JPH01235412A - パルス信号発生回路 - Google Patents
パルス信号発生回路Info
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