WO2023089774A1 - ドライバ集積ｉｑ光変調器 - Google Patents

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WO2023089774A1
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configuration
pad
driver
wire
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常祐 尾崎
義弘 小木曽
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日本電信電話株式会社
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    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
    • G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour 
    • G02F1/015—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour  based on semiconductor elements having potential barriers, e.g. having a PN or PIN junction

Definitions

  • the present disclosure relates to an ultra-high-speed IQ optical modulator that IQ-modulates an optical signal with an electrical signal.
  • MZ Mach-Zehnder interferometer
  • MZM Mach-Zehnder interferometer
  • Polarization multiplexing type IQ optical modulators which are becoming popular in communication networks, have so-called nested MZ optical waveguides in which each arm waveguide of a parent MZM is composed of child MZMs. It is composed of MZMs (Quad-parallel MZMs) having a total of four child MZMs, two of which are provided in parallel corresponding to wave channels. Two arms of each child MZM are provided with traveling wave electrodes to which RF (Radio Frequency) modulated electric signals for modulating optical signals propagating in the optical waveguide are input. In each polarization channel, one such pair of child MZMs corresponds to the I channel and the other to the Q channel.
  • RF Radio Frequency
  • polarization multiplexed IQ optical modulator an electro-optical effect is generated by inputting an RF modulated electric signal to one end of a modulation electrode provided along the arm waveguide of the child MZM, and phase modulation is applied to the two optical signals propagating through the .
  • Patent document 2 A polarization multiplexing type IQ optical modulator is one of IQ optical modulators, but the optical signals used in the IQ optical modulator are not limited to two polarized optical signals, and a single polarized optical signal is used. things are also known. For single polarization, one nested MZM is constructed.
  • Non-Patent Document 1 High Bandwidth Coherent Driver Modulator (HB-CDM) aiming at miniaturization is accelerating.
  • the modulator since the modulator is integrated with a differential drive driver, it is desirable that the modulator itself also be based on differential drive.
  • Non-Patent Document 1 Non-Patent Document 2
  • the configurations such as GSSG and GSGSG have a GND (Ground) line arranged in the vicinity of the signal line, which is a very desirable structure as a differential line configuration, and is the most desirable configuration from the viewpoint of suppression of crosstalk between channels. I can say there is.
  • GND Ground
  • GND line pattern (GND pattern) with a wider width than the Signal line is required. becomes.
  • the GND pattern is between channels, it becomes impossible to arrange metal patterns that constitute lines other than the GND line.
  • it is a differential line, it is necessary to arrange the ground symmetrically with respect to the signal line, and if a differential line configuration including a ground such as GSSG or GSGSG is used, the wiring layout on the IQ modulator is very limited. , and the size of the IQ modulator itself becomes large.
  • the differential high-frequency line has an SS line configuration consisting only of a signal line without a ground. Since this SS line configuration has no ground, the degree of layout freedom is very high.
  • the differential driver IC mounted inside the HB-CDM generally has a GSSG or GSGSG configuration interface. If the object to be connected to such a driver IC is an IQ modulator with an SS line layout, a certain Ground cannot be connected to the driver IC side, and only Signal is connected. There was a problem of deterioration of
  • the high-frequency line has a differential line configuration of GSSG or GSGSG. becomes large.
  • the present disclosure has been made in view of such problems, without deterioration of crosstalk characteristics, converts the differential line configuration to SS line, miniaturizes/integrates an IQ modulator configured using a semiconductor, and , an efficient connection with a differential driver and a good high-frequency connection.
  • one embodiment of the present invention provides a driver integrated IQ optical modulator comprising at least two or more Mach-Zehnder modulators and an IQ modulator connected to the IQ modulator. and a differential driver IC, each of the at least two or more Mach-Zehnder modulators has a differential transmission line, and the differential waveguide has two signal lines for transmitting a high-frequency modulated signal including a differential signal.
  • the differential transmission line includes a PAD section, a lead-out line section, a phase modulation section, and a termination section for connection with other elements, the other elements include the differential driver IC, and the PAD section is composed of GSSG A set of four first metal PADs with a configuration, or a set of five first metal PADs with a GSGSG configuration, where G is Grand, S is Signal, and includes a lead-out line section, a phase modulation section, and a termination The section has an SS line configuration.
  • the IQ modulator in which an SS line configuration-based IQ modulator and a driver IC are connected, the IQ modulator is miniaturized while the driver IC and smooth connection can be realized. It is possible to improve the high frequency characteristics in a simple SS line configuration.
  • FIG. 1 is a diagram showing an outline of the layout of an IQ modulator.
  • FIG. 2 is a diagram illustrating a schematic layout of an IQ modulator according to an embodiment of the present disclosure; 3A and 3B are diagrams for explaining the connection between the driver IC and the IQ modulator, FIG. FIG. 2C is a diagram schematically showing a wire viewed from 1, and (c) is a diagram schematically showing a cross-sectional structure of a PAD portion of an IQ modulator.
  • a driver-integrated IQ optical modulator according to an embodiment of the present disclosure will be described below with reference to the drawings. Identical or similar reference numerals indicate identical or similar elements, and repeated descriptions may be omitted.
  • the driver-integrated IQ optical modulator described below is a device in which a differential driver IC and an IQ modulator are integrated in one package.
  • a driver integrated IQ optical modulator of the present disclosure comprises an IQ modulator and a differential driver IC coupled with the IQ modulator.
  • the IQ modulator includes at least two Mach-Zehnder modulators. Each Mach-Zehnder modulator comprises a differential transmission line.
  • a differential waveguide comprises two signal lines for transmitting a high frequency modulated signal containing a differential signal.
  • the high frequency modulation signal is indicated as Signal or S, and the ground potential is Ground and GND. Or it may be displayed as G.
  • the differential transmission line includes a PAD section for connection with other elements, an extraction line section, a phase modulation section, and a terminating resistor.
  • Other components may include differential driver ICs.
  • the PAD section may include a set of 4 metal PADs with a GSSG configuration or a set of 5 metal PADs with a GSGSG configuration.
  • FIG. 1 is a diagram showing a schematic layout of an IQ modulator 100 having an SS line configuration including two signal lines.
