JPH077855B2 - レ−ザダイオ−ドの駆動回路 - Google Patents
レ−ザダイオ−ドの駆動回路Info
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- JPH077855B2 JPH077855B2 JP59042701A JP4270184A JPH077855B2 JP H077855 B2 JPH077855 B2 JP H077855B2 JP 59042701 A JP59042701 A JP 59042701A JP 4270184 A JP4270184 A JP 4270184A JP H077855 B2 JPH077855 B2 JP H077855B2
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- laser diode
- circuit
- drive circuit
- frequency current
- capacitor
- Prior art date
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- Expired - Lifetime
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/04—Processes or apparatus for excitation, e.g. pumping, e.g. by electron beams
- H01S5/042—Electrical excitation ; Circuits therefor
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- Physics & Mathematics (AREA)
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- Optics & Photonics (AREA)
- Semiconductor Lasers (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】 発明の技術分野 本発明は、高速光通信用のレーザダイオードの駆動回路
に関し、特に、光出力の符号間干渉を小さくできるレー
ザダイオードの駆動回路に関する。
に関し、特に、光出力の符号間干渉を小さくできるレー
ザダイオードの駆動回路に関する。
従来技術及び問題点 従来レーザダイオードは、第１図に示す様にして駆動さ
れていた。すなわちFET1のドレインにレーザダイオード
LDを接続し、FET1のゲートにパルス信号を、ドレインに
バイアス信号IBを与えることによりレーザダイオードを
駆動している。
れていた。すなわちFET1のドレインにレーザダイオード
LDを接続し、FET1のゲートにパルス信号を、ドレインに
バイアス信号IBを与えることによりレーザダイオードを
駆動している。
ところが、その出力光を電気信号に変換し、オシロスコ
ープで観察すると、第２図に示す様に符号間干渉が生じ
ていた。
ープで観察すると、第２図に示す様に符号間干渉が生じ
ていた。
発明の目的及び構成 本発明は、この様な欠点を除去し、符号間干渉のない出
力光を得ることを目的とするものである。
力光を得ることを目的とするものである。
そして、この目的は、強度変調された光信号を送出する
レーザダイオードと並列に、該強度変調を損なうことな
く、該レーザダイオードから発生する高周波電流を吸収
する回路を接続したレーザダイオード駆動回路であっ
て、前記高周波電流を吸収する回路は、容量と抵抗の直
列回路であることを特徴とするレーザダイオード駆動回
路によって達成される。
レーザダイオードと並列に、該強度変調を損なうことな
く、該レーザダイオードから発生する高周波電流を吸収
する回路を接続したレーザダイオード駆動回路であっ
て、前記高周波電流を吸収する回路は、容量と抵抗の直
列回路であることを特徴とするレーザダイオード駆動回
路によって達成される。
又は、前記高周波電流を吸収する回路は、ダイオードと
容量とからなる並列回路であることを特徴とするレーザ
ダイオード駆動回路によって達成される。
容量とからなる並列回路であることを特徴とするレーザ
ダイオード駆動回路によって達成される。
発明の実施例 レーザ・ダイオードを高速変調する際に問題となる緩和
振動やすそ引き現象およびこれがもとになって生じる符
号間干渉の主たる要因は、活性層内で生じる過度的なキ
ャリア密度の変動であり、さらに、レーザ・ダイオード
の実装および駆動回路の特性と相まってこれらの現象は
助長されることにある。
振動やすそ引き現象およびこれがもとになって生じる符
号間干渉の主たる要因は、活性層内で生じる過度的なキ
ャリア密度の変動であり、さらに、レーザ・ダイオード
の実装および駆動回路の特性と相まってこれらの現象は
助長されることにある。
本発明は、変調時のキャリア密度の変動に対応して生じ
る端子電圧の変動を半導体レーザからの高周波電流発生
とみなし、この高周波電流を吸収することにより、不要
なキャリア密度の変動を抑え符号間干渉の少ない良好な
変調波形を得るものである。
