JP2008112943A - レーザダイオード駆動回路 - Google Patents

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Abstract

【課題】電流制御型のスイッチング素子を用いた場合でも、レーザダイオードの駆動電流の波形を容易に制御すること。
【解決手段】このレーザダイオード駆動回路1は、LD2に駆動電流を供給するレーザダイオード駆動回路において、LD2に印加される変調電流を制御する変調電流発生回路3a,3bを複数備え、変調電流発生回路3a,3bのそれぞれは、前記変調電流の振幅、位相、及びパルス幅を独立に変更可能に構成されている。
【選択図】図1

Description

本発明は、光信号を生成するレーザダイオードを駆動するためのレーザダイオード駆動回路に関するものである。
光通信に用いられる光送信器においては、駆動回路からレーザダイオードに対して送信データに対応して変調された駆動電流が供給される。この駆動回路の構成の一例としては、レーザダイオードに流すバイアス電流用の電流源と変調電流用の電流源を設け、変調電流用の電流源の出力に2つのトランジスタを含む差動スイッチ回路が接続されたものが知られている。このような駆動回路において、差動スイッチ回路の正相入力端子及び逆相入力端子に振幅変調された電気信号を入力して変調電流が流れるトランジスタを切り替えることにより、レーザダイオードから出力される光信号を変調させる。すなわち、このような構成の駆動回路では、差動スイッチ回路のトランジスタを流れる電流を、差動スイッチ回路の入力波形で制御している。
一方、下記特許文献1には、レーザダイオードの光出力における緩和振動を低減する構成として、差動スイッチ回路の一方の入力端子に容量が接続された駆動回路の構成が開示されている。このような駆動回路では、レーザダイオードに供給される変調電流の立ち上がりが意図的に遅くされて、緩和振動による光信号の波形劣化が抑えられている。
特許第2910279号
上述したような従来の駆動回路においては、差動スイッチ回路を構成するトランジスタとしてFET等の電圧制御型の素子を用いることを想定している。FET等の電圧制御型の素子を用いた場合は、入力電圧によって素子を流れる電流を制御することが比較的容易である。
一方、昨今広く使われている高速のバイポーラトランジスタのような電流制御型の素子の場合、素子の特性のばらつきや素子における電流の変動等を考慮すると、素子の電流を制御することは比較的難しい。従って、このような電流制御型の素子を含む駆動回路においては、入力信号によって出力電流波形を制御することは困難な傾向にある。
そこで、本発明は、かかる課題に鑑みて為されたものであり、電流制御型のスイッチング素子を用いた場合でも、レーザダイオードの駆動電流の波形を容易に制御することが可能なレーザダイオード駆動回路を提供することを目的とする。
上記課題を解決するため、本発明のレーザダイオード駆動回路は、レーザダイオードに駆動電流を供給するレーザダイオード駆動回路において、レーザダイオードに印加される変調電流を制御する変調電流発生回路を複数備え、変調電流発生回路のそれぞれは、変調電流の振幅、位相、及びパルス幅を独立に変更可能に構成されている。
このようなレーザダイオード駆動回路においては、レーザダイオードには複数の変調電流発生回路によって生成された電流が重畳された変調電流が流され、それぞれの変調電流発生回路によって生成される電流は振幅、位相、及びパルス幅が独立に変更可能であるので、変調電流発生回路に内蔵されるスイッチング用のトランジスタとして電流制御型の素子を用いた場合でも、レーザダイオードに供給される変調電流の波形を容易に制御することができる。その結果、伝送速度に応じて変調電流の振幅、位相、パルス幅を変更して合成することにより長距離伝送時の光信号における緩和振動及び波長変動の影響を低減することが可能になり、光送信器の長距離伝送特性の改善を図ることができる。
