JPH11330878A - 光受信装置 - Google Patents
光受信装置Info
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- JPH11330878A JPH11330878A JP10126052A JP12605298A JPH11330878A JP H11330878 A JPH11330878 A JP H11330878A JP 10126052 A JP10126052 A JP 10126052A JP 12605298 A JP12605298 A JP 12605298A JP H11330878 A JPH11330878 A JP H11330878A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 ２端子型可変抵抗器を用いて、回路規模を減
少させた広ダイナミックレンジ化した光受信装置を得
る。 【解決手段】 信号振幅検出器の出力に一端が接続さ
れ、他端が光-電気変換回路の出力に接続された２端子
型可変抵抗器を備えた。
少させた広ダイナミックレンジ化した光受信装置を得
る。 【解決手段】 信号振幅検出器の出力に一端が接続さ
れ、他端が光-電気変換回路の出力に接続された２端子
型可変抵抗器を備えた。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】この発明は光信号を電気信号
に変換する光受信装置に関するものである。
に変換する光受信装置に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】図５は例えば米国特許番号4540952に示
された従来の光受信装置である。
された従来の光受信装置である。
【０００３】図５において，１は高位電源電圧、２は光
-電気変換素子、３は増幅器、４は帰還抵抗、５は反転
増幅器、６は信号出力端子、７は信号振幅検出器、８は
反転増幅器、９はダイオード、１０はコンデンサ、１１
はレベル変換器、１２は信号バイアス検出器、１３はダ
イオード、１４はコンデンサ、１５はレベルシフト、１
６はボルテージホロア、１７は３端子型可変抵抗器、１
８は基準電圧１である。
-電気変換素子、３は増幅器、４は帰還抵抗、５は反転
増幅器、６は信号出力端子、７は信号振幅検出器、８は
反転増幅器、９はダイオード、１０はコンデンサ、１１
はレベル変換器、１２は信号バイアス検出器、１３はダ
イオード、１４はコンデンサ、１５はレベルシフト、１
６はボルテージホロア、１７は３端子型可変抵抗器、１
８は基準電圧１である。
【０００４】次に図５に示す従来の光受信装置の構成に
ついて説明する。ここでは光-電気変換素子２としてフ
ォト・ダイオード（以下PDと略す）を適用し、３端子型
可変抵抗器１７としてフィールド・エフェクト・トラン
ジスタ（以下FETと略す）を適用した場合について説明
する。図５において、 PD２のカソードは高位電源電圧
１に接続され、PD２のアノードは増幅器３の入力端子
と、ＦＥＴ１７のドレインに接続されている。増幅器３
の出力は信号出力端子６であるとともに、信号振幅検出
器７の入力と信号バイアス検出器１２の入力に接続され
ている。信号振幅検出器７の出力はＦＥＴ１７のゲート
に接続され、信号バイアス検出器１２の出力はＦＥＴ１
７のソースに接続されている。
ついて説明する。ここでは光-電気変換素子２としてフ
ォト・ダイオード（以下PDと略す）を適用し、３端子型
可変抵抗器１７としてフィールド・エフェクト・トラン
ジスタ（以下FETと略す）を適用した場合について説明
する。図５において、 PD２のカソードは高位電源電圧
１に接続され、PD２のアノードは増幅器３の入力端子
と、ＦＥＴ１７のドレインに接続されている。増幅器３
の出力は信号出力端子６であるとともに、信号振幅検出
器７の入力と信号バイアス検出器１２の入力に接続され
ている。信号振幅検出器７の出力はＦＥＴ１７のゲート
に接続され、信号バイアス検出器１２の出力はＦＥＴ１
７のソースに接続されている。
【０００５】増幅器３は帰還抵抗４の両端がそれぞれ反
転増幅器５の入出力端子に接続され、並列帰還反転増幅
回路を構成しているとして説明する。信号振幅検出器７
は、反転増幅器８の入力が増幅器３の出力に接続され、
反転増幅器８の出力がダイオード９のアノードに接続さ
れ、ダイオード９のカソードがコンデンサ１０の一端と
レベル変換器１１の正相入力端子に接続され、レベル変
換器１１の出力が ＦＥＴ１７のゲートに接続され、コ
ンデンサ１０の他端が接地され、レベル変換器１１の逆
相入力端子が基準電圧１８に接続されているとして説明
する。信号バイアス検出器１２は、ダイオード１３のア
ノードが増幅器３の出力に接続され、ダイオード１３の
カソードがコンデンサ１４の一端とレベルシフト１５の
入力に接続され、レベルシフト１５の出力がボルテージ
ホロア１６の入力に接続され、ボルテージホロア１６の
出力が ＦＥＴ１７のソースに接続され、コンデンサ１
４の他端が接地されているとして説明する。
転増幅器５の入出力端子に接続され、並列帰還反転増幅
回路を構成しているとして説明する。信号振幅検出器７
は、反転増幅器８の入力が増幅器３の出力に接続され、
反転増幅器８の出力がダイオード９のアノードに接続さ
れ、ダイオード９のカソードがコンデンサ１０の一端と
レベル変換器１１の正相入力端子に接続され、レベル変
換器１１の出力が ＦＥＴ１７のゲートに接続され、コ
ンデンサ１０の他端が接地され、レベル変換器１１の逆
相入力端子が基準電圧１８に接続されているとして説明
する。信号バイアス検出器１２は、ダイオード１３のア
ノードが増幅器３の出力に接続され、ダイオード１３の
カソードがコンデンサ１４の一端とレベルシフト１５の
入力に接続され、レベルシフト１５の出力がボルテージ
ホロア１６の入力に接続され、ボルテージホロア１６の
出力が ＦＥＴ１７のソースに接続され、コンデンサ１
４の他端が接地されているとして説明する。
【０００６】次に図５に示す従来の光受信装置の動作に
