JP2000216486A - レ―ザ―駆動回路および光送受信装置 - Google Patents
レ―ザ―駆動回路および光送受信装置Info
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- JP2000216486A JP2000216486A JP11328408A JP32840899A JP2000216486A JP 2000216486 A JP2000216486 A JP 2000216486A JP 11328408 A JP11328408 A JP 11328408A JP 32840899 A JP32840899 A JP 32840899A JP 2000216486 A JP2000216486 A JP 2000216486A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 立ち上がりが急峻で、しかもオーバーシュー
トのない理想的な出力波形が得られるシングル駆動方式
のレーザ駆動回路を提供する。 【解決手段】 電流出力制御用スイッチ１と、出力電流
生成用トランジスタ２と、電流電圧変換手段３と、第１
の電流源４と、第２の電流源５と、１つの入力端子と第
１および第２の出力端子を具備し、制御信号により電流
が出力される出力端子が切り替わる電流パスセレクタ６
とを備える。第２の電流源５の出力電流は電流パスセレ
クタ６に入力される。電流パスセレクタ６の第１の出力
端子は所定のノードに接続される。電流パスセレクタ６
の第２の出力端子からの出力電流と第１の電流源４の出
力電流とが電流電圧変換手段３に入力される。電流電圧
変換手段３の出力電圧が出力電流生成用トランジスタ２
のゲート・ソース間に与えられる。出力電流生成用トラ
ンジスタ２のドレインから電流出力制御用スイッチ１を
通して電流を出力する。
トのない理想的な出力波形が得られるシングル駆動方式
のレーザ駆動回路を提供する。 【解決手段】 電流出力制御用スイッチ１と、出力電流
生成用トランジスタ２と、電流電圧変換手段３と、第１
の電流源４と、第２の電流源５と、１つの入力端子と第
１および第２の出力端子を具備し、制御信号により電流
が出力される出力端子が切り替わる電流パスセレクタ６
とを備える。第２の電流源５の出力電流は電流パスセレ
クタ６に入力される。電流パスセレクタ６の第１の出力
端子は所定のノードに接続される。電流パスセレクタ６
の第２の出力端子からの出力電流と第１の電流源４の出
力電流とが電流電圧変換手段３に入力される。電流電圧
変換手段３の出力電圧が出力電流生成用トランジスタ２
のゲート・ソース間に与えられる。出力電流生成用トラ
ンジスタ２のドレインから電流出力制御用スイッチ１を
通して電流を出力する。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、ＰＯＮ（Ｐａｓｓ
ｉｖｅ Ｏｐｔｉｃａｌ Ｎｅｔｗｏｒｋ）システム等
の光通信システムにおいて、光信号送信回路に用いられ
るレーザー駆動回路に関し、特にレーザー駆動電流出力
部において、駆動電流生成用電流源の出力電流自体をオ
ン／オフさせることによって電流出力のオン／オフを行
うレーザー駆動回路に関する。
ｉｖｅ Ｏｐｔｉｃａｌ Ｎｅｔｗｏｒｋ）システム等
の光通信システムにおいて、光信号送信回路に用いられ
るレーザー駆動回路に関し、特にレーザー駆動電流出力
部において、駆動電流生成用電流源の出力電流自体をオ
ン／オフさせることによって電流出力のオン／オフを行
うレーザー駆動回路に関する。
【０００２】
【従来の技術】近年、将来のＦＴＴＨ（Ｆｉｂｅｒ Ｔ
ｏ Ｔｈｅ Ｈｏｍｅ）化の実現に向けて、光加入者シ
ステムの研究が盛んに行われている。しかし、巨大な伝
送容量をもつ光ファイバの一般家庭への導入は、従来の
金属回線に比べて経済性の面で課題となっている。こう
した中で、局側からの１本のファイバを分岐させること
により複数加入者への双方向通信サービスを可能とした
ＰＯＮ（ＰａｓｓｉｖｅＯｐｔｉｃａｌ Ｎｅｔｗｏｒ
ｋ）システムは、経済性の面から有望視されている。
ｏ Ｔｈｅ Ｈｏｍｅ）化の実現に向けて、光加入者シ
ステムの研究が盛んに行われている。しかし、巨大な伝
送容量をもつ光ファイバの一般家庭への導入は、従来の
金属回線に比べて経済性の面で課題となっている。こう
した中で、局側からの１本のファイバを分岐させること
により複数加入者への双方向通信サービスを可能とした
ＰＯＮ（ＰａｓｓｉｖｅＯｐｔｉｃａｌ Ｎｅｔｗｏｒ
ｋ）システムは、経済性の面から有望視されている。
【０００３】光通信システムにおいて、光信号の送信部
に用いられるレーザー駆動回路は、デジタルデータ信号
に従いレーザー駆動電流の出力をオン／オフする機能を
有する。このようなレーザー駆動回路として、従来は図
１１に示すような差動方式が用いられてきた。差動方式
によるレーザ駆動回路では、差動ペアトランジスタｍ
２，ｍ３によりレーザー駆動電流Ｉｏの電流パスを切り
替えることにより、出力電流をオン／オフさせる。この
ため、常に電源に一定電流が流れるためノイズの発生量
が少なく、またスイッチング速度も速いという特長があ
る。しかし、この方式では、図１１（ｂ）に示すように
非出力状態の時でも駆動電流が別のパスで流れ続けるた
め、消費電力が大きくなるという欠点がある。
に用いられるレーザー駆動回路は、デジタルデータ信号
に従いレーザー駆動電流の出力をオン／オフする機能を
有する。このようなレーザー駆動回路として、従来は図
１１に示すような差動方式が用いられてきた。差動方式
によるレーザ駆動回路では、差動ペアトランジスタｍ
２，ｍ３によりレーザー駆動電流Ｉｏの電流パスを切り
替えることにより、出力電流をオン／オフさせる。この
ため、常に電源に一定電流が流れるためノイズの発生量
が少なく、またスイッチング速度も速いという特長があ
る。しかし、この方式では、図１１（ｂ）に示すように
非出力状態の時でも駆動電流が別のパスで流れ続けるた
め、消費電力が大きくなるという欠点がある。
【０００４】そこで図１２に示すように、駆動電流生成
用の電流源トランジスタｍ１自体をオン／オフさせるこ
とにより、駆動電流の出力を制御する構成が考えられる
（特開平９−２３２６３５）。
用の電流源トランジスタｍ１自体をオン／オフさせるこ
とにより、駆動電流の出力を制御する構成が考えられる
（特開平９−２３２６３５）。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】しかしながらこの構成
では、駆動電流生成用の電流源トランジスタｍ１のゲー
トをグランドにショートし、トランジスタｍ１を完全に
カットオフさせることにより出力をオフさせるので、オ
ンさせる時はトランジスタｍ１の大きなゲートソース間
容量Ｃｇｓを電流Ｉｓで充電してゲート電圧を上昇させ
なければならず、大きな時間遅延が発生するという問題
がある。しかも、この時間遅延は、トランジスタｍ１の
ゲートソース間容量Ｃｇｓを充電する電流Ｉｓに依存す
るため、結果的には、駆動電流Ｉｏに依存してしまうこ
とになる。また、立ち上がりの波形もなまった波形とな
る傾向がある。
では、駆動電流生成用の電流源トランジスタｍ１のゲー
トをグランドにショートし、トランジスタｍ１を完全に
カットオフさせることにより出力をオフさせるので、オ
ンさせる時はトランジスタｍ１の大きなゲートソース間
容量Ｃｇｓを電流Ｉｓで充電してゲート電圧を上昇させ
なければならず、大きな時間遅延が発生するという問題
がある。しかも、この時間遅延は、トランジスタｍ１の
ゲートソース間容量Ｃｇｓを充電する電流Ｉｓに依存す
るため、結果的には、駆動電流Ｉｏに依存してしまうこ
とになる。また、立ち上がりの波形もなまった波形とな
る傾向がある。
【０００６】本発明は、駆動電流生成用電流源の出力電
流自体をオンオフさせるレーザー駆動回路において、デ
ジタルデータ信号に従い急峻に立ち上がり、しかもオー
バーシュートのない理想的な波形を得ることができるレ
ーザー駆動回路を提供することを目的とする。
流自体をオンオフさせるレーザー駆動回路において、デ
ジタルデータ信号に従い急峻に立ち上がり、しかもオー
バーシュートのない理想的な波形を得ることができるレ
ーザー駆動回路を提供することを目的とする。
【０００７】
【課題を解決するための手段】請求項１に従ったレーザ
駆動回路は、出力ノードと、第１の電源ノードと、第１
のスイッチと、電流発生手段と、電流電圧変換手段と、
出力電流生成用トランジスタとを備える。出力ノード
は、駆動電流を出力する。第１の電源ノードは、第１の
電源電圧を受ける。第１のスイッチは、出力ノードと第
１の電源ノードとの間に接続される。電流発生手段は、
第１のスイッチがオフのとき第１の電流値を有する第１
の電流を発生し、第１のスイッチがオンのとき第１の電
流値と異なる第２の電流値を有する第２の電流を発生す
る。電流電圧変換手段は、電流発生手段からの電流を、
その電流値に応じた電圧に変換する。出力電流生成用ト
ランジスタは、第１のスイッチと第１の電源ノードとの
間に接続され、電流電圧変換手段からの電圧をゲートに
受ける。
駆動回路は、出力ノードと、第１の電源ノードと、第１
のスイッチと、電流発生手段と、電流電圧変換手段と、
出力電流生成用トランジスタとを備える。出力ノード
は、駆動電流を出力する。第１の電源ノードは、第１の
電源電圧を受ける。第１のスイッチは、出力ノードと第
１の電源ノードとの間に接続される。電流発生手段は、
第１のスイッチがオフのとき第１の電流値を有する第１
の電流を発生し、第１のスイッチがオンのとき第１の電
流値と異なる第２の電流値を有する第２の電流を発生す
る。電流電圧変換手段は、電流発生手段からの電流を、
その電流値に応じた電圧に変換する。出力電流生成用ト
ランジスタは、第１のスイッチと第１の電源ノードとの
間に接続され、電流電圧変換手段からの電圧をゲートに
受ける。
【０００８】請求項２に従ったレーザ駆動回路では、上
記電流発生手段は、第１の電流源と、第２の電流源と、
電流パスセレクタを含む。第１の電流源は、第１の電流
を電流電圧変換手段に供給する。第２の電流源は、第２
の電流値と第１の電流値との差の電流値を有する第３の
電流を発生する。電流パスセレクタは、第１のスイッチ
がオンのときに第２の電流源からの第３の電流を電流電
圧変換手段に供給する一方、第１のスイッチがオフのと
きに第２の電流源からの第３の電流を電流電圧変換手段
に供給しない。
記電流発生手段は、第１の電流源と、第２の電流源と、
電流パスセレクタを含む。第１の電流源は、第１の電流
を電流電圧変換手段に供給する。第２の電流源は、第２
の電流値と第１の電流値との差の電流値を有する第３の
電流を発生する。電流パスセレクタは、第１のスイッチ
がオンのときに第２の電流源からの第３の電流を電流電
圧変換手段に供給する一方、第１のスイッチがオフのと
きに第２の電流源からの第３の電流を電流電圧変換手段
に供給しない。
【０００９】上記レーザ駆動回路では、第１のスイッチ
がオフのとき、すなわち非出力状態においても、出力電
流生成用トランジスタのゲートは第１の電流に対応した
電圧によってバイアスされている。したがって、第１の
スイッチがオンになり、出力状態となったとき、レーザ
駆動用の出力電流は急速に立ち上がる。また、非出力状
態において出力電流生成用トランジスタのゲートに与え
られるバイアス電圧は、出力状態において与えられるバ
イアス電圧より小さいため、オーバーシュートのない理
想的な出力波形が得られる。
がオフのとき、すなわち非出力状態においても、出力電
流生成用トランジスタのゲートは第１の電流に対応した
電圧によってバイアスされている。したがって、第１の
スイッチがオンになり、出力状態となったとき、レーザ
駆動用の出力電流は急速に立ち上がる。また、非出力状
態において出力電流生成用トランジスタのゲートに与え
られるバイアス電圧は、出力状態において与えられるバ
イアス電圧より小さいため、オーバーシュートのない理
想的な出力波形が得られる。
【００１０】請求項３に従ったレーザー駆動回路では、
上記電流パスセレクタは、入力端子と、第１の出力端子
と、第２の出力端子と、第１のトランジスタと、第２の
トランジスタとを含む。入力端子は、第２の電流源から
の第３の電流を受ける。第１の出力端子は、第１の電源
ノードに接続される。第２の出力端子は、電流電圧変換
手段に接続される。第１のトランジスタは、そのソース
が入力端子に接続され、そのドレインが第１の出力端子
に接続され、第１のスイッチがオンのときオフになり、
第１のスイッチがオフのときオンになる。第２のトラン
ジスタは、そのソースが入力端子に接続され、そのドレ
インが第２の出力端子に接続され、第１のスイッチがオ
ンのときオンになり、第１のスイッチがオフのときオフ
になる。
上記電流パスセレクタは、入力端子と、第１の出力端子
と、第２の出力端子と、第１のトランジスタと、第２の
トランジスタとを含む。入力端子は、第２の電流源から
の第３の電流を受ける。第１の出力端子は、第１の電源
ノードに接続される。第２の出力端子は、電流電圧変換
手段に接続される。第１のトランジスタは、そのソース
が入力端子に接続され、そのドレインが第１の出力端子
に接続され、第１のスイッチがオンのときオフになり、
第１のスイッチがオフのときオンになる。第２のトラン
ジスタは、そのソースが入力端子に接続され、そのドレ
インが第２の出力端子に接続され、第１のスイッチがオ
ンのときオンになり、第１のスイッチがオフのときオフ
になる。
【００１１】上記レーザ駆動回路では、第１のスイッチ
がオフのとき、第１のトランジスタがオンになり、第２
のトランジスタがオフになる。したがって、第２の電流
源からの第３の電流は、第１のトランジスタ、第１の出
力端子を通って第１の電源ノードに流れる。この結果、
電流電圧変換手段には第１の電流源からの第１の電流が
供給され、出力電流生成用トランジスタのゲートは第１
の電流に対応した電圧によってバイアスされる。第１の
スイッチがオンになると、第１のトランジスタがオフに