る端子電圧の変動を半導体レーザからの高周波電流発生
とみなし、この高周波電流を吸収することにより、不要
なキャリア密度の変動を抑え符号間干渉の少ない良好な
変調波形を得るものである。
以下、実施例に基づいて説明する。
第３図に実施例を示す。図中のD1〜D4はダイオード，
C1,C2はコンデンサ,Rは抵抗である。
C1,C2はコンデンサ,Rは抵抗である。
ダイオードD1〜D4およびコンデンサC1は、レーザ・ダイ
オードLDの端子電圧を固定するとともに、符号間干渉の
主要因であるレーザ・ダイオードLDから発生する高周波
電流を吸収するものである。抵抗ＲおよびコンデンサC3
は、レーザ・ダイオードLDの実装に伴う寄生のリアクタ
ンス分によりレーザ・ダイオードLDから発生する高周波
電流が共振するのを避けるための分流回路であり、レー
ザ・ダイオード駆動回路との整合性を広帯域に渡って確
保するためのものである。
オードLDの端子電圧を固定するとともに、符号間干渉の
主要因であるレーザ・ダイオードLDから発生する高周波
電流を吸収するものである。抵抗ＲおよびコンデンサC3
は、レーザ・ダイオードLDの実装に伴う寄生のリアクタ
ンス分によりレーザ・ダイオードLDから発生する高周波
電流が共振するのを避けるための分流回路であり、レー
ザ・ダイオード駆動回路との整合性を広帯域に渡って確
保するためのものである。
ここで、ダイオードD4は逆バイアスされたダイオードで
あり、コンデンサとの置換が可能である。同様にコンデ
ンサC1は、逆バイアスされたダイオードと置換である。
あり、コンデンサとの置換が可能である。同様にコンデ
ンサC1は、逆バイアスされたダイオードと置換である。
結果を第４図に示す。第４図ではコンデンサC1の容量を
47000PF,C2の容量を“1PF",ショットキーバイアダイオ
ードD1〜D4として“1F106"（富士通製）を、FETとして
“Fsx52"（富士通製）を、レーザダイオードとして“VS
Bレーザダイオード”を用い、駆動パルスの周波数は1.6
Gbit/sでマーク率1/2とした場合の結果である。図から
明らかな如く符号第５図，第６図，第７図に本発明の他
の実施例を示す。
47000PF,C2の容量を“1PF",ショットキーバイアダイオ
ードD1〜D4として“1F106"（富士通製）を、FETとして
“Fsx52"（富士通製）を、レーザダイオードとして“VS
Bレーザダイオード”を用い、駆動パルスの周波数は1.6
Gbit/sでマーク率1/2とした場合の結果である。図から
明らかな如く符号第５図，第６図，第７図に本発明の他
の実施例を示す。
第５図は、第３図の回路において、抵抗Ｒとコンデンサ
C2のみを用いた例で、一方第６図は、第３図の回路にお
いて、ショットキーバリアダイオードD1〜D4，コンデン
サC1を用いて構成した例で、第７図では第６図におい
て、コンデンサC1を削除した例である。
C2のみを用いた例で、一方第６図は、第３図の回路にお
いて、ショットキーバリアダイオードD1〜D4，コンデン
サC1を用いて構成した例で、第７図では第６図におい
て、コンデンサC1を削除した例である。
第５図，第６図，第７図においても、第３図と同様レー
ザダイオードLDからの高周波電流を広帯域にわたり吸収
することができる。したがって、レーザダイオードLDの
特性が経年的な環境変化やバイアス電圧の変化等により
変動しても、なんら支障なくレーザ光の符号間干渉を安
定して小さくすることができる。
ザダイオードLDからの高周波電流を広帯域にわたり吸収
することができる。したがって、レーザダイオードLDの
特性が経年的な環境変化やバイアス電圧の変化等により
変動しても、なんら支障なくレーザ光の符号間干渉を安
定して小さくすることができる。
発明の効果 以上のことから明らかな様に、本発明によれば、レーザ
ダイオードから発生する高周波電流が広帯域にわたり吸
収されるので、該レーザダイオードの特性が経年的な変
化やバイアス電圧の変化等により変動しても、なんら支
障なくレーザ光の符号間干渉を安定して小さくすること
が可能なレーザダイオード駆動回路を提供することがで
きる。
ダイオードから発生する高周波電流が広帯域にわたり吸
収されるので、該レーザダイオードの特性が経年的な変
化やバイアス電圧の変化等により変動しても、なんら支
障なくレーザ光の符号間干渉を安定して小さくすること
が可能なレーザダイオード駆動回路を提供することがで
きる。
第１図は従来の駆動回路を示す図，第２図は第１図の回
路によってレーザダイオードを駆動した場合の出力波形
を示す図（オシロ波形），第３図は本発明の実施例を示
す図，第４図は本発明の回路によりレーザダイオードを
駆動した場合の出力波形を示す図（オシロ波形）で，第
５図，第６図，第７図は本発明の他の実施例である。 図中D1〜D4はショットキーバイアダイオード，IBはバイ
アス電流，C1,C2はコンデンサ,Rは抵抗,LDはレーザダイ
オードである。
路によってレーザダイオードを駆動した場合の出力波形
を示す図（オシロ波形），第３図は本発明の実施例を示
す図，第４図は本発明の回路によりレーザダイオードを
駆動した場合の出力波形を示す図（オシロ波形）で，第
５図，第６図，第７図は本発明の他の実施例である。 図中D1〜D4はショットキーバイアダイオード，IBはバイ