ついて説明する。PD２に光信号が入力されていない初期
状態では、ＦＥＴ１７は非導通状態であるとして説明す
る。PD２に入力された光信号は電流信号に変換されて、
増幅器３に入力される。光信号電力をＰ( t ) 、PD２の
感度をＳとすると、PD２の出力電流は I ( t ) は次式
で表される。 I ( t ) = Ｓx Ｐ( t ) （１）
ついて説明する。PD２に光信号が入力されていない初期
状態では、ＦＥＴ１７は非導通状態であるとして説明す
る。PD２に入力された光信号は電流信号に変換されて、
増幅器３に入力される。光信号電力をＰ( t ) 、PD２の
感度をＳとすると、PD２の出力電流は I ( t ) は次式
で表される。 I ( t ) = Ｓx Ｐ( t ) （１）
【０００７】増幅器３は帰還抵抗４と反転増幅器５とに
より並列帰還反転増幅回路を構成している。帰還抵抗４
の抵抗値を Ｒf 、光信号が未入力時の反転増幅器５の
出力バイアスをＶobias とすると、ＦＥＴ１７が非導通
状態である場合の増幅器３の出力電圧 Ｖo ( t ) は次
式で表される。 Ｖo ( t ) =Ｖobias -Ｒf x I ( t ) =Ｖobias - Ｒf x Ｓx Ｐ( t ) （２）
より並列帰還反転増幅回路を構成している。帰還抵抗４
の抵抗値を Ｒf 、光信号が未入力時の反転増幅器５の
出力バイアスをＶobias とすると、ＦＥＴ１７が非導通
状態である場合の増幅器３の出力電圧 Ｖo ( t ) は次
式で表される。 Ｖo ( t ) =Ｖobias -Ｒf x I ( t ) =Ｖobias - Ｒf x Ｓx Ｐ( t ) （２）
【０００８】式（２）は、光信号 Ｐ( t ) の極性と増
幅器３の出力Ｖo ( t ) の極性は反転されていることを
表している。また式（２）は、光信号 Ｐ( t ) の振幅
が大きくなればなるほど増幅器３の出力 Ｖo ( t ) が
バイアス電圧 Ｖobias から低位電圧側に変化すること
を表している。しかし実際の増幅器３では、ある定まっ
た出力電圧範囲を越えると内部回路が飽和し、出力波形
が歪む。この歪みは信号出力端子６の後段に接続される
識別器を誤動作させるため、識別器が正常に動作できる
光信号 Ｐ( t ) の最大振幅が、増幅器３の出力電圧範
囲で規定される。
幅器３の出力Ｖo ( t ) の極性は反転されていることを
表している。また式（２）は、光信号 Ｐ( t ) の振幅
が大きくなればなるほど増幅器３の出力 Ｖo ( t ) が
バイアス電圧 Ｖobias から低位電圧側に変化すること
を表している。しかし実際の増幅器３では、ある定まっ
た出力電圧範囲を越えると内部回路が飽和し、出力波形
が歪む。この歪みは信号出力端子６の後段に接続される
識別器を誤動作させるため、識別器が正常に動作できる
光信号 Ｐ( t ) の最大振幅が、増幅器３の出力電圧範
囲で規定される。
【０００９】信号振幅検出器７、信号バイアス検出器１
２、ＦＥＴ１７は、信号出力端子６の後段に接続される
識別器が正常に動作できる光信号 Ｐ( t ) の最大振幅
を拡大する目的で付加されたものである。信号振幅検出
器７は、光信号 Ｐ( t ) の信号振幅を検出して、ＦＥ
Ｔ１７のゲート電圧を供給するために構成されている。
増幅器３の出力は反転増幅器８により極性が反転され、
光信号 Ｐ( t ) と反転増幅器８の出力は同極性とな
る。光信号が未入力時の反転増幅器８の出力バイアスを
Ｖ8bias (Ｖobias )、反転増幅器８の利得を Ａ8 とす
ると、反転増幅器８の出力 Ｖ8o ( t ) は次式で表され
る。 Ｖ8o ( t ) = Ｖ8bias ( Ｖobias ) + Ａ8 ( Ｒf xＳx Ｐ( t ) ) （３ ）
２、ＦＥＴ１７は、信号出力端子６の後段に接続される
識別器が正常に動作できる光信号 Ｐ( t ) の最大振幅
を拡大する目的で付加されたものである。信号振幅検出
器７は、光信号 Ｐ( t ) の信号振幅を検出して、ＦＥ
Ｔ１７のゲート電圧を供給するために構成されている。
増幅器３の出力は反転増幅器８により極性が反転され、
光信号 Ｐ( t ) と反転増幅器８の出力は同極性とな
る。光信号が未入力時の反転増幅器８の出力バイアスを
Ｖ8bias (Ｖobias )、反転増幅器８の利得を Ａ8 とす
ると、反転増幅器８の出力 Ｖ8o ( t ) は次式で表され
る。 Ｖ8o ( t ) = Ｖ8bias ( Ｖobias ) + Ａ8 ( Ｒf xＳx Ｐ( t ) ) （３ ）
【００１０】反転増幅器８の出力はダイオード９とコン
デンサ１０でピーク検波される。ダイオード９は理想ダ
イオード特性を有するとし、光信号 Ｐ( t ) のピーク
値をＰpeak とすると、ダイオード９の出力電圧 Ｖ9 は
次式で表される。 Ｖ9 = Ｖ8bias ( Ｖobias ) + Ａ8 ( Ｒf x Ｓ x Ｐpeak ) （ ４）
デンサ１０でピーク検波される。ダイオード９は理想ダ
イオード特性を有するとし、光信号 Ｐ( t ) のピーク
値をＰpeak とすると、ダイオード９の出力電圧 Ｖ9 は
次式で表される。 Ｖ9 = Ｖ8bias ( Ｖobias ) + Ａ8 ( Ｒf x Ｓ x Ｐpeak ) （ ４）
【００１１】ダイオード９の出力電圧 Ｖ9 はレベル変
換器１１の正相入力端子に接続され、基準電圧１８と比
較されて電圧レベルが変換される。光信号が未入力時の
レベル変換器１１の出力バイアスをＶ11bias ( Ｖobias
)、レベル変換器１１の利得を１とすると、レベル変換
器１１の出力 Ｖ11 は次式で表される。 Ｖ11 = Ｖ11bias ( Ｖobias )+ Ａ8 ( Ｒf x Ｓ x Ｐpeak ) （５ ） 式（５）よりレベル変換器１１の出力 Ｖ11 は、光信号
が未入力時のレベル変換器１１の出力バイアスに対し
て、光信号 Ｐ( t ) のピーク値に比例した電圧だけ電
位が高位電圧側に変動することが判る。
換器１１の正相入力端子に接続され、基準電圧１８と比
