に記載の光送信器。
Ｌ＝（μ0ε0εs）-0.5／ｆｍ （１）
但し、μ0は真空の透磁率であり、ε0は真空の誘電率、εsは前記エミッタフォロワ回路の出力端子と前記光変調器の電圧入力端子との間を接続する配線周りの材料の実効的な比誘電率である。 - 光変調器側に終端抵抗を有しないことを特徴とする請求項７又は８に記載の光送信器。
- さらに、前記基板に形成され前記光変調器に入射する光を出射する光源を含む請求項７に記載の光送信器。
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