なり、第２のトランジスタがオンになる。したがって、
第２の電流源からの第３の電流は、第２のトランジスタ
を通って電流電圧変換手段に供給される。この結果、電
流電圧変換手段には第１の電流源からの第１の電流と第
２の電流源からの第３の電流とが供給され、出力電流生
成用トランジスタのゲートは第２の電流に対応した電圧
によってバイアスされる。
がオフのとき、第１のトランジスタがオンになり、第２
のトランジスタがオフになる。したがって、第２の電流
源からの第３の電流は、第１のトランジスタ、第１の出
力端子を通って第１の電源ノードに流れる。この結果、
電流電圧変換手段には第１の電流源からの第１の電流が
供給され、出力電流生成用トランジスタのゲートは第１
の電流に対応した電圧によってバイアスされる。第１の
スイッチがオンになると、第１のトランジスタがオフに
なり、第２のトランジスタがオンになる。したがって、
第２の電流源からの第３の電流は、第２のトランジスタ
を通って電流電圧変換手段に供給される。この結果、電
流電圧変換手段には第１の電流源からの第１の電流と第
２の電流源からの第３の電流とが供給され、出力電流生
成用トランジスタのゲートは第２の電流に対応した電圧
によってバイアスされる。
【００１２】請求項４に従ったレーザ駆動回路では、上
記電流パスセレクタは、入力端子と、出力端子と、第２
のスイッチとを含む。入力端子は、第２の電流源からの
第３の電流を受ける。出力端子は、電流電圧変換手段に
接続される。第２のスイッチは、入力端子と出力端子と
の間に接続され、第１のスイッチがオンのときオンにな
り、かつ第１のスイッチがオフのときオフになる。
記電流パスセレクタは、入力端子と、出力端子と、第２
のスイッチとを含む。入力端子は、第２の電流源からの
第３の電流を受ける。出力端子は、電流電圧変換手段に
接続される。第２のスイッチは、入力端子と出力端子と
の間に接続され、第１のスイッチがオンのときオンにな
り、かつ第１のスイッチがオフのときオフになる。
【００１３】上記レーザ駆動回路では、第１のスイッチ
がオフのとき、すなわち非出力状態においては、第２の
電流源の第３の電流がオフになるため、低消費電力化が
図られる。
がオフのとき、すなわち非出力状態においては、第２の
電流源の第３の電流がオフになるため、低消費電力化が
図られる。
【００１４】請求項５に従ったレーザ駆動回路では、上
記電流発生手段は、電流源と、電流分流回路とを含む。
電流源は、第２の電流を発生する。電流分流回路は、第
１のスイッチがオンのとき、電流源からの第２の電流を
電流電圧変換手段に供給し、第１のスイッチがオフのと
き、第２の電流を、第２の電流値と第１の電流値との差
の電流値を有する第３の電流と第１の電流とに分流し、
当該第１の電流を電流電圧変換手段に供給する。
記電流発生手段は、電流源と、電流分流回路とを含む。
電流源は、第２の電流を発生する。電流分流回路は、第
１のスイッチがオンのとき、電流源からの第２の電流を
電流電圧変換手段に供給し、第１のスイッチがオフのと
き、第２の電流を、第２の電流値と第１の電流値との差
の電流値を有する第３の電流と第１の電流とに分流し、
当該第１の電流を電流電圧変換手段に供給する。
【００１５】請求項６に従ったレーザ駆動回路では、上
記第２の電流値は第１の電流値よりも大きい。
記第２の電流値は第１の電流値よりも大きい。
【００１６】上記レーザ駆動回路では、第１のスイッチ
がオフのときに電流電圧変換手段に供給される第１の電
流よりも第１のスイッチがオンのときに電流電圧変換手
段に供給される第２の電流のほうが大きいため、出力電
流が急速に立ち上がりながらもオーバーシュートのない
理想的な出力波形が得られる。
がオフのときに電流電圧変換手段に供給される第１の電
流よりも第１のスイッチがオンのときに電流電圧変換手
段に供給される第２の電流のほうが大きいため、出力電
流が急速に立ち上がりながらもオーバーシュートのない
理想的な出力波形が得られる。
【００１７】請求項７に従ったレーザ駆動回路では、上
記電流分流回路は、入力端子と、第１の出力端子と、第
２の出力端子と、第１のトランジスタと、第２のトラン
ジスタとを含む。入力端子は、電流源からの第２の電流
を受ける。第１の出力端子は、第１の電源ノードに接続
される。第２の出力端子は、電流電圧変換手段に接続さ
れる。第１のトランジスタは、そのソースが入力端子に
接続され、そのドレインが第１の出力端子に接続され、
第１のスイッチがオンのときオフになり、第１のスイッ
チがオフのときソース・ドレイン間に第３の電流を流
す。第２のトランジスタは、そのソースが入力端子に接
続され、そのドレインが第２の出力端子に接続され、第
１のスイッチがオンのときソース・ドレイン間に第２の
電流を流し、第１のスイッチがオフのときソース・ドレ
イン間に第１の電流を流す。
記電流分流回路は、入力端子と、第１の出力端子と、第
２の出力端子と、第１のトランジスタと、第２のトラン
ジスタとを含む。入力端子は、電流源からの第２の電流
を受ける。第１の出力端子は、第１の電源ノードに接続
される。第２の出力端子は、電流電圧変換手段に接続さ
れる。第１のトランジスタは、そのソースが入力端子に
接続され、そのドレインが第１の出力端子に接続され、
第１のスイッチがオンのときオフになり、第１のスイッ
チがオフのときソース・ドレイン間に第３の電流を流
す。第２のトランジスタは、そのソースが入力端子に接
続され、そのドレインが第２の出力端子に接続され、第
１のスイッチがオンのときソース・ドレイン間に第２の
電流を流し、第１のスイッチがオフのときソース・ドレ
イン間に第１の電流を流す。
【００１８】上記レーザ駆動回路では、第１のスイッチ
がオフのとき、すなわち非出力状態においても、出力電
流生成用トランジスタのゲートは第１の電流に対応した
電圧によってバイアスされている。したがって、第１の
スイッチがオンになり、出力状態となったとき、レーザ
駆動用の出力電流は急速に立ち上がる。また、非出力状
態において出力電流生成用トランジスタのゲートに与え
られるバイアス電圧は、出力状態において与えられるバ
イアス電圧より小さいため、オーバーシュートのない理
想的な出力波形が得られる。
がオフのとき、すなわち非出力状態においても、出力電
流生成用トランジスタのゲートは第１の電流に対応した
電圧によってバイアスされている。したがって、第１の
スイッチがオンになり、出力状態となったとき、レーザ
駆動用の出力電流は急速に立ち上がる。また、非出力状
態において出力電流生成用トランジスタのゲートに与え
られるバイアス電圧は、出力状態において与えられるバ
イアス電圧より小さいため、オーバーシュートのない理
想的な出力波形が得られる。
【００１９】請求項８に従ったレーザ駆動回路では、上
記電流発生手段は、第１の電流源と、第２の電流源とを
含む。第１の電流源は、第１の電流を電流電圧変換手段
に供給する。第２の電流源は、第１のスイッチがオンの
とき、第２の電流値と第１の電流値との差の電流値を有
する第３の電流を電流電圧変換手段に供給する一方、第
１のスイッチがオフのときは電流を電流電圧変換手段に
供給しない。
記電流発生手段は、第１の電流源と、第２の電流源とを
含む。第１の電流源は、第１の電流を電流電圧変換手段
に供給する。第２の電流源は、第１のスイッチがオンの
とき、第２の電流値と第１の電流値との差の電流値を有
する第３の電流を電流電圧変換手段に供給する一方、第
１のスイッチがオフのときは電流を電流電圧変換手段に
供給しない。
【００２０】上記レーザ駆動回路では、第１のスイッチ
がオフのとき、すなわち非出力状態においては、第２の
電流源は第３の電流を供給しないため、低消費電力化が
図られる。
がオフのとき、すなわち非出力状態においては、第２の
電流源は第３の電流を供給しないため、低消費電力化が
図られる。
【００２１】請求項９に従ったレーザー駆動回路では、
上記第１のスイッチは、ゲート接地トランジスタと、ス
イッチ用トランジスタとを含む。ゲート接地トランジス
タは、ゲートに一定の電圧が与えられる。スイッチ用ト
ランジスタは、ゲート接地トランジスタのソースと出力
電流生成用トランジスタとの間に接続される。
上記第１のスイッチは、ゲート接地トランジスタと、ス
イッチ用トランジスタとを含む。ゲート接地トランジス
タは、ゲートに一定の電圧が与えられる。スイッチ用ト
ランジスタは、ゲート接地トランジスタのソースと出力
電流生成用トランジスタとの間に接続される。
【００２２】これにより、安定したスイッチング動作を
実現できる。
実現できる。
【００２３】請求項１０に従ったレーザー駆動回路で
は、上記電流電圧変換手段は、ゲートとドレインとが接
続されたトランジスタを含む。
は、上記電流電圧変換手段は、ゲートとドレインとが接
続されたトランジスタを含む。
【００２４】上記レーザ駆動回路では、出力電流生成用
トランジスタとカレントミラー回路が構成されることに
なり、デバイスばらつきに強い安定した動作が実現でき
る。
トランジスタとカレントミラー回路が構成されることに
なり、デバイスばらつきに強い安定した動作が実現でき
る。
【００２５】請求項１１に従ったレーザ駆動回路では、
上記電流発生手段は、電流源と、電流比調整回路と、電
流パスセレクタとを含む。電流源は、第２の電流を発生
する。電流比調整回路は、電流源からの第２の電流を、
所望の比率の電流値を有する２つの電流に分流し、一の
電流を第１の電流として電流電圧変換手段に供給する。
電流パスセレクタは、第１のスイッチがオンのとき、電
流比調整回路において分流された２つの電流のうちの他
の電流を電流電圧変換手段に供給する一方、第１のスイ
ッチがオフのとき他の電流を電流電圧変換手段に供給し
ない。
上記電流発生手段は、電流源と、電流比調整回路と、電
流パスセレクタとを含む。電流源は、第２の電流を発生
する。電流比調整回路は、電流源からの第２の電流を、
所望の比率の電流値を有する２つの電流に分流し、一の
電流を第１の電流として電流電圧変換手段に供給する。
電流パスセレクタは、第１のスイッチがオンのとき、電
流比調整回路において分流された２つの電流のうちの他
の電流を電流電圧変換手段に供給する一方、第１のスイ
ッチがオフのとき他の電流を電流電圧変換手段に供給し
ない。
【００２６】請求項１２に従ったレーザ駆動回路では、
上記電流比調整回路は、入力端子と、第１の出力端子
と、第２の出力端子と、第１のトランジスタと、第２の
トランジスタとを含む。入力端子は、電流源からの第２
の電流を受ける。第１の出力端子は、電流パスセレクタ
に接続される。第２の出力端子は、電流電圧変換手段に
接続される。第１のトランジスタは、そのソースが入力
端子に接続され、そのドレインが第１の出力端子に接続
され、そのゲートに第１の電圧を受ける。第２のトラン
ジスタは、そのソースが入力端子に接続され、そのドレ
インが第２の出力端子に接続され、そのゲートに第２の
電圧を受ける。
上記電流比調整回路は、入力端子と、第１の出力端子
と、第２の出力端子と、第１のトランジスタと、第２の
トランジスタとを含む。入力端子は、電流源からの第２
の電流を受ける。第１の出力端子は、電流パスセレクタ
に接続される。第２の出力端子は、電流電圧変換手段に
接続される。第１のトランジスタは、そのソースが入力
端子に接続され、そのドレインが第１の出力端子に接続
され、そのゲートに第１の電圧を受ける。第２のトラン
ジスタは、そのソースが入力端子に接続され、そのドレ
インが第２の出力端子に接続され、そのゲートに第２の
電圧を受ける。
【００２７】請求項１３に従ったレーザ駆動回路では、
上記第１または第２の電圧のレベルは、第２の電流の電
流値に応じて制御される。
上記第１または第２の電圧のレベルは、第２の電流の電
流値に応じて制御される。
【００２８】上記レーザ駆動回路では、第１および第２
の電圧を変化させることによって、電流源からの第２の
電流を所望の比率の電流値を有する２つの電流に分流す
ることができる。これにより、どのような使用状況にお
いても光出力のアイパターンを最適にすることができ、
汎用性の高いレーザ駆動回路を実現できる。
の電圧を変化させることによって、電流源からの第２の
電流を所望の比率の電流値を有する２つの電流に分流す
ることができる。これにより、どのような使用状況にお
いても光出力のアイパターンを最適にすることができ、
汎用性の高いレーザ駆動回路を実現できる。
【００２９】請求項１４に従ったレーザ駆動回路では、
上記電流発生手段は、電流源と、電流比調整回路と、第
１のカレントミラー回路と、第２のカレントミラー回路
と、電流パスセレクタとを含む。電流源は、第２の電流
を発生する。電流比調整回路は、電流源からの第２の電
流を、所望の比率の電流値を有する２つの電流に分流す
る。第１のカレントミラー回路は、電流比調整回路によ
って分流された２つの電流の一の電流を入力電流とす
る。第２のカレントミラー回路は、電流比調整回路によ
って分流された２つの電流の他の電流を入力電流とし、
その出力電流を第１の電流として電流電圧変換手段に供
給する。電流パスセレクタは、第１のスイッチがオンの
とき第１のカレントミラー回路からの出力電流を電流電
圧変換手段に供給する一方、第１のスイッチがオフのと
き第１のカレントミラー回路からの出力電流を電流電圧
変換手段に供給しない。
上記電流発生手段は、電流源と、電流比調整回路と、第
１のカレントミラー回路と、第２のカレントミラー回路
と、電流パスセレクタとを含む。電流源は、第２の電流
を発生する。電流比調整回路は、電流源からの第２の電
流を、所望の比率の電流値を有する２つの電流に分流す
る。第１のカレントミラー回路は、電流比調整回路によ
って分流された２つの電流の一の電流を入力電流とす
る。第２のカレントミラー回路は、電流比調整回路によ
って分流された２つの電流の他の電流を入力電流とし、
その出力電流を第１の電流として電流電圧変換手段に供
給する。電流パスセレクタは、第１のスイッチがオンの
とき第１のカレントミラー回路からの出力電流を電流電
圧変換手段に供給する一方、第１のスイッチがオフのと
き第１のカレントミラー回路からの出力電流を電流電圧
変換手段に供給しない。