較されて電圧レベルが変換される。光信号が未入力時の
レベル変換器１１の出力バイアスをＶ11bias ( Ｖobias
)、レベル変換器１１の利得を１とすると、レベル変換
器１１の出力 Ｖ11 は次式で表される。 Ｖ11 = Ｖ11bias ( Ｖobias )+ Ａ8 ( Ｒf x Ｓ x Ｐpeak ) （５ ） 式（５）よりレベル変換器１１の出力 Ｖ11 は、光信号
が未入力時のレベル変換器１１の出力バイアスに対し
て、光信号 Ｐ( t ) のピーク値に比例した電圧だけ電
位が高位電圧側に変動することが判る。
【００１２】信号バイアス検出器１２は、光信号が未入
力時の増幅器３の出力バイアスを検出して、ＦＥＴ１７
のソース電圧を供給するために構成されている。前述し
た様に、光信号の極性と増幅器３の出力の極性は反転さ
れており、増幅器３の出力は光信号が未入力時のバイア
ス電圧 から、光信号振幅に比例して低位電圧側に変化
する。即ち増幅器３の出力のピーク検波値は、光信号が
未入力時の増幅器３の出力バイアスと等しい。増幅器３
の出力はダイオード１３とコンデンサ１４でピーク検波
される。ダイオード１３は理想ダイオード特性を有する
とすると、ダイオード１３の出力電圧Ｖ13 は式（２）
から次式で表される。
力時の増幅器３の出力バイアスを検出して、ＦＥＴ１７
のソース電圧を供給するために構成されている。前述し
た様に、光信号の極性と増幅器３の出力の極性は反転さ
れており、増幅器３の出力は光信号が未入力時のバイア
ス電圧 から、光信号振幅に比例して低位電圧側に変化
する。即ち増幅器３の出力のピーク検波値は、光信号が
未入力時の増幅器３の出力バイアスと等しい。増幅器３
の出力はダイオード１３とコンデンサ１４でピーク検波
される。ダイオード１３は理想ダイオード特性を有する
とすると、ダイオード１３の出力電圧Ｖ13 は式（２）
から次式で表される。
【００１３】 Ｖ13 = Ｖobias （６） またレベルシフト１５のシフト量をΔＶ15 とすれば、
レベルシフト１５の出力 Ｖ15 およびボルテージホロア
１６の出力 Ｖ16 は次式で表される。 Ｖ15 = Ｖ16 = Ｖobias + ΔＶ15 （７） 式（７）よりボルテージホロア１６の出力 Ｖ16 は、入
力される光信号振幅に関わらず、光信号が未入力時の増
幅器３の出力バイアスから一定電圧レベルシフトした電
圧を出力することが判る。
レベルシフト１５の出力 Ｖ15 およびボルテージホロア
１６の出力 Ｖ16 は次式で表される。 Ｖ15 = Ｖ16 = Ｖobias + ΔＶ15 （７） 式（７）よりボルテージホロア１６の出力 Ｖ16 は、入
力される光信号振幅に関わらず、光信号が未入力時の増
幅器３の出力バイアスから一定電圧レベルシフトした電
圧を出力することが判る。
【００１４】レベル変換器１１の出力は ＦＥＴ１７の
ゲートに接続され、ボルテージホロア１６の出力は Ｆ
ＥＴ１７のソースに接続されている。従ってＦＥＴ１７
のゲート・ソース間電圧 Ｖgs は式（５）と式（７）か
ら次式で表される。 Ｖgs = Ｖ11 - Ｖ16 = Ａ8 ( Ｒf x Ｓ x Ｐpeak ) + Ｖ11bias ( Ｖobias ) - ( Ｖobias + Δ V15 ) = Ａ8 x Ｐpeak + Ｖgs ( Ｖobias ) （８） 式（８）よりＦＥＴ１７のゲート・ソース間電圧 Ｖgs
は、光信号が未入力時のゲート・ソース間電圧 Ｖgs (
Ｖobias ) に対して、光信号 Ｐ( t ) のピーク値に比
例した電圧だけ増加することが判る。光信号が未入力時
のゲート・ソース間電圧 Ｖgs ( Ｖobias ) は、基準電
圧１８の電圧値とレベルシフト１５のシフト量で設定さ
れる。
ゲートに接続され、ボルテージホロア１６の出力は Ｆ
ＥＴ１７のソースに接続されている。従ってＦＥＴ１７
のゲート・ソース間電圧 Ｖgs は式（５）と式（７）か
ら次式で表される。 Ｖgs = Ｖ11 - Ｖ16 = Ａ8 ( Ｒf x Ｓ x Ｐpeak ) + Ｖ11bias ( Ｖobias ) - ( Ｖobias + Δ V15 ) = Ａ8 x Ｐpeak + Ｖgs ( Ｖobias ) （８） 式（８）よりＦＥＴ１７のゲート・ソース間電圧 Ｖgs
は、光信号が未入力時のゲート・ソース間電圧 Ｖgs (
Ｖobias ) に対して、光信号 Ｐ( t ) のピーク値に比
例した電圧だけ増加することが判る。光信号が未入力時
のゲート・ソース間電圧 Ｖgs ( Ｖobias ) は、基準電
圧１８の電圧値とレベルシフト１５のシフト量で設定さ
れる。
【００１５】図６に、式（８）で表されるＦＥＴ１７の
ゲート・ソース間電圧を示す。また図７にＦＥＴ１７の
ドレイン・ソース間電圧 対 ドレイン電流 特性の一例
を示す。ここで光信号振幅が０から予め設定されたレベ
ル Ｐon までは、ＦＥＴ１７がカットオフするように基
準電圧１８の電圧値 とレベルシフト１５のシフト量を
設定する。即ちこの光信号振幅範囲では、PD２が出力す
る信号電流はすべて増幅器３に流れ、信号振幅検出器
７、信号バイアス検出器１２、ＦＥＴ１７がない場合と
同様の動作をする。
ゲート・ソース間電圧を示す。また図７にＦＥＴ１７の
ドレイン・ソース間電圧 対 ドレイン電流 特性の一例
を示す。ここで光信号振幅が０から予め設定されたレベ
ル Ｐon までは、ＦＥＴ１７がカットオフするように基
準電圧１８の電圧値 とレベルシフト１５のシフト量を
設定する。即ちこの光信号振幅範囲では、PD２が出力す
る信号電流はすべて増幅器３に流れ、信号振幅検出器
７、信号バイアス検出器１２、ＦＥＴ１７がない場合と
同様の動作をする。
【００１６】光信号振幅が増加すると、ＦＥＴ１７のゲ
ート・ソース間電圧が光信号振幅に比例して増加して、
予め設定された光信号振幅 Ｐon 以上ではＦＥＴ１７が
導通状態となる。ここで ＦＥＴ１７のドレイン・ソー
ス間電圧は、ＦＥＴ１７が飽和領域で導通状態となる様
に、レベルシフト１５のシフト量により設定される。Ｆ
ＥＴ１７が飽和領域で導通状態となると、PD２のアノー