  • the IQ modulator 100 shown in FIG. 1 has a so-called nested MZ optical waveguide in which each arm of a parent MZM is composed of child MZMs. If two IQ modulators 100 shown in FIG. 1 are used in parallel to correspond to the X polarization channel and the Y polarization channel, an MZM (Quad-parallel MZM) having a total of four child MZMs can be configured. .
  • the IQ modulator 100 of FIG. 1 is shown corresponding to an X polarization channel. Light input to the IQ modulator 100 from the x-axis direction in the center of FIG. Each of the two parent arm waveguides consists of a child MZM.
  • the child MZM has a demultiplexer 103 that splits the input light into two arm waveguides 104 .
  • Two arm waveguides 104 of each child MZM are provided with traveling wave electrodes 105 to which RF modulation signals for modulating optical signals propagating in the optical waveguides are input.
  • traveling wave electrode 105 has PAD section 106 , lead section 107 , phase modulation electrode section 108 , and terminal section 109 . It consists of a pair of two S lines. In other words, the PAD section 106, lead section 107, phase modulation electrode section 108, and termination section 109 all have the SS line configuration.
  • the terminal portion 109 is formed by linearly arranging a tapered connection pad 110 followed by a terminal resistor 111 consisting of a rectangular resistor.
  • the layout of the IQ modulator 100 shown in FIG. 1 simply shows only the periphery of the traveling wave electrode 105, and the two arm waveguides 104 of the child MZM are connected to the lower part of the terminal portion 109.
  • a multiplexer such as an MMI (not shown) is arranged.
  • the configuration of the traveling wave electrode 105 is an SS line configuration that does not include a ground line, so that the phase adjustment electrode is arranged in the region between the two child Mach-Zehnder modulators.
  • the size of the IQ modulator 100 is reduced and integrated. If the overall configuration of the traveling wave electrode 105 is a GSSG configuration or a GSGSG configuration including two S lines and two or three G lines, then a phase adjustment electrode is provided between the two child Mach-Zehnder modulators. Otherwise, an additional area is required for arranging the G line, which leads to an increase in the size of the IQ modulator 100 .
  • FIG. 2 is a schematic diagram of the layout of the IQ modulator 200 of the present disclosure.
  • the configuration is the same as the conventional configuration shown in FIG. 1 except for the PAD portion 106 of the traveling wave electrode.
  • Only the PAD section 106 which is most important from the viewpoint of connection of high-frequency characteristics with a driver IC (not shown), has a GSSG structure (four metal pads). If the size of the GND metal PAD (that is, the GND PAD) of the PAD section 106 is made too large, the size of the IQ modulator 200 will be increased. . Therefore, the size of the GND PAD does not necessarily have to be the same size as the Signal PAD.
  • the GND PAD if one wire can be connected, there is no problem with the high frequency characteristics.
  • a PAD section with a GSSG configuration is shown, but another GND PAD may be provided between two Signal PADs to form a PAD section with a GSGSG configuration.
  • another GND PAD may be provided between two Signal PADs to form a PAD section with a GSGSG configuration.
  • the waveguide may be damaged when wires are connected by wire bonding.
  • phase adjustment electrodes in the phase adjustment units of the two child Mach-Zehnder modulators in the IQ modulator 200 shown in FIG. 2 are electrodes with a capacitance addition structure.
  • This configuration is well known as a low-loss RF line configuration that can be designed to achieve both impedance matching and speed matching, and is very useful as a layout for modulators operating at high speed.
  • the impedance of the phase adjustment unit in the IQ modulator 200 is higher than the impedance of the termination resistor 111 of the termination unit 109 by 3% or more (the impedance of the termination resistor 111 of the termination unit 109 is lower). . This is because, when connected to the driver IC, if the impedance of the terminating section 109 is higher than the impedance of the phase adjusting section, the frequency characteristics will become depressed in the low frequency portion. If the above design rule can be observed, it is possible to suppress the drop in the frequency characteristics in the low-frequency portion and to realize flat frequency characteristics in the vicinity of the low frequencies.
  • the inductivity (L-characteristic) of the wire and the capacitive (C-characteristic) of the Signal PAD be small. Therefore, in order to realize a modulator with a wider IQ, it is necessary to reduce the inductance of the wire and the capacitance of the Signal PAD. It is desirable that the Signal PAD portion is not formed directly on the semiconductor substrate, for example, but is provided on a low dielectric material such as BCB provided on the semiconductor substrate. By doing so, it is possible to separate the PAD from the semiconductor substrate, which causes a high dielectric constant and an increase in capacitiveness, and it is possible to realize a low-capacity PAD.
  • the Signal PAD in order to reduce the capacitiveness, it is considered desirable to reduce the size of the Signal PAD, but if the Signal PAD size is made too small, only one ball wire can be connected, Although the C property of the Signal PAD has decreased, the L property of the wire has increased, resulting in deterioration of the high frequency characteristics. Therefore, it is desirable that the Signal PAD be configured so that the ball wires are connected so that the wire paths when viewed from the top are always two different paths. Of course, if the wires are connected in three different paths when viewed from above, the L property can be further reduced, but the C property of the Signal PAD will increase, leading to deterioration of the characteristics.
  • the wire is pulled up from the IQ modulator 200 side toward the driver IC side, the length of the wire can be minimized. Implemented is desirable.
  • the IQ modulator 200 of the present disclosure has an SS line configuration, and the traveling wave electrode 105 to which the RF modulated electrical signal is input does not have a predetermined RF-GND (for example, 0 volt ground). not connected to potential). Therefore, it is desirable to supply RF-GND from the outside by connecting the metal PAD associated with GND among the metal pads of the GSSG structure or the GSGSG structure to the external ground potential. For that purpose, wire bonding as shown in FIG. 3A is effective.
  • RF-GND for example, 0 volt ground
  • all GNDs are covered with a loop wire so as to cover the Signal PAD (for example, the wire connecting between the Signal PAD is surrounded by a loop wire), and the outermost circumference (for example, closest to the circumference of the IQ optical modulator) Connect only the GND PAD to the RF-GND inside the stable package outside the IQ modulator 200 . Since the Signal PAD is covered with the wire connecting the GND PAD in this way, it is also very useful for suppressing crosstalk. Similarly, on the driver IC side, providing a looped wire connecting between the GND pads so as to cover the signal pads leads to further suppression of crosstalk characteristics.