【００３０】請求項１５に従ったレーザ駆動回路では、
上記電流比調整回路は、入力端子と、第１の出力端子
と、第２の出力端子と、第１のトランジスタと、第２の
トランジスタとを含む。入力端子は、電流源からの第２
の電流を受ける。第１の出力端子は、第１のカレントミ
ラー回路に接続される。第２の出力端子は、第２のカレ
ントミラー回路に接続される。第１のトランジスタは、
そのソースが入力端子に接続され、そのドレインが第１
の出力端子に接続され、そのゲートに第１の電圧を受け
る。第２のトランジスタは、そのソースが入力端子に接
続され、そのドレインが第２の出力端子に接続され、そ
のゲートに第２の電圧を受ける。
上記電流比調整回路は、入力端子と、第１の出力端子
と、第２の出力端子と、第１のトランジスタと、第２の
トランジスタとを含む。入力端子は、電流源からの第２
の電流を受ける。第１の出力端子は、第１のカレントミ
ラー回路に接続される。第２の出力端子は、第２のカレ
ントミラー回路に接続される。第１のトランジスタは、
そのソースが入力端子に接続され、そのドレインが第１
の出力端子に接続され、そのゲートに第１の電圧を受け
る。第２のトランジスタは、そのソースが入力端子に接
続され、そのドレインが第２の出力端子に接続され、そ
のゲートに第２の電圧を受ける。
【００３１】請求項１６に従ったレーザ駆動回路では、
上記第１または第２の電圧のレベルは、第２の電流の電
流値に応じて制御される。
上記第１または第２の電圧のレベルは、第２の電流の電
流値に応じて制御される。
【００３２】上記レーザ駆動回路では、第１および第２
の電圧を変化させることによって、電流源からの第２の
電流を所望の比率の電流値を有する２つの電流に分流す
ることができる。これにより、どのような使用状況にお
いても光出力のアイパターンを最適にすることができ、
汎用性の高いレーザ駆動回路を実現できる。縦積みのト
ランジスタ数が少ないため、より低電圧でも安定して動
作させることができる。
の電圧を変化させることによって、電流源からの第２の
電流を所望の比率の電流値を有する２つの電流に分流す
ることができる。これにより、どのような使用状況にお
いても光出力のアイパターンを最適にすることができ、
汎用性の高いレーザ駆動回路を実現できる。縦積みのト
ランジスタ数が少ないため、より低電圧でも安定して動
作させることができる。
【００３３】請求項１７に従った光送受信装置は、光通
信を行う光送受信装置であって、送信部と、受信部とを
備える。送信部は、送信データを、レーザを駆動するこ
とによって、光に変換して送信する。受信部は、受けた
レーザ光を、受信データに変換する。送信部は、上述の
レーザ駆動回路を有し、このレーザ駆動回路によってレ
ーザを駆動する。
信を行う光送受信装置であって、送信部と、受信部とを
備える。送信部は、送信データを、レーザを駆動するこ
とによって、光に変換して送信する。受信部は、受けた
レーザ光を、受信データに変換する。送信部は、上述の
レーザ駆動回路を有し、このレーザ駆動回路によってレ
ーザを駆動する。
【００３４】請求項１８に従ったレーザ駆動回路は、出
力ノードと、第１の電源ノードと、ゲート接地トランジ
スタと、スイッチ用トランジスタと、出力電流生成用ト
ランジスタとを備える。出力ノードは、駆動電流を出力
する。第１の電源ノードは、第１の電源電圧を受ける。
ゲート接地トランジスタは、出力ノードと第１の電源ノ
ードとの間に接続され、ゲートに一定の電圧を受ける。
スイッチ用トランジスタは、ゲート接地トランジスタの
ソースと第１の電源ノードとの間にゲート接地トランジ
スタと直列に接続される。出力電流生成用トランジスタ
は、スイッチ用トランジスタと第１の電源ノードとの間
にスイッチ用トランジスタと直列に接続され、スイッチ
用トランジスタがオンのとき第１の電圧をゲートに受
け、スイッチ用トランジスタがオフのとき第１の電圧と
異なる第２の電圧をゲートに受ける。
力ノードと、第１の電源ノードと、ゲート接地トランジ
スタと、スイッチ用トランジスタと、出力電流生成用ト
ランジスタとを備える。出力ノードは、駆動電流を出力
する。第１の電源ノードは、第１の電源電圧を受ける。
ゲート接地トランジスタは、出力ノードと第１の電源ノ
ードとの間に接続され、ゲートに一定の電圧を受ける。
スイッチ用トランジスタは、ゲート接地トランジスタの
ソースと第１の電源ノードとの間にゲート接地トランジ
スタと直列に接続される。出力電流生成用トランジスタ
は、スイッチ用トランジスタと第１の電源ノードとの間
にスイッチ用トランジスタと直列に接続され、スイッチ
用トランジスタがオンのとき第１の電圧をゲートに受
け、スイッチ用トランジスタがオフのとき第１の電圧と
異なる第２の電圧をゲートに受ける。
【００３５】上記レーザ駆動回路では、スイッチ用トラ
ンジスタがオフのとき、すなわち非出力状態において
も、出力電流生成用トランジスタのゲートは第２の電圧
によってバイアスされている。したがって、スイッチ用
トランジスタがオンになり、出力状態となったとき、レ
ーザ駆動用の出力電流は急速に立ち上がる。また、非出
力状態において出力電流生成用トランジスタのゲートに
与えられるバイアス電圧は、出力状態において与えられ
るバイアス電圧より小さいため、オーバーシュートのな
い理想的な出力波形が得られる。
ンジスタがオフのとき、すなわち非出力状態において
も、出力電流生成用トランジスタのゲートは第２の電圧
によってバイアスされている。したがって、スイッチ用
トランジスタがオンになり、出力状態となったとき、レ
ーザ駆動用の出力電流は急速に立ち上がる。また、非出
力状態において出力電流生成用トランジスタのゲートに
与えられるバイアス電圧は、出力状態において与えられ
るバイアス電圧より小さいため、オーバーシュートのな
い理想的な出力波形が得られる。
【００３６】
【発明の実施の形態】以下、この発明の実施の形態につ
いて、図面を参照して説明する。
いて、図面を参照して説明する。
【００３７】（第１の実施形態）図１は、この発明の第
１の実施形態によるレーザー駆動回路の構成を示す図で
ある。１はゲートに一定電圧Ｖｂ１が与えられたトラン
ジスタｍ３とゲートに制御信号ＳＷが与えられたスイッ
チ用トランジスタｍ２との縦続接続からなる電流出力制
御用スイッチ、２は出力電流生成用トランジスタｍ１、
３はゲートとドレインが接続されたトランジスタｍ４か
らなる電流電圧変換手段、４はゲートに一定バイアス電
圧が与えられた電流源トランジスタｍ７による第１の電
流源、５はゲートに一定バイアス電圧が与えられた電流
源トランジスタｍ８による第２の電流源、６は第１のト
ランジスタｍ６及び第２のトランジスタｍ５のソースが
互いに結合されてなる電流パスセレクタである。
１の実施形態によるレーザー駆動回路の構成を示す図で
ある。１はゲートに一定電圧Ｖｂ１が与えられたトラン
ジスタｍ３とゲートに制御信号ＳＷが与えられたスイッ
チ用トランジスタｍ２との縦続接続からなる電流出力制
御用スイッチ、２は出力電流生成用トランジスタｍ１、
３はゲートとドレインが接続されたトランジスタｍ４か
らなる電流電圧変換手段、４はゲートに一定バイアス電
圧が与えられた電流源トランジスタｍ７による第１の電
流源、５はゲートに一定バイアス電圧が与えられた電流
源トランジスタｍ８による第２の電流源、６は第１のト
ランジスタｍ６及び第２のトランジスタｍ５のソースが
互いに結合されてなる電流パスセレクタである。
【００３８】ゲートに一定バイアス電圧が与えられた第
１の電流源トランジスタｍ７のソースは高電位側電源Ｖ
ＤＤに接続され、ドレインはダイオード接続されたＮＭ
ＯＳトランジスタｍ４のドレイン及びゲートに接続され
ている。また、ゲートに一定バイアス電圧が与えられた
第２の電流源トランジスタｍ８のソースは高電位側電源
ＶＤＤに接続され、ドレインは電流パスセレクタ６の入
力端子であるＰＭＯＳトランジスタｍ５，ｍ６のソース
に接続されている。電流パスセレクタ６の第１の出力端
子であるＰＭＯＳトランジスタｍ６のドレインは低電位
側電源ＶＳＳに接続され、電流パスセレクタ６の第２の
出力端子であるＰＭＯＳトランジスタｍ５のドレイン
は、電流電圧変換手段３を構成するダイオード接続され
たＮＭＯＳトランジスタｍ４のドレイン及びゲートに接
続されている。また、ＮＭＯＳトランジスタｍ４のソー
スは、低電位側電源ＶＳＳに接続されている。出力電流
生成用トランジスタ２であるＮＭＯＳトランジスタｍ１
のソースは低電位側電源ＶＳＳに接続され、ゲートはＮ
ＭＯＳトランジスタｍ４のゲート及びドレインに接続さ
れ、ドレインは、電流出力制御用スイッチ１を構成する
スイッチ用ＮＭＯＳトランジスタｍ２のソースに接続さ
れる。ＮＭＯＳトランジスタｍ２のドレインは、ＮＭＯ
Ｓトランジスタｍ３のソースに接続される。ＮＭＯＳト
ランジスタｍ３のゲートには、一定バイアス電圧Ｖｂ１
が与えられる。ＮＭＯＳトランジスタｍ３のドレインか
らレーザー駆動用出力電流が出力される。
１の電流源トランジスタｍ７のソースは高電位側電源Ｖ
ＤＤに接続され、ドレインはダイオード接続されたＮＭ
ＯＳトランジスタｍ４のドレイン及びゲートに接続され
ている。また、ゲートに一定バイアス電圧が与えられた
第２の電流源トランジスタｍ８のソースは高電位側電源
ＶＤＤに接続され、ドレインは電流パスセレクタ６の入
力端子であるＰＭＯＳトランジスタｍ５，ｍ６のソース
に接続されている。電流パスセレクタ６の第１の出力端
子であるＰＭＯＳトランジスタｍ６のドレインは低電位
側電源ＶＳＳに接続され、電流パスセレクタ６の第２の
出力端子であるＰＭＯＳトランジスタｍ５のドレイン
は、電流電圧変換手段３を構成するダイオード接続され
たＮＭＯＳトランジスタｍ４のドレイン及びゲートに接
続されている。また、ＮＭＯＳトランジスタｍ４のソー
スは、低電位側電源ＶＳＳに接続されている。出力電流
生成用トランジスタ２であるＮＭＯＳトランジスタｍ１
のソースは低電位側電源ＶＳＳに接続され、ゲートはＮ
ＭＯＳトランジスタｍ４のゲート及びドレインに接続さ
れ、ドレインは、電流出力制御用スイッチ１を構成する
スイッチ用ＮＭＯＳトランジスタｍ２のソースに接続さ
れる。ＮＭＯＳトランジスタｍ２のドレインは、ＮＭＯ
Ｓトランジスタｍ３のソースに接続される。ＮＭＯＳト
ランジスタｍ３のゲートには、一定バイアス電圧Ｖｂ１
が与えられる。ＮＭＯＳトランジスタｍ３のドレインか
らレーザー駆動用出力電流が出力される。
【００３９】ここで、ＰＭＯＳトランジスタｍ７による
第１の電流源４の電流値をｋＩｏ、ＰＭＯＳトランジス
タｍ８による第２の電流源５の電流値を（１−ｋ）Ｉｏ
（ただし、０≦ｋ≦１）、ＮＭＯＳトランジスタｍ４と
ＮＭＯＳトランジスタｍ１によるカレントミラー回路の
ミラー比を１：Ａとする。電流パスセレクタ６を構成す
るＰＭＯＳトランジスタｍ６のゲートには制御信号ＳＷ
が与えられる。ＰＭＯＳトランジスタｍ５のゲートに
は、制御信号ＳＷがＬｏｗレベルの時にトランジスタｍ
５がカットオフし、制御信号ＳＷがＨｉｇｈレベルの時
にトランジスタｍ６がカットオフするような所定のバイ
アス電圧Ｖｂ２が与えられている。
第１の電流源４の電流値をｋＩｏ、ＰＭＯＳトランジス
タｍ８による第２の電流源５の電流値を（１−ｋ）Ｉｏ
（ただし、０≦ｋ≦１）、ＮＭＯＳトランジスタｍ４と
ＮＭＯＳトランジスタｍ１によるカレントミラー回路の
ミラー比を１：Ａとする。電流パスセレクタ６を構成す
るＰＭＯＳトランジスタｍ６のゲートには制御信号ＳＷ
が与えられる。ＰＭＯＳトランジスタｍ５のゲートに
は、制御信号ＳＷがＬｏｗレベルの時にトランジスタｍ
５がカットオフし、制御信号ＳＷがＨｉｇｈレベルの時
にトランジスタｍ６がカットオフするような所定のバイ
アス電圧Ｖｂ２が与えられている。
【００４０】以下、このレーザ駆動回路の動作について
説明する。
説明する。
【００４１】制御信号ＳＷがＬｏｗの時はスイッチ用Ｎ
ＭＯＳトランジスタｍ２がオフとなり非出力状態とな
る。この時、第２の電流源５の出力電流（１−ｋ）Ｉｏ
はトランジスタｍ６に流れるため、第１の電流源４の出
力電流ｋＩｏのみが、電流電圧変換手段３であるＮＭＯ
Ｓトランジスタｍ４に流し込まれる。そして、ＮＭＯＳ
トランジスタｍ４により電圧に変換され、出力電流生成
用のＮＭＯＳトランジスタｍ１のゲートがバイアスされ
る。
ＭＯＳトランジスタｍ２がオフとなり非出力状態とな
る。この時、第２の電流源５の出力電流（１−ｋ）Ｉｏ
はトランジスタｍ６に流れるため、第１の電流源４の出
力電流ｋＩｏのみが、電流電圧変換手段３であるＮＭＯ
Ｓトランジスタｍ４に流し込まれる。そして、ＮＭＯＳ
トランジスタｍ４により電圧に変換され、出力電流生成
用のＮＭＯＳトランジスタｍ１のゲートがバイアスされ
る。
【００４２】次に制御信号ＳＷがＨｉｇｈに変わると、
スイッチ用ＮＭＯＳトランジスタｍ２がオンとなり出力
状態となるため、レーザー駆動用の出力電流は急速に立
ち上がる。これは、出力電流生成用のＮＭＯＳトランジ
スタｍ１のゲートは非出力状態時でも常にバイアスされ
ているためである。このとき、ＰＭＯＳトランジスタｍ
６がカットオフし、第２の電流源５の出力電流（１−
ｋ）Ｉｏも電流電圧変換手段３であるＮＭＯＳトランジ
スタｍ４のドレインに流し込まれるため、ＮＭＯＳトラ
ンジスタｍ４のドレインに流し込まれる電流値はトータ
ルでＩｏとなる。これに伴って出力電流生成用のＮＭＯ
Ｓトランジスタｍ１のゲート電圧が上昇し、トランジス
タｍ１がリニア領域から急速に飽和領域に回復すること
になる。
スイッチ用ＮＭＯＳトランジスタｍ２がオンとなり出力
状態となるため、レーザー駆動用の出力電流は急速に立
ち上がる。これは、出力電流生成用のＮＭＯＳトランジ
スタｍ１のゲートは非出力状態時でも常にバイアスされ
ているためである。このとき、ＰＭＯＳトランジスタｍ
６がカットオフし、第２の電流源５の出力電流（１−
ｋ）Ｉｏも電流電圧変換手段３であるＮＭＯＳトランジ
スタｍ４のドレインに流し込まれるため、ＮＭＯＳトラ
ンジスタｍ４のドレインに流し込まれる電流値はトータ
ルでＩｏとなる。これに伴って出力電流生成用のＮＭＯ
Ｓトランジスタｍ１のゲート電圧が上昇し、トランジス