アス電流，C1,C2はコンデンサ,Rは抵抗,LDはレーザダイ
オードである。
フロントページの続き (56)参考文献 特開 昭58−18988（ＪＰ，Ａ) ＩＥＥＥ ＪＯＵＲＮＡＬ ＯＦ ＱＶ ＡＮＴＡＭ ＥＬＥＣＴＲＯＮＩＣＳ Ｖ ＯＬ．ＱＥ−13，ＮＯ．９ ＳＥＰＴＥＭ ＢＥＲ 1977
Claims (3)
- 【請求項１】強度変調された光信号を送出するレーザダ
イオードと並列に、該強度変調を損なうことなく、該レ
ーザダイオードから発生する高周波電流を吸収する回路
を接続したレーザダイオード駆動回路であって、 前記高周波電流を吸収する回路は、容量と抵抗の直列回
路であることを特徴とするレーザダイオード駆動回路。 - 【請求項２】強度変調された光信号を送出するレーザダ
イオードと並列に、該強度変調を損なうことなく、該レ
ーザダイオードから発生する高周波電流を吸収する回路
を接続したレーザダイオード駆動回路であって、 前記高周波電流を吸収する回路は、ダイオードと容量と
からなる並列回路であることを特徴とするレーザダイオ
ード駆動回路。 - 【請求項３】強度変調された光信号を送出するレーザダ
イオードと並列に、該強度変調を損なうことなく、該レ
ーザダイオードから発生する高周波電流を吸収する回路
を接続したレーザダイオード駆動回路であって、 前記高周波電流を吸収する回路は、容量と抵抗の直列回
路及びダイオードと容量の並列回路であることを特徴と
するレーザダイオード駆動回路。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59042701A JPH077855B2 (ja) | 1984-03-06 | 1984-03-06 | レ−ザダイオ−ドの駆動回路 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59042701A JPH077855B2 (ja) | 1984-03-06 | 1984-03-06 | レ−ザダイオ−ドの駆動回路 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS60187075A JPS60187075A (ja) | 1985-09-24 |
| JPH077855B2 true JPH077855B2 (ja) | 1995-01-30 |
Family
ID=12643354
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP59042701A Expired - Lifetime JPH077855B2 (ja) | 1984-03-06 | 1984-03-06 | レ−ザダイオ−ドの駆動回路 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH077855B2 (ja) |
Families Citing this family (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2005302895A (ja) * | 2004-04-08 | 2005-10-27 | Sumitomo Electric Ind Ltd | 半導体レーザ駆動回路 |
| JP2007324463A (ja) | 2006-06-02 | 2007-12-13 | Sumitomo Electric Ind Ltd | 半導体レーザ駆動回路 |
| JP2008112943A (ja) | 2006-10-31 | 2008-05-15 | Sumitomo Electric Ind Ltd | レーザダイオード駆動回路 |
| US10666013B2 (en) | 2017-06-05 | 2020-05-26 | Sumitomo Electric Industries, Ltd. | Driver circuit |
Family Cites Families (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5818988A (ja) * | 1981-07-28 | 1983-02-03 | Toshiba Corp | 半導体レ−ザ駆動装置 |
| JPS58153239A (ja) * | 1982-03-05 | 1983-09-12 | Nec Corp | 光ピツクアツプ装置 |
-
1984
- 1984-03-06 JP JP59042701A patent/JPH077855B2/ja not_active Expired - Lifetime
Non-Patent Citations (1)
| Title |
|---|
| ＩＥＥＥＪＯＵＲＮＡＬＯＦＱＶＡＮＴＡＭＥＬＥＣＴＲＯＮＩＣＳＶＯＬ．ＱＥ−１３，ＮＯ．９ＳＥＰＴＥＭＢＥＲ１９７７ |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS60187075A (ja) | 1985-09-24 |
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