KR840007325A - 스위치 회로 - Google Patents

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KR840007325A
KR840007325A KR1019840000376A KR840000376A KR840007325A KR 840007325 A KR840007325 A KR 840007325A KR 1019840000376 A KR1019840000376 A KR 1019840000376A KR 840000376 A KR840000376 A KR 840000376A KR 840007325 A KR840007325 A KR 840007325A
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KR
South Korea
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transistor
switching
circuit
coupled
base
Prior art date
Application number
KR1019840000376A
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English (en)
Inventor
에이취. 알렌 고든
Original Assignee
빈센트 제이. 로오너
모터로라 인코오포레이티드
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Publication date
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    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03K—PULSE TECHNIQUE
    • H03K17/00—Electronic switching or gating, i.e. not by contact-making and –breaking
    • H03K17/51—Electronic switching or gating, i.e. not by contact-making and –breaking characterised by the components used
    • H03K17/56—Electronic switching or gating, i.e. not by contact-making and –breaking characterised by the components used by the use, as active elements, of semiconductor devices
    • H03K17/60—Electronic switching or gating, i.e. not by contact-making and –breaking characterised by the components used by the use, as active elements, of semiconductor devices the devices being bipolar transistors
    • H—ELECTRICITY
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    • H03K17/66—Switching arrangements for passing the current in either direction at will; Switching arrangements for reversing the current at will
    • H03K17/661—Switching arrangements for passing the current in either direction at will; Switching arrangements for reversing the current at will connected to both load terminals
    • H03K17/662—Switching arrangements for passing the current in either direction at will; Switching arrangements for reversing the current at will connected to both load terminals each output circuit comprising more than one controlled bipolar transistor

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  • Electronic Switches (AREA)

Abstract

내용 없음

Description

스위치 회로
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
도면은 본 발명의 특정 실시예에 따른 스위치회로의 계통도

Claims (5)