タｍ１がリニア領域から急速に飽和領域に回復すること
になる。
【００４３】これにより、レーザー駆動用の出力電流Ａ
Ｉｏは、急峻に立ち上がりながらもオーバーシュートの
ない理想的な出力波形となる。
Ｉｏは、急峻に立ち上がりながらもオーバーシュートの
ない理想的な出力波形となる。
【００４４】なお、ここでは、トランジスタｍ５のゲー
トに一定電圧Ｖｂ２を与え、トランジスタｍ６のゲート
に制御信号ＳＷを与えるように構成しているが、トラン
ジスタｍ５のゲートに制御信号ＳＷの相補電圧を与える
ようにしてもよい。
トに一定電圧Ｖｂ２を与え、トランジスタｍ６のゲート
に制御信号ＳＷを与えるように構成しているが、トラン
ジスタｍ５のゲートに制御信号ＳＷの相補電圧を与える
ようにしてもよい。
【００４５】図２（ａ）にｋ＝１．０の時のシミュレー
ション結果を示す。この場合、図２（ｂ）の等価回路に
示すように、ダイオード接続されたトランジスタｍ４に
は、電流出力制御用スイッチのオン／オフに関わらず常
に一定電流Ｉｏが流し込まれている。同図より、立ち上
がりの時に大きなオーバーシュートが生じているのがわ
かる。
ション結果を示す。この場合、図２（ｂ）の等価回路に
示すように、ダイオード接続されたトランジスタｍ４に
は、電流出力制御用スイッチのオン／オフに関わらず常
に一定電流Ｉｏが流し込まれている。同図より、立ち上
がりの時に大きなオーバーシュートが生じているのがわ
かる。
【００４６】次に図３（ａ）−（ｃ）に、ｋ＝０．７，
０．５，０．３の時のシミュレーション結果を示す。ｋ
の値の設定により、出力電流値は一定のままで立ち上が
りの出力波形を制御することができることがわかる。こ
のｋの値は、第１の電流源トランジスタｍ７と第２の電
流源トランジスタｍ８のトランジスタサイズを変更する
ことにより、容易に設定できる。また、ｋ＝０．５の時
に、オーバーシュート及び波形なまりのない理想的な波
形が得られているのがわかる。
０．５，０．３の時のシミュレーション結果を示す。ｋ
の値の設定により、出力電流値は一定のままで立ち上が
りの出力波形を制御することができることがわかる。こ
のｋの値は、第１の電流源トランジスタｍ７と第２の電
流源トランジスタｍ８のトランジスタサイズを変更する
ことにより、容易に設定できる。また、ｋ＝０．５の時
に、オーバーシュート及び波形なまりのない理想的な波
形が得られているのがわかる。
【００４７】以上より、第１の実施形態によれば、出力
電流の立ち上がりが急峻で、かつオーバーシュートのな
いレーザー駆動電流波形が得られる。
電流の立ち上がりが急峻で、かつオーバーシュートのな
いレーザー駆動電流波形が得られる。
【００４８】なお、急峻に立ち上がる出力電流を得るた
めには、図４（ｂ）に示すように、非出力状態の時でも
駆動電流生成用電流源トランジスタｍ１のゲートにバイ
アス電圧Ｖｂを与え、ドレイン側に設けたスイッチによ
り出力をオンオフさせる構成とすればよい。しかしなが
らこの場合、非出力状態の時に電流源トランジスタｍ１
が深いリニア領域に入ってしまうため、スイッチがオン
になって出力状態となった時、出力電流の立ち上がりに
大きなオーバーシュートが生じてしまうという欠点があ
る。このため、第１の実施の形態では、図１に示すよう
な構成としたのである。
めには、図４（ｂ）に示すように、非出力状態の時でも
駆動電流生成用電流源トランジスタｍ１のゲートにバイ
アス電圧Ｖｂを与え、ドレイン側に設けたスイッチによ
り出力をオンオフさせる構成とすればよい。しかしなが
らこの場合、非出力状態の時に電流源トランジスタｍ１
が深いリニア領域に入ってしまうため、スイッチがオン
になって出力状態となった時、出力電流の立ち上がりに
大きなオーバーシュートが生じてしまうという欠点があ
る。このため、第１の実施の形態では、図１に示すよう
な構成としたのである。
【００４９】（第２の実施形態）図５は、この発明の第
２の実施形態によるレーザー駆動回路の構成を示す図で
ある。１はゲートに一定電圧Ｖｂ１が与えられたトラン
ジスタｍ３とゲートに制御信号ＳＷが与えられたスイッ
チ用トランジスタｍ２の縦続接続からなる電流出力制御
用スイッチ、２は出力電流生成用トランジスタｍ１、３
はゲートとドレインが接続されたトランジスタｍ４から
なる電流電圧変換手段、４はゲートに一定バイアス電圧
が与えられた電流源トランジスタｍ６による第１の電流
源、５はゲートに一定バイアス電圧が与えられた電流源
トランジスタｍ７による第２の電流源、７はゲートに制
御信号ＳＷが与えられたトランジスタｍ５による第２の
スイッチである。
２の実施形態によるレーザー駆動回路の構成を示す図で
ある。１はゲートに一定電圧Ｖｂ１が与えられたトラン
ジスタｍ３とゲートに制御信号ＳＷが与えられたスイッ
チ用トランジスタｍ２の縦続接続からなる電流出力制御
用スイッチ、２は出力電流生成用トランジスタｍ１、３
はゲートとドレインが接続されたトランジスタｍ４から
なる電流電圧変換手段、４はゲートに一定バイアス電圧
が与えられた電流源トランジスタｍ６による第１の電流
源、５はゲートに一定バイアス電圧が与えられた電流源
トランジスタｍ７による第２の電流源、７はゲートに制
御信号ＳＷが与えられたトランジスタｍ５による第２の
スイッチである。
【００５０】第１の電流源４を構成するＰＭＯＳトラン
ジスタｍ６のソースは高電位側電源ＶＤＤに接続され、
ドレインは電流電圧変換手段３を構成するダイオード接
続されたＮＭＯＳトランジスタｍ４のドレイン及びゲー
トに接続されている。一方、第２の電流源５を構成する
ＰＭＯＳトランジスタｍ７のソースは高電位側電源ＶＤ
Ｄに接続され、ドレインは第２のスイッチであるＮＭＯ
Ｓトランジスタｍ５を通してＮＭＯＳトランジスタｍ４
のドレイン及びゲートに接続されている。出力電流生成
用トランジスタ２であるＮＭＯＳトランジスタｍ１のソ
ースは低電位側電源ＶＳＳに接続され、ゲートはＮＭＯ
Ｓトランジスタｍ４のゲート及びドレインに接続され、
ドレインは電流出力制御用スイッチ１を構成するスイッ
チ用ＮＭＯＳトランジスタｍ２のソースに接続される。
ＮＭＯＳトランジスタｍ２のドレインは、ＮＭＯＳトラ
ンジスタｍ３のソースに接続される。ＮＭＯＳトランジ
スタｍ３のゲートには、一定バイアス電圧Ｖｂ１が与え
られる。ＮＭＯＳトランジスタｍ３のドレインからレー
ザー駆動用出力電流が出力される。
ジスタｍ６のソースは高電位側電源ＶＤＤに接続され、
ドレインは電流電圧変換手段３を構成するダイオード接
続されたＮＭＯＳトランジスタｍ４のドレイン及びゲー
トに接続されている。一方、第２の電流源５を構成する
ＰＭＯＳトランジスタｍ７のソースは高電位側電源ＶＤ
Ｄに接続され、ドレインは第２のスイッチであるＮＭＯ
Ｓトランジスタｍ５を通してＮＭＯＳトランジスタｍ４
のドレイン及びゲートに接続されている。出力電流生成
用トランジスタ２であるＮＭＯＳトランジスタｍ１のソ
ースは低電位側電源ＶＳＳに接続され、ゲートはＮＭＯ
Ｓトランジスタｍ４のゲート及びドレインに接続され、
ドレインは電流出力制御用スイッチ１を構成するスイッ
チ用ＮＭＯＳトランジスタｍ２のソースに接続される。
ＮＭＯＳトランジスタｍ２のドレインは、ＮＭＯＳトラ
ンジスタｍ３のソースに接続される。ＮＭＯＳトランジ
スタｍ３のゲートには、一定バイアス電圧Ｖｂ１が与え
られる。ＮＭＯＳトランジスタｍ３のドレインからレー
ザー駆動用出力電流が出力される。
【００５１】ここで、ＰＭＯＳトランジスタｍ６による
第１の電流源４の電流値をｋＩｏ、ＰＭＯＳトランジス
タｍ７による第２の電流源５の電流値を（１−ｋ）Ｉｏ
（ただし、０≦ｋ≦１）、ＮＭＯＳトランジスタｍ４と
ＮＭＯＳトランジスタｍ１によるカレントミラー回路の
ミラー比を１：Ａとする。
第１の電流源４の電流値をｋＩｏ、ＰＭＯＳトランジス
タｍ７による第２の電流源５の電流値を（１−ｋ）Ｉｏ
（ただし、０≦ｋ≦１）、ＮＭＯＳトランジスタｍ４と
ＮＭＯＳトランジスタｍ１によるカレントミラー回路の
ミラー比を１：Ａとする。
【００５２】以下、このレーザ駆動回路の動作について
説明する。
説明する。
【００５３】制御信号ＳＷがＬｏｗの時は、スイッチ用
ＮＭＯＳトランジスタｍ２がオフとなり非出力状態とな
る。この時、第２のスイッチであるトランジスタｍ５も
オフとなるので、第１の電流源４であるＰＭＯＳトラン
ジスタｍ６によるｋＩｏの電流のみが、電流電圧変換手
段３であるＮＭＯＳトランジスタｍ４に流し込まれる。
そして、ＮＭＯＳトランジスタｍ４により電圧に変換さ
れ、出力電流生成用のＮＭＯＳトランジスタｍ１のゲー
トがバイアスされる。
ＮＭＯＳトランジスタｍ２がオフとなり非出力状態とな
る。この時、第２のスイッチであるトランジスタｍ５も
オフとなるので、第１の電流源４であるＰＭＯＳトラン
ジスタｍ６によるｋＩｏの電流のみが、電流電圧変換手
段３であるＮＭＯＳトランジスタｍ４に流し込まれる。
そして、ＮＭＯＳトランジスタｍ４により電圧に変換さ
れ、出力電流生成用のＮＭＯＳトランジスタｍ１のゲー
トがバイアスされる。
【００５４】次に制御信号ＳＷがＨｉｇｈに変わると、
スイッチ用ＮＭＯＳトランジスタｍ２がオンとなり出力
状態となるため、レーザー駆動用の出力電流は急速に立
ち上がる。これは、出力電流生成用のＮＭＯＳトランジ
スタｍ１のゲートは非出力状態時でも常にバイアスされ
ているためである。この時、第２のスイッチであるＮＭ
ＯＳトランジスタｍ５もオンとなり、第２の電流源によ
る（１−ｋ）Ｉｏの電流もトランジスタｍ４に流し込ま
れるため、ＮＭＯＳトランジスタｍ４のドレインに流し
込まれる電流値はトータルでＩｏとなる。これに伴って
出力電流生成用のＮＭＯＳトランジスタｍ１のゲート電
圧が上昇し、トランジスタｍ１がリニア領域から急速に
飽和領域に回復することになる。
スイッチ用ＮＭＯＳトランジスタｍ２がオンとなり出力
状態となるため、レーザー駆動用の出力電流は急速に立
ち上がる。これは、出力電流生成用のＮＭＯＳトランジ
スタｍ１のゲートは非出力状態時でも常にバイアスされ
ているためである。この時、第２のスイッチであるＮＭ
ＯＳトランジスタｍ５もオンとなり、第２の電流源によ
る（１−ｋ）Ｉｏの電流もトランジスタｍ４に流し込ま
れるため、ＮＭＯＳトランジスタｍ４のドレインに流し
込まれる電流値はトータルでＩｏとなる。これに伴って
出力電流生成用のＮＭＯＳトランジスタｍ１のゲート電
圧が上昇し、トランジスタｍ１がリニア領域から急速に
飽和領域に回復することになる。
【００５５】これにより、レーザー駆動用の出力電流Ａ
Ｉｏは急速に立ち上がりながらも、オーバーシュートの
ない理想的な出力波形となる。
Ｉｏは急速に立ち上がりながらも、オーバーシュートの
ない理想的な出力波形となる。
【００５６】また、非出力状態時には、第２の電流源５
の電流（１−ｋ）Ｉｏはオフとなるので、低消費電力化
が図られる。
の電流（１−ｋ）Ｉｏはオフとなるので、低消費電力化
が図られる。
【００５７】（第３の実施形態）図６は、この発明の第
３の実施形態によるレーザー駆動回路の構成を示す図で
ある。１はゲートに一定電圧Ｖｂ１が与えられたトラン
ジスタｍ３とゲートに制御信号ＳＷが与えられたスイッ
チ用トランジスタｍ２との縦続接続からなる電流出力制
御用スイッチ、２は出力電流生成用トランジスタｍ１、
３はゲートとドレインが接続されたトランジスタｍ４か
らなる電流電圧変換手段、８はゲートに一定バイアス電
圧が与えられたトランジスタｍ７による電流源、９は第
１のトランジスタｍ６及び第２のトランジスタｍ５のソ
ースが互いに結合されてなる電流分流回路である。
３の実施形態によるレーザー駆動回路の構成を示す図で
ある。１はゲートに一定電圧Ｖｂ１が与えられたトラン
ジスタｍ３とゲートに制御信号ＳＷが与えられたスイッ
チ用トランジスタｍ２との縦続接続からなる電流出力制
御用スイッチ、２は出力電流生成用トランジスタｍ１、
３はゲートとドレインが接続されたトランジスタｍ４か
らなる電流電圧変換手段、８はゲートに一定バイアス電
圧が与えられたトランジスタｍ７による電流源、９は第
１のトランジスタｍ６及び第２のトランジスタｍ５のソ
ースが互いに結合されてなる電流分流回路である。
【００５８】ゲートに一定バイアス電圧が与えられた電
流源トランジスタｍ７のソースは高電位側電源ＶＤＤに
接続され、ドレインは電流分流回路９の入力端子である
ＰＭＯＳトランジスタｍ５，ｍ６のソースに接続されて
いる。電流分流回路９の第１の出力端子であるＰＭＯＳ
トランジスタｍ６のドレインは低電位側電源ＶＳＳに接
続される。電流分流回路９の第２の出力端子であるＰＭ
ＯＳトランジスタｍ５のドレインは、電流電圧変換手段
３を構成するダイオード接続されたＮＭＯＳトランジス
タｍ４のドレイン及びゲートに接続されている。ＮＭＯ
Ｓトランジスタｍ４のソースは、低電位側電源ＶＳＳに
接続される。出力電流生成用トランジスタ２であるＮＭ
ＯＳトランジスタｍ１のソースは低電位側電源ＶＳＳに
接続され、ゲートはＮＭＯＳトランジスタｍ４のゲート
及びドレインに接続され、ドレインは電流出力制御用ス
イッチ１を構成するスイッチ用ＮＭＯＳトランジスタｍ
２のソースに接続される。ＮＭＯＳトランジスタｍ２の
ドレインはゲートに一定バイアス電圧Ｖｂ１が与えられ
たＮＭＯＳトランジスタｍ３のソースに接続される。Ｎ
ＭＯＳトランジスタｍ３のドレインからレーザー駆動用
出力電流が出力される。
流源トランジスタｍ７のソースは高電位側電源ＶＤＤに
接続され、ドレインは電流分流回路９の入力端子である
ＰＭＯＳトランジスタｍ５，ｍ６のソースに接続されて
いる。電流分流回路９の第１の出力端子であるＰＭＯＳ
トランジスタｍ６のドレインは低電位側電源ＶＳＳに接
続される。電流分流回路９の第２の出力端子であるＰＭ
ＯＳトランジスタｍ５のドレインは、電流電圧変換手段
３を構成するダイオード接続されたＮＭＯＳトランジス
タｍ４のドレイン及びゲートに接続されている。ＮＭＯ
Ｓトランジスタｍ４のソースは、低電位側電源ＶＳＳに
接続される。出力電流生成用トランジスタ２であるＮＭ
ＯＳトランジスタｍ１のソースは低電位側電源ＶＳＳに
接続され、ゲートはＮＭＯＳトランジスタｍ４のゲート