ドからＦＥＴ１７のドレインを見たインピーダンスは、
ＦＥＴ１７のゲート・ソース間電圧に反比例して減少す
る。この時 PD２が出力する信号電流は、増幅器３とＦ
ＥＴ１７のインピーダンス比に従って分流され、PD２か
ら ＦＥＴ１７に流れる信号電流量が増加する。したが
って信号振幅検出器７、信号バイアス検出器１２、ＦＥ
Ｔ１７がない場合に増幅器３の内部回路が飽和しはじめ
る光信号 の最大入力振幅においても、信号振幅検出器
７、信号バイアス検出器１２、ＦＥＴ１７を追加した従
来の光受信装置では増幅器３に流れる信号電流量が減少
しているため、光信号の最大入力振幅を更に拡大するこ
とができる。
ート・ソース間電圧が光信号振幅に比例して増加して、
予め設定された光信号振幅 Ｐon 以上ではＦＥＴ１７が
導通状態となる。ここで ＦＥＴ１７のドレイン・ソー
ス間電圧は、ＦＥＴ１７が飽和領域で導通状態となる様
に、レベルシフト１５のシフト量により設定される。Ｆ
ＥＴ１７が飽和領域で導通状態となると、PD２のアノー
ドからＦＥＴ１７のドレインを見たインピーダンスは、
ＦＥＴ１７のゲート・ソース間電圧に反比例して減少す
る。この時 PD２が出力する信号電流は、増幅器３とＦ
ＥＴ１７のインピーダンス比に従って分流され、PD２か
ら ＦＥＴ１７に流れる信号電流量が増加する。したが
って信号振幅検出器７、信号バイアス検出器１２、ＦＥ
Ｔ１７がない場合に増幅器３の内部回路が飽和しはじめ
る光信号 の最大入力振幅においても、信号振幅検出器
７、信号バイアス検出器１２、ＦＥＴ１７を追加した従
来の光受信装置では増幅器３に流れる信号電流量が減少
しているため、光信号の最大入力振幅を更に拡大するこ
とができる。
【００１７】ここで仮にＦＥＴ１７が能動領域で導通状
態となると、 ＦＥＴ１７のゲート・ソース間電圧が変
化しても、ＦＥＴ１７のドレインを見たインピーダンス
は高インピーダンス領域で大きく変化しない。この場合
ＦＥＴ１７のドレインにはゲート・ソース間電圧で定
まる量の直流電流のみが流れ、PD２が出力する信号電流
は増幅器３に入力される。 従って従来の光受信装置が
目的とする光信号 の最大振幅を拡大するには、ＦＥＴ
１７が飽和領域で導通状態となる必要がある。
態となると、 ＦＥＴ１７のゲート・ソース間電圧が変
化しても、ＦＥＴ１７のドレインを見たインピーダンス
は高インピーダンス領域で大きく変化しない。この場合
ＦＥＴ１７のドレインにはゲート・ソース間電圧で定
まる量の直流電流のみが流れ、PD２が出力する信号電流
は増幅器３に入力される。 従って従来の光受信装置が
目的とする光信号 の最大振幅を拡大するには、ＦＥＴ
１７が飽和領域で導通状態となる必要がある。
【００１８】
【発明が解決しようとする課題】図５に示す従来の光受
信装置では、３端子型可変抵抗器としてＦＥＴ１７を用
いているので、ＦＥＴ１７のソース電圧を供給する信号
バイアス検出器１２が必要であり、回路規模が大きくな
る問題点がある。
信装置では、３端子型可変抵抗器としてＦＥＴ１７を用
いているので、ＦＥＴ１７のソース電圧を供給する信号
バイアス検出器１２が必要であり、回路規模が大きくな
る問題点がある。
【００１９】この発明は上記のような問題点を解決する
ためになされたもので、２端子型可変抵抗器を用いて、
回路規模を減少させるすることを目的とする。
ためになされたもので、２端子型可変抵抗器を用いて、
回路規模を減少させるすることを目的とする。
【００２０】
【課題を解決するための手段】第１の発明に係わる光受
信装置は、光信号を電気信号に変換する光-電気変換器
と、光-電気変換器が変換した電気信号を増幅する増幅
器とを有する光受信装置において、上記増幅器が増幅し
た電気信号の振幅を検出する信号振幅検出器と、一端が
該信号振幅検出器の出力に接続され、他端が上記光-電
気変換器の出力に接続された２端子型可変抵抗器を有
し、この２端子型可変抵抗器は端子間電圧によりインピ
ーダンスが変化するものである。
信装置は、光信号を電気信号に変換する光-電気変換器
と、光-電気変換器が変換した電気信号を増幅する増幅
器とを有する光受信装置において、上記増幅器が増幅し
た電気信号の振幅を検出する信号振幅検出器と、一端が
該信号振幅検出器の出力に接続され、他端が上記光-電
気変換器の出力に接続された２端子型可変抵抗器を有
し、この２端子型可変抵抗器は端子間電圧によりインピ
ーダンスが変化するものである。
【００２１】第２の発明に係わる光受信装置の２端子型
可変抵抗器は、上記信号振幅検出器の出力にカソードが
接続され、上記光-電気変換器の出力にアノードが接続
されたダイオードを有するものである。
可変抵抗器は、上記信号振幅検出器の出力にカソードが
接続され、上記光-電気変換器の出力にアノードが接続
されたダイオードを有するものである。
【００２２】第３の発明に係わる光受信装置の上記２端
子型可変抵抗器は、上記信号振幅検出器の出力によって
電流値が制御される電流源と、該電流源の出力に一端が
接続され、他端が上記光-電気変換器の出力に接続され
た電流制御型可変抵抗器とを有するものである。
子型可変抵抗器は、上記信号振幅検出器の出力によって
電流値が制御される電流源と、該電流源の出力に一端が
接続され、他端が上記光-電気変換器の出力に接続され
た電流制御型可変抵抗器とを有するものである。
【００２３】第４の発明に係わる光受信装置の電流制御
型可変抵抗器は、上記電流源の出力にカソードが接続さ
れ、上記光-電気変換器の出力にアノードが接続された
ダイオードと、該ダイオードのカソードに一端が接続さ
れ、他端が交流接地されたコンデンサを有するものであ
る。
型可変抵抗器は、上記電流源の出力にカソードが接続さ
れ、上記光-電気変換器の出力にアノードが接続された
ダイオードと、該ダイオードのカソードに一端が接続さ
れ、他端が交流接地されたコンデンサを有するものであ
る。
【００２４】
【発明の実施の形態】実施の形態１.図１は本実施の形
態を示す光受信装置の構成図である。図において、２０
は２端子型可変抵抗器である。また従来の光受信装置に
