KR890013892A - 집적 논리회로 - Google Patents
집적 논리회로 Download PDFInfo
- Publication number
- KR890013892A KR890013892A KR1019890000987A KR890000987A KR890013892A KR 890013892 A KR890013892 A KR 890013892A KR 1019890000987 A KR1019890000987 A KR 1019890000987A KR 890000987 A KR890000987 A KR 890000987A KR 890013892 A KR890013892 A KR 890013892A
- Authority
- KR
- South Korea
- Prior art keywords
- transistor
- switching
- circuit
- additional
- integrated logic
- Prior art date
Links
- 230000005669 field effect Effects 0.000 claims description 2
- 230000001419 dependent effect Effects 0.000 claims 2
- 230000005684 electric field Effects 0.000 claims 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03K—PULSE TECHNIQUE
- H03K19/00—Logic circuits, i.e. having at least two inputs acting on one output; Inverting circuits
- H03K19/003—Modifications for increasing the reliability for protection
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03K—PULSE TECHNIQUE
- H03K19/00—Logic circuits, i.e. having at least two inputs acting on one output; Inverting circuits
- H03K19/003—Modifications for increasing the reliability for protection
- H03K19/00315—Modifications for increasing the reliability for protection in field-effect transistor circuits
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Computing Systems (AREA)
- General Engineering & Computer Science (AREA)
- Mathematical Physics (AREA)
- Logic Circuits (AREA)
- Electronic Switches (AREA)
Abstract
Description
Claims (10)
- 높은 공급전압을 전달하는 제1 전원라인과 회로의 출력 사이의 제1통로에 배치되는 제1보조회로와, 상기 출력과 낮은 공급전압을 전달하는 제2 전원라인 사이의 제2통로에 배치된 제2보조회로를 구비하며, 적어도 하나의 부가 트랜지스터의 전류 채널이 관련된 통로대 보조회로의 또다른 트랜지스터내에서 유해하게 강한 전계를 제한하기 위해 적어도 하나의 통로에 배치되는 집적 논리회로에 있어서, 부가적인 트랜지스터가 또다른 트랜지스터와 직렬로 접속되며 그 부가적인 트랜지스터는 상기 또다른 트랜지스터와 반대의 전도형이며, 상기 직렬 접속은 두개의 통로중 하나에 배치되며, 논리회로의 논리 상태의 변화에 따라 부가적인 트랜지스터를 다이오드 또는 전류 소스로서 스위칭시키기 위한 스위칭 수단이 구비되는 것을 특징으로 하는 집적 논리회로.
- 제 1항에 있어서, 상기 보조회로내 트랜지스터가 동일한 전도형의 전계효과 트랜지스터이며, 이 트랜지스터는 출력에 집적 접속되며, 적어도 하나의 반대 전도형의 부가적인 트랜지스터의 전류 채널은 관련된 전원라인 및 보조회로 사이에 접속되는 것을 특징으로 하는 집적 논리회로.
- 제1 또는 2항에 있어서, 관련된 보조회로상의 전압이 증가되며 관련된 보조회로의 또다른 트랜지스터를 통한 전류가 또다른 트랜지스터상의 전압에 종속될때 다이오드로서 부가적인 트랜지스터를 접속시키는 것을 특징으로 하는 집적 논리회로.
- 제1, 2 또는 3항중 어느 한 항에 있어서, 관련된 보조회로상의 전압이 감소될때 스위칭 수단이 부가적인 트랜지스터를 전류 소스로서 점진적으로 접속시키며, 관련된 보조회로의 또다른 트랜지스터를 통한 전류가 또다른 트랜지스터상의 전압에 종속되는 것을 특징으로 하는 집적 논리회로.
- 제1, 2, 3 또는 4항중 어느 한 항에 있어서, 스위칭 수단이, 부가적인 트랜지스터를 다이오드로서 접속시키기 위해서 부가적인 트랜지스터의 주전극과 부가적인 트랜지스터의 제어 전극 사이에 접속된 전류 채널을 갖는 제1 스위칭 트랜지스터와, 부가적인 트랜지스터를 전류 소스로서 접속시키기 위해 부가적인 트랜지스터의 제어 전극과 관련된 전원라인 사이에 접속된 전류 채널을 갖는 제2 스위칭 트랜지스터와, 출력 전압에 따라 스위칭 트랜지스터를 스위치시키기 위해 스위칭 트랜지스터의 제어 전극에 회로의 출력을 궤환시키는 궤환회로를 구비하는 것을 특징으로 하는 집적 논리회로.