及びドレインに接続され、ドレインは電流出力制御用ス
イッチ１を構成するスイッチ用ＮＭＯＳトランジスタｍ
２のソースに接続される。ＮＭＯＳトランジスタｍ２の
ドレインはゲートに一定バイアス電圧Ｖｂ１が与えられ
たＮＭＯＳトランジスタｍ３のソースに接続される。Ｎ
ＭＯＳトランジスタｍ３のドレインからレーザー駆動用
出力電流が出力される。
【００５９】ここで、ＰＭＯＳトランジスタｍ７による
電流源８の電流値をＩｏ、ＮＭＯＳトランジスタｍ４と
ＮＭＯＳトランジスタｍ１によるカレントミラー回路の
ミラー比を１：Ａとする。電流分流回路９を構成するＰ
ＭＯＳトランジスタｍ６のゲートには制御信号ＳＷが与
えられる。ＰＭＯＳトランジスタｍ５のゲートには、制
御信号ＳＷがＬｏｗレベルの時に、トランジスタｍ５の
ドレイン電流がｋＩｏ、トランジスタｍ６のドレイン電
流が（１−ｋ）Ｉｏとなり（ただし、０≦ｋ≦１）、制
御信号ＳＷがＨｉｇｈレベルの時に、トランジスタｍ６
がカットオフし、トランジスタｍ５のドレイン電流がＩ
ｏとなるような所定のバイアス電圧Ｖｂ２が与えられ
る。
電流源８の電流値をＩｏ、ＮＭＯＳトランジスタｍ４と
ＮＭＯＳトランジスタｍ１によるカレントミラー回路の
ミラー比を１：Ａとする。電流分流回路９を構成するＰ
ＭＯＳトランジスタｍ６のゲートには制御信号ＳＷが与
えられる。ＰＭＯＳトランジスタｍ５のゲートには、制
御信号ＳＷがＬｏｗレベルの時に、トランジスタｍ５の
ドレイン電流がｋＩｏ、トランジスタｍ６のドレイン電
流が（１−ｋ）Ｉｏとなり（ただし、０≦ｋ≦１）、制
御信号ＳＷがＨｉｇｈレベルの時に、トランジスタｍ６
がカットオフし、トランジスタｍ５のドレイン電流がＩ
ｏとなるような所定のバイアス電圧Ｖｂ２が与えられ
る。
【００６０】以下、このレーザ駆動回路の動作について
説明する。
説明する。
【００６１】制御信号ＳＷがＬｏｗの時はスイッチ用Ｎ
ＭＯＳトランジスタｍ２がオフとなり非出力状態とな
る。この時、トランジスタｍ５にはｋＩｏの電流が流
れ、この電流が電流電圧変換手段３であるダイオード接
続されたＮＭＯＳトランジスタｍ４に流し込まれる。そ
して、ＮＭＯＳトランジスタｍ４により電圧に変換さ
れ、出力電流生成用のＮＭＯＳトランジスタｍ１のゲー
トがバイアスされる。
ＭＯＳトランジスタｍ２がオフとなり非出力状態とな
る。この時、トランジスタｍ５にはｋＩｏの電流が流
れ、この電流が電流電圧変換手段３であるダイオード接
続されたＮＭＯＳトランジスタｍ４に流し込まれる。そ
して、ＮＭＯＳトランジスタｍ４により電圧に変換さ
れ、出力電流生成用のＮＭＯＳトランジスタｍ１のゲー
トがバイアスされる。
【００６２】次に制御信号ＳＷがＨｉｇｈに変わると、
スイッチ用ＮＭＯＳトランジスタｍ２がオンとなり出力
状態となるため、レーザー駆動用の出力電流は急速に立
ち上がる。これは、出力電流生成用のＮＭＯＳトランジ
スタｍ１のゲートは非出力状態時でも常にバイアスされ
ているためである。この時、ＰＭＯＳトランジスタｍ６
がカットオフしＰＭＯＳトランジスタｍ７による電流源
８の電流Ｉｏのすべてが電流電圧変換手段３であるＮＭ
ＯＳトランジスタｍ４のドレインに流し込まれるため、
ＮＭＯＳトランジスタｍ４のドレインに流し込まれる電
流値はトータルでＩｏとなる。これに伴って出力電流生
成用のＮＭＯＳトランジスタｍ１のゲート電圧が上昇
し、トランジスタｍ１がリニア領域から急速に飽和領域
に回復することになる。
スイッチ用ＮＭＯＳトランジスタｍ２がオンとなり出力
状態となるため、レーザー駆動用の出力電流は急速に立
ち上がる。これは、出力電流生成用のＮＭＯＳトランジ
スタｍ１のゲートは非出力状態時でも常にバイアスされ
ているためである。この時、ＰＭＯＳトランジスタｍ６
がカットオフしＰＭＯＳトランジスタｍ７による電流源
８の電流Ｉｏのすべてが電流電圧変換手段３であるＮＭ
ＯＳトランジスタｍ４のドレインに流し込まれるため、
ＮＭＯＳトランジスタｍ４のドレインに流し込まれる電
流値はトータルでＩｏとなる。これに伴って出力電流生
成用のＮＭＯＳトランジスタｍ１のゲート電圧が上昇
し、トランジスタｍ１がリニア領域から急速に飽和領域
に回復することになる。
【００６３】これにより、レーザー駆動用の出力電流Ａ
Ｉｏは、急速に立ち上がりながらも、オーバーシュート
のない理想的な出力波形となる。
Ｉｏは、急速に立ち上がりながらも、オーバーシュート
のない理想的な出力波形となる。
【００６４】（第４の実施形態）図７は、この発明の第
４の実施形態によるレーザー駆動回路の構成を示す図で
ある。１はゲートに一定電圧Ｖｂ１が与えられたトラン
ジスタｍ３とゲートに制御信号ＳＷが与えられたスイッ
チ用トランジスタｍ２との縦続接続からなる電流出力制
御用スイッチ、２は出力電流生成用トランジスタｍ１、
３はゲートとドレインが接続されたトランジスタｍ４か
らなる電流電圧変換手段、１０はゲートに一定バイアス
電圧が与えられたトランジスタｍ６による第１の電流
源、１１は電流源トランジスタｍ８と当該電流源をオン
／オフさせるための制御トランジスタｍ９からなる第２
の電流源である。
４の実施形態によるレーザー駆動回路の構成を示す図で
ある。１はゲートに一定電圧Ｖｂ１が与えられたトラン
ジスタｍ３とゲートに制御信号ＳＷが与えられたスイッ
チ用トランジスタｍ２との縦続接続からなる電流出力制
御用スイッチ、２は出力電流生成用トランジスタｍ１、
３はゲートとドレインが接続されたトランジスタｍ４か
らなる電流電圧変換手段、１０はゲートに一定バイアス
電圧が与えられたトランジスタｍ６による第１の電流
源、１１は電流源トランジスタｍ８と当該電流源をオン
／オフさせるための制御トランジスタｍ９からなる第２
の電流源である。
【００６５】第１の電流源１０を構成するＰＭＯＳトラ
ンジスタｍ６のソースは高電位側電源ＶＤＤに接続さ
れ、ドレインは、電流電圧変換手段３を構成するダイオ
ード接続されたＮＭＯＳトランジスタｍ４のドレイン及
びゲートに接続される。第２の電流源１１を構成するＰ
ＭＯＳトランジスタｍ８のソースは高電位側電源ＶＤＤ
に接続され、ドレインは、ＮＭＯＳトランジスタｍ４の
ドレイン及びゲートに接続される。ＮＭＯＳトランジス
タｍ４のソースは、低電位側電源ＶＳＳに接続される。
電流源トランジスタｍ８をオン／オフさせる制御トラン
ジスタｍ９のゲートには制御信号ＳＷが与えられる。ト
ランジスタｍ９のソースは高電位側電源ＶＤＤに接続さ
れ、ドレインは電流源トランジスタｍ８のゲートに接続
される。出力電流生成用トランジスタ２であるＮＭＯＳ
トランジスタｍ１のソースは低電位側電源ＶＳＳに接続
され、ゲートはＮＭＯＳトランジスタｍ４のゲート及び
ドレインに接続され、ドレインは、電流出力制御用スイ
ッチ１を構成するスイッチ用ＮＭＯＳトランジスタｍ２
のソースに接続される。ＮＭＯＳトランジスタｍ２のド
レインは、ゲートに一定バイアス電圧Ｖｂ１が与えられ
たＮＭＯＳトランジスタｍ３のソースに接続される。Ｎ
ＭＯＳトランジスタｍ３のドレインからレーザー駆動用
出力電流が出力される。
ンジスタｍ６のソースは高電位側電源ＶＤＤに接続さ
れ、ドレインは、電流電圧変換手段３を構成するダイオ
ード接続されたＮＭＯＳトランジスタｍ４のドレイン及
びゲートに接続される。第２の電流源１１を構成するＰ
ＭＯＳトランジスタｍ８のソースは高電位側電源ＶＤＤ
に接続され、ドレインは、ＮＭＯＳトランジスタｍ４の
ドレイン及びゲートに接続される。ＮＭＯＳトランジス
タｍ４のソースは、低電位側電源ＶＳＳに接続される。
電流源トランジスタｍ８をオン／オフさせる制御トラン
ジスタｍ９のゲートには制御信号ＳＷが与えられる。ト
ランジスタｍ９のソースは高電位側電源ＶＤＤに接続さ
れ、ドレインは電流源トランジスタｍ８のゲートに接続
される。出力電流生成用トランジスタ２であるＮＭＯＳ
トランジスタｍ１のソースは低電位側電源ＶＳＳに接続
され、ゲートはＮＭＯＳトランジスタｍ４のゲート及び
ドレインに接続され、ドレインは、電流出力制御用スイ
ッチ１を構成するスイッチ用ＮＭＯＳトランジスタｍ２
のソースに接続される。ＮＭＯＳトランジスタｍ２のド
レインは、ゲートに一定バイアス電圧Ｖｂ１が与えられ
たＮＭＯＳトランジスタｍ３のソースに接続される。Ｎ
ＭＯＳトランジスタｍ３のドレインからレーザー駆動用
出力電流が出力される。
【００６６】ここで、ＰＭＯＳトランジスタｍ６による
第１の電流源１０の電流値をｋＩｏ、ＰＭＯＳトランジ
スタｍ８による第２の電流源１１の電流値を（１−ｋ）
Ｉｏ（ただし、０≦ｋ≦１）、トランジスタｍ４とトラ
ンジスタｍ１によるカレントミラー回路のミラー比を
１：Ａとする。
第１の電流源１０の電流値をｋＩｏ、ＰＭＯＳトランジ
スタｍ８による第２の電流源１１の電流値を（１−ｋ）
Ｉｏ（ただし、０≦ｋ≦１）、トランジスタｍ４とトラ
ンジスタｍ１によるカレントミラー回路のミラー比を
１：Ａとする。
【００６７】以下、このレーザ駆動回路の動作について
説明する。
説明する。
【００６８】制御信号ＳＷがＬｏｗの時は、スイッチ用
ＮＭＯＳトランジスタｍ２がオフとなり非出力状態とな
る。この時、制御トランジスタｍ９により電流源トラン
ジスタｍ８はカットオフとなるので、第１の電流源１０
であるＰＭＯＳトランジスタｍ６によるｋＩｏの電流の
みが、電流電圧変換手段３であるダイオード接続された
ＮＭＯＳトランジスタｍ４に流し込まれる。そして、Ｎ
ＭＯＳトランジスタｍ４により電圧に変換され、出力電
流生成用のＮＭＯＳトランジスタｍ１のゲートがバイア
スされる。
ＮＭＯＳトランジスタｍ２がオフとなり非出力状態とな
る。この時、制御トランジスタｍ９により電流源トラン
ジスタｍ８はカットオフとなるので、第１の電流源１０
であるＰＭＯＳトランジスタｍ６によるｋＩｏの電流の
みが、電流電圧変換手段３であるダイオード接続された
ＮＭＯＳトランジスタｍ４に流し込まれる。そして、Ｎ
ＭＯＳトランジスタｍ４により電圧に変換され、出力電
流生成用のＮＭＯＳトランジスタｍ１のゲートがバイア
スされる。
【００６９】次に制御信号ＳＷがＨｉｇｈに変わると、
スイッチ用ＮＭＯＳトランジスタｍ２がオンとなり出力
状態となるため、レーザー駆動用の出力電流は急速に立
ち上がる。これは、出力電流生成用のＮＭＯＳトランジ
スタｍ１のゲートは非出力状態時でも常にバイアスされ
ているためである。この時、制御トランジスタｍ９がオ
フし、電流源トランジスタｍ８がオンとなり、（１−
ｋ）Ｉｏの電流もＮＭＯＳトランジスタｍ４に流し込ま
れるので、ＮＭＯＳトランジスタｍ４のドレインに流し
込まれる電流値はトータルでＩｏとなる。これに伴って
出力電流生成用のＮＭＯＳトランジスタｍ１のゲート電
圧が上昇し、トランジスタｍ１がリニア領域から急速に
飽和領域に回復することになる。
スイッチ用ＮＭＯＳトランジスタｍ２がオンとなり出力
状態となるため、レーザー駆動用の出力電流は急速に立
ち上がる。これは、出力電流生成用のＮＭＯＳトランジ
スタｍ１のゲートは非出力状態時でも常にバイアスされ
ているためである。この時、制御トランジスタｍ９がオ
フし、電流源トランジスタｍ８がオンとなり、（１−
ｋ）Ｉｏの電流もＮＭＯＳトランジスタｍ４に流し込ま
れるので、ＮＭＯＳトランジスタｍ４のドレインに流し
込まれる電流値はトータルでＩｏとなる。これに伴って
出力電流生成用のＮＭＯＳトランジスタｍ１のゲート電
圧が上昇し、トランジスタｍ１がリニア領域から急速に
飽和領域に回復することになる。
【００７０】これにより、レーザー駆動用の出力電流Ａ
Ｉｏは、急速に立ち上がりながらもオーバーシュートの
ない理想的な出力波形となる。
Ｉｏは、急速に立ち上がりながらもオーバーシュートの
ない理想的な出力波形となる。
【００７１】また、非出力状態時には第２の電流源の電
流（１−ｋ）Ｉｏはオフとなるので、低消費電力化が図
られる。
流（１−ｋ）Ｉｏはオフとなるので、低消費電力化が図
られる。
【００７２】（第５の実施形態）第１から第４の実施形
態における第１および第２の電流源の電流比ｋは、電流
源のトランジスタサイズに依存するため、チップ設計の
段階で固定されてしまう。しかし、光出力のアイパター
ンは、実装ボードやパッケージの寄生素子に大きく依存
する。また、電流値Ｉｏにも依存する。このため、最適
な電流比ｋは一意には決まらない。第５の実施形態で
は、この問題を解決することを目的とする。
態における第１および第２の電流源の電流比ｋは、電流
源のトランジスタサイズに依存するため、チップ設計の
段階で固定されてしまう。しかし、光出力のアイパター
ンは、実装ボードやパッケージの寄生素子に大きく依存
する。また、電流値Ｉｏにも依存する。このため、最適
な電流比ｋは一意には決まらない。第５の実施形態で
は、この問題を解決することを目的とする。
【００７３】図８は、この発明の第５の実施形態による
レーザ駆動回路の構成を示す図である。１はゲートに一
定電圧Ｖｂ１が与えられたトランジスタｍ３とゲートに
制御信号ＳＷが与えられたスイッチ用トランジスタｍ２
との縦続接続からなる電流出力制御用スイッチ、２は出
力電流生成用トランジスタｍ１、３はゲートとドレイン
が接続されたトランジスタｍ４からなる電流電圧変換手
段、１０はゲートに一定バイアス電圧が与えられたトラ
ンジスタｍ７による電流源、７は第１のトランジスタｍ
１０及び第２のトランジスタｍ１１のソースが互いに結
合されてなる電流比調整回路、６はトランジスタｍ６，
ｍ５のソースが互いに結合されてなる電流パスセレクタ
である。
レーザ駆動回路の構成を示す図である。１はゲートに一
定電圧Ｖｂ１が与えられたトランジスタｍ３とゲートに
制御信号ＳＷが与えられたスイッチ用トランジスタｍ２
との縦続接続からなる電流出力制御用スイッチ、２は出
力電流生成用トランジスタｍ１、３はゲートとドレイン
が接続されたトランジスタｍ４からなる電流電圧変換手
段、１０はゲートに一定バイアス電圧が与えられたトラ
ンジスタｍ７による電流源、７は第１のトランジスタｍ
１０及び第２のトランジスタｍ１１のソースが互いに結
合されてなる電流比調整回路、６はトランジスタｍ６，
ｍ５のソースが互いに結合されてなる電流パスセレクタ