レーザダイオードに接続され、レーザダイオードにバイアス電流を供給するバイアス電流用電流源を更に備えることが好ましい。この場合、レーザダイオードの光出力において所望の消光比を得るためにレーザダイオードにバイアス電流を供給することができる。
また、変調電流発生回路のそれぞれは、一方の電流端子が共通に接続された一対のトランジスタより成るスイッチング回路を備え、いずれか一方のトランジスタの他方の電流端子がレーザダイオードに接続され、共通に接続された一方の電流端子は変調電流用電流源に接続されており、レーザダイオードからの光出力をモニタするモニタ用フォトダイオードと、モニタ用フォトダイオードから出力されるモニタ信号に基づいて、光出力が一定になるように変調電流用電流源及びバイアス電流用電流源によって生成される電流を制御するAPC回路とを更に備えることも好ましい。
かかる構成を採れば、電流端子が共通接続された一対のトランジスタの制御端子に相補的な制御電流が供給されることによって、一方のトランジスタの別の電流端子に接続されたレーザダイオードに制御電流に応じた変調電流が流される。このとき、モニタ用フォトダイオードによってレーザダイオードの光出力をモニタし、APC回路によってそのモニタ信号に基づいて光出力が一定になるようにレーザダイオードに供給するバイアス電流及び変調電流が制御され、且つ、変調電流の波形も制御可能にされるので、環境温度によらずに伝送速度に応じて安定した光出力を得ることができる。
本発明のレーザダイオード駆動回路によれば、電流制御型のスイッチング素子を用いた場合でも、レーザダイオードの駆動電流の波形を容易に制御することができる。
以下、図面を参照しつつ本発明に係るレーザダイオード駆動回路の好適な実施形態について詳細に説明する。なお、図面の説明においては同一又は相当部分には同一符号を付し、重複する説明を省略する。
図1は、本発明の好適な一実施形態であるレーザダイオード駆動回路1の回路ブロック図、図2は、図1のレーザダイオード駆動回路1の要部を詳細に示す回路図である。同図に示すレーザダイオード駆動回路1は、光通信で用いられる光送信器等に内蔵されて、光信号を生成する素子であるレーザダイオード(以下、LDという。)を駆動するための回路である。
図1に示すように、レーザダイオード駆動回路1は、LD2に駆動電流を供給する2つの変調電流発生回路3a,3b、及びバイアス電流発生回路4と、LD2の光出力をモニタするフォトダイオード5(以下、PDという。)と、PD5のモニタ結果に応じて駆動電流を制御するAPC(Auto Power Control)回路6とから構成されている。
変調電流発生回路3a,3bは、LD2に印加される変調電流を制御する回路であり、それぞれ、差動電流回路7a,7b及びスイッチング回路8a,8bとからなる。差動電流回路7a,7bには、データ入力端子9から入力された電流信号が2つに分岐されて入力される。差動電流回路7a,7bの出力は、それぞれ、スイッチング回路8a,8bの入力に接続され、スイッチング回路8a,8bの出力は、LD2のカソードに接続されている。バイアス電流発生回路4は、LD2にバイアス電流を供給するための回路であり、その出力はLD2のカソードに接続されている。
一方、PD5のアノードは、APC回路6の入力に接続され、APC回路6の出力は、バイアス電流発生回路4及びスイッチング回路8a,8bに接続されている。APC回路6は、PD5からの出力に基づいて、LD2の光出力が一定になるように変調電流発生回路3a,3b及びバイアス電流発生回路4からの出力電流を制御する。
次に、レーザダイオード駆動回路1の詳細な回路構成について、図2を参照しつつ説明する。
データ入力端子9には、一対の入力端子が備えられ、これらの入力端子は差動増幅器10の差動入力端子に接続されている。一対の入力端子には、LD2の光出力を変調するための互いに相補的なデータ信号が入力され、このデータ信号の差信号である電流信号が、差動増幅器10によって生成された後、この電流信号は、差動電流回路7a,7bに分岐して入力される。このデータ入力端子9は、その入力インピーダンスが、例えば50Ωになるように設定されている。
