KR890015507A - 전원전압상승검출회로 - Google Patents

전원전압상승검출회로 Download PDF

Info

Publication number
KR890015507A
KR890015507A KR1019890003204A KR890003204A KR890015507A KR 890015507 A KR890015507 A KR 890015507A KR 1019890003204 A KR1019890003204 A KR 1019890003204A KR 890003204 A KR890003204 A KR 890003204A KR 890015507 A KR890015507 A KR 890015507A
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
power supply
supply voltage
voltage
detection circuit
rise detection
Prior art date
Application number
KR1019890003204A
Other languages
English (en)
Other versions
KR920002673B1 (en
Inventor
마사노부 요시다
Original Assignee
야마모도 다꾸마
후지쓰 가부시끼가이샤
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 야마모도 다꾸마, 후지쓰 가부시끼가이샤 filed Critical 야마모도 다꾸마
Publication of KR890015507A publication Critical patent/KR890015507A/ko
Application granted granted Critical
Publication of KR920002673B1 publication Critical patent/KR920002673B1/ko

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03K—PULSE TECHNIQUE
    • H03K17/00—Electronic switching or gating, i.e. not by contact-making and –breaking
    • H03K17/22—Modifications for ensuring a predetermined initial state when the supply voltage has been applied
    • H03K17/223—Modifications for ensuring a predetermined initial state when the supply voltage has been applied in field-effect transistor switches
    • H—ELECTRICITY
    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03K—PULSE TECHNIQUE
    • H03K17/00—Electronic switching or gating, i.e. not by contact-making and –breaking
    • H03K17/22—Modifications for ensuring a predetermined initial state when the supply voltage has been applied
    • H—ELECTRICITY
    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03K—PULSE TECHNIQUE
    • H03K17/00—Electronic switching or gating, i.e. not by contact-making and –breaking
    • H03K17/51—Electronic switching or gating, i.e. not by contact-making and –breaking characterised by the components used
    • H03K17/56—Electronic switching or gating, i.e. not by contact-making and –breaking characterised by the components used by the use, as active elements, of semiconductor devices
    • H03K17/687—Electronic switching or gating, i.e. not by contact-making and –breaking characterised by the components used by the use, as active elements, of semiconductor devices the devices being field-effect transistors
    • H03K2017/6878—Electronic switching or gating, i.e. not by contact-making and –breaking characterised by the components used by the use, as active elements, of semiconductor devices the devices being field-effect transistors using multi-gate field-effect transistors
    • H—ELECTRICITY
    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03K—PULSE TECHNIQUE
    • H03K2217/00—Indexing scheme related to electronic switching or gating, i.e. not by contact-making or -breaking covered by H03K17/00
    • H03K2217/0036—Means reducing energy consumption

Abstract

내용 없음

Description

전원전압상승검출회로
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제 8 도는 제 1 예로서 본 발명의 전원전압상승검출회로의 기본 구조도. 제 12 도는 본 발명의 다른 예로서 제 8 도에 도시된 회로에서 수정된 또 다른 회로구성도.

Claims (6)

  1. 제1 및 제2 전원단자 ; 부하소자 ; 제어게이트와 플로팅 게이트를 가지며, 상기 제1 및 제2 전원단자간에 직렬로 상기 부하소자에 접속된 트랜지스터 ; 상기 제 1 전원단자에서 전원전압에 종속되는 제 1 전압을 상기 제어게이트로 공급하는 수단 ; 및 상기 전원 접압이 소정치에 도달할 때 상기 플로팅 게이트의 전압을 줄리고 상기 트랜지스터를 오프시키기 위하여 상기 플로팅 게이트에 효과적으로 접속되고 상기 전원 전압에 종속된 제 2 전압에 의해 제어되는 스위칭 소자로 구성되는 것을 특징으로 하는, 상기 부하소자와 상기 트랜지스터간의 연결점으로 부터 전원전압상승검출신호를 출력하는 전원전압상승검출회로.
  2. 제 1 항에 있어서, 상기 스위칭 소자가 상기 제 2 전압이 공급되는 게이트를 구비하는 증가형 금속전연반도체(MIS) 트랜지스터인 것을 특징으로하는 전원전압상승검출회로.
  3. 제 1 항에 있어서, 상기 제 1 전압이 상기 전원전압인 것을 특징으로 하는 전원전압상승검출회로.
  4. 제 1 항에 있어서, 상기 제 1 전압이 상기 전원전압의 분할전압인 것을 특징으로 하는 전원전압상승검출회로.
  5. 제 1 항에 있어서, 상기 제 2 전압이 상기 전원전압인 것을 특징으로 하는 전원전압상승검출회로.
  6. 제 1 항에 있어서, 상기 제 2 전압이 상기 전원전압의 분할전압인 것을 특징으로 하는 전원전압상승검출회로.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
KR8903204A 1988-03-16 1989-03-15 Source voltage-up detection circuit KR920002673B1 (en)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP63-60214 1988-03-16
JP63060214A JP2578465B2 (ja) 1988-03-16 1988-03-16 パルス信号発生回路

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR890015507A true KR890015507A (ko) 1989-10-30
KR920002673B1 KR920002673B1 (en) 1992-03-31

Family

ID=13135685

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR8903204A KR920002673B1 (en) 1988-03-16 1989-03-15 Source voltage-up detection circuit

Country Status (5)

Country Link
US (1) US5017803A (ko)
EP (1) EP0333405B1 (ko)
JP (1) JP2578465B2 (ko)
KR (1) KR920002673B1 (ko)
DE (1) DE68922766T2 (ko)