  • FIG. 3(a) is a diagram schematically showing wires when the connecting portion between the driver IC 300 and the IQ modulator 200 is viewed from above.
  • FIG. 3A schematically shows only the driver IC 300 and the PAD section of the IQ modulator 200.
  • the driver IC 300 has a GSGSG PAD and the IQ modulator 200 has a GSSG PAD, but the driver IC 300 may have a GSSG PAD.
  • the driver IC 300 has a PAD of GSSG configuration, it is not desirable for the PAD of the IQ modulator 200 to have a GSGSG configuration.
  • the GSGSG-configured metal PAD of the driver IC is connected to the GSSG-configured metal PAD of the corresponding modulator by a wire.
  • the GND pads of the GSGSG structure of the driver IC are connected by wires
  • the GND pads of the GSSG structure of the modulator are connected by wires.
  • the wire connecting the signal pad of the GSGSG configuration of the driver IC and the signal pad of the GSSG configuration of the modulator is surrounded by the loop formed by the connecting wire between the GND pads.
  • a set of four wires is used to connect one Signal PAD of the GSGSG configuration of the driver IC 300 and one Signal PAD of the GSSG configuration of the IQ modulator 200 .
  • the path of the pair of the first and second wires in the set of four wires is shown by one line, and the path of the third and fourth wires is shown by one line.
  • a pair of paths is indicated by another line.
  • the paths of the first and second wire pairs appear to overlap substantially equally in top view, and the paths of the third and fourth wire pairs appear to overlap substantially equally in top view.
  • the paths of the first and third wire pairs are different in top view.
  • FIG. 3(b) is a diagram schematically showing the wire seen from the side of the connecting portion between the driver IC 300 and the IQ modulator 200.
  • FIG. 3B the PAD section of the driver IC 300 is mounted at a position higher than the position where the PAD section 106 of the IQ modulator 200 is formed.
  • FIG. 3(b) of the set of four wires used to connect one Signal PAD in the GSGSG configuration of the driver IC 300 and one Signal PAD in the GSSG configuration of the IQ modulator 200, Different paths for the first and second pair of wires (or third and fourth pair of wires) are indicated by two lines.
  • FIG. 3(b) Different paths for the first and second pair of wires (or third and fourth pair of wires) are indicated by two lines.
  • the wires connecting the GND pads of the GSGSG structure of the driver IC 300 and the GSSG structure of the IQ modulator 200 are omitted.
  • the first wire (or the third wire) is a wire pulled upward (z-axis direction) after joining a ball formed by melting the tip of the wire onto one Signal PAD of the GSSG configuration of the modulator A ball formed by melting the other end of the is joined to the Signal PAD of the GSGSG structure of the driver IC to wire.