差動電流回路7aは、パルス幅制御回路11及び増幅器12からなり、パルス幅制御回路11の入力は、差動増幅器10の出力に接続され、パルス幅制御回路11の出力は、増幅器12の入力に接続されている。パルス幅制御回路11は、スイッチング回路8a,8bによってLD2に印加される変調電流の相対的なパルス幅を調整するために設けられたものである。このパルス幅制御回路11は、差動増幅器10から入力された電流信号のパルス幅を変更する機能を有し、パルス幅が変更された電流信号を増幅器12を経由してスイッチング回路8aに出力する。このとき、増幅器12は、所定の増幅率で電流信号を増幅し、その正相出力端子及び逆相出力端子から互いに相補的な電流信号を、制御電流IA+,IA−として出力する。
差動電流回路7bは、遅延回路13及び増幅器14からなり、遅延回路13の入力は、差動増幅器10の出力に接続され、遅延回路13の出力は、増幅器14の入力に接続されている。遅延回路13は、スイッチング回路8a,8bのそれぞれからLD2に印加される変調電流の相対的な位相差を調整するために設けられたものである。この遅延回路13は、差動増幅器10から入力された電流信号の遅延時間を変更する機能を有し、遅延時間が変更された電流信号を増幅器14を経由してスイッチング回路8bに出力する。このとき、増幅器14は、所定の増幅率で電流信号を増幅し、その正相出力端子及び逆相出力端子から互いに相補的な電流信号を、制御電流IB+,IB−として出力する。
スイッチング回路8aは、差動対を成す2つのバイポーラ型のトランジスタ15,16と変調電流用電流源19とから構成されている。トランジスタ15,16のエミッタ(一方の電流端子)は互いに共通接続され、トランジスタ15のコレクタ(他方の電流端子)は、定電位VCCにバイアスされ、トランジスタ16のコレクタ(他方の電流端子)は、アノードが定電位VCCにバイアスされたLD2のカソードに接続されている。このトランジスタ15,16のベース(制御端子)には、それぞれ、増幅器12の逆相出力端子及び正相出力端子が接続されることにより、増幅器12から互いに相補的な制御電流IA+,IA−が印加される。
同様に、スイッチング回路8bは、差動対を成す2つのバイポーラ型のトランジスタ17,18と変調電流用電流源20とから構成されている。トランジスタ17,18のエミッタ(一方の電流端子)は互いに共通接続され、トランジスタ17のコレクタ(他方の電流端子)は、定電位VCCにバイアスされ、トランジスタ18のコレクタ(他方の電流端子)は、LD2のカソードに接続されている。このトランジスタ17,18のベース(制御端子)には、それぞれ、増幅器14の逆相出力端子及び正相出力端子が接続されることにより、増幅器14から互いに相補的な制御電流IB+,IB−が印加される。
スイッチング回路8aにおいて共通接続されているトランジスタ15,16のエミッタには、変調電流用電流源19が接続され、スイッチング回路8bにおいて共通接続されているトランジスタ17,18のエミッタには、変調電流用電流源20が接続されている。これにより、電源VCCからLD2に向けて発生する電流によりLD2が発光し、その電流のうちの変調電流分はスイッチング回路8a,8bに分流した後、2つの電流源19,20に供給されることになる。なお、変調電流用電流源19,20は、生成する電流の振幅をAPC回路6の制御により互いに独立に変更可能に構成されている。
また、LD2のカソードには、LD2にバイアス電流を供給するバイアス電流発生回路(バイアス電流用電流源)4が接続され、LD2を流れる電流のうちのバイアス電流分は、バイアス電流発生回路(バイアス電流用電流源)4に流れ込むことになる。
LD2からの光出力は、PD5によってモニタされ、PD5からAPC回路6に向けて光出力の強度に応じたモニタ信号が出力される。APC回路6は、このモニタ信号に基づいて、変調電流用電流源19,20及びバイアス電流発生回路4が生成する電流の大きさを調整する。すなわち、APC回路6は、LD2の光出力の平均値が一定値になるようにLD2の変調電流及びバイアス電流をフィードバック制御することによって、LD2が環境温度等にかかわらず一定の光出力を行うための制御を行っている。
