KR880702003A - 전기적 매개변수 변화 장치 - Google Patents

전기적 매개변수 변화 장치

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KR880702003A
KR880702003A KR1019880700551A KR880700551A KR880702003A KR 880702003 A KR880702003 A KR 880702003A KR 1019880700551 A KR1019880700551 A KR 1019880700551A KR 880700551 A KR880700551 A KR 880700551A KR 880702003 A KR880702003 A KR 880702003A
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수삭 데이비드 엠
에프. 데이비스 윌리암
엘. 바인 로버트
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빈센트 죠셉로너
모토로라 인코포레이티드
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Abstract

내용 없음

Description

전기적 매개변수 변화 장치
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제1도는 적당한 방향으로 전류 펄스를 통과시켜 조정되는 반도체 웨이퍼상의 금속이동에 의해 조정되는 저항(RTMM)의 상면도. 제2도는 제1도의 RTMM 저항의 단면도.

Claims (10)

  1. 최소한 제1 및 제2 입력과 최소한 제1 공급 전원 레일을 갖는 사용회로의 전기적 매개변수를 변화시키기 위한 장치에 있어서, 제1 입력이 소정의 값을 초과할 때 제1 입력으로 부터 제2 입력으로 전류를 도통시키기 위해 제1 및 제2 입력 사이에 접속된 다이오드 수단과, 상기 제2 입력과 상기 전원 공급 레일 사이에 접속된 RTMM 저항 수단을 구비하는 것을 특징으로 하는 사용회로의 전기적 매개변수의 변화장치.
  2. 제1항에 있어서, 상기 다이오드 수단은 상기 제1 입력에 접속된 애노드와 상기 제2 입력에 접속된 캐소드를 갖는 최소한 하나의 다이오드를 구비하는 것을 특징으로 하는 사용회로의 전기적 매개변수 변화장치.
  3. 제1항에 있어서, 상기 최소한 하나의 다이오드는 제너 다이오드인 것을 특징으로 하는 사용회로의 전기적 매개변수 변화장치.
  4. 제2항에 있어서, 상기 사용회로는 제1 및 제2 전원 공급 레일을 포함하며, 상기 제1 전원공급 레일은 상기 제2 전원 공급 레일 보다 더 높은 전압을 접속시키며, 상기 RTMM 저항 수단은 상기 제2 입력과 상기 제1 전원 공급 레일 사이에 접속되는 것을 특징으로 하는 사용회로의 전기적 매개 변수 변화장치.
  5. 제3항에 있어서, 상기 사용회로는 제1 및 제2 전원 공급 레일을 포함하며, 상기 제1 전원 공급 레일은 상기 제2 전원 공급 레일 보다 더 높은 전압에 접속되며, 상기 RTMM 저항 수단은 상기 제2 입력 및 상기 제2 전원 공급 레일 사이에 접속되는 것을 특징으로 하는 사용회로의 전기적 매개변수 변화 장치.
  6. 제4항에 있어서, 상기 사용회로는 반도체 기판에 형성된 연산증폭기 집적회로를 구비하며, 상기 증폭기 집적회로는 ; 제1 및 제2 단자에 각각 접속된 베이스 전극과 에미터 및 콜렉터 단자를 각각 갖는 서로 다르게 접속된 제1 및 제2 입력 트랜지스터와 : 전류를 공급하기 위해 상기 제1 및 제2 입력 단자의 에미턴 단자에 접속시키는 제1 수단과 : 상기 제1 및 제2 입력 트랜지스터의 콜렉터 단자에 접속된 전류 미러 수단을 포함하는 것을 특징으로 하는 사용회로의 매개변수 변화장치.
  7. 제6항에 있어서, 상기 다이오드 수단은 애노드와 캐소드를 갖는 다이오드를 구비하며, 상기 RTMM 저항 수단은 제1 및 제2 단자를 갖는 RTMM 저항을 구비하며, 상기 다이오드의 애노드는 상기 제1 입력에 접속되고, 상기 다이오드의 캐소드 상기 RTMM 저항의 제1단자에 접속되고, 상기 RTMM저항의 제2단자는 상기 제1 전원공급 레일에 접속되는 것을 특징으로 하는 사용회로의 전기적 매개변수 변화장치.
  8. 제7항에 있어서, 상기 RTMM 저항은 : 제1 및 제2 단부를 갖는 상기 기판에 있는 저항성 영역과 : 상기 저항성 영역의 제1 및 제2 단부를 도전시키기 위한 제1 및 제2 금속성 접촉부를 구비하는 것을 특징으로 하는 사용회로의 전기적 매개변수 변화장치.
  9. 제8항에 있어서, 상기 기판은 실리콘이며, 상기 제1 및 제2 금속성 접촉부는 알루미늄인 것을 특징으로 하는 사용회로의 전기적 매개변수 변화장치.
  10. 제9항에 있어서, 상기 기판은 111 결정 기판이며, 상기 저항은 [112],[121],및 [211]을 구성하는 그룹으로 부터 선택된 방향으로 배치되는 것을 특징으로 하는 사용회로의 전기적 매개변수 변화장치.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
KR1019880700551A 1986-09-18 1987-06-29 사용회로의 전기적 파라미터 변경 장치 KR940007975B1 (ko)

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PCT/US1987/001503 WO1988002197A1 (en) 1986-09-18 1987-06-29 Circuit utilizing resistors trimmed by metal migration
US908858 1997-08-08

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Families Citing this family (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4945762A (en) * 1989-01-24 1990-08-07 Sensym, Inc. Silicon sensor with trimmable wheatstone bridge
US5679275A (en) * 1995-07-03 1997-10-21 Motorola, Inc. Circuit and method of modifying characteristics of a utilization circuit
US6026013A (en) * 1998-09-30 2000-02-15 Motorola, Inc. Quantum random address memory
EP1669832A1 (en) * 2004-12-03 2006-06-14 Dialog Semiconductor GmbH An accurate high current circuit
US20220393563A1 (en) * 2019-11-01 2022-12-08 Japan Science And Technology Agency Current sensor and power conversion circuit

Family Cites Families (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
FR1408341A (fr) * 1964-07-02 1965-08-13 Materiel Electrique S W Le Amplificateur différentiel
US3870967A (en) * 1972-05-22 1975-03-11 Motorola Inc Method and apparatus for adjustment of offset voltage of a differential amplifier
US4606781A (en) * 1984-10-18 1986-08-19 Motorola, Inc. Method for resistor trimming by metal migration

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US4725791A (en) 1988-02-16
HK82095A (en) 1995-06-01
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EP0283479A1 (en) 1988-09-28

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