較べて信号バイアス検出器１２が削除されている。その
他は従来の光受信装置と同様である。ただしレベル変換
器１１の逆相入力端子とダイオード９のカソードが接続
されレベル変換器１１の正相入力端子に基準電圧１８が
入力されている。
態を示す光受信装置の構成図である。図において、２０
は２端子型可変抵抗器である。また従来の光受信装置に
較べて信号バイアス検出器１２が削除されている。その
他は従来の光受信装置と同様である。ただしレベル変換
器１１の逆相入力端子とダイオード９のカソードが接続
されレベル変換器１１の正相入力端子に基準電圧１８が
入力されている。
【００２５】次に図１に示す光受信装置の動作について
説明する。ここで２端子型可変抵抗器２０は、端子間電
圧によりインピーダンスが変化する抵抗器であり、端子
間電圧が増大すると低インピーダンス側に変化するとし
て説明する。またPD２に光信号が入力されていない初期
状態では、２端子型可変抵抗器２０は高インピーダンス
であるとして説明する。
説明する。ここで２端子型可変抵抗器２０は、端子間電
圧によりインピーダンスが変化する抵抗器であり、端子
間電圧が増大すると低インピーダンス側に変化するとし
て説明する。またPD２に光信号が入力されていない初期
状態では、２端子型可変抵抗器２０は高インピーダンス
であるとして説明する。
【００２６】２端子型可変抵抗器２０が高インピーダン
スである場合の増幅器３の出力電圧Ｖo ( t ) は、従来
の光受信装置と同様であり、光信号電力を Ｐ( t ) 、
光-電気変換素子２の感度を Ｓ、光-電気変換素子２の
出力電流を I ( t )、帰還抵抗４の抵抗値を Ｒf 、光
信号が未入力時の反転増幅器５の出力バイアスを Ｖobi
as とすると、次式で表される。 Ｖo ( t ) = Ｖobias - Ｒf x I ( t ) = Ｖobias - Ｒf x Ｓ x Ｐ ( t ) （９） 式（９）は、光信号 Ｐ( t ) の極性と増幅器３の出力
Ｖo ( t ) の極性は反転されていることを表している。
また式（９）は、光信号 Ｐ( t ) の振幅が大きくなれ
ばなるほど増幅器３の出力 Ｖo ( t ) がバイアス電圧
Ｖobias から低位電圧側に変化することを表している。
しかし実際の増幅器３では、ある定まった出力電圧範囲
を越えると内部回路が飽和し、出力波形が歪む。この歪
みは信号出力端子６の後段に接続される識別器を誤動作
させるため、識別器が正常に動作できる光信号 Ｐ( t )
の最大振幅が、増幅器３の出力電圧範囲で規定され
る。
スである場合の増幅器３の出力電圧Ｖo ( t ) は、従来
の光受信装置と同様であり、光信号電力を Ｐ( t ) 、
光-電気変換素子２の感度を Ｓ、光-電気変換素子２の
出力電流を I ( t )、帰還抵抗４の抵抗値を Ｒf 、光
信号が未入力時の反転増幅器５の出力バイアスを Ｖobi
as とすると、次式で表される。 Ｖo ( t ) = Ｖobias - Ｒf x I ( t ) = Ｖobias - Ｒf x Ｓ x Ｐ ( t ) （９） 式（９）は、光信号 Ｐ( t ) の極性と増幅器３の出力
Ｖo ( t ) の極性は反転されていることを表している。
また式（９）は、光信号 Ｐ( t ) の振幅が大きくなれ
ばなるほど増幅器３の出力 Ｖo ( t ) がバイアス電圧
Ｖobias から低位電圧側に変化することを表している。
しかし実際の増幅器３では、ある定まった出力電圧範囲
を越えると内部回路が飽和し、出力波形が歪む。この歪
みは信号出力端子６の後段に接続される識別器を誤動作
させるため、識別器が正常に動作できる光信号 Ｐ( t )
の最大振幅が、増幅器３の出力電圧範囲で規定され
る。
【００２７】信号振幅検出器７は従来の光受信装置に較
べて、レベル変換器１１の極性が反転されていることが
異なる。即ち光信号が未入力時のレベル変換器１１の出
力バイアスをＶ11bias ( Ｖobias )、反転増幅器８の利
得を Ａ8 、帰還抵抗値を Ｒf、光-電気変換素子２の感
度を Ｓ、光信号 Ｐ( t ) のピーク値を Ｐpeakとする
と、レベル変換器１１の出力 Ｖ11 は次式で表される。 Ｖ11 = Ｖ11bias ( Ｖobias ) - Ａ8 ( Ｒf x Ｓ x Ｐpeak ) （１ ０）
べて、レベル変換器１１の極性が反転されていることが
異なる。即ち光信号が未入力時のレベル変換器１１の出
力バイアスをＶ11bias ( Ｖobias )、反転増幅器８の利
得を Ａ8 、帰還抵抗値を Ｒf、光-電気変換素子２の感
度を Ｓ、光信号 Ｐ( t ) のピーク値を Ｐpeakとする
と、レベル変換器１１の出力 Ｖ11 は次式で表される。 Ｖ11 = Ｖ11bias ( Ｖobias ) - Ａ8 ( Ｒf x Ｓ x Ｐpeak ) （１ ０）
【００２８】式（１０）は、光信号 Ｐ( t ) のピーク
値 Ｐpeak が増大すると、レベル変換器１１の出力 Ｖ1
1 が低位電圧側に変化することを表している。レベル変
換器１１の出力 Ｖ11 が低位電圧側に変化すると、２端
子型可変抵抗器２０端子間電圧が増大する。この時２端
子型可変抵抗器２０が低インピーダンス側に変化し、光
-電気変換素子２が出力する信号電流の一部が ＦＥＴ１
７に流れる。即ち信号振幅検出器７、２端子型可変抵抗
器２０がない場合に増幅器３の内部回路が飽和しはじめ
る光信号の最大入力振幅においても、信号振幅検出器
７、２端子型可変抵抗器２０を追加した本光受信装置で
は増幅器３に流れる信号電流量が減少する。したがっ
て、増幅器３の内部回路が飽和しはじめる光信号の最大
入力振幅を拡大することができる。
値 Ｐpeak が増大すると、レベル変換器１１の出力 Ｖ1
1 が低位電圧側に変化することを表している。レベル変
換器１１の出力 Ｖ11 が低位電圧側に変化すると、２端
子型可変抵抗器２０端子間電圧が増大する。この時２端
子型可変抵抗器２０が低インピーダンス側に変化し、光
-電気変換素子２が出力する信号電流の一部が ＦＥＴ１