  • the second wire (or fourth wire) is formed by melting the tip of the wire and overlapping the ball of the first wire bonded to one Signal PAD of the GSSG configuration of the IQ modulator 200.
  • a ball formed by melting the other end of the wire pulled upward (in the z-axis direction) is overlapped and bonded onto the ball of the first wire bonded to the Signal PAD of the GSGSG configuration of the driver IC 300.
  • wiring is performed.
  • the length of the second wire (or fourth wire) is longer than the length of the first wire (or third wire). Therefore, the pair of the first wire and the second wire (or the pair of the third wire and the fourth wire) have different paths in side view.
  • the pair of the first wire and the third wire (or the pair of the second wire and the fourth wire) appear to overlap each other with substantially equal paths in side view.
  • FIG. 3(c) is a diagram schematically showing the cross-sectional structure of the PAD section 106 of the IQ modulator 200.
  • the PAD section 106 of the IQ modulator 200 is formed on a BCB layer 303 formed of BCB, which is a low dielectric material, on a semiconductor substrate 301 .
  • BCB is an example of a low dielectric material, and materials other than BCB may be used to form the low dielectric layer.
  • the two arm waveguides 104 of the child MZM formed on the semiconductor substrate 30 1 are embedded in the BCB layer 303 .
  • the Signal PAD and GND PAD in the GSSG configuration or GSGSG configuration are arranged at positions that do not overlap the arm waveguide 104 .
  • the electromagnetic field distribution tends to spread in the wire, which is the high-frequency connection part, and it is likely to cause deterioration of high-frequency characteristics such as deterioration of crosstalk and increase of high-frequency loss.

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Abstract

ドライバ集積ＩＱ光変調器は、少なくとも２つ以上のマッハツェンダ変調器を含むＩＱ変調器（２００）と、ＩＱ変調器（２００）と接続される差動ドライバＩＣとを備え、少なくとも２つ以上のマッハツェンダ変調器の各々は、差動伝送線路（１０５）を備え、差動伝送線路（１０５）は、差動信号を含む高周波変調信号を伝送するための２つの信号線を備え、差動伝送線路は、他素子との接続のためのＰＡＤ部（１０６）、引出線路部（１０７）、位相変調部（１０８）、および終端部（１０９）を備え、他素子は前記差動ドライバＩＣを含み、ＰＡＤ部（１０６）は、ＧＳＳＧ構成を有する４つの第１のメタルＰＡＤのセット、またはＧＳＧＳＧ構成を有する５つの第１のメタルＰＡＤのセットを含み、ＧはＧｒａｎｄ、ＳはＳｉｇｎａｌであり、引出線路部（１０７）、位相変調部（１０８）、および終端部（１０９）は、ＳＳ線路構成を有している。

Description

ドライバ集積ＩＱ光変調器
　本開示は、電気信号で光信号をＩＱ変調する超高速なＩＱ光変調器に関する。
　増大する通信トラフィック需要に対応するために、高度な光変調方式に対応した高速な光変調器が求められている。特にデジタルコヒーレント技術を用いた多値光変調器は、１００Ｇｂｐｓを超える大容量トランシーバの実現に大きな役割を果たしている。これら多値光変調器では光の振幅及び位相にそれぞれ独立の信号を付加させるべく、マッハツェンダ（ＭＺ：Ｍａｃｈ-Ｚｅｈｎｄｅｒ　ｉｎｔｅｒｆｅｒｏｍｅｔｅｒ）干渉型のゼロチャープ駆動が可能なマッハツェンダ変調器（ＭＺＭ：ＭＺ　Ｍｏｄｕｌａｔｏｒ）が並列多段に内蔵されている。