- 제5항에 있어서, 부가적인 트랜지스터가 제2 전도형일때, 제1 및 제2 스위칭 트랜지스터가 제2 및 제1 전도형이며, 부가적인 트랜지스터가 제1 전도형일때, 제1 및 제2 스위칭 트랜지스터가 제1 및 제2 전도형인 것을 특징으로 하는 집적 논리회로.
- 제5 또는 6항에 있어서, 제1 스위칭 트랜지스터가 제2 스위칭 트랜지스터보다 대체로 큰 것을 특징으로 하는 집적 논리회로.
- 제6 또는 7항에 있어서, 궤환회로가 상기 회로의 출력과 적어도 하나의 스위칭 트랜지스터의 제어 전극 사이의 비-반전 버퍼를 구비하는 것을 특징으로 하는 집적 논리회로.
- 제8항에 있어서, 제1 스위칭 트랜지스터가 제2 전도형일때, 제1 트랜지스터에 결합된 버퍼는 출력전압의 최소 레벨 부근에서 변화점을 갖으며, 제1 스위칭 트랜지스터가 제1 스위칭 트랜지스터에 결합된 버퍼는 출력전압의 최대 레벨부근에서 변화점을 갖는 것을 특징으로 하는 집적 논리회로.
- 전항중 어느 한 항에 있어서, 집적 논리회로는 푸쉬 풀단으로 구성되는 것을 특징으로 하는 집적 논리회로.※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
NL8800236 | 1988-02-01 | ||
NL8800236A NL8800236A (nl) | 1988-02-01 | 1988-02-01 | Logische schakeling met geschakelde "anti-stress"-transistor. |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
KR890013892A true KR890013892A (ko) | 1989-09-26 |
KR0132780B1 KR0132780B1 (ko) | 1998-10-01 |
Family
ID=19851687
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
KR1019890000987A KR0132780B1 (ko) | 1988-02-01 | 1989-01-30 | 집적 논리 회로 |
Country Status (7)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US4967103A (ko) |
EP (1) | EP0327159B1 (ko) |
JP (1) | JP2685272B2 (ko) |
KR (1) | KR0132780B1 (ko) |
DE (1) | DE68900324D1 (ko) |
FI (1) | FI890411A (ko) |
NL (1) | NL8800236A (ko) |
Families Citing this family (9)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE69320221T2 (de) * | 1992-03-16 | 1999-03-11 | Philips Electronics N.V., Eindhoven | Integrierte Halbleiterschaltung mit Schutzvorrichtungen |
KR0124046B1 (ko) * | 1993-11-18 | 1997-11-25 | 김광호 | 반도체메모리장치의 승압레벨 감지회로 |
US5952875A (en) * | 1997-09-09 | 1999-09-14 | Motorola Inc. | Circuit with hot electron protection and method |
US6072676A (en) * | 1998-04-13 | 2000-06-06 | Analog Devices, Inc. | Protection circuit for an excitation current source |
US6859074B2 (en) | 2001-01-09 | 2005-02-22 | Broadcom Corporation | I/O circuit using low voltage transistors which can tolerate high voltages even when power supplies are powered off |
US7138836B2 (en) | 2001-12-03 | 2006-11-21 | Broadcom Corporation | Hot carrier injection suppression circuit |
DE60225066T2 (de) * | 2001-12-03 | 2009-04-23 | Broadcom Corp., Irvine | Verfahren und Schaltungsanordnung zur Unterdrückung der Hot-Carrier-Injektion |
US7570466B2 (en) * | 2005-03-01 | 2009-08-04 | Intel Corporation | Dual mode negative voltage switching |
US7382591B2 (en) * | 2005-05-20 | 2008-06-03 | Intel Corporation | Cascode protected negative voltage switching |
Family Cites Families (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US4178620A (en) * | 1977-10-11 | 1979-12-11 | Signetics Corporation | Three state bus driver with protection circuitry |
JPS55115730A (en) * | 1979-02-28 | 1980-09-05 | Nec Corp | Switching circuit |
US4521698A (en) * | 1982-12-02 | 1985-06-04 | Mostek Corporation | Mos output driver circuit avoiding hot-electron effects |
DE3329874A1 (de) * | 1983-08-18 | 1985-03-07 | Siemens AG, 1000 Berlin und 8000 München | Mos-inverterschaltung |
US4612466A (en) * | 1984-08-31 | 1986-09-16 | Rca Corporation | High-speed output driver |
JPS62178015A (ja) * | 1986-01-31 | 1987-08-05 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | デイジタル論理fet回路 |
US4736117A (en) * | 1986-11-14 | 1988-04-05 | National Semiconductor Corporation | VDS clamp for limiting impact ionization in high density CMOS devices |
-
1988
- 1988-02-01 NL NL8800236A patent/NL8800236A/nl not_active Application Discontinuation
-
1989
- 1989-01-10 US US07/295,714 patent/US4967103A/en not_active Expired - Fee Related