７に流れる。即ち信号振幅検出器７、２端子型可変抵抗
器２０がない場合に増幅器３の内部回路が飽和しはじめ
る光信号の最大入力振幅においても、信号振幅検出器
７、２端子型可変抵抗器２０を追加した本光受信装置で
は増幅器３に流れる信号電流量が減少する。したがっ
て、増幅器３の内部回路が飽和しはじめる光信号の最大
入力振幅を拡大することができる。
【００２９】実施の形態２.図２は本実施の形態を示す
光受信装置の構成図である。図において、２１はダイオ
ードである。本光受信装置は、図１に示す実施の形態１
の２端子型可変抵抗器２０の具体的な実施の形態とし
て、ダイオード２１のアノードを光-電気変換素子２の
出力に接続し、カソードを信号振幅検出器７の出力に接
続した構成である。
光受信装置の構成図である。図において、２１はダイオ
ードである。本光受信装置は、図１に示す実施の形態１
の２端子型可変抵抗器２０の具体的な実施の形態とし
て、ダイオード２１のアノードを光-電気変換素子２の
出力に接続し、カソードを信号振幅検出器７の出力に接
続した構成である。
【００３０】次に図２を用いて光受信装置の動作を説明
する。一般にダイオードの順方向静特性は、順方向電圧
を Ｖd、順方向電流を Id、逆方向リーク電流を Is、電
荷を e、ボルツマン定数を k、絶対温度を T として、
次式で表される。 Id = Is ( exp ( e x Ｖd / ( k x T ) ) - 1 ) （１１） また図３に、シリコンダイオードの順方向静特性の具体
的な一例を示す。この順方向静特性では、例えば順方向
電圧が０.７５Vで抵抗値２０Ωであり、順方向電圧が
０.６Vで抵抗値５００Ω、順方向電圧が０.５V以下で抵
抗値が無限大となっている。
する。一般にダイオードの順方向静特性は、順方向電圧
を Ｖd、順方向電流を Id、逆方向リーク電流を Is、電
荷を e、ボルツマン定数を k、絶対温度を T として、
次式で表される。 Id = Is ( exp ( e x Ｖd / ( k x T ) ) - 1 ) （１１） また図３に、シリコンダイオードの順方向静特性の具体
的な一例を示す。この順方向静特性では、例えば順方向
電圧が０.７５Vで抵抗値２０Ωであり、順方向電圧が
０.６Vで抵抗値５００Ω、順方向電圧が０.５V以下で抵
抗値が無限大となっている。
【００３１】実施の形態１で説明したように、光信号
Ｐ( t ) のピーク値 Ｐpeak が増大すると、レベル変換
器１１の出力 Ｖ11 が低位電圧側に変化して、ダイオー
ド２１の順方向電圧が大きくなる。この時ダイオード２
１が低インピーダンス側に変化し、光-電気変換素子２
が出力する信号電流の一部が ＦＥＴ１７に流れる。即
ち信号振幅検出器７、ダイオード２１がない場合に増幅
器３の内部回路が飽和しはじめる光信号の最大入力振幅
においても、信号振幅検出器７、ダイオード２１を追加
した本光受信装置では増幅器３に流れる信号電流量が減
少する。したがって、増幅器３の内部回路が飽和しはじ
める光信号 の最大入力振幅を拡大することができる。
Ｐ( t ) のピーク値 Ｐpeak が増大すると、レベル変換
器１１の出力 Ｖ11 が低位電圧側に変化して、ダイオー
ド２１の順方向電圧が大きくなる。この時ダイオード２
１が低インピーダンス側に変化し、光-電気変換素子２
が出力する信号電流の一部が ＦＥＴ１７に流れる。即
ち信号振幅検出器７、ダイオード２１がない場合に増幅
器３の内部回路が飽和しはじめる光信号の最大入力振幅
においても、信号振幅検出器７、ダイオード２１を追加
した本光受信装置では増幅器３に流れる信号電流量が減
少する。したがって、増幅器３の内部回路が飽和しはじ
める光信号 の最大入力振幅を拡大することができる。
【００３２】実施の形態３.図４は本実施の形態を示す
光受信装置の構成図である。図において、２２は電流
源、２３は抵抗、２４および２５はトランジスタ、２６
は電流制御型可変抵抗器、２７はダイオード、２８はコ
ンデンサである。その他は従来の光受信装置と同様であ
る。ここで抵抗２３の一端は信号振幅検出器７の出力に
接続され、抵抗２３の他端はトランジスタ２４のコレク
タ、ベースおよびトランジスタ２５のベースに接続され
ている。トランジスタ２５のコレクタはコンデンサ２８
の一端とダイオード２７のカソードに接続され、ダイオ
ード２７のアノードは光-電気変換素子２の出力に接続
されている。またトランジスタ２４、２５のエミッタお
よびコンデンサ２８の他端は接地されている。
光受信装置の構成図である。図において、２２は電流
源、２３は抵抗、２４および２５はトランジスタ、２６
は電流制御型可変抵抗器、２７はダイオード、２８はコ
ンデンサである。その他は従来の光受信装置と同様であ
る。ここで抵抗２３の一端は信号振幅検出器７の出力に
接続され、抵抗２３の他端はトランジスタ２４のコレク
タ、ベースおよびトランジスタ２５のベースに接続され
ている。トランジスタ２５のコレクタはコンデンサ２８
の一端とダイオード２７のカソードに接続され、ダイオ
ード２７のアノードは光-電気変換素子２の出力に接続
されている。またトランジスタ２４、２５のエミッタお
よびコンデンサ２８の他端は接地されている。
【００３３】次に図４により光受信装置の動作について
説明する。なお、電流源２２は抵抗２３、トランジスタ
２４、２５から構成されるとし、電流制御型可変抵抗器
２６はダイオード２７とコンデンサ２８から構成される
として説明する。
説明する。なお、電流源２２は抵抗２３、トランジスタ
２４、２５から構成されるとし、電流制御型可変抵抗器
２６はダイオード２７とコンデンサ２８から構成される
として説明する。
【００３４】増幅器３および信号振幅検出器７の動作は
従来の光受信装置と同様であり、光信号が未入力時のレ
ベル変換器１１の出力バイアスをＶ11bias ( Ｖobias
)、反転増幅器８の利得を Ａ8 、帰還抵抗器４の値を
Ｒf、PD２の感度を Ｓ、光信号Ｐ( t ) のピーク値を
Ｐpeakとすると、レベル変換器１１の出力 Ｖ11 は次式