　通信網への普及が進んでいる偏波多重型のＩＱ光変調器は、親ＭＺＭの各アーム導波路のそれぞれが子ＭＺＭで構成された、いわゆる入れ子構造のＭＺ光導波路が、Ｘ、Ｙの偏波チャネルに対応して２つ並列に設けられ、計４つの子ＭＺＭを有するＭＺＭ（Ｑｕａｄ－ｐａｒａｌｌｅｌ　ＭＺＭ）で構成されている。各子ＭＺＭの２つのアームには、光導波路内を伝搬する光信号に変調動作を行うためのＲＦ（Ｒａｄｉｏ　Ｆｒｅｑｕｅｎｃｙ）変調電気信号が入力される進行波型電極が設けられている。各偏波チャネルにおいて、このような対をなす２つの子ＭＺＭの一方がＩチャネル、他方がＱチャネルにあたる。
　偏波多重型のＩＱ光変調器は、子ＭＺＭのアーム導波路に沿って設けられた変調電極の一端にＲＦ変調電気信号を入力することにより、電気光学効果を生じさせて子ＭＺＭの光導波路内を伝搬する２つの光信号に位相変調を施している。（特許文献２）
　また、偏波多重型のＩＱ光変調器はＩＱ光変調器の一つであるが、ＩＱ光変調器としては用いる光信号が２つの偏波光信号に限らず、単一の偏波光信号を用いたものも知られている。単一偏波の場合は、入れ子構造ＭＺＭが１つで構成される。
　さらに近年、光送信器モジュールの小型化や低駆動電圧化が課題となっており、小型で低駆動電圧化が可能な半導体ＭＺ変調器の研究開発が精力的に進められている。さらに、半導体ＭＺ変調器の研究開発においては、６４ＧＢａｕｄや１００ＧＢａｕｄといった高ボーレート化対応の動きが加速しており、光変調器の広帯域化が求められている。
　その中で、ＩＱ変調器のみでの特性改善のみならず、ドライバＩＣとＩＱ変調器を１つのパッケージ内に集積し、ドライバＩＣとＩＱ変調器の協調設計をすることで高周波特性を改善し、小型化を実現することを目指したＨｉｇｈ　Ｂａｎｄｗｉｄｔｈ　Ｃｏｈｅｒｅｎｔ　Ｄｒｉｖｅｒ　Ｍｏｄｕｌａｔｏｒ（ＨＢ－ＣＤＭ）の研究・開発が加速している。（非特許文献１）
　本構成においては、差動駆動のドライバと集積することから、変調器自体も差動駆動をベースとした構成であることが望ましい。
　ＨＢ－ＣＤＭの構成では、ドライバと変調器を集積するため、変調器のみならずドライバを含めた設計が非常に重要となる。特にＨＢ－ＣＤＭでは低消費電力化を図るために、オープンコレクタ型（もしくはオープンドレイン型）のドライバが使用されている。（非特許文献１、非特許文献２）
　そのため、こういった高速動作を実現するためのＩＱ変調器上のレイアウトとしては、ＧＳＳＧおよびＧＳＧＳＧ（Ｇ：Ｇｒｏｕｎｄ、Ｓ：Ｓｉｇｎａｌ）といった差動高周波線路をベースとした差動容量装荷進行波型電極構造が用いられている。（特許文献１）
　ＧＳＳＧおよびＧＳＧＳＧといった構成は、信号線の近傍にＧＮＤ（Ｇｒｏｕｎｄ）線が配置されており、差動線路構成としては非常に望ましい構造ではあり、チャネル間のクロストークの抑圧という観点では最も望ましい構成であると言える。
　しかし一方でＧＮＤ線としてＧｒｏｕｎｄメタルを複数配置する必要があり、Ｇｒｏｕｎｄが有効に働き十分なクロストーク抑圧効果を得るためには、Ｓｉｇｎａｌ線よりも太い幅のＧＮＤ線のパターン（ＧＮＤパタン）が必要となる。
　また、ＧＮＤパターンがチャネル間にあると、ＧＮＤ線以外の線を構成するメタルのパターンが配置できなくなる。また、差動線路であるため、信号線に対し左右対称にＧｒｏｕｎｄを配置する必要があったり、ＧＳＳＧやＧＳＧＳＧといったＧｒｏｕｎｄを含む差動線路構成とするとＩＱ変調器上の配線レイアウトが非常に限定的となったり、ＩＱ変調器のサイズ自体も大きくなってしまうという課題があった。
　上記の観点から、半導体ＩＱ変調器を小型化/集積化するためには、差動高周波線路はＧｒｏｕｎｄを有さないＳｉｇｎａｌ線路のみからなるＳＳ線路構成とすることが望ましい。本ＳＳ線路構成は、Ｇｒｏｕｎｄがないため、レイアウトの自由度が非常に高い。
　一方で、ＨＢ－ＣＤＭの構成を考えると、ＨＢ－ＣＤＭ内部に搭載されている差動ドライバＩＣは一般的にＧＳＳＧもしくはＧＳＧＳＧ構成のインターフェースとなっている。このようなドライバＩＣとの接続対象がＳＳ線路レイアウトのＩＱ変調器である場合、ドライバＩＣ側にはあるＧｒｏｕｎｄが接続できず、Ｓｉｇｎａｌのみの接続となるため、ドライバＩＣとの接続部において高周波特性が劣化してしまうという課題があった。
特開２０１９－１９４７２２号公報 国際公開ＷＯ／２０１８／１７４０８３号公報
　一般的にクロストークの観点から高周波線路がＧＳＳＧやＧＳＧＳＧの差動線路構成となっているが、上記構成だと対称性を担保するためのＧｒｏｕｎｄ面積を確保するためには、ＩＱ変調器のサイズが大きくなってしまうという課題がる。
　本開示は、このような課題に鑑みてなされたもので、クロストーク特性の劣化なく、差動線路構成をＳＳ線路化し、半導体を用いて構成されたＩＱ変調器を小型化／集積化し、かつ、差動ドライバとの効率的な接続および良好な高周波接続を実現することにある。
　このような目的を達成するために、本発明の一実施形態は、ドライバ集積ＩＱ光変調器であって、少なくとも２つ以上のマッハツェンダ変調器を含むＩＱ変調器と、ＩＱ変調器と接続される差動ドライバＩＣとを備え、少なくとも２つ以上のマッハツェンダ変調器の各々は、差動伝送線路を備え、差動導波路は、差動信号を含む高周波変調信号を伝送するための２つの信号線を備え、差動伝送線路は、他素子との接続のためのＰＡＤ部、引出線路部、位相変調部、および終端部を備え、他素子は前記差動ドライバＩＣを含み、ＰＡＤ部は、ＧＳＳＧ構成を有する４つの第１のメタルＰＡＤのセット、またはＧＳＧＳＧ構成を有する５つの第１のメタルＰＡＤのセットを含み、ＧはＧｒａｎｄ、ＳはＳｉｇｎａｌであり、引出線路部、位相変調部、および終端部は、ＳＳ線路構成を有している。
　以上説明したように、本開示の一実施形態によれば、ＳＳ線路構成ベースのＩＱ変調器とドライバＩＣとが接続されたドライバ集積ＩＱ変調器において、ＩＱ変調器を小型化しつつ、ドライバＩＣとのスムーズな接続を実現することができる。単純なＳＳ線路構成における高周波特性を改善することが可能となる。
図１は、ＩＱ変調器のレイアウトの概略を示す図である。 図２は、本開示の一実施形態にかかるＩＱ変調器のレイアウトの概略を示す図である。 図３は、ドライバＩＣとＩＱ変調器との接続を説明する図であり、（ａ）は接続部分を上面方向から見たワイヤの概略を示す図であり、（ｂ）は接続部分の側面方向から見たワイヤの概略を示す図であり、（ｃ）はＩＱ変調器のＰＡＤ部の断面構造の概略を示す図である。