- 1989-01-25 DE DE8989200158T patent/DE68900324D1/de not_active Expired - Lifetime
- 1989-01-25 EP EP89200158A patent/EP0327159B1/en not_active Expired - Lifetime
- 1989-01-27 FI FI890411A patent/FI890411A/fi not_active Application Discontinuation
- 1989-01-30 JP JP1017832A patent/JP2685272B2/ja not_active Expired - Lifetime
- 1989-01-30 KR KR1019890000987A patent/KR0132780B1/ko not_active IP Right Cessation
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
DE68900324D1 (de) | 1991-11-21 |
FI890411A0 (fi) | 1989-01-27 |
EP0327159A1 (en) | 1989-08-09 |
NL8800236A (nl) | 1989-09-01 |
US4967103A (en) | 1990-10-30 |
FI890411A (fi) | 1989-08-02 |
EP0327159B1 (en) | 1991-10-16 |
JPH027620A (ja) | 1990-01-11 |
JP2685272B2 (ja) | 1997-12-03 |
KR0132780B1 (ko) | 1998-10-01 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
US4695744A (en) | Level shift circuit including source follower output | |
US4654568A (en) | MOSFET "H" switch with current sensing | |
KR920022647A (ko) | 차동 입력 회로 | |
KR880001113A (ko) | 스위칭 가능한 부하 임피던스를 지닌 ecl 게이트 | |
KR970063901A (ko) | 연산증폭회로 | |
KR970017598A (ko) | 반도체 장치 및 그 제어 회로 | |
KR920702088A (ko) | 변환파괴를 피하기위해 인덕터와 직렬로 전자소자를 이용하고, mosfet 대신 igbt 소자의 이용에 의해 전류범위가 확장되는 스위칭 회로 | |
KR860008652A (ko) | 평형 차동 증폭기 | |
KR930009268A (ko) | 고속이면서 저 전력의 전압 모드 차동 드라이버 회로 | |
KR880001108A (ko) | Cmos 입력회로 | |
KR880012094A (ko) | 전원 공급 장치 | |
KR950010340A (ko) | 정 전류 발생 장치 | |
US4001606A (en) | Electrical circuit | |
KR960009388A (ko) | 전압 플로워형의 전력 증폭단 | |
KR890013892A (ko) | 집적 논리회로 | |
KR860007783A (ko) | 개선된 출력특성을 갖는 비교기 회로 | |
KR930010834A (ko) | 기준 전류 루프 | |
KR920000131A (ko) | 반도체 집적 회로 | |
KR940008262A (ko) | 시모스(cmos)입력단 | |
KR840005946A (ko) | 차동증폭 회로 | |
KR900004111A (ko) | 논리 레벨 변환용 버퍼회로 | |
KR960009401A (ko) | 비교기 회로 | |
KR950016002A (ko) | 3치 입력 버퍼 회로 | |
KR840007325A (ko) | 스위치 회로 | |
KR900019256A (ko) | 왜곡 보상 기능을 가진 바이폴라 트랜지스터 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
PA0109 | Patent application |
Patent event code: PA01091R01D Comment text: Patent Application Patent event date: 19890130 |
|
PG1501 | Laying open of application | ||
A201 | Request for examination | ||
PA0201 | Request for examination |
Patent event code: PA02012R01D Patent event date: 19940131 Comment text: Request for Examination of Application Patent event code: PA02011R01I Patent event date: 19890130 Comment text: Patent Application |
|
E902 | Notification of reason for refusal | ||
PE0902 | Notice of grounds for rejection |
Comment text: Notification of reason for refusal Patent event date: 19970331 Patent event code: PE09021S01D |
|
E701 | Decision to grant or registration of patent right | ||
PE0701 | Decision of registration |
Patent event code: PE07011S01D Comment text: Decision to Grant Registration Patent event date: 19970925 |
|
GRNT | Written decision to grant | ||
PR0701 | Registration of establishment |
Comment text: Registration of Establishment Patent event date: 19971215 Patent event code: PR07011E01D |
|
PR1002 | Payment of registration fee |
Payment date: 19971215 End annual number: 3 Start annual number: 1 |
|
PG1601 | Publication of registration | ||
PR1001 | Payment of annual fee |
Payment date: 20001123 Start annual number: 4 End annual number: 4 |
|
FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20011124 Year of fee payment: 5 |
|
PR1001 | Payment of annual fee |
Payment date: 20011124 Start annual number: 5 End annual number: 5 |
|
LAPS | Lapse due to unpaid annual fee | ||
PC1903 | Unpaid annual fee |
Termination category: Default of registration fee Termination date: 20030909 |