以下、レーザダイオード駆動回路1の作用効果について従来例と対比しつつ説明する。
図8は、従来例のレーザダイオード駆動回路901の構成を示す回路図である。この従来例は、LD902に駆動電流を供給するバイアス電流発生回路904及び変調電流発生回路908と、モニタ用のPD905とAPC回路906を含んでいる。変調電流発生回路908内において、変調電流用電流源919の先には2つの差動対をなすトランジスタを有するスイッチング回路が設けられ、スイッチング回路の正相入力端子及び逆相入力端子に振幅変調のかかった電気信号が入力され、変調電流が流れるトランジスタを切り替えることによりLD902の光出力が変調される。スイッチング回路を構成する一方のトランジスタのコレクタにはLD902のカソードが接続され、他方のトランジスタのコレクタは定電位にバイアスされる。
図9は、レーザダイオード駆動回路901におけるLD出力波形の一例を示す図であり、(a)は、消光比(1レベルの光強度と0レベルの光強度との比)12dBの場合の出力波形、(b)は、消光比8dBの場合の出力波形である。この場合、信号パターンは、23段の擬似ランダム信号で、データ伝送速度を2.48832Gbpsとした。これらの結果に示すように、光波形の立ち上がり部分に緩和振動のリンギングに相当する波形の鋭いピークが見られる。このピークは、光波形の消光比を変えればある程度調整を行うことができるが、消光比を下げた場合には光の振幅強度を下げてしまうという問題があり、むやみに下げることには限界がある。
また、図10は、レーザダイオード駆動回路901における光出力周波数Fmの時間変動及び光出力パワーImの時間変動を示すグラフである。この結果により、光出力パワーImすなわち光波形の立ち上がりの部分に、光出力周波数Fmすなわち光出力波長の大きな変動が見られ、この波長の変動が光送信器の伝送波形を乱してしまう原因となっている。この光出力波長の変化のことをチャープと呼び、特に、光出力波形の立ち上がり部分で見られるチャープを過渡チャープと呼ぶ。図11には、信号パターンを23段の疑似ランダム信号および“1”、“0”信号の繰り返しによる矩形波で駆動した場合を示しており、このレーザダイオード駆動回路901の光出力を長距離伝送した後の光波形を示し、(a)には0km伝送した場合、(b)には100km伝送した場合、(c)には200km伝送した場合の光波形が示されている。このように、伝送距離が長くなるに従って、リンギング部分の波形が広がるとともにアイパターンのアイを潰す結果となってしまっている。
従来のレーザダイオード駆動回路ではスイッチング回路を構成するトランジスタをFET等の電圧制御型の素子で構成することを想定して、光出力の波形劣化を低減するための実施例を開示してきている。FET等の電圧制御型の素子を用いた場合は、入力電圧に対して素子を流れる電流を制御することが比較的容易である。一方、昨今広く使われている高速のバイポーラトランジスタは、電流制御型の素子であるため、素子のばらつき、素子電流の変動等を考慮すると、電流を精密に制御することは比較的難しい。従って、入力信号を用いて素子の出力電流波形を制御することは比較的困難である。
図12には、バイポーラトランジスタ及びFETの様々な環境温度での電流電圧特性を対比して示す。図12(a)は、バイポーラトランジスタのコレクタ−エミッタ間電圧を5Vとした場合のベース−エミッタ間電圧とコレクタ電流との関係を示し、図12(b)は、GaAs−MESFETのドレイン−ソース間電圧を2Vとした場合の、ゲート電圧とドレイン電流との関係を示す。両者を比較すると、FETはバイポーラトランジスタに比べて電流−電圧特性カーブの傾きが緩やかで、その分入力電圧に比例した電流制御が可能なのに対して、バイポーラトランジスタの電流−電圧特性は、FETに比べて急峻であり、その分入力電圧に比例した電流制御が難しく、ある閾値電圧を境にオン−オフのスイッチング動作に近い動作を行う。また、実際のバイポーラトランジスタでは、電流−電圧特性だけではなく、ft(電流利得遮断周波数)といった高周波動作を示すパラメータの違いによる電流スイッチ速度の違いが存在する。昨今では、Siバイポーラトランジスタよりさらに高速のSiGeヘテロバイポーラトランジスタが広く使われるようになっており、電流スイッチ速度は速くなり、その結果、電流波形の制御は、入力電圧波形の整形だけでは困難になってきている。このことから、従来例による方法では、使用するデバイスにより光の波形劣化を防止する効果に差があり、どんな場合にも用いることができる方法ではない。
これに対して、本実施形態のレーザダイオード駆動回路1では、それぞれの変調電流発生回路3a,3bにおいて、エミッタが互いに共通接続された一対のトランジスタのベースに相補的な制御電流が供給されることによって、一方のトランジスタのコレクタに接続されたLD2に制御電流に応じた変調電流が流される。このとき、LD2には2つの変調電流発生回路3a,3bによって制御された電流が重畳された変調電流が流され、それぞれの変調電流発生回路3a,3bによってスイッチング回路8a,8bの出力電流の振幅、位相、パルス幅が相対的に独立に変更可能にされる。これにより、変調電流発生回路3a,3bに内蔵されるトランジスタとして電流制御型の素子を用いた場合でも、LDに供給される変調電流の波形を容易に制御することができる。その結果、使用するデバイスによらずに光送信器の長距離伝送時の緩和振動及び波長変動の影響を低減して、伝送特性の改善を図ることができる。
また、モニタ用PD5によってLD2の光出力をモニタし、APC回路6によってそのモニタ信号に基づいて光出力が一定になるようにLD2に供給するバイアス電流及び変調電流が制御され、且つ、変調電流発生回路3a,3bとAPC回路6との協働により変調電流の波形も制御可能にされるので、環境温度によらずに伝送速度及び伝送距離に応じて安定した光出力を得ることができる。
図3(a)には、レーザダイオード駆動回路1のスイッチング回路8bによって設定される変調電流の電流波形、図3(b)には、スイッチング回路8aによって設定される変調電流の電流波形を示し、図4には、LD2に重畳されて印加される変調電流の電流波形を示す。ここでは、常温環境下で、閾値電流が15mAのLDを用いて、スイッチング回路8bの変調電流を30mA、スイッチング回路8aの変調電流を3mA、スイッチング回路8bの出力電流とスイッチング回路8aの出力電流との位相差を100psec(スイッチング回路8aの方が進んでいる)、スイッチング回路8aの出力電流のパルス幅を500psec、スイッチング回路8bのパルス幅を400psec、LDバイアス電流を16mAと設定している。また、スイッチング回路8a,8bに用いるトランジスタとしては、ftが約50GHzのSiGeヘテロバイポーラトランジスタを用いている。LD2に重畳されて印加される変調電流は、その立ち上がり時間(20%から80%までの時間)が60psec程度となっている。また、図13には、従来例のレーザダイオード駆動回路901における変調電流の電流波形を示している。ここでは、常温環境下で、閾値電流が15mAのLDを用いて、LDバイアス電流を16mA、LD変調電流を33mAと設定した場合の駆動回路の出力電流波形を示している。この場合の変調電流の立ち上がり時間も60psec程度となっている。ただし、図4,13における波形において、バイアス電流分はオフセットをかけて表示している。
図4及び図13の電流波形を見ると、本実施形態では、電流振幅、位相、及びパルス幅が異なる2つの電流波形をLD2に同時に供給することにより、電流の立ち上がりの部分に遅い電流の立ち上がり領域を設けているにもかかわらず、LD2が発光している領域の電流値、及び、電流が立ち下がる領域の電流波形を、従来と同等に維持することができる。
図5(a)には、従来例のレーザダイオード駆動回路901によってLDを駆動した場合の光出力波形を、図5(b)には、本実施形態のレーザダイオード駆動回路1によってLDを駆動した場合の光出力波形を示す。ここでは、消光比9.8dB、光出力が−1.5dBm程度になるように駆動電流を調整し、LDとしては発光中心波長が1610nmのDFB(分布帰還型)レーザを用いた場合の例を示している。このように、従来例では、光の立ち上がりに角のような緩和振動に基づくピークが少し見られている。その一方で、本実施形態では、そのようなピークは抑えられ、同程度の消光比及び光出力パワーで波形の調整を行ってもほぼ同程度の光波形が得られている。従って、光波形の立ち上がり部分を遅くした電流波形でも問題のないことが確認された。
次に、本実施形態のレーザダイオード駆動回路1と従来例のレーザダイオード駆動回路901との光出力波形のチャープの差を確認するために行った実験結果について示す。光の過渡チャープそのものを直接測定することは可能であるが、光送信器の良否を定量的に比較するのに適していると考え、以下のような実験による評価方法を採用している。
図6には評価測定系システムの概要を示す。DUT101は、対象のレーザダイオード駆動回路を用いてLDを駆動した評価器サンプルで、信号発生器102で生成されたデータを基に、データ伝送速度2.48832Gbps、連続ビット長が23ビットの擬似ランダム信号で駆動される。DUT101内のLDから出た信号光は、可変の光減衰器103によって光パワーが調整される。光減衰器103の出力は3dBカップラで分岐され、一方の光信号は光パワーメータ104に出力されて光パワーがモニタされる。分岐された他方の光信号は、光ファイバ105を通じて伝送され、標準光受信器106で受信され、光信号から電気信号に変換される。この標準光受信器106は、通常で−32dBm(誤り率10−10)程度のものである。
標準光受信器106の電気信号(データ出力)は、クロックデータリカバリー回路107へと導かれ、クロックの抽出、データの再生が行われ、誤り率測定器108にクロック及びデータが出力され誤り率の評価が行われる。この評価は、光ファイバー105を1m程度のほぼ直結するためのものを用いた場合(Back to Back)と、80kmのものを用いた場合(伝送距離80km)との2種類が行われ、それぞれの光ファイバを用いた場合の誤り率カーブが引かれ、光の受信感度の大小で良否の判定が行われる。光ファイバ105として通常のシングルモードファイバを用いて80kmの伝送を行うと、波長分散が1600psec/nm程度あるために、チャープが大きいと光ファイバの波長分散の影響を大きく受ける。その結果、図11に示したように、伝送後の波形が鈍ってしまい、それが受信器で受けた場合の受信感度の低下として現れる。この差を伝送ペナルティと呼ぶ。
図7(a)は、図6の評価測定系システムを用いて評価された従来例における誤り率カーブ、図7(b)は、本実施形態における誤り率カーブを示す。これらの結果によれば、誤り率10−10の横軸と交わる部分の入力光強度の差である伝送ペナルティは、従来例では1.82dB、本実施形態では1.15dBであり、両者に0.67dBの差が見られた。この差は、駆動電流の立ち上がり部分の形状の差によるものであり、本実施形態のように光波形の立ち上がり部分を遅くした波形でLDを駆動することにより、緩和振動の影響を抑え、光波形の波長変動、すなわち、チャープを抑えることが可能になることがわかる。従って、光送信器の長距離伝送特性の改善につながることが確認できた。
なお、本発明は、前述した実施形態に限定されるものではない。例えば、変調電流発生回路に内蔵するトランジスタとしてバイポーラトランジスタ、特にSiGeヘテロバイポーラトランジスタを用いていたが、他の種類のバイポーラトランジスタも利用可能である。さらには、電界効果型トランジスタを用いても同様な効果を得ることが可能である。
また、変調電流発生回路を2組設けているが、必要に応じて変調電流発生回路の数を増やしても同様な効果が得られ、また、本実施形態においてパルス幅制御回路11、遅延回路13と表記された回路は、逆の機能を持ったり、パルス幅制御と遅延制御の2つの機能を同時に持つようなことも回路構成上あり得るもので、本発明の主旨を逸脱しない限りで様々な変形態様が可能である。
また、2組の変調電流発生回路が生成する変調電流の振幅、位相、又はパルス幅は、上述した実施例には限定されず、伝送速度に応じて最適な値に設定してもよい。
本発明の好適な一実施形態であるレーザダイオード駆動回路の回路ブロック図である。 図1のレーザダイオード駆動回路の要部を詳細に示す回路図である。 図1のレーザダイオード駆動回路における変調電流の電流波形を示す図であり、(a)は、一方のスイッチング回路によって設定される変調電流の電流波形を示す図、(b)は他方のスイッチング回路によって設定される変調電流の電流波形を示す図である。 図1のレーザダイオード駆動回路においてLDに印加される変調電流の電流波形を示す図である。 (a)は、従来例のレーザダイオード駆動回路によってLDを駆動した場合の光出力波形を示す図、(b)は、本実施形態のレーザダイオード駆動回路によってLDを駆動した場合の光出力波形を示す図である。 レーザダイオード駆動回路を評価するための評価測定系システムの概要を示す図である。 (a)は、図6の評価測定系システムを用いて評価された従来例における誤り率カーブを示すグラフ、(b)、図6の評価測定系システムを用いて評価された本実施形態における誤り率カーブを示すグラフである。 従来例のレーザダイオード駆動回路の構成を示す回路図である。 図8のレーザダイオード駆動回路におけるLD出力波形の一例を示す図であり、(a)は、消光比12dBの場合の出力波形を示す図、(b)は、消光比8dBの場合の出力波形を示す図である。 図8のレーザダイオード駆動回路における光出力周波数の時間変動及び光出力パワーの時間変動を示すグラフである。 図8のレーザダイオード駆動回路の光出力を長距離伝送した後の光波形を示す図であり、(a)は0km伝送した場合、(b)は100km伝送した場合、(c)は200km伝送した場合の光波形を示す図である。 (a)は、バイポーラトランジスタのベース−エミッタ間電圧とコレクタ電流との関係を示すグラフ、(b)は、FETのゲート電圧とドレイン電流との関係を示すグラフである。 図8のレーザダイオード駆動回路においてLDに印加される変調電流の電流波形を示す図である。
符号の説明
1…レーザダイオード駆動回路、2…LD、3a,3b…変調電流発生回路、4…バイアス電流発生回路(バイアス電流用電流源)、5…フォトダイオード、6…APC回路、7a,7b…差動電流回路、8a,8b…スイッチング回路、15,16,17,18…トランジスタ、19,20…変調電流用電流源。

Claims (3)

  1. レーザダイオードに駆動電流を供給するレーザダイオード駆動回路において、
    前記レーザダイオードに印加される変調電流を制御する変調電流発生回路を複数備え、
    前記変調電流発生回路のそれぞれは、前記変調電流の振幅、位相、及びパルス幅を独立に変更可能に構成されている、
    ことを特徴とするレーザダイオード駆動回路。
  2. 前記レーザダイオードに接続され、前記レーザダイオードにバイアス電流を供給するバイアス電流用電流源を更に備える、
    ことを特徴とする請求項1記載のレーザダイオード駆動回路。
  3. 前記変調電流発生回路のそれぞれは、一方の電流端子が共通に接続された一対のトランジスタより成るスイッチング回路を備え、いずれか一方のトランジスタの他方の電流端子が前記レーザダイオードに接続され、
    共通に接続された前記一方の電流端子は変調電流用電流源に接続されており、
    前記レーザダイオードからの光出力をモニタするモニタ用フォトダイオードと、
    前記モニタ用フォトダイオードから出力されるモニタ信号に基づいて、前記光出力が一定になるように前記変調電流用電流源及び前記バイアス電流用電流源によって生成される電流を制御するAPC回路と、
    を更に備えることを特徴とする請求項2記載のレーザダイオード駆動回路。
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