KR920702088A - 변환파괴를 피하기위해 인덕터와 직렬로 전자소자를 이용하고, mosfet 대신 igbt 소자의 이용에 의해 전류범위가 확장되는 스위칭 회로 - Google Patents

변환파괴를 피하기위해 인덕터와 직렬로 전자소자를 이용하고, mosfet 대신 igbt 소자의 이용에 의해 전류범위가 확장되는 스위칭 회로

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KR920702088A
KR920702088A KR1019910700402A KR910700402A KR920702088A KR 920702088 A KR920702088 A KR 920702088A KR 1019910700402 A KR1019910700402 A KR 1019910700402A KR 910700402 A KR910700402 A KR 910700402A KR 920702088 A KR920702088 A KR 920702088A
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Abstract

내용 없음

Description

변환파괴를 피하기위해 인덕터와 직렬로 전자소자를 이용하고, MOSFET 대신 IGBT 소자의 이용에 의해 전류범위가 확장되는 스위칭 회로
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
본 발명에 대한 상기 및 타목적, 특징, 장점은 첨부한 도면에 관련한 하기 상세한 설명에서 더욱 명확해질 것이다. 제1도는 소자 Q1, Q2를 포함하는 종래의 스위칭 회로 기술, 제2도는 스위칭 주기의 여러가지 시간에서 부하 및 출력전압의 전류, 제3 및 4도는 부가된 종래의 스위칭 회로기술.

Claims (28)