　以下、図面を参照して本開示の一実施形態にかかるドライバ集積ＩＱ光変調器について説明する。同一または類似の参照符号は、同一または類似の要素を示し、繰り返しの説明を省略する場合がある。以下に説明するドライバ集積ＩＱ光変調器は、差動ドライバＩＣとＩＱ変調器とを一つのパッケージに集積したデバイスである。本開示のドライバ集積ＩＱ光変調器は、ＩＱ変調器と、IＱ変調器と接続される差動ドライバＩＣとを備える。ＩＱ変調器は、少なくとも２つ以上のマッハツェンダ変調器を含む。各マッハツェンダ変調器は、差動伝送線路を備える。差動導波路は、差動信号を含む高周波変調信号を伝送するための２つの信号線を備える。
　差動信号を含む高周波（Ｒａｄｉｏ Ｆｒｅｑｕｅｎｃｙ：ＲＦ）変調用信号が伝搬するＲＦ進行波型電極を構成する複数の線路の説明において、高周波変調信号をＳｉｇｎａｌまたはＳと表示し、接地電位をＧｒｏｕｎｄ、ＧＮＤまたはＧと表示する場合がある。
　本開示のドライバ集積ＩＱ光変調器において、差動伝送線路は、他素子との接続のためのＰＡＤ部、引出線路部、位相変調部、および終端抵抗を備える。他素子は差動ドライバＩＣを含み得る。ＰＡＤ部は、ＧＳＳＧ構成を有する４つのメタルＰＡＤのセット、またはＧＳＧＳＧ構成を有する５つのメタルＰＡＤのセットを含み得る。
　図１は、２本のＳｉｇｎａｌ線を含むＳＳ線路構成のＩＱ変調器１００のレイアウトの概略を示す図である。図１に示すＩＱ変調器１００は、親ＭＺＭの各アームが子ＭＺＭで構成された、いわゆる入れ子構造のＭＺ光導波路を有する。図１に示すＩＱ変調器１００を２つ並列に用いて、Ｘ偏波チャネルおよびＹ偏波チャネルに対応せると、計４つの子ＭＺＭを有するＭＺＭ（Ｑｕａｄ－ｐａｒａｌｌｅｌ　ＭＺＭ）を構成することができる。図１のＩＱ変調器１００は、Ｘ偏波チャネルに対応するものとして示されている。図１の中央においてｘ軸方向からＩＱ変調器１００に入力された光は、親ＭＺＭを構成する分波器１０１において、２つの親アーム導波路１０２に分岐される。２つの親アーム導波路の各々が子ＭＺＭで構成されている。子ＭＺＭは、入力された光を２つのアーム導波路１０４に分岐する分波器１０３を備える。
　各子ＭＺＭの２つのアーム導波路１０４には、光導波路内を伝搬する光信号に変調動作を行うためのＲＦ変調用信号が入力される進行波型電極１０５が設けられている。
　図１に示すように、進行波型電極１０５は、ＰＡＤ部１０６、引き出し部１０７、位相変調電極部１０８、および終端部１０９を有している。２本のＳ線路のペアで構成されている。つまり、ＰＡＤ部１０６、引き出し部１０７、位相変調電極部１０８、および終端部１０９のいずれも、ＳＳ線路構成である。
　終端部１０９は、テーパー形状の接続用パッド１１０と、それに続く長方形の抵抗体からなる終端抵抗１１１が、直線状に配置されて形成されている。なお、図１に示すＩＱ変調器１００のレイアウトは、簡易的に進行波型電極１０５の周辺のみを示しており、終端部１０９の下部には、子ＭＺＭの２つのアーム導波路１０４が接続されるＭＭＩ（不図示）等の合波器が配置されている。
　図１に示すＩＱ変調器１００は、進行波型電極１０５の構成を、Ｇｒｏｕｎｄ線を含まないＳＳ線路構成とすることで、２つの子マッハツェンダ変調器の間の領域に、位相調整電極を配置することができるようになっており、ＩＱ変調器１００のサイズの小型化・集積化を実現している。もし、ここで進行波型電極１０５の全体構成を、２つのＳ線路および２つまたは３つのＧ線路を含むＧＳＳＧ構成またはＧＳＧＳＧ構成としてしまうと、２つの子マッハツェンダ変調器間に、位相調整電極を配置できなくなる、またはＧ線路を配置するための追加の領域が必要となり、ＩＱ変調器１００のサイズの大型化につながってしまう。
　図２は、本開示のＩＱ変調器２００のレイアウトの概略を示す図である。図２に示す様に、進行波型電極のＰＡＤ部１０６以外は、図１に示す従来構成と同様である。ドライバＩＣ（不図示）との高周波特性の接続という観点から最重要であるＰＡＤ部１０６のみをＧＳＳＧ構成（メタルＰＡＤが４つ）としている。ＰＡＤ部１０６のＧＮＤメタルＰＡＤ（すなわちＧＮＤ　ＰＡＤ）のサイズを大きくしすぎると、ＩＱ変調器２００のサイズの大型化につながるため、一般的なボールワイヤが１本打てる程度のサイズにするのが望ましい。そのため、ＧＮＤ　ＰＡＤのサイズは、必ずしもＳｉｇｎａｌ　ＰＡＤと同サイズである必要はない。ＧＮＤ　ＰＡＤのサイズが、Ｓｉｇｎａｌ　ＰＡＤのサイズよりも小さい方がＩＱ変調器２００の小型化やパターン設計上有利であるといえる。ＧＮＤ　ＰＡＤに関しては、１本のワイヤを接続できれば高周波特性上も問題はない。
　図２に示す一例では、ＧＳＳＧ構成のＰＡＤ部を示したが、２つのＳｉｇｎａｌ　ＰＡＤの間にもう１つのＧＮＤ　ＰＡＤを設けて、ＧＳＧＳＧ構成のＰＡＤ部としてもよい。その場合、アーム導波路１０４の上部避けてもう１つのＧＮＤ　ＰＡＤを配置する必要がある。アーム導波路１０４上にＰＡＤがあると、ワイヤボンディングによりワイヤを接続する際に導波路を破損させる恐れがあるためである。ＧＳＳＧ構成のＧＮＤ　ＰＡＤを配置する際も当然に導波路の上部を避けることが望ましい。
　図２に示すＩＱ変調器２００内の２つの子マッハツェンダ変調器の位相調整部における位相調整電極は、容量装加構造の電極としている。この構成は、インピーダンス整合と速度整合を両立して設計することができる低損失ＲＦ線路構成としてよく知られており、高速動作する変調器のレイアウトとして非常に有用である。
　また、ＩＱ変調器２００内の位相調整部のインピーダンスは、終端部１０９の終端抵抗１１１のインピーダンスよりも３％以上高いインピーダンスとなっている（終端部１０９の終端抵抗１１１のインピーダンスの方が低い）。これは、ドライバＩＣと接続した際に、もし、終端部１０９のインピーダンスが位相調整部のインピーダンスよりも高いと、低周波部分で周波数特性が凹むような特性となってしまうためである。上記の設計ルールを守ることができれば、低周波部分での周波数特性の落ち込みを抑圧することができ、低周波付近でのフラットな周波数特性を実現することが可能である。