  1. 부하가 중간삽입되는 제1출력단자(20) 및 제2출력단자(22)와, 제1출력단자(20)에 접속된 제1상측트랜지스터(12) 및 제2출력단자(22)에 접속된 제1하측트랜지스터(14)로 구성되는 제1스위칭 트랜지스터회로(12, 14)와, 제2출력단자(22)에 접속된 제2상층트랜지스터(16) 및 제1출력단자(20)에 접속된 제2하측트랜지스터(18)로 구성되는 제2스위칭트랜지스터(16, 18)와, 입력되는 스위칭 신호(A, B)에 응동하여 상기 제1 및 제2스위칭 트랜지스터 회로(12, 14 : 16, 18)들을 교번적으로 도통시켜 부하를 통하는 전류가 생성되게끔 하기 위한 스위칭회로(36, 40, 44, 46; 38, 42, 50, 52)를 구비한 스위치회로에 있어서, 제2스위칭 트랜지스터회로(16, 18)의 제2하측트랜지스터(18)와 제1스위칭트랜지스터회로(12, 14)의 제1상측트랜지스터(12)간에 결합되고, 스위칭회로에 의해 도통되어 제1상측트랜지스터(12)의 입력부에 나타나는 기생전류를 제2전력공급도체(34)에 흐르게 하는 제1트랜지스터(56)와; 제1스위칭트랜지스터(12, 14)회로의 제1하측트랜지스터(14)와 제2스위칭트랜지스터 회로(16, 18)의 제2상측트랜지스터(16)간에 결합되고, 스위칭회로에 의해 도통되어 제2상측트랜지스터(16)의 입력부에 나타나는 기생전류를 제2전력공급도체(34)에 흐르게 하는 제2트랜지스터(58)를 구비하여 이루어짐을 특징으로 하는 스위치회로.
  2. 제1항에 있어서, 제1 및 제2스위칭트랜지스터회로의 제1 및 제2상측트랜지스터(12 : 16)들이 상기 한쌍의 제1 및 제2출력단자(20 : 22)들에 제각기 결합된 에미터와 제1전력 공급도체(24)에 제각기 결합된 콜렉터와 입력부로서의 역활을 행하는 베이스를 제각기 갖고, 제1 및 제2스위칭트랜지스터의 제1 및 제2하측트랜지스터(14 : 18)들이 기준전위가 공급되는 제2전력공급도체(34)에 제각기 결합된 에미터와 제1 및제2상측 트랜지스터 중에서 해당 스위칭트랜지스터를 구성하지 않는 상측트랜지스터회로의 에미터에 제각기 결합된 콜렉터와 스위칭회로에 결합된 베이스를 제각기 갖으며, 제12 및 제2구동트랜지스터(36 : 38)들이제1 및 제2상측트랜지스터(12 : 16)의 베이스에 제각기 결합된 콜렉터와 제1전력공급도체(24)에 제각기 결합된 에미터와 스위칭회로에 제각기 결합된 베이스를 각각 갖는 것을 특징으로 하는 스위치회로.
  3. 제1항에 있어서, 제1트랜지스터(56)는 제2스위칭트랜지스터회로의 제2하측트랜지스터(18)의 에미터에 결합된 에미터와, 제1스위칭트랜지스터회로의 제1상층트랜지스터(12)의 베이스에 결합된 콜렉터와, 제2스위칭트랜지스터회로의 제2하측트랜지스터(18)의 베이스에 결합된베이스를 가지며, 제2트랜지스터(58)는 제1스위칭트랜지스터회로의 제1하측트랜지스터(14)의 에미터에 결합된 에미터와, 제2스위칭트랜지스터 회로의 제2상측트랜지스터회로(16)의 베이스에 결합된 콜렉터와, 제1 스위칭트랜지스터회로의 제1하측트랜지스터회로(14)의 베이스에 결합된 베이스를 갖는 것을 특징으로 하는 스위치회로.
  4. 제1출력단자(20) 및 제2출력단자(22)에 제각기 결합되는 제1상측트랜지스터(12) 및 제1하측트랜지스터(14)를 포함하는 제1 스위칭트랜지스터(12, 14)와 제2출력단자(22) 및 제1출력단자(20)에 제각기 접속되는 제2 상측트랜지스터(16) 및 제2하측트랜지스터(18)를 포함하는 제2스위칭트랜지스터(16, 18)를 구비하되. 제1 및 제2스위칭트랜지스터가 입력되는 스위치신호(A, B)에 응동해서 교번적으로 도통하여 상기 출력단자들간에 결합된 부하를 통하는 부하전류가 생성되게끔 한 모노리틱 집적형 스위치회로에 있어서, 스위칭신호(A, B)들에 응동하는 제1 및 제2스위칭트랜지스터회로(12, 14 : 16, 18) 중의 한 스위칭트랜지스터회로의 상측트랜지스터와 나머지 스위칭트랜지스터회로의 하측트랜지스터간에 제각기 결합되어 상기 나머지 스위칭트랜지스터회로의 하측트랜지스터의 도통시에 상기 한스위칭트랜지스터회로의 상측트랜지스터의 베이스에 나타나는 기생전류 스파이크를 분로시키기 위한 트랜지스터(56 : 58)를 또한 구비하여 이루어짐을 특징으로 하는 스위치 회로.
  5. 제4항에 있어서, 트랜지스터(56)는 제2스위칭트랜지스터회로의 제2하측트랜지스터(18)의 에미터 및 베이스에 제각기 결합되는 에미터 및 베이스와 제1스위칭회로의 제1상측트랜지스터(12)의 베이스에 결합된 콜렉터를 가지며, 트랜지스터(58)는 제1스위칭트랜지스터회로의 제1하측트랜지스터(14)의 에미터및 베이스에 제각기 결합되는 에미터 및 베이스와 제2스위칭회로의 제2상측트랜지스터(16)의 베이스에 결합된 콜렉터를 갖는 것을 특징으로 하는 스위치 회로.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
KR1019840000376A 1983-01-27 1984-01-27 스위치 회로 KR840007325A (ko)

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US06/461,327 US4511809A (en) 1983-01-27 1983-01-27 Switch circuit having improved switching characteristics
US461327 1983-01-27

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EP (1) EP0135503A4 (ko)
JP (1) JPS60500514A (ko)
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WO (1) WO1984003013A1 (ko)

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