Families Citing this family (15)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5239500A (en) * 1989-09-29 1993-08-24 Centre Suisse D'electronique Et De Microtechnique S.A. Process of storing analog quantities and device for the implementation thereof
JP3059737B2 (ja) * 1989-12-25 2000-07-04 シャープ株式会社 半導体記憶装置
JPH0474015A (ja) * 1990-07-13 1992-03-09 Mitsubishi Electric Corp 半導体集積回路装置
US5248907A (en) * 1992-02-18 1993-09-28 Samsung Semiconductor, Inc. Output buffer with controlled output level
FR2691289A1 (fr) * 1992-05-15 1993-11-19 Thomson Csf Dispositif semiconducteur à effet de champ, procédé de réalisation et application à un dispositif à commande matricielle.
EP0596637A1 (en) * 1992-11-02 1994-05-11 STMicroelectronics, Inc. Input buffer circuit
EP0700159A1 (en) * 1994-08-31 1996-03-06 STMicroelectronics S.r.l. Threshold detection circuit
JP3409938B2 (ja) * 1995-03-02 2003-05-26 株式会社東芝 パワーオンリセット回路
US5555166A (en) * 1995-06-06 1996-09-10 Micron Technology, Inc. Self-timing power-up circuit
DE10146831B4 (de) * 2001-09-24 2006-06-22 Atmel Germany Gmbh Verfahren zur Erzeugung eines zeitlich begrenzten Signals
JP3597501B2 (ja) * 2001-11-20 2004-12-08 松下電器産業株式会社 半導体集積回路
SE526731C2 (sv) * 2003-10-30 2005-11-01 Infineon Technologies Ag Uppstartningsövervakningskrets
US7944769B1 (en) * 2009-10-14 2011-05-17 Xilinx, Inc. System for power-on detection
US8432727B2 (en) * 2010-04-29 2013-04-30 Qualcomm Incorporated Invalid write prevention for STT-MRAM array
KR102409970B1 (ko) * 2015-11-18 2022-06-17 삼성디스플레이 주식회사 스캔라인 드라이버 및 이를 포함하는 디스플레이 장치

Family Cites Families (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4245165A (en) * 1978-11-29 1981-01-13 International Business Machines Corporation Reversible electrically variable active parameter trimming apparatus utilizing floating gate as control
JPS6197576A (ja) * 1984-10-19 1986-05-16 Toshiba Corp 高電位検知回路
JPH07105704B2 (ja) * 1985-08-12 1995-11-13 松下電器産業株式会社 電圧検出回路
US4742492A (en) * 1985-09-27 1988-05-03 Texas Instruments Incorporated EEPROM memory cell having improved breakdown characteristics and driving circuitry therefor

Also Published As

Publication number Publication date
EP0333405A3 (en) 1991-01-09
US5017803A (en) 1991-05-21
EP0333405A2 (en) 1989-09-20
JPH01235412A (ja) 1989-09-20
JP2578465B2 (ja) 1997-02-05
KR920002673B1 (en) 1992-03-31
DE68922766D1 (de) 1995-06-29
DE68922766T2 (de) 1995-09-28
EP0333405B1 (en) 1995-05-24

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR920010900A (ko) 반도체지연회로
KR890015507A (ko) 전원전압상승검출회로
KR920702088A (ko) 변환파괴를 피하기위해 인덕터와 직렬로 전자소자를 이용하고, mosfet 대신 igbt 소자의 이용에 의해 전류범위가 확장되는 스위칭 회로
KR910016133A (ko) 반도체 집적회로
KR870009238A (ko) 고전압검출회로
KR890016759A (ko) 파워 전계 효과 트랜지스터 구동회로
KR950015989A (ko) 캐패시터와 트랜지스터를 사용하는 지연 회로
KR880012094A (ko) 전원 공급 장치
KR880013251A (ko) 모놀리틱 집적회로 소자
KR850008564A (ko) 반도체 집적회로 장치
KR940010521A (ko) 스위칭회로 및 스위칭회로 작동방법
KR940017212A (ko) 전력 트랜지스터에 대한 제어 전극 디스에이블 회로
KR910019342A (ko) 기준전압과 상응한 출력신호를 공급하는 버퍼회로
KR900002552A (ko) 출력회로
KR900002568A (ko) 고 측면 구동기 구성내의 전력 장치에 의해 구동되는 유도성 부하의 클램핑 전압용 제어 회로
KR900004122A (ko) 저주파 전력 증폭용 파워 세이브 회로
KR940023060A (ko) 입력회로
KR900019315A (ko) 전압 레벨 전환 회로
KR940017217A (ko) 티티엘(ttl) 레벨의 입력 신호를 수신하는 입력 회로
KR910002128A (ko) 집적 제어 회로
KR900700954A (ko) 출력 회로
KR880004564A (ko) 반도체 집적회로
KR970700951A (ko) 턴-오프시 울림 전압 보호 기능을 가진 전치-조절기(Pre-regulator with protection against voltage ringing on turn-off)
KR840008904A (ko) 3각파 전압발생용 회로
KR910008925A (ko) 승압 전환 구조를 갖는 정전압 조절기용 전력 공급 회로

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
G160 Decision to publish patent application
E701 Decision to grant or registration of patent right
GRNT Written decision to grant
FPAY Annual fee payment

Payment date: 20030320

Year of fee payment: 12

LAPS Lapse due to unpaid annual fee