  1. 고압레일 및 저압레일을 갖는 전원에 연결되기에 적합한 스위칭회로에 있어서, 서로 직렬로 연결되어, 제1의 소자와 제1의 인덕터 사이에 제1의 접합부, 제1의 인덕터와 제2의 인덕터 사이에 제2의 접합부, 그리고 제2의 인덕터와 제2의 소자 사이에 제3의 접합부를 형성하는 제1의 소자, 제1의 인덕터, 제2의 인덕터 및 제2의 소자; 그리고 상기 회로가 상기 전원에 연결된때 상기 제2의 접합부에 연결되는 부하에 출력전압이 공급되도록 상기 제1및 제2의 소자를 교대로 스위치 온 및 오프 시키기 위한 수단을 포함하는 것을 특징으로 하는 스위칭 회로.
  2. 제1항에 있어서, 상기 제1및 제2의 소자가 상기 전원에 직렬로 연결될 수 있도록 상기 제1의 소자가 고압 레일에 연결되기에 적합한 터미널을 포함하고 상기 제2의 소자가 저압레일에 연결되기에 적합한 터미널을 포함하고; 그리고 상기 회로는 바람직하지 않은 역전류를 방지하고 상기 제1의 소자가 막 턴 오프되는 동안 아직 턴 온 되지 않는 상기 제2의 소자를 도는 우회로를 제공하기 위해 상기 제2의 소자의 터미널과 상기 제1의 접합부 사이에 연결되는 제1의 다이오드와 바람직하지 않은 역전류를 방지하고 상기 제2의 소자가 막 턴 오프 되는동안 아직 턴 온 되지 않은 상기 제1의 소자를 도는 우회로를 제공하기 위해 상기 제3의 접합부와 상기 제1의 터미널 사이에 연결되는 제2의 다이오드를 포함하는 것을 특징으로 하는 스위칭 회로.
  3. 제1항에 있어서, 상기 제1및 제2의 소자는 반도체 엘레멘트인 것을 특징으로 하는 스위칭 회로.
  4. 제3항에 있어서, 상기 반도체 엘레멘트는 FET인 것을 특징으로 하는 스위칭 회로.
  5. 제4항에 있어서, 상기 FET는 MOSFET인 것을 특징으로 하는 스위칭 회로.
  6. 전고압레일 및 전저압레일을 갖는 전원에 연결되기에 적합한 스위칭회로에 있어서, 서로 직렬로 연결되어, 제1의 소자와 도체사이에 제1의 접합부 그리고 도체와 제2의 소자 사이에 제2의 접합부를 형성하는 제1의 소자, 도체 및 제2의 소자; 그리고 상기 제1의 접합부에 연결되는 부하에 출력전압이 공급되도록 상기 제1의 소자를 스위치 온 오프시키기 위한 수단을 포함시키기 위한 스위칭 회로.
  7. 제6항에 있어서, 상기 제1및 제2의 소자가 상기 전원에 직렬로 연결될 수 있도록 상기 제1의 소자는 고압 레일에 연결되기에 적합한 터미널을 포함하고 상기 제2의 소자가 저압레일에 연결되기에 적합한 터미널을 포함하고, 그리고 상기 회로는 상기 제2의 접합부와 상기 제1의 소자의 터미널 사이에 연결되는 제2의 다이오드를 포함하는 것을 특징으로 하는 스위칭 회로.
  8. 제6항에 있어서, 상기 제1및 제2의 소자는 반도체 엘레멘트인 것을 특징으로 하는 스위칭 회로.
  9. 제8항에 있어서, 상기 반도체 엘레멘트는 FET인 것을 특징으로 하는 스위칭 회로.
  10. 제9항에 있어서, 상기 FET는 MOSFET인 것을 특징으로 하는 스위칭 회로.
  11. 고압레일 및 저압레일을 갖는 전원에 연결되기에 적합한 스위칭회로에 있어서, 서로 직렬로 연결되어, 제1의 소자와 제1의 인덕터 사이에 제1의 접합부 그리고 인덕터와 제2의 소자 사이에 제2의 접합부를 형성하는 제1의 소자, 인덕터 및 제2의 소자; 그리고 상기 제2의 접합부에 연결되는 부하에 출력전압이 공급되도록 상기 제2의 소자를 스위치 온 오프시키기 위한 수단을 포함시키기 위한 스위칭 회로.
  12. 제11항에 있어서, 상기 제1및 제2의 소자가 상기 전원에 직렬로 연결될 수 있도록 상기 제1의 소자는 고압 레일에 연결되기에 적합한 터미널을 포함하고 상기 제2의 소자가 저압레일에 연결되기에 적합한 터미널을 포함하고, 그리고 상기 회로는 상기 제2의 소자의 터미널과 상기 제1의 접합부 사이에 연결되는 제1의 다이오드와 상기 제2의 접합부와 상기 제1의 소자의 터미널 사이에 연결되는 제2의 다이오드를 포함하는 것을 특징으로 하는 스위칭 회로.
  13. 제11항에 있어서, 상기 제1및 제2의 소자는 반도체 엘레멘트인 것을 특징으로 하는 스위칭 회로.
  14. 제13항에 있어서, 상기 반도체 엘레멘트는 FET인 것을 특징으로 하는 스위칭 회로.
  15. 제14항에 있어서, 상기 FET는 MOSFET인 것을 특징으로 하는 스위칭 회로.