　高周波特性を考えると、ワイヤの誘導性（Ｌ性）およびＳｉｇｎａｌ　ＰＡＤの容量性（Ｃ性）は小さい方が望ましい。そのためより広帯域なＩＱへ変調器を実現するためには、ワイヤのインダクタンスおよびＳｉｇｎａｌ　ＰＡＤの容量を削減する必要がある。Ｓｉｇｎａｌ　ＰＡＤ部は、例えば半導体基板上に直接作成するのではなく、半導体基板上に設けたＢＣＢ等の低誘電体材料上に設けることが望ましい。そうすることで、誘電率が高く容量性が高まる要因となる半導体基板からＰＡＤを離すことができ、低容量なＰＡＤを実現することが可能である。さらに、容量性を減らすためには、Ｓｉｇｎａｌ　ＰＡＤのサイズを小さくする方が望ましいと考えられるが、Ｓｉｇｎａｌ　ＰＡＤサイズを小さくしすぎてしまうと、１つのボールワイヤしか接続することができなくなってしまい、Ｓｉｇｎａｌ　ＰＡＤのＣ性は小さくなったもののワイヤのＬ性が高まり、結果として高周波特性が劣化してしまう。そのため、Ｓｉｇｎａｌ　ＰＡＤは必ず上面から見たワイヤの経路が互いに異なる２つとなるようにボールワイヤが接続される構成とするのが望ましい。当然上面から見たワイヤの経路が互いに異なる３つのとなるにワイヤを接続すればＬ性はより低減できる一方で、Ｓｉｇｎａｌ　ＰＡＤのＣ性が増加して特性劣化につながってしまう。
　さらなる特性改善のためには、上面から見たワイヤの経路が互いに異なる２つまでとなるようにワイヤを接続することが最適であるのは上記で述べたとおりであるが、さらに加えて、上下方向（ｚ軸方向）にワイヤをスタックしてＳｉｇｎａｌ　ＰＡＤに接続することが有効である。つまり、上面方向から見たワイヤの経路が互いに異なる２つ、かつ側面方向から見たワイヤの経路が互いに異なる２つとなるように、ワイヤをＳｉｇｎａｌ　ＰＡＤに接続することで、１つのＳｉｇｎａｌ　ＰＡＤに経路の異なる４本のワイヤを接続ことができる。これによりワイヤのＬ性を大きく削減することができ、高周波特性を大幅に改善することが可能である。
　さらに実装面を考えると、ワイヤはＩＱ変調器２００側からドライバＩＣ側に向けて引き上げるように配線すると、最もワイヤの長さを短くすることができるため、ドライバＩＣはＩＱ変調器よりも上に実装されていることが望ましい。
　また、本開示のＩＱ変調器２００はＳＳ線路構成となっており、ＲＦ変調電気信号が入力される進行波型電極１０５は、所定のＲＦ－ＧＮＤを有していない（たとえば、０ボルトの接地電位に接続されていない）。そのため、ＧＳＳＧ構成またはＧＳＧＳＧ構成のメタルＰＡＤのうちのＧＮＤと関連したメタルＰＡＤを外部の接地電位に接続することで、外部からＲＦ－ＧＮＤを供給することが望ましい。そのためには、図３（ａ）に示すようなワイヤボンディングを行うと有効である。具体的には、Ｓｉｇｎａｌ　ＰＡＤを覆うように全ＧＮＤ間をループワイヤで覆い（たとえばＳｉｇｎａｌ　ＰＡＤ間を接続するワイヤがループワイヤに囲み）、最外周の（たとえばＩＱ光変調器の外周に最も近い）ＧＮＤ　ＰＡＤのみをＩＱ変調器２００の外の安定なパッケージ内のＲＦ－ＧＮＤと接続する。このようにＳｉｇｎａｌ　ＰＡＤをＧＮＤ　ＰＡＤ間を接続するワイヤで覆うことになるため、クロストークの抑圧にも非常に有用である。同様にドライバＩＣ側もＳｉｇｎａｌ　ＰＡＤを覆うようにＧＮＤ　ＰＡＤ間を接続するワイヤをループ状に設けるとさらなるクロストーク特性の抑圧につながる。
　図３（ａ）は、ドライバＩＣ３００とＩＱ変調器２００との接続部分を上面方向から見たワイヤの概略を示す図である。図３（ａ）においてドライバＩＣ３００とＩＱ変調器２００のＰＡＤ部のみを概略的に示している。一例として、ドライバＩＣ３００はＧＳＧＳＧ構成のＰＡＤを備え、ＩＱ変調器２００はＧＳＳＧ構成のＰＡＤを備えるものしたが、例えばドライバＩＣ３００がＧＳＳＧ構成のＰＡＤを備えていてもよい。ただし、もしドライバＩＣ３００がＧＳＳＧ構成のＰＡＤを備える場合にはＩＱ変調器２００のＰＡＤをＧＳＧＳＧ構成とすることは望ましくない。これは不要に中央にＧＮＤ　ＰＡＤを設けることでＩＱ変調器２００のサイズが大きくなったり、ＩＱ変調器２００のレイアウトにデメリットがあったりするためである。一方で、ドライバＩＣ３００のＰＡＤがＧＳＧＳＧ構成の場合は、中央のＧＮＤ　ＰＡＤを接続しなくても、高周波接続の観点では特性上大きな影響を与えないので問題はない。
　図３（ａ）に示すように、ドライバＩＣのＧＳＧＳＧ構成のメタルＰＡＤは、対応する変調器のＧＳＳＧ構成のメタルＰＡＤとワイヤで接続されている。また、ドライバＩＣのＧＳＧＳＧ構成のＧＮＤ　ＰＡＤ間はワイヤで接続され、変調器のＧＳＳＧ構成のＧＮＤ　ＰＡＤ間はワイヤで接続されている。ドライバＩＣのＧＳＧＳＧ構成のＳｉｇｎａｌ　ＰＡＤと変調器のＧＳＳＧ構成のＳｉｇｎａｌ　ＰＡＤとを接続するワイヤは、ＧＮＤ　ＰＡＤ間を接続ワイヤが形成するループによって囲まれている。
　ドライバＩＣ３００のＧＳＧＳＧ構成の１つのＳｉｇｎａｌ　ＰＡＤとＩＱ変調器２００のＧＳＳＧ構成の１つのＳｉｇｎａｌ　ＰＡＤとの接続に、４本のワイヤのセットが用いられている。図３（ａ）には、４本のワイヤのセットのうちの第１のワイヤおよび第２のワイヤのペアの経路が１つの線で示されており、第３のワイヤおよび第４のワイヤのペアの経路がもう１つの線で示されている。第１のワイヤおよび第２のワイヤのペアの経路は、上面視において略等しく重なって見える、また、第３のワイヤおよび第４のワイヤのペアの経路は上面視において略等しく重なって見える。一方、第１のワイヤおよび第３のワイヤのペア（または第２のワイヤおよび第４のワイヤのペア）の経路は、上面視において異なっている。
　図３（ｂ）は、ライバＩＣ３００とＩＱ変調器２００との接続部分の側面方向から見たワイヤの概略を示す図である。図３（ｂ）に示すように、ドライバＩＣ３００のＰＡＤ部は、ＩＱ変調器２００のＰＡＤ部１０６が形成された位置よりも高い位置に実装されている。図３（ｂ）において、ドライバＩＣ３００のＧＳＧＳＧ構成のうちの１つのＳｉｇｎａｌ　ＰＡＤとＩＱ変調器２００のＧＳＳＧ構成のうちの１つのＳｉｇｎａｌ　ＰＡＤとの接続に用いられる４本のワイヤのセットのうちの、第１のワイヤおよび第２のワイヤのペア（または第３のワイヤおよび第４のワイヤのペア）の互いに異なる経路が２つの線で示されている。図３（ｂ）において、ドライバＩＣ３００のＧＳＧＳＧ構成およびＩＱ変調器２００のＧＳＳＧ構成のＧＮＤ　ＰＡＤ間を接続するワイヤは省略している。第１のワイヤ（または第３のワイヤ）は、ワイヤの先端を溶融して形成したボールを変調器のＧＳＳＧ構成の１つのＳｉｇｎａｌ　ＰＡＤ上に接合した後に、上方（ｚ軸方向）に引き上げたワイヤのもう一方の先端を溶融して形成したボールをドライバＩＣのＧＳＧＳＧ構成のＳｉｇｎａｌ　ＰＡＤに接合することにより、配線される。第２のワイヤ（または第４のワイヤ）は、ワイヤの先端を溶融して形成したボールを、ＩＱ変調器２００のＧＳＳＧ構成の１つのＳｉｇｎａｌ　ＰＡＤに接合した第１のワイヤのボール上に重ねて接合した後に、上方（ｚ軸方向）に引き上げたワイヤのもう一方の先端を溶融して形成したボールを、ドライバＩＣ３００のＧＳＧＳＧ構成のＳｉｇｎａｌ　ＰＡＤに接合した第１のワイヤのボール上に重ねて接合することにより、配線される。第２のワイヤ（または第４のワイヤ）の長さは、第１のワイヤ（または第３のワイヤ）の長さよりも長い。したがって、第１のワイヤと第２のワイヤとのペア（または第３のワイヤと第４のワイヤとのペア）は、側面視における経路が互いに異なっている。第１のワイヤと第３のワイヤとのペア（または第２のワイヤと第４のワイヤとのペア）は、側面視における経路が略等しく重なって見える。