である。
【００７４】ゲートに一定バイアス電圧が与えられた電
流源トランジスタｍ７のソースは高電位側電源ＶＤＤに
接続され、ドレインは電流比調整回路７の入力端子であ
るＰＭＯＳトランジスタｍ１０，ｍ１１のソースに接続
される。電流比調整回路７の第１の出力端子であるＰＭ
ＯＳトランジスタｍ１０のドレインは、電流パスセレク
タ６の入力端子であるＰＭＯＳトランジスタｍ６，ｍ５
のソースに接続される。電流比調整回路７の第２の出力
端子であるＰＭＯＳトランジスタｍ１１のドレインは、
電流電圧変換手段３を構成するダイオード接続されたＮ
ＭＯＳトランジスタｍ４のドレイン及びゲートに接続さ
れる。電流パスセレクタ６の第１の出力端子であるＰＭ
ＯＳトランジスタｍ６のドレインは低電位側電源ＶＳＳ
に接続され、電流パスセレクタ６の第２の出力端子であ
るＰＭＯＳトランジスタｍ５のドレインは、電流電圧変
換手段３を構成するダイオード接続されたＮＭＯＳトラ
ンジスタｍ４のドレイン及びゲートに接続される。ＮＭ
ＯＳトランジスタｍ４のソースは、低電位側電源ＶＳＳ
に接続される。出力電流生成用トランジスタ２であるＮ
ＭＯＳトランジスタｍ１のソースは低電位側電源ＶＳＳ
に接続され、ゲートはＮＭＯＳトランジスタｍ４のゲー
ト及びドレインに接続され、ドレインは電流出力制御用
スイッチ１を構成するスイッチ用ＮＭＯＳトランジスタ
ｍ２のソースに接続される。ＮＭＯＳトランジスタｍ２
のドレインはゲートに一定バイアス電圧Ｖｂ１が与えら
れたＮＭＯＳトランジスタｍ３のソースに接続される。
ＮＭＯＳトランジスタｍ３のドレインからレーザー駆動
用出力電流が出力される。
流源トランジスタｍ７のソースは高電位側電源ＶＤＤに
接続され、ドレインは電流比調整回路７の入力端子であ
るＰＭＯＳトランジスタｍ１０，ｍ１１のソースに接続
される。電流比調整回路７の第１の出力端子であるＰＭ
ＯＳトランジスタｍ１０のドレインは、電流パスセレク
タ６の入力端子であるＰＭＯＳトランジスタｍ６，ｍ５
のソースに接続される。電流比調整回路７の第２の出力
端子であるＰＭＯＳトランジスタｍ１１のドレインは、
電流電圧変換手段３を構成するダイオード接続されたＮ
ＭＯＳトランジスタｍ４のドレイン及びゲートに接続さ
れる。電流パスセレクタ６の第１の出力端子であるＰＭ
ＯＳトランジスタｍ６のドレインは低電位側電源ＶＳＳ
に接続され、電流パスセレクタ６の第２の出力端子であ
るＰＭＯＳトランジスタｍ５のドレインは、電流電圧変
換手段３を構成するダイオード接続されたＮＭＯＳトラ
ンジスタｍ４のドレイン及びゲートに接続される。ＮＭ
ＯＳトランジスタｍ４のソースは、低電位側電源ＶＳＳ
に接続される。出力電流生成用トランジスタ２であるＮ
ＭＯＳトランジスタｍ１のソースは低電位側電源ＶＳＳ
に接続され、ゲートはＮＭＯＳトランジスタｍ４のゲー
ト及びドレインに接続され、ドレインは電流出力制御用
スイッチ１を構成するスイッチ用ＮＭＯＳトランジスタ
ｍ２のソースに接続される。ＮＭＯＳトランジスタｍ２
のドレインはゲートに一定バイアス電圧Ｖｂ１が与えら
れたＮＭＯＳトランジスタｍ３のソースに接続される。
ＮＭＯＳトランジスタｍ３のドレインからレーザー駆動
用出力電流が出力される。
【００７５】ここで、ＰＭＯＳトランジスタｍ７による
電流源１０の電流値をＩｏ、ＮＭＯＳトランジスタｍ４
とＮＭＯＳトランジスタｍ１によるカレントミラー回路
のミラー比を１：Ａとする。電流比調整回路７を構成す
るＰＭＯＳトランジスタｍ１０，ｍ１１のゲートには、
それぞれ電圧Ｖｂ３，Ｖｂ４が与えられる。
電流源１０の電流値をＩｏ、ＮＭＯＳトランジスタｍ４
とＮＭＯＳトランジスタｍ１によるカレントミラー回路
のミラー比を１：Ａとする。電流比調整回路７を構成す
るＰＭＯＳトランジスタｍ１０，ｍ１１のゲートには、
それぞれ電圧Ｖｂ３，Ｖｂ４が与えられる。
【００７６】以下、このレーザ駆動回路の動作について
説明する。
説明する。
【００７７】電流源１０からの電流Ｉｏは、電流比調整
回路７の入力端子に供給され、電流値ｋＩｏ、（１−
ｋ）Ｉｏの２つの電流に分流される。この分流比ｋは、
ＰＭＯＳトランジスタｍ１０，ｍ１１のゲートに印加す
る電圧Ｖｂ３，Ｖｂ４によって定まる。したがって、電
圧Ｖｂ３，Ｖｂ４を調整することによって、分流比ｋを
所望の値に設定することができる。
回路７の入力端子に供給され、電流値ｋＩｏ、（１−
ｋ）Ｉｏの２つの電流に分流される。この分流比ｋは、
ＰＭＯＳトランジスタｍ１０，ｍ１１のゲートに印加す
る電圧Ｖｂ３，Ｖｂ４によって定まる。したがって、電
圧Ｖｂ３，Ｖｂ４を調整することによって、分流比ｋを
所望の値に設定することができる。
【００７８】制御信号ＳＷがＬｏｗの時はスイッチ用Ｎ
ＭＯＳトランジスタｍ２がオフとなり非出力状態とな
る。このとき、電流パスセレクタのトランジスタｍ６が
オンになり、トランジスタｍ５がオフになるため、電流
比調整回路７のトランジスタｍ１０を流れる電流（１−
ｋ）Ｉｏは、トランジスタｍ６に流れる。電流比調整回
路７のトランジスタｍ１１を流れる電流ｋＩｏは、電流
電圧変換手段３であるダイオード接続されたＮＭＯＳト
ランジスタｍ４に流し込まれる。ＮＭＯＳトランジスタ
ｍ４に流し込まれる電流値のトータルは、ｋＩｏとな
る。そして、ＮＭＯＳトランジスタｍ４により電圧に変
換され、出力電流生成用のＮＭＯＳトランジスタｍ１の
ゲートがバイアスされる。
ＭＯＳトランジスタｍ２がオフとなり非出力状態とな
る。このとき、電流パスセレクタのトランジスタｍ６が
オンになり、トランジスタｍ５がオフになるため、電流
比調整回路７のトランジスタｍ１０を流れる電流（１−
ｋ）Ｉｏは、トランジスタｍ６に流れる。電流比調整回
路７のトランジスタｍ１１を流れる電流ｋＩｏは、電流
電圧変換手段３であるダイオード接続されたＮＭＯＳト
ランジスタｍ４に流し込まれる。ＮＭＯＳトランジスタ
ｍ４に流し込まれる電流値のトータルは、ｋＩｏとな
る。そして、ＮＭＯＳトランジスタｍ４により電圧に変
換され、出力電流生成用のＮＭＯＳトランジスタｍ１の
ゲートがバイアスされる。
【００７９】次に制御信号ＳＷがＨｉｇｈに変わると、
スイッチ用ＮＭＯＳトランジスタｍ２がオンとなり出力
状態となるため、レーザー駆動用の出力電流は急速に立
ち上がる。これは、出力電流生成用のＮＭＯＳトランジ
スタｍ１のゲートは非出力状態時でも常にバイアスされ
ているためである。このとき、ＰＭＯＳトランジスタｍ
６がカットオフするため、電流比調整回路７のトランジ
スタｍ１０を流れる電流（１−ｋ）Ｉｏは、トランジス
タｍ５に流れる。したがって、ＮＭＯＳトランジスタｍ
４のドレインに流し込まれる電流値はトータルでＩｏと
なる。これに伴って出力電流生成用のＮＭＯＳトランジ
スタｍ１のゲート電圧が上昇し、トランジスタｍ１がリ
ニア領域から急速に飽和領域に回復することになる。
スイッチ用ＮＭＯＳトランジスタｍ２がオンとなり出力
状態となるため、レーザー駆動用の出力電流は急速に立
ち上がる。これは、出力電流生成用のＮＭＯＳトランジ
スタｍ１のゲートは非出力状態時でも常にバイアスされ
ているためである。このとき、ＰＭＯＳトランジスタｍ
６がカットオフするため、電流比調整回路７のトランジ
スタｍ１０を流れる電流（１−ｋ）Ｉｏは、トランジス
タｍ５に流れる。したがって、ＮＭＯＳトランジスタｍ
４のドレインに流し込まれる電流値はトータルでＩｏと
なる。これに伴って出力電流生成用のＮＭＯＳトランジ
スタｍ１のゲート電圧が上昇し、トランジスタｍ１がリ
ニア領域から急速に飽和領域に回復することになる。
【００８０】以上のように、第５の実施形態では、電流
比調整回路７のＰＭＯＳトランジスタｍ１０，ｍ１１の
ゲートに与える電圧Ｖｂ３，Ｖｂ４を変化させることに
より、電流比ｋを容易に制御できる。すなわち、どのよ
うな使用状況においても、アイパターンが最適となるよ
うに電流比ｋを制御することができ、より汎用性の高い
レーザ駆動回路を実現できる。
比調整回路７のＰＭＯＳトランジスタｍ１０，ｍ１１の
ゲートに与える電圧Ｖｂ３，Ｖｂ４を変化させることに
より、電流比ｋを容易に制御できる。すなわち、どのよ
うな使用状況においても、アイパターンが最適となるよ
うに電流比ｋを制御することができ、より汎用性の高い
レーザ駆動回路を実現できる。
【００８１】（第６の実施形態）図９は、この発明の第
６の実施形態によるレーザ駆動回路の構成を示す図であ
る。１はゲートに一定電圧Ｖｂ１が与えられたトランジ
スタｍ３とゲートに制御信号ＳＷが与えられたスイッチ
用トランジスタｍ２との縦続接続からなる電流出力制御
用スイッチ、２は出力電流生成用トランジスタｍ１、３
はゲートとドレインが接続されたトランジスタｍ４から
なる電流電圧変換手段、１０は電流源、７は第１のトラ
ンジスタｍ１０及び第２のトランジスタｍ１１のソース
が互いに結合されてなる電流比調整回路、６はトランジ
スタｍ６，ｍ５のソースが互いに結合されてなる電流パ
スセレクタ、９はトランジスタｍ１２，ｍ８で構成され
る第１のカレントミラー回路、８はトランジスタｍ９，
ｍ７で構成される第２のカレントミラー回路である。
６の実施形態によるレーザ駆動回路の構成を示す図であ
る。１はゲートに一定電圧Ｖｂ１が与えられたトランジ
スタｍ３とゲートに制御信号ＳＷが与えられたスイッチ
用トランジスタｍ２との縦続接続からなる電流出力制御
用スイッチ、２は出力電流生成用トランジスタｍ１、３
はゲートとドレインが接続されたトランジスタｍ４から
なる電流電圧変換手段、１０は電流源、７は第１のトラ
ンジスタｍ１０及び第２のトランジスタｍ１１のソース
が互いに結合されてなる電流比調整回路、６はトランジ
スタｍ６，ｍ５のソースが互いに結合されてなる電流パ
スセレクタ、９はトランジスタｍ１２，ｍ８で構成され
る第１のカレントミラー回路、８はトランジスタｍ９，
ｍ７で構成される第２のカレントミラー回路である。
【００８２】電流源１０は、低電位側電源ＶＳＳと、電
流比調整回路７の入力端子であるＮＭＯＳトランジスタ
ｍ１０，ｍ１１のソースとの間に接続される。電流比調
整回路７の第１の出力端子であるＮＭＯＳトランジスタ
ｍ１０のドレインは、第１のカレントミラー回路９のダ
イオード接続されたＰＭＯＳトランジスタｍ１２のドレ
インおよびゲートに接続される。電流比調整回路７の第
２の出力端子であるＮＭＯＳトランジスタｍ１１のドレ
インは、第２のカレントミラー回路８のダイオード接続
されたＰＭＯＳトランジスタｍ９のドレインおよびゲー
トに接続される。第１のカレントミラー回路９のＰＭＯ
Ｓトランジスタｍ８のソースは、高電位側電源ＶＤＤに
接続され、ドレインは電流パスセレクタ６の入力端子で
あるＰＭＯＳトランジスタｍ５，ｍ６のソースに接続さ
れ、ゲートはＰＭＯＳトランジスタｍ１２のドレインお
よびゲートに接続される。第２のカレントミラー回路８
のＰＭＯＳトランジスタｍ７のソースは、高電位側電源
ＶＤＤに接続され、ドレインは電流電圧変換手段３を構
成するダイオード接続されたＮＭＯＳトランジスタｍ４
のドレインおよびゲートに接続され、ゲートはＰＭＯＳ
トランジスタｍ９のドレインおよびゲートに接続され
る。電流パスセレクタ６の第１の出力端子であるＰＭＯ
Ｓトランジスタｍ６のドレインは低電位側電源ＶＳＳに
接続され、電流パスセレクタ６の第２の出力端子である
ＰＭＯＳトランジスタｍ５のドレインは、電流電圧変換
手段３を構成するダイオード接続されたＮＭＯＳトラン
ジスタｍ４のドレインおよびゲートに接続される。ＮＭ
ＯＳトランジスタｍ４のソースは、低電位側電源ＶＳＳ
に接続される。出力電流生成用トランジスタ２であるＮ
ＭＯＳトランジスタｍ１のソースは低電位側電源ＶＳＳ
に接続され、ゲートはＮＭＯＳトランジスタｍ４のゲー
ト及びドレインに接続され、ドレインは電流出力制御用
スイッチ１を構成するスイッチ用ＮＭＯＳトランジスタ
ｍ２のソースに接続される。ＮＭＯＳトランジスタｍ２
のドレインはゲートに一定バイアス電圧Ｖｂ１が与えら
れたＮＭＯＳトランジスタｍ３のソースに接続される。
ＮＭＯＳトランジスタｍ３のドレインからレーザー駆動
用出力電流が出力される。
流比調整回路７の入力端子であるＮＭＯＳトランジスタ
ｍ１０，ｍ１１のソースとの間に接続される。電流比調
整回路７の第１の出力端子であるＮＭＯＳトランジスタ
ｍ１０のドレインは、第１のカレントミラー回路９のダ
イオード接続されたＰＭＯＳトランジスタｍ１２のドレ
インおよびゲートに接続される。電流比調整回路７の第
２の出力端子であるＮＭＯＳトランジスタｍ１１のドレ
インは、第２のカレントミラー回路８のダイオード接続
されたＰＭＯＳトランジスタｍ９のドレインおよびゲー
トに接続される。第１のカレントミラー回路９のＰＭＯ
Ｓトランジスタｍ８のソースは、高電位側電源ＶＤＤに
接続され、ドレインは電流パスセレクタ６の入力端子で
あるＰＭＯＳトランジスタｍ５，ｍ６のソースに接続さ
れ、ゲートはＰＭＯＳトランジスタｍ１２のドレインお
よびゲートに接続される。第２のカレントミラー回路８
のＰＭＯＳトランジスタｍ７のソースは、高電位側電源
ＶＤＤに接続され、ドレインは電流電圧変換手段３を構
成するダイオード接続されたＮＭＯＳトランジスタｍ４
のドレインおよびゲートに接続され、ゲートはＰＭＯＳ
トランジスタｍ９のドレインおよびゲートに接続され
る。電流パスセレクタ６の第１の出力端子であるＰＭＯ
Ｓトランジスタｍ６のドレインは低電位側電源ＶＳＳに
接続され、電流パスセレクタ６の第２の出力端子である
ＰＭＯＳトランジスタｍ５のドレインは、電流電圧変換
手段３を構成するダイオード接続されたＮＭＯＳトラン
ジスタｍ４のドレインおよびゲートに接続される。ＮＭ
ＯＳトランジスタｍ４のソースは、低電位側電源ＶＳＳ
に接続される。出力電流生成用トランジスタ２であるＮ
ＭＯＳトランジスタｍ１のソースは低電位側電源ＶＳＳ
に接続され、ゲートはＮＭＯＳトランジスタｍ４のゲー
ト及びドレインに接続され、ドレインは電流出力制御用
スイッチ１を構成するスイッチ用ＮＭＯＳトランジスタ
ｍ２のソースに接続される。ＮＭＯＳトランジスタｍ２
のドレインはゲートに一定バイアス電圧Ｖｂ１が与えら