  16. 고압레일 및 저압레일을 갖는 전원에 연결되기에 적합한 스위칭회로에 있어서, 서로 직렬로 연결되어, 제1의 소자와 제1의 인덕터 사이에 제1의 접합부를 그리고 인덕터와 제2의 인덕터 사이에 제2의 접합부를 그리고 제2의 인덕터와 제2의 소자 사이에 제3의 접합부를 형성하는, 절연게이트 바이폴라 트랜지스터를 포함하는 제1의 소자, 제1의 인덕터, 제2의 인덕터 및 제2의 소자 상기 회로가 상기 전원에 연결된때 상기 제2의 접합부에 연결되는 부하에 출력전압이 공급되도록 상기 제1및 제2의 소자를 각각 다른 정격으로 스위치시키기 위한 수단을 포함하는 것을 특징으로 하는 스위칭 회로.
  17. 제16항에 있어서, 상기 제1및 제2의 소자가 상기 전원에 직렬로 연결될 수 있도록 상기 제1의 소자는 고압 레일에 연결되기에 적합한 터미널을 포함하고 상기 제2의 소자가 저압레일에 연결되기에 적합한 터미널을 포함하고, 그리고 상기 회로는 소자가 막 턴 오프되는 동안 아직 턴 온되지 않은 상기 제2의 소자를 도는 부회로를 제공하기 위해 상기 제2의 소자의 터미널과 상기 제1의 접합부 사이에 연결되는 제1의 다이오드와 바람직하지 않은 역전류를 방지하고 제2의 소자가 막 턴 오프되는 동안 아직 턴온 되지않은 상기 제1의 소자를 도는 우회로를 제공하기 위해 상기 제3의 접합부와 상기 제1의 소자의 터미널 사이에 연결되는 제2의 다이오드를 포함하는 것을 특징으로 하는 스위칭 회로.
  18. 고압레일 및 저압레일을 갖는 전원에 연결되기에 적합한 스위칭회로에 있어서, 서로 직렬로 연결되어, 제1의 소자와 제1의 인덕터 사이에 제1의 접합부, 인덕터와 제2의 인덕터 사이에 제2의 접합부를 형성하는, 절연게이트 바이폴라 트랜지스터를 포함하는 제1의 소자, 인덕터 및 제2의 소자, 그리고 상기 제1의 접합부에 연결되는 부하에 출력전압이 공급되도록 상기 제1의 소자를 스위칭 온 및 오프시키기 위한 수단을 포함하는 것을 특징으로 하는 스위칭 회로.
  19. 제18항에 있어서, 상기 제1및 제2의 소자가 상기 전원에 직렬로 연결될 수 있도록 상기 제1의 소자는 고압 레일에 연결되기에 적합한 터미널을 포함하고 상기 제2의 소자가 저압레일에 연결되기에 적합한 터미널을 포함하고, 그리고 상기 회로는 상기 제2의 소자의 터미널과 상기 제1의 접합부 사이에 연결되는 제1의 다이오드, 상기 제2의 접합부와 상기 제1의 소자의 터미널 사이에 연결되는 제2의 다이오드를 포함하는 것을 특징으로 하는 스위칭 회로.
  20. 제16항에 있어서, 상기 스위칭회로는 제1 및 제2의 소자를 제어하기 위한 수단을 포함하고, 상기 제어수단은 제1의 주파수 및 제2의 주파수를 가지며, 상기 제2의 주파수보다 큰 것을 특징으로 하는 스위칭 회로.
  21. 제20항에 있어서, 상기 제1의 주파수는 변화주파수인 것을 특징으로 하는 스위칭 회로.
  22. 제20항에 있어서, 상기 제2의 주파수는 펄스폭 변조주파수인 것을 특징으로 하는 스위칭 회로.
  23. 제17항에 있어서, 상기 제1의 소자는 상기 제1의 소자의 터미널과 상기 제1의 접합부 사이에 연결되는 제3의 다이오드를 포함하는 것을 특징으로 하는 스위칭 회로.
  24. 제16항에 있어서, 상기 제2의 소자는 반도체 엘레멘트인 것을 특징으로 하는 스위칭 회로.
  25. 제16항에 있어서, 상기 반도체 엘레멘트는 FET인 것을 특징으로 하는 스위칭 회로.
  26. 제16항에 있어서, 상기 FET는 MOSFET인 것을 특징으로 하는 스위칭 회로.
  27. 제18항에 있어서, 상기 반도체 엘레멘트는 FET인 것을 특징으로 하는 스위칭회로.
  28. 제18항에 있어서, 상기 FET는 MOSFET인 것을 특징으로 하는 스위칭 회로.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
KR1019910700402A 1989-08-22 1990-08-22 변환파괴를 피하기위해 인덕터와 직렬로 전자소자를 이용하고, mosfet 대신 igbt 소자의 이용에 의해 전류범위가 확장되는 스위칭 회로 KR920702088A (ko)

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