　図３（ｃ）は、ＩＱ変調器２００のＰＡＤ部１０６の断面構造の概略を示す図である。図３（ｃ）のに示すように、ＩＱ変調器２００のＰＡＤ部１０６は、半導体基板３０１上の低誘電体材料であるＢＣＢの形成されたＢＣＢ層３０３上に形成されている。ＢＣＢは、低誘電体材料の一例であって、ＢＣＢ以外の材料を用いて低誘電体層を形成してもよい。半導体基板３０1上に形成された子ＭＺＭの２つのアーム導波路１０４は、ＢＣＢ層３０３に埋め込まれている。上述したようにＧＳＳＧ構成またはＧＳＧＳＧ構成におけるＳｉｇｎａｌ　ＰＡＤおよびＧＮＤ　ＰＡＤは、アーム導波路１０４に重ならない位置に配置されている。
　ＧＮＤがないＳＳ線路構成では、高周波接続部であるワイヤにおいて電磁界分布が広がりやすくなり、クロストークの劣化や高周波損失の増加等の高周波特性の劣化の要因となりやすかった。本開示のようにＩＱ変調器２００のＰＡＤ部１０６にＧＮＤ　ＰＡＤを配置して、ドライバＩＣ３００のＧＮＤ　ＰＡＤと接続することで、高周波特性を改善し、安定化することが可能となる。
　単純なＳＳ線路構成における高周波特性を改善することが可能なドライバ集積ＩＱ光変調器を提供することが可能となる。

Claims (8)

  1. 　ドライバ集積ＩＱ光変調器であって、
    　少なくとも２つ以上のマッハツェンダ変調器を含むＩＱ変調器と、
    　前記ＩＱ変調器と接続される差動ドライバＩＣと
    を備え、
    　前記少なくとも２つ以上のマッハツェンダ変調器の各々は、差動伝送線路を備え、
    　前記差動伝送線路は、差動信号を含む高周波変調信号を伝送するための２つの信号線を備え、
    　前記差動伝送線路は、他素子との接続のためのＰＡＤ部、引出線路部、位相変調部、および終端部を備え、前記他素子は前記差動ドライバＩＣを含み、
    　前記ＰＡＤ部は、ＧＳＳＧ構成を有する４つの第１のメタルＰＡＤのセット、またはＧＳＧＳＧ構成を有する５つの第１のメタルＰＡＤのセットを含み、ＧはＧｒａｎｄ、ＳはＳｉｇｎａｌであり、
    　前記引出線路部、前記位相変調部、および前記終端部は、ＳＳ線路構成を有する、
    ドライバ集積ＩＱ光変調器。
  2. 　前記差動ドライバＩＣは、ＧＳＳＧ構成を有する４つの第２のメタルＰＡＤのセットまたはＧＳＧＳＧ構成を有する５つの第２のメタルＰＡＤのセットを備え、
    　前記４つの第２のメタルＰＡＤのセットまたは前記５つの第２のメタルＰＡＤのセットは、対応する前記４つの第１のメタルＰＡＤのセットまたは前記５つの第１のメタルＰＡＤのセットと、ワイヤで接続されている、
    請求項１に記載のドライバ集積ＩＱ光変調器。
  3. 　前記差動ドライバＩＣに備えられた前記第２のメタルＰＡＤと前記ＩＱ変調器に備えられた前記第１のメタルＰＡＤとを接続するワイヤが、ボールボンディングで構成されており、
    　前記ＧＳＳＧ構成または前記ＧＳＧＳＧ構成のうちのＳｉｇｎａｌに関連した前記第１のメタルＰＡＤと前記第２のメタルＰＡＤとの間の各々が、４つのワイヤのセットで接続され、
    　前記４つのワイヤのセットのうちの第１のワイヤおよび第２のワイヤのペアは、上面視における経路が略等しく、側面視における経路が異なり、
    　前記４つのワイヤのセットのうちの第３のワイヤおよび第４のワイヤのペアは、上面視における経路が略等しく、側面視における経路が異なり、
    　前記４つのワイヤのセットのうちの前記第１のワイヤおよび第３のワイヤのペアは、上面視における経路が異なり、側面視における経路が略等しい、
    請求項２に記載のドライバ集積ＩＱ光変調器。
  4. 　前記差動ドライバＩＣに備えられた前記第２のメタルＰＡＤのセットまたは前記ＩＱ変調器に備えられた前記第１のメタルＰＡＤのセットの少なくとも一方において、
    　　前記ＧＳＳＧ構成または前記ＧＳＧＳＧ構成のうちのＧｒｏｕｎｄに関連した前記第１のメタルＰＡＤの間または前記第２のメタルＰＡＤの間がワイヤで接続されており、
    　　前記Ｇｒｏｕｎｄに関連した前記第１のメタルＰＡＤの間または前記第２のメタルＰＡＤの間を接続するワイヤは、前記ＧＳＳＧ構成または前記ＧＳＧＳＧ構成のうちのＳｉｇｎａｌに関連した前記第１のメタルＰＡＤと前記第２のメタルＰＡＤとの間を接続するワイヤを囲むように構成されている、
    請求項２または３に記載のドライバ集積ＩＱ光変調器。
  5. 　前記ＩＱ変調器に備えられた前記ＧＳＳＧ構成を有する前記第１のメタルＰＡＤのセットまたは前記ＧＳＧＳＧ構成を有する前記第１のメタルＰＡＤのセットのうち、前記ＩＱ変調器の外周に最も近いＧｒｏｕｎｄに関連した前記第１のメタルＰＡＤが外部の接地電位に接続されている、
    請求項２から４のいずれか一項に記載のドライバ集積ＩＱ光変調器。
  6. 　前記少なくとも２つ以上のマッハツェンダ変調器の各々は、位相調整電極部をさらに備え、前記位相調整電極部は容量装加構造を有し、前記容量装加構造のインピーダンスは前記終端部に備えられた終端抵抗のインピーダンスよりも３％以上高い、
    請求項１から５のいずれか一項に記載のドライバ集積ＩＱ光変調器。
  7. 　前記差動ドライバＩＣに備えられた前記第２のメタルＰＡＤのセットが、前記ＩＱ変調器に備えられた前記第１のメタルＰＡＤのセットよりも高い位置に実装されている、
    請求項２から５のいずれか一項に記載のドライバ集積ＩＱ光変調器。
  8. 　前記マッハツェンダ変調器は、半導体基板と、前記半導体基板上に形成された導波路構造と、前記半導体基板上に前記導波路構造を埋め込むように低誘電体材料を用いて形成された層とを備え、
    　前記第１のメタルＰＡＤのセットは、前記低誘電体材料を用いて形成された層の上に形成されている、
    請求項１から７のいずれか一項に記載のドライバ集積ＩＱ光変調器。
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