れたＮＭＯＳトランジスタｍ３のソースに接続される。
ＮＭＯＳトランジスタｍ３のドレインからレーザー駆動
用出力電流が出力される。
【００８３】ここで、電流源１０の電流値をＩｏ、ＮＭ
ＯＳトランジスタｍ４とＮＭＯＳトランジスタｍ１によ
るカレントミラー回路のミラー比を１：Ａとする。電流
比調整回路７を構成するＮＭＯＳトランジスタｍ１０，
ｍ１１のゲートには、それぞれ電圧Ｖｂ３，Ｖｂ４が与
えられる。
ＯＳトランジスタｍ４とＮＭＯＳトランジスタｍ１によ
るカレントミラー回路のミラー比を１：Ａとする。電流
比調整回路７を構成するＮＭＯＳトランジスタｍ１０，
ｍ１１のゲートには、それぞれ電圧Ｖｂ３，Ｖｂ４が与
えられる。
【００８４】以下、このレーザ駆動回路の動作について
説明する。
説明する。
【００８５】電流源１０からの電流Ｉｏは、電流比調整
回路７の入力端子に供給され、電流値ｋＩｏ、（１−
ｋ）Ｉｏの２つの電流に分流される。この分流比ｋは、
ＮＭＯＳトランジスタｍ１０，ｍ１１のゲートに印加す
る電圧Ｖｂ３，Ｖｂ４によって定まる。したがって、電
圧Ｖｂ３，Ｖｂ４を調整することによって、分流比ｋを
所望の値に設定することができる。さらに、第１および
第２のカレントミラー回路により、トランジスタｍ７に
は電流ｋＩｏが、トランジスタｍ８には電流（１−ｋ）
Ｉｏが流れる。
回路７の入力端子に供給され、電流値ｋＩｏ、（１−
ｋ）Ｉｏの２つの電流に分流される。この分流比ｋは、
ＮＭＯＳトランジスタｍ１０，ｍ１１のゲートに印加す
る電圧Ｖｂ３，Ｖｂ４によって定まる。したがって、電
圧Ｖｂ３，Ｖｂ４を調整することによって、分流比ｋを
所望の値に設定することができる。さらに、第１および
第２のカレントミラー回路により、トランジスタｍ７に
は電流ｋＩｏが、トランジスタｍ８には電流（１−ｋ）
Ｉｏが流れる。
【００８６】制御信号ＳＷがＬｏｗの時はスイッチ用Ｎ
ＭＯＳトランジスタｍ２がオフとなり非出力状態とな
る。このとき、電流パスセレクタのトランジスタｍ６が
オンになり、トランジスタｍ５がオフになるため、第１
のカレントミラー回路９のトランジスタｍ８を流れる電
流（１−ｋ）Ｉｏは、トランジスタｍ６に流れる。第２
のカレントミラー回路８のトランジスタｍ７を流れる電
流ｋＩｏは、電流電圧変換手段３であるダイオード接続
されたＮＭＯＳトランジスタｍ４に流し込まれる。ＮＭ
ＯＳトランジスタｍ４に流し込まれる電流値のトータル
は、ｋＩｏとなる。そして、ＮＭＯＳトランジスタｍ４
により電圧に変換され、出力電流生成用のＮＭＯＳトラ
ンジスタｍ１のゲートがバイアスされる。
ＭＯＳトランジスタｍ２がオフとなり非出力状態とな
る。このとき、電流パスセレクタのトランジスタｍ６が
オンになり、トランジスタｍ５がオフになるため、第１
のカレントミラー回路９のトランジスタｍ８を流れる電
流（１−ｋ）Ｉｏは、トランジスタｍ６に流れる。第２
のカレントミラー回路８のトランジスタｍ７を流れる電
流ｋＩｏは、電流電圧変換手段３であるダイオード接続
されたＮＭＯＳトランジスタｍ４に流し込まれる。ＮＭ
ＯＳトランジスタｍ４に流し込まれる電流値のトータル
は、ｋＩｏとなる。そして、ＮＭＯＳトランジスタｍ４
により電圧に変換され、出力電流生成用のＮＭＯＳトラ
ンジスタｍ１のゲートがバイアスされる。
【００８７】次に制御信号ＳＷがＨｉｇｈに変わると、
スイッチ用ＮＭＯＳトランジスタｍ２がオンとなり出力
状態となるため、レーザー駆動用の出力電流は急速に立
ち上がる。これは、出力電流生成用のＮＭＯＳトランジ
スタｍ１のゲートは非出力状態時でも常にバイアスされ
ているためである。このとき、ＰＭＯＳトランジスタｍ
６がカットオフするため、第１のカレントミラー回路９
のトランジスタｍ８を流れる電流（１−ｋ）Ｉｏは、ト
ランジスタｍ５に流れる。したがって、ＮＭＯＳトラン
ジスタｍ４のドレインに流し込まれる電流値はトータル
でＩｏとなる。これに伴って出力電流生成用のＮＭＯＳ
トランジスタｍ１のゲート電圧が上昇し、トランジスタ
ｍ１がリニア領域から急速に飽和領域に回復することに
なる。
スイッチ用ＮＭＯＳトランジスタｍ２がオンとなり出力
状態となるため、レーザー駆動用の出力電流は急速に立
ち上がる。これは、出力電流生成用のＮＭＯＳトランジ
スタｍ１のゲートは非出力状態時でも常にバイアスされ
ているためである。このとき、ＰＭＯＳトランジスタｍ
６がカットオフするため、第１のカレントミラー回路９
のトランジスタｍ８を流れる電流（１−ｋ）Ｉｏは、ト
ランジスタｍ５に流れる。したがって、ＮＭＯＳトラン
ジスタｍ４のドレインに流し込まれる電流値はトータル
でＩｏとなる。これに伴って出力電流生成用のＮＭＯＳ
トランジスタｍ１のゲート電圧が上昇し、トランジスタ
ｍ１がリニア領域から急速に飽和領域に回復することに
なる。
【００８８】以上のように、第６の実施形態では、電流
比調整回路７のＮＭＯＳトランジスタｍ１０，ｍ１１の
ゲートに与える電圧Ｖｂ３，Ｖｂ４を変化させることに
より、電流比ｋを容易に制御できる。すなわち、どのよ
うな使用状況においても、アイパターンが最適となるよ
うに電流比ｋを制御することができ、より汎用性の高い
レーザ駆動回路を実現できる。
比調整回路７のＮＭＯＳトランジスタｍ１０，ｍ１１の
ゲートに与える電圧Ｖｂ３，Ｖｂ４を変化させることに
より、電流比ｋを容易に制御できる。すなわち、どのよ
うな使用状況においても、アイパターンが最適となるよ
うに電流比ｋを制御することができ、より汎用性の高い
レーザ駆動回路を実現できる。
【００８９】また、実施の形態５に比べて素子数は増え
るが、縦積みのトランジスタの数が少ないため、より低
電圧でも安定して動作させることができる。
るが、縦積みのトランジスタの数が少ないため、より低
電圧でも安定して動作させることができる。
【００９０】（第７の実施形態）図１０は、この発明の
第７の実施形態による光送受信装置の構成を示す図であ
る。図１０に示す光送受信装置５３は、送信データを、
レーザＬＤを駆動することによって光に変換して送信す
る送信部５１と、受けたレーザ光を受信データに変換す
る受信部５２とを備える。送信部５１は、第１から第６
の実施形態で示したようなレーザ駆動回路５０を有し、
このレーザ駆動回路５０によってレーザＬＤを駆動し、
データ送信を行う。
第７の実施形態による光送受信装置の構成を示す図であ
る。図１０に示す光送受信装置５３は、送信データを、
レーザＬＤを駆動することによって光に変換して送信す
る送信部５１と、受けたレーザ光を受信データに変換す
る受信部５２とを備える。送信部５１は、第１から第６
の実施形態で示したようなレーザ駆動回路５０を有し、
このレーザ駆動回路５０によってレーザＬＤを駆動し、
データ送信を行う。
【００９１】
【発明の効果】この発明に従ったレーザ駆動回路では、
第１のスイッチがオフのとき、すなわち非出力状態にお
いても、出力電流生成用トランジスタのゲートは第１の
電流に対応した電圧によってバイアスされている。した
がって、第１のスイッチがオンになり、出力状態となっ
たとき、レーザ駆動用の出力電流は急速に立ち上がる。
また、非出力状態において出力電流生成用トランジスタ
のゲートに与えられるバイアス電圧は、出力状態におい
て与えられるバイアス電圧より小さいため、オーバーシ
ュートのない理想的な出力波形が得られる。
第１のスイッチがオフのとき、すなわち非出力状態にお
いても、出力電流生成用トランジスタのゲートは第１の
電流に対応した電圧によってバイアスされている。した
がって、第１のスイッチがオンになり、出力状態となっ
たとき、レーザ駆動用の出力電流は急速に立ち上がる。
また、非出力状態において出力電流生成用トランジスタ
のゲートに与えられるバイアス電圧は、出力状態におい
て与えられるバイアス電圧より小さいため、オーバーシ
ュートのない理想的な出力波形が得られる。
【００９２】また、電流パスセレクタは、入力端子と、
出力端子と、第２のスイッチとを含むため、第１のスイ
ッチがオフのとき、すなわち非出力状態においては、第
２の電流源の第３の電流がオフになり、低消費電力化が
図られる。
出力端子と、第２のスイッチとを含むため、第１のスイ
ッチがオフのとき、すなわち非出力状態においては、第
２の電流源の第３の電流がオフになり、低消費電力化が
図られる。
【００９３】また、第２の電流値は第１の電流値よりも
大きいため、第１のスイッチがオフのときに電流電圧変
換手段に供給される第１の電流よりも第１のスイッチが
オンのときに電流電圧変換手段に供給される第２の電流
のほうが大きくなり、出力電流が急速に立ち上がりなが
らもオーバーシュートのない理想的な出力波形が得られ
る。
大きいため、第１のスイッチがオフのときに電流電圧変
換手段に供給される第１の電流よりも第１のスイッチが
オンのときに電流電圧変換手段に供給される第２の電流
のほうが大きくなり、出力電流が急速に立ち上がりなが
らもオーバーシュートのない理想的な出力波形が得られ
る。
【００９４】また、第２の電流源は、第１のスイッチが
オフのとき、すなわち非出力状態においては、第３の電
流を供給しないため、低消費電力化が図られる。
オフのとき、すなわち非出力状態においては、第３の電
流を供給しないため、低消費電力化が図られる。
【００９５】また、第１のスイッチは、ゲート接地トラ
ンジスタと、スイッチ用トランジスタとを含むため、安
定したスイッチング動作を実現できる。
ンジスタと、スイッチ用トランジスタとを含むため、安
定したスイッチング動作を実現できる。
【００９６】また、電流電圧変換手段は、ゲートとドレ
インとが接続されたトランジスタを含むため、出力電流
生成用トランジスタとカレントミラー回路が構成され、
デバイスばらつきに強い安定した動作が実現できる。
インとが接続されたトランジスタを含むため、出力電流
生成用トランジスタとカレントミラー回路が構成され、
デバイスばらつきに強い安定した動作が実現できる。
【００９７】また、電流比調整回路を設けたため、第１
および第２の電圧を変化させることによって、電流源か
らの第２の電流を所望の比率の電流値を有する２つの電
流に分流することができる。これにより、どのような使
用状況においても光出力のアイパターンを最適にするこ
とができ、汎用性の高いレーザ駆動回路を実現できる。
および第２の電圧を変化させることによって、電流源か
らの第２の電流を所望の比率の電流値を有する２つの電
流に分流することができる。これにより、どのような使
用状況においても光出力のアイパターンを最適にするこ
とができ、汎用性の高いレーザ駆動回路を実現できる。
【００９８】また、電流比調整回路は、入力端子と、第
１の出力端子と、第２の出力端子と、第１のトランジス
タと、第２のトランジスタとを含むため、縦積みのトラ
ンジスタ数が少なくなり、より低電圧でも安定して動作
させることができる。
１の出力端子と、第２の出力端子と、第１のトランジス
タと、第２のトランジスタとを含むため、縦積みのトラ
ンジスタ数が少なくなり、より低電圧でも安定して動作
させることができる。
【図１】この発明の第１の実施形態によるレーザー駆動
回路の構成を示す図である。
回路の構成を示す図である。
【図２】（ａ）は、ｋ＝１．０のときのシミュレーショ
ン結果を示す図であり、（ｂ）は、ｋ＝１．０のときの
等価回路を示す図である。
ン結果を示す図であり、（ｂ）は、ｋ＝１．０のときの
等価回路を示す図である。
【図３】（ａ）−（ｃ）は、ｋ＝０．７、０．５、０．
３のときのシミュレーション結果を示す図である。
３のときのシミュレーション結果を示す図である。
【図４】（ａ），（ｂ）は、第１の実施形態によるレー
ザ駆動回路の効果を説明するための図である。
ザ駆動回路の効果を説明するための図である。
【図５】この発明の第２の実施形態によるレーザ駆動回
路の構成を示す図である。
路の構成を示す図である。
【図６】この発明の第３の実施形態によるレーザ駆動回
路の構成を示す図である。
路の構成を示す図である。
【図７】この発明の第４の実施形態によるレーザ駆動回
路の構成を示す図である。
路の構成を示す図である。
【図８】この発明の第５の実施形態によるレーザ駆動回
路の構成を示す図である。
路の構成を示す図である。
【図９】この発明の第６の実施形態によるレーザ駆動回
路の構成を示す図である。
路の構成を示す図である。
【図１０】この発明の第７の実施形態による光送受信装
置の構成を示す図である。
置の構成を示す図である。
【図１１】従来の差動方式によるレーザー駆動回路の構
成を示す図であり、（ａ）は出力状態を、（ｂ）は非出
力状態を示す。
成を示す図であり、（ａ）は出力状態を、（ｂ）は非出
力状態を示す。
【図１２】従来のシングル駆動方式によるレーザ駆動回
路の構成を示す図であり、（ａ）は出力状態を、（ｂ）
は非出力状態を示す。
路の構成を示す図であり、（ａ）は出力状態を、（ｂ）
は非出力状態を示す。
１ 電流出力制御用スイッチ ２ 出力電流生成用トランジスタ ３ 電流電圧変換回路 ４ 第１の電流源 ５ 第２の電流源 ６ 電流パスセレクタ ７ 電流比調整回路
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.7 識別記号 ＦＩ テーマコート゛(参考） Ｈ０４Ｂ 10/06
Claims (18)
- 【請求項１】 駆動電流を出力する出力ノードと、 第１の電源電圧を受ける第１の電源ノードと、 前記出力ノードと前記第１の電源ノードとの間に接続さ
れた第１のスイッチと、 前記第１のスイッチがオフのとき第１の電流値を有する
第１の電流を発生し、前記第１のスイッチがオンのとき
前記第１の電流値と異なる第２の電流値を有する第２の
電流を発生する電流発生手段と、 前記電流発生手段からの電流を、その電流値に応じた電
圧に変換する電流電圧変換手段と、 前記第１のスイッチと前記第１の電源ノードとの間に接
続され、前記電流電圧変換手段からの電圧をゲートに受
ける出力電流生成用トランジスタとを備えたことを特徴
とするレーザ駆動回路。 - 【請求項２】 請求項１に記載のレーザ駆動回路におい
て、 前記電流発生手段は、 前記第１の電流を前記電流電圧変換手段に供給する第１