で表される。 Ｖ11 = Ｖ11bias ( Ｖobias ) + Ａ8 ( Ｒf x Ｓ x Ｐpeak ) （１ ２） 式（１２）は、光信号 Ｐ( t ) のピーク値 Ｐpeak が
増大すると、レベル変換器１１の出力 Ｖ11 が高位電圧
側に変化することを表している。
従来の光受信装置と同様であり、光信号が未入力時のレ
ベル変換器１１の出力バイアスをＶ11bias ( Ｖobias
)、反転増幅器８の利得を Ａ8 、帰還抵抗器４の値を
Ｒf、PD２の感度を Ｓ、光信号Ｐ( t ) のピーク値を
Ｐpeakとすると、レベル変換器１１の出力 Ｖ11 は次式
で表される。 Ｖ11 = Ｖ11bias ( Ｖobias ) + Ａ8 ( Ｒf x Ｓ x Ｐpeak ) （１ ２） 式（１２）は、光信号 Ｐ( t ) のピーク値 Ｐpeak が
増大すると、レベル変換器１１の出力 Ｖ11 が高位電圧
側に変化することを表している。
【００３５】電流源２２の出力電流 Ｉ1は、抵抗２３の
抵抗値を Ｒ1、トランジスタ２４のベース・エミッタ間
電圧を Ｖbe とすると、次式で表される。 Ｉ1 = ( Ｖ11 - Ｖbe ) / Ｒ1 （１３ ） 従って、光信号 Ｐ( t ) の信号振幅が増大すれば、レ
ベル変換器１１の出力Ｖ11 が高位電圧側に変化し、電
流源２２の出力電流 Ｉ1が増加する。
抵抗値を Ｒ1、トランジスタ２４のベース・エミッタ間
電圧を Ｖbe とすると、次式で表される。 Ｉ1 = ( Ｖ11 - Ｖbe ) / Ｒ1 （１３ ） 従って、光信号 Ｐ( t ) の信号振幅が増大すれば、レ
ベル変換器１１の出力Ｖ11 が高位電圧側に変化し、電
流源２２の出力電流 Ｉ1が増加する。
【００３６】一般に電流源の出力インピーダンスは高
く、電流源２２の出力を直接光-電気変換素子２の出力
に接続しても、高周波電流信号は電流源２２へは流れな
い。電流制御型可変抵抗器２６は電流源２２の出力イン
ピーダンスを低減するために設けられており、ダイオー
ド２７およびコンデンサ２８とで構成されている。ダイ
オード２７は電流源２２の出力電流に対して順方向に接
続されている。図３に示した様に、ダイオード２７の抵
抗値は順方向電流が増加すると、低インピーダンス側に
変化する。この時光-電気変換素子２が出力する信号電
流の一部がダイオード２７、コンデンサ２８を介して流
れる。即ち信号振幅検出器７、電流源２２、電流制御型
可変抵抗器２６がない場合に増幅器３の内部回路が飽和
しはじめる光信号の最大入力振幅においても、信号振幅
検出器７、電流源２２、電流制御型可変抵抗器２６を追
加した本光受信装置では増幅器３に流れる信号電流量が
減少する。
く、電流源２２の出力を直接光-電気変換素子２の出力
に接続しても、高周波電流信号は電流源２２へは流れな
い。電流制御型可変抵抗器２６は電流源２２の出力イン
ピーダンスを低減するために設けられており、ダイオー
ド２７およびコンデンサ２８とで構成されている。ダイ
オード２７は電流源２２の出力電流に対して順方向に接
続されている。図３に示した様に、ダイオード２７の抵
抗値は順方向電流が増加すると、低インピーダンス側に
変化する。この時光-電気変換素子２が出力する信号電
流の一部がダイオード２７、コンデンサ２８を介して流
れる。即ち信号振幅検出器７、電流源２２、電流制御型
可変抵抗器２６がない場合に増幅器３の内部回路が飽和
しはじめる光信号の最大入力振幅においても、信号振幅
検出器７、電流源２２、電流制御型可変抵抗器２６を追
加した本光受信装置では増幅器３に流れる信号電流量が
減少する。
【００３７】したがって増幅器３の内部回路が飽和しは
じめる光信号の最大入力振幅を拡大することができる。
また上記例では、電流源２２が抵抗２３、トランジスタ
２４、２５から構成されるとして説明したが、他の構成
による電流源でもよい。また上記例では、電流制御型可
変抵抗器２６がダイオード２７とコンデンサ２８から構
成されるとして説明したが、他の構成による電流制御型
可変抵抗器でもよい。
じめる光信号の最大入力振幅を拡大することができる。
また上記例では、電流源２２が抵抗２３、トランジスタ
２４、２５から構成されるとして説明したが、他の構成
による電流源でもよい。また上記例では、電流制御型可
変抵抗器２６がダイオード２７とコンデンサ２８から構
成されるとして説明したが、他の構成による電流制御型
可変抵抗器でもよい。
【００３８】
【発明の効果】以上のように、第１の発明から第４の発
明による光受信装置によれば、信号バイアス検出器が不
要となり、従来の光受信装置に較べて回路規模を小さく
することができる。
明による光受信装置によれば、信号バイアス検出器が不
要となり、従来の光受信装置に較べて回路規模を小さく
することができる。
【図１】 実施の形態１による光受信装置の一例を示す
構成図である。
構成図である。
【図２】 実施の形態２による光受信装置の一例を示す
構成図である。
構成図である。
【図３】 シリコンダイオードの順方向静特性の具体的
な一例を示す。
な一例を示す。
【図４】 実施の形態３による光受信装置の一例を示す
構成図である。
構成図である。
【図５】 従来の光受信装置の構成図である。
【図６】 従来の光受信装置における光信号振幅とゲー
ト・ソース間電圧の関係を示す。
ト・ソース間電圧の関係を示す。
【図７】 従来の光受信装置におけるドレイン・ソース
間電圧 対 ドレイン電流特性の一例を示す。
間電圧 対 ドレイン電流特性の一例を示す。
１ 高位電源電圧 ２ 光-電気変換素子 ３ 増幅器 ４ 帰還抵抗 ５ 反転増幅器 ６ 信号出力端子 ７ 信号振幅検出器 ８ 反転増幅器 ９ ダイオード １０ コンデンサ １１ レベル変換器 １２ 信号バイアス検出器 １３ ダイオード １４ コンデンサ １５ レベルシフト １６ ボルテージホロア １７ ３端子型可変抵抗器 １８ 基準電圧１ ２０ ２端子型可変抵抗器 ２１ ダイオード ２２ 電流源 ２３ 抵抗 ２４ トランジスタ ２５ トランジスタ ２６ 電流制御型可変抵抗器 ２７ ダイオード ２８ コンデンサ
