JP2013110144A - Ld駆動回路 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】バイアス電流供給回路13の出力段に、高耐圧のNMOSトランジスタMを設けて、LDをオフ状態とするためにバイアス電流IBIASを低減した際に、負荷回路CBIASすなわちバイアス端子BIASと接地電位GNDとの間に一時的に過渡電圧ΔVが発生しても、これをNMOSトランジスタMのソース−ドレイン間で吸収する。
【選択図】 図1
Description
図8は、従来のLD駆動回路の構成を示す回路図である。従来のLD駆動回路50は、図8に示すように、増幅回路51、ドライバ回路52、およびバイアス電流供給回路53から構成されている(例えば、非特許文献1など参照)。
具体的には、外部からLD駆動回路50に入力された変調信号IN/INB(差動信号)は、増幅回路51で増幅された後、ドライバ回路52へ入力され、出力端子OUT(OUTB)から出力される。
また、LDのカソード端子は、インダクタLBIASを介してLD駆動回路50のバイアス端子BIASに接続されており、バイアス電流供給回路53から、LDのバイアス電流IBIASが供給される。
バイアス電流供給回路53には、定電流源Jとバイアス端子BIASとの間にNPNトランジスタQが設けられている。このNPNトランジスタQは、バイアス制御信号VBINに応じてバイアス電流IBIASの大きさを制御することにより、LDのオンオフ状態を制御する機能を有している。
また、NMOSトランジスタのドレイン端と接地電位との間に接続されて、過渡電圧をクランプするための複数のダイオードの直列接続回路をさらに備えてもよい。
また、負荷回路を、インダクタ、抵抗素子、インダクタと抵抗素子の並列接続回路、またはインダクタと抵抗素子の直列接続回路から構成してもよい。
NPNトランジスタに代えて、差動対をなす第1および第2のNPNトランジスタを備え、第1のNPNトランジスタにおいて、エミッタ端子が定電流源の入力端子と接続され、ベース端子がバイアス制御信号と接続され、コレクタ端子がNMOSトランジスタのソース端子と接続されており、第2のNPNトランジスタにおいて、エミッタ端子が第1のNPNトランジスタのエミッタ端子および定電流源の入力端子と共通接続され、ベース端子がバイアス制御信号の差動信号と接続され、コレクタ端子に基準電源が供給され、第1のトランジスタおよび第2のトランジスタは、NPNトランジスタまたはMOSトランジスタからあるようにしてもよい。
[第1の実施の形態]
まず、図1を参照して、本発明の第1の実施の形態にかかるLD駆動回路10について説明する。図1は、第1の実施の形態にかかるLD駆動回路の要部構成を示す回路図である。
このLD駆動回路10には、主な回路部として、増幅回路11、ドライバ回路12、およびバイアス電流供給回路13が設けられている。
ドライバ回路12は、入力された変調信号IN/INBに応じた変調電流IMODを生成し、電源電位VDがアノード端子から供給されているLDのカソード端子へ、出力端子OUTから負荷抵抗RMを介して供給する機能を有している。
バイアス電流供給回路13は、定電流源Jにより生成した定電流をLDに流れるバイアス電流IBIASとして、バイアス端子BIASから負荷回路CBIASを介してLDのカソード端子へ供給する機能を有している。
次に、図1を参照して、本実施の形態にかかるLD駆動回路10のバイアス電流供給回路13について詳細に説明する。
バイアス電流供給回路13には、主な回路部として、定電流源J、NPNトランジスタQ、およびNMOSトランジスタMが設けられている。
バイアス電流供給回路13において、シャットダウン制御を行う場合、例えばバイアス制御信号VBINとして接地電位GNDを印加してNPNトランジスタQをオフすることにより、バイアス電流IBIASを停止する。これにより、LDがオフ状態となる。
このように、本実施の形態は、このバイアス電流供給回路13の出力段に、高耐圧のNMOSトランジスタMを設けて、LDをオフ状態とするためにバイアス電流IBIASを低減した際に、負荷回路CBIASすなわちバイアス端子BIASと接地電位GNDとの間に一時的に過渡電圧ΔVが発生しても、これをNMOSトランジスタMのソース−ドレイン間で吸収するようにしたものである。
次に、図3を参照して、本発明の第2の実施の形態にかかるLD駆動回路10について説明する。図3は、第2の実施の形態にかかるLD駆動回路の要部構成を示す回路図である。
したがって、本実施の形態によれば、第1の実施の形態と比較して、より高速にバイアス電流IBIASを制御することができ、シャットダウン制御の応答性を向上させることができる。
次に、図4を参照して、本発明の第3の実施の形態にかかるLD駆動回路10について説明する。図4は、第3の実施の形態にかかるLD駆動回路の要部構成を示す回路図である。
したがって、本実施の形態によれば、基準電圧VCBが不要となり、回路構成を削減することができる。
本実施の形態では、NPNトランジスタQを用いた単相構成で、バイアス電流IBIASを制御してLDをオンオフ制御する場合を例として説明したが、図5に示すように、第2の実施の形態と同様に、差動対をなす2つのNPNトランジスタQ1,Q2を用いた差動構成で、バイアス電流IBIASを制御してもよい。これにより、本実施の形態において、第2の実施の形態と同様の作用効果を得ることができる。
次に、図6を参照して、本発明の第4の実施の形態にかかるLD駆動回路10について説明する。図6は、第4の実施の形態にかかるLD駆動回路の要部構成を示す回路図である。
これにより、過渡電圧ΔVを、例えば2〜3V程度から1V程度まで低減することができ、NMOSトランジスタMに必要とされる耐圧を低減できる。
本実施の形態では、NPNトランジスタQを用いた単相構成で、バイアス電流IBIASを制御してLDをオンオフ制御する場合を例として説明したが、図7に示すように、第2の実施の形態と同様に、差動対をなす2つのNPNトランジスタQ1,Q2を用いた差動構成で、バイアス電流IBIASを制御してもよい。これにより、本実施の形態において、第2の実施の形態と同様の作用効果を得ることができる。
以上、実施形態を参照して本発明を説明したが、本発明は上記実施形態に限定されるものではない。本発明の構成や詳細には、本発明のスコープ内で当業者が理解しうる様々な変更をすることができる。例えば各実施の形態の説明では、NMOSトランジスタ以外のバイアス電流供給回路13を構成するスイッチ素子として、NPNトランジスタを用いた構成例で説明したが、NPNトランジスタに換えてMOSトランジスタで構成してもよい。このとき、NPNトランジスタのエミッタ端子、コレクタ端子、ベース端子は、それぞれMOSトランジスタのソース端子、ドレイン端子、ゲート端子に読み替えればよい。また、各実施形態については、矛盾しない範囲で任意に組み合わせて実施することができる。
Claims (5)
- 入力された変調信号に応じた変調電流を生成し、電源電位がアノード端子から供給されているLDのカソード端子へ、負荷抵抗を介して供給するドライバ回路と、
定電流源により生成した定電流を前記LDに流れるバイアス電流として前記LDのカソード端子へ供給するバイアス電流供給回路とを備え、
前記バイアス電流供給回路は、
エミッタ端子またはソース端子が前記定電流源の入力端子と接続され、ベース端子またはゲート端子が前記LDのオンオフ状態を制御するためのバイアス制御信号と接続されたトランジスタと、
ソース端子が前記トランジスタのコレクタ端子またはドレイン端子と接続され、ゲート端子が一定の基準電圧と接続され、ドレイン端子が負荷回路を介して前記LDのカソード端子と接続されたNMOSトランジスタとを含み、
前記トランジスタは、NPNトランジスタまたはMOSトランジスタであり、
前記NMOSトランジスタは、前記NPNトランジスタで前記LDをオフ状態とするために前記バイアス電流を低下させた際に、前記負荷回路で発生する過渡電圧分以上の耐圧特性を有する
ことを特徴とするLD駆動回路。 - 請求項1に記載のLD駆動回路において、
前記NMOSトランジスタのゲート端子は、前記基準電位に代えて、当該NMOSトランジスタのドレイン端子と接続されていることを特徴とするLD駆動回路。 - 請求項1または請求項2に記載のLD駆動回路において、
前記NMOSトランジスタのドレイン端と接地電位との間に接続されて、前記過渡電圧をクランプするための複数のダイオードの直列接続回路をさらに備えることを特徴とするLD駆動回路。 - 請求項1〜請求項3のうちのいずれか1つに記載のLD駆動回路において、
前記負荷回路は、インダクタ、抵抗素子、インダクタと抵抗素子の並列接続回路、またはインダクタと抵抗素子の直列接続回路からなることを特徴とするLD駆動回路。 - 請求項1〜請求項4のうちのいずれか1つに記載のLD駆動回路において、
前記トランジスタに代えて、差動対をなす第1および第2のトランジスタを備え、
前記第1のトランジスタは、エミッタ端子またはソース端子が前記定電流源の入力端子と接続され、ベース端子またはゲート端子が前記バイアス制御信号と接続され、コレクタ端子またはドレイン端子が前記NMOSトランジスタのソース端子と接続されており、
前記第2のトランジスタは、エミッタ端子またはソース端子が前記第1のトランジスタのエミッタ端子またはソース端子、および前記定電流源の入力端子と共通接続され、ベース端子またはゲート端子が前記バイアス制御信号の差動信号と接続され、コレクタ端子またはドレイン端子に基準電源が供給され、
前記第1のトランジスタおよび前記第2のトランジスタは、NPNトランジスタまたはMOSトランジスタである
ことを特徴とするLD駆動回路。
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