の電流源と、 前記第２の電流値と前記第１の電流値との差の電流値を
有する第３の電流を発生する第２の電流源と、 前記第１のスイッチがオンのときに前記第２の電流源か
らの第３の電流を前記電流電圧変換手段に供給する一
方、前記第１のスイッチがオフのときに前記第２の電流
源からの第３の電流を前記電流電圧変換手段に供給しな
い電流パスセレクタとを含むことを特徴とするレーザー
駆動回路。 - 【請求項３】 請求項２に記載のレーザー駆動回路にお
いて、 前記電流パスセレクタは、 前記第２の電流源からの第３の電流を受ける入力端子
と、 前記第１の電源ノードに接続された第１の出力端子と、 前記電流電圧変換手段に接続された第２の出力端子と、 そのソースが前記入力端子に接続され、そのドレインが
前記第１の出力端子に接続され、前記第１のスイッチが
オンのときオフになり、前記第１のスイッチがオフのと
きオンになる第１のトランジスタと、 そのソースが前記入力端子に接続され、そのドレインが
前記第２の出力端子に接続され、前記第１のスイッチが
オンのときオンになり、前記第１のスイッチがオフのと
きオフになる第２のトランジスタとを含むことを特徴と
するレーザー駆動回路。 - 【請求項４】 請求項２に記載のレーザ駆動回路におい
て、 前記電流パスセレクタは、 前記第２の電流源からの第３の電流を受ける入力端子
と、 前記電流電圧変換手段に接続された出力端子と、 前記入力端子と前記出力端子との間に接続され、前記第
１のスイッチがオンのときオンになり、かつ前記第１の
スイッチがオフのときオフになる第２のスイッチとを含
むことを特徴とするレーザー駆動回路。 - 【請求項５】 請求項１に記載のレーザ駆動回路におい
て、 前記電流発生手段は、 前記第２の電流を発生する電流源と、 前記第１のスイッチがオンのとき、前記電流源からの第
２の電流を前記電流電圧変換手段に供給し、前記第１の
スイッチがオフのとき、前記第２の電流を、前記第２の
電流値と前記第１の電流値との差の電流値を有する第３
の電流と前記第１の電流とに分流し、当該第１の電流を
前記電流電圧変換手段に供給する電流分流回路とを含む
ことを特徴とするレーザ駆動回路。 - 【請求項６】 請求項５に記載のレーザ駆動回路におい
て、 前記第２の電流値は前記第１の電流値よりも大きいこと
を特徴とするレーザ駆動回路。 - 【請求項７】 請求項５に記載のレーザー駆動回路にお
いて、 前記電流分流回路は、 前記電流源からの第２の電流を受ける入力端子と、 前記第１の電源ノードに接続された第１の出力端子と、 前記電流電圧変換手段に接続された第２の出力端子と、 そのソースが前記入力端子に接続され、そのドレインが
前記第１の出力端子に接続され、前記第１のスイッチが
オンのときオフになり、前記第１のスイッチがオフのと
きソース・ドレイン間に前記第３の電流を流す第１のト
ランジスタと、 そのソースが前記入力端子に接続され、そのドレインが
前記第２の出力端子に接続され、前記第１のスイッチが
オンのときソース・ドレイン間に前記第２の電流を流
し、前記第１のスイッチがオフのときソース・ドレイン
間に前記第１の電流を流す第２のトランジスタとを含む
ことを特徴とするレーザー駆動回路。 - 【請求項８】 請求項１に記載のレーザ駆動回路におい
て、 前記電流発生手段は、 前記第１の電流を前記電流電圧変換手段に供給する第１
の電流源と、 前記第１のスイッチがオンのとき、前記第２の電流値と
前記第１の電流値との差の電流値を有する第３の電流を
前記電流電圧変換手段に供給する一方、前記第１のスイ
ッチがオフのときは電流を前記電流電圧変換手段に供給
しない第２の電流源とを含むことを特徴とするレーザー
駆動回路。 - 【請求項９】 請求項１に記載のレーザー駆動回路にお
いて、 前記第１のスイッチは、 ゲートに一定の電圧が与えられたゲート接地トランジス
タと、 前記ゲート接地トランジスタのソースと前記出力電流生
成用トランジスタとの間に接続されたスイッチ用トラン
ジスタとを含むことを特徴とするレーザー駆動回路。 - 【請求項１０】 請求項１に記載のレーザー駆動回路に
おいて、 前記電流電圧変換手段は、 ゲートとドレインとが接続されたトランジスタを含むこ
とを特徴とするレーザー駆動回路。 - 【請求項１１】 請求項１に記載のレーザ駆動回路にお
いて、 前記電流発生手段は、 前記第２の電流を発生する電流源と、 前記電流源からの第２の電流を、所望の比率の電流値を
有する２つの電流に分流し、一の電流を前記第１の電流
として前記電流電圧変換手段に供給する電流比調整回路
と、 前記第１のスイッチがオンのとき、前記電流比調整回路
において分流された２つの電流のうちの他の電流を前記
電流電圧変換手段に供給する一方、前記第１のスイッチ
がオフのとき前記他の電流を前記電流電圧変換手段に供
給しない電流パスセレクタとを含むことを特徴とするレ
ーザ駆動回路。 - 【請求項１２】 請求項１１に記載のレーザ駆動回路に
おいて、 前記電流比調整回路は、 前記電流源からの第２の電流を受ける入力端子と、 前記電流パスセレクタに接続された第１の出力端子と、 前記電流電圧変換手段に接続された第２の出力端子と、 そのソースが前記入力端子に接続され、そのドレインが
前記第１の出力端子に接続され、そのゲートに第１の電
圧を受ける第１のトランジスタとそのソースが前記入力
端子に接続され、そのドレインが前記第２の出力端子に
接続され、そのゲートに第２の電圧を受ける第２のトラ
ンジスタとを含むことを特徴とするレーザ駆動回路。 - 【請求項１３】 請求項１２に記載のレーザ駆動回路に
おいて、 前記第１または第２の電圧のレベルは、前記第２の電流
の電流値に応じて制御されることを特徴とするレーザ駆
動回路。 - 【請求項１４】 請求項１に記載のレーザ駆動回路にお
いて、 前記電流発生手段は、 前記第２の電流を発生する電流源と、 前記電流源からの第２の電流を、所望の比率の電流値を
有する２つの電流に分流する電流比調整回路と、 前記電流比調整回路によって分流された２つの電流の一
の電流を入力電流とする第１のカレントミラー回路と、 前記電流比調整回路によって分流された２つの電流の他
の電流を入力電流とし、その出力電流を前記第１の電流
として前記電流電圧変換手段に供給する第２のカレント
ミラー回路と、 前記第１のスイッチがオンのとき前記第１のカレントミ
ラー回路からの出力電流を前記電流電圧変換手段に供給
する一方、前記第１のスイッチがオフのとき前記第１の
カレントミラー回路からの出力電流を前記電流電圧変換
手段に供給しない電流パスセレクタとを含むことを特徴
とするレーザ駆動回路。 - 【請求項１５】 請求項１４に記載のレーザ駆動回路に
おいて、 前記電流比調整回路は、 前記電流源からの第２の電流を受ける入力端子と、 前記第１のカレントミラー回路に接続された第１の出力
端子と、 前記第２のカレントミラー回路に接続された第２の出力
端子と、 そのソースが前記入力端子に接続され、そのドレインが
前記第１の出力端子に接続され、そのゲートに第１の電
圧を受ける第１のトランジスタと、 そのソースが前記入力端子に接続され、そのドレインが
前記第２の出力端子に接続され、そのゲートに第２の電
圧を受ける第２のトランジスタとを含むことを特徴とす
るレーザ駆動回路。 - 【請求項１６】 請求項１５に記載のレーザ駆動回路に
おいて、 前記第１または第２の電圧のレベルは、前記第２の電流
の電流値に応じて制御されることを特徴とするレーザ駆
動回路。 - 【請求項１７】 光通信を行う光送受信装置であって、 送信データを、レーザを駆動することによって、光に変
換して送信する送信部と、 受けたレーザ光を、受信データに変換する受信部とを備
え、 前記送信部は、請求項１に記載のレーザ駆動回路を有
し、このレーザ駆動回路によって前記レーザを駆動する
ことを特徴とする光送受信装置。 - 【請求項１８】 駆動電流を出力する出力ノードと、 第１の電源電圧を受ける第１の電源ノードと、 前記出力ノードと前記第１の電源ノードとの間に接続さ
れ、ゲートに一定の電圧を受けるゲート接地トランジス
タと、 前記ゲート接地トランジスタのソースと前記第１の電源
ノードとの間に前記ゲート接地トランジスタと直列に接
続されたスイッチ用トランジスタと、 前記スイッチ用トランジスタと前記第１の電源ノードと
の間に前記スイッチ用トランジスタと直列に接続され、
前記スイッチ用トランジスタがオンのとき第１の電圧を
ゲートに受け、前記スイッチ用トランジスタがオフのと
き前記第１の電圧と異なる第２の電圧をゲートに受ける
出力電流生成用トランジスタとを備えたことを特徴とす
るレーザ駆動回路。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP32840899A JP3482165B2 (ja) | 1998-11-19 | 1999-11-18 | レーザー駆動回路および光送受信装置 |
Applications Claiming Priority (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10-329043 | 1998-11-19 | ||
| JP32904398 | 1998-11-19 | ||
| JP32840899A JP3482165B2 (ja) | 1998-11-19 | 1999-11-18 | レーザー駆動回路および光送受信装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2000216486A true JP2000216486A (ja) | 2000-08-04 |
| JP3482165B2 JP3482165B2 (ja) | 2003-12-22 |
Family
ID=26572863
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP32840899A Expired - Lifetime JP3482165B2 (ja) | 1998-11-19 | 1999-11-18 | レーザー駆動回路および光送受信装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3482165B2 (ja) |
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7362142B2 (en) | 2003-12-11 | 2008-04-22 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Current source apparatus, light-emitting-device apparatus and digital-analog converting apparatus |
| US7902906B2 (en) | 2007-01-15 | 2011-03-08 | Canon Kabushiki Kaisha | Driving circuit of driving light-emitting device |
| JP2012114681A (ja) * | 2010-11-25 | 2012-06-14 | Tokai Rika Co Ltd | スイッチング駆動回路 |
| JP2012147233A (ja) * | 2011-01-12 | 2012-08-02 | Tokai Rika Co Ltd | インジケータ駆動回路 |
| JP2013110144A (ja) * | 2011-11-17 | 2013-06-06 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | Ｌｄ駆動回路 |
| JP2017510093A (ja) * | 2013-12-20 | 2017-04-06 | インテル・コーポレーション | 構成可能なトランシーバ回路アーキテクチャ |
-
1999
- 1999-11-18 JP JP32840899A patent/JP3482165B2/ja not_active Expired - Lifetime
Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7362142B2 (en) | 2003-12-11 | 2008-04-22 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Current source apparatus, light-emitting-device apparatus and digital-analog converting apparatus |
| US7902906B2 (en) | 2007-01-15 | 2011-03-08 | Canon Kabushiki Kaisha | Driving circuit of driving light-emitting device |
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| US8773040B2 (en) | 2011-01-12 | 2014-07-08 | Kabushiki Kaisha Tokai Rika Denki Seisakusho | Indicator drive circuit |
| JP2013110144A (ja) * | 2011-11-17 | 2013-06-06 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | Ｌｄ駆動回路 |
| JP2017510093A (ja) * | 2013-12-20 | 2017-04-06 | インテル・コーポレーション | 構成可能なトランシーバ回路アーキテクチャ |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP3482165B2 (ja) | 2003-12-22 |
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