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.6 識別記号 ＦＩ Ｈ０４Ｂ 10/04 10/06
Claims (4)
- 【請求項１】光信号を電気信号に変換する光-電気変換
器と、 光-電気変換器が変換した電気信号を増幅する増幅器と
を有する光受信装置において、 上記増幅器が増幅した電気信号の振幅を検出する信号振
幅検出器と、 一端が該信号振幅検出器の出力に接続され、他端が上記
光-電気変換器の出力に接続された２端子型可変抵抗器
を有し、この２端子型可変抵抗器は端子間電圧によりイ
ンピーダンスが変化することを特徴とする光受信装置。 - 【請求項２】 上記２端子型可変抵抗器は、 上記信号振幅検出器の出力にカソードが接続され、上記
光-電気変換器の出力にアノードが接続されたダイオー
ドを有することを特徴とする請求項１に記載の光受信装
置。 - 【請求項３】 上記２端子型可変抵抗器は、 上記信号振幅検出器の出力によって電流値が制御される
電流源と、該電流源の出力に一端が接続され、他端が上
記光-電気変換器の出力に接続された電流制御型可変抵
抗器とを有することを特徴とする請求項１に記載の光受
信装置。 - 【請求項４】 上記電流制御型可変抵抗器は、 上記電流源の出力にカソードが接続され、上記光-電気
変換器の出力にアノードが接続されたダイオードと、該
ダイオードのカソードに一端が接続され、他端が交流接
地されたコンデンサを有することを特徴とする請求項３
に記載の光受信装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP12605298A JP3500960B2 (ja) | 1998-05-08 | 1998-05-08 | 光受信装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP12605298A JP3500960B2 (ja) | 1998-05-08 | 1998-05-08 | 光受信装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH11330878A true JPH11330878A (ja) | 1999-11-30 |
| JP3500960B2 JP3500960B2 (ja) | 2004-02-23 |
Family
ID=14925460
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP12605298A Expired - Fee Related JP3500960B2 (ja) | 1998-05-08 | 1998-05-08 | 光受信装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3500960B2 (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2006005761A (ja) * | 2004-06-18 | 2006-01-05 | Mitsubishi Electric Corp | 光受信器 |
| JP2007158774A (ja) * | 2005-12-06 | 2007-06-21 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 光受信装置および光伝送システム |
| JP2007295531A (ja) * | 2006-03-30 | 2007-11-08 | Eudyna Devices Inc | 電子回路 |
| KR101249437B1 (ko) | 2011-09-23 | 2013-04-03 | (주)에이디에스 테크놀로지 | 광 정렬 제어장치 |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2010001899A1 (ja) | 2008-06-30 | 2010-01-07 | 株式会社ミツバ | 電動モータ |
-
1998
- 1998-05-08 JP JP12605298A patent/JP3500960B2/ja not_active Expired - Fee Related
Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2006005761A (ja) * | 2004-06-18 | 2006-01-05 | Mitsubishi Electric Corp | 光受信器 |
| JP4597589B2 (ja) * | 2004-06-18 | 2010-12-15 | 三菱電機株式会社 | 光受信器 |
| JP2007158774A (ja) * | 2005-12-06 | 2007-06-21 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 光受信装置および光伝送システム |
| JP2007295531A (ja) * | 2006-03-30 | 2007-11-08 | Eudyna Devices Inc | 電子回路 |
| US7671680B2 (en) | 2006-03-30 | 2010-03-02 | Eudyna Devices Inc. | Electronic circuit |
| JP4503624B2 (ja) * | 2006-03-30 | 2010-07-14 | 住友電工デバイス・イノベーション株式会社 | 電子回路 |
| KR101249437B1 (ko) | 2011-09-23 | 2013-04-03 | (주)에이디에스 테크놀로지 | 광 정렬 제어장치 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP3500960B2 (ja) | 2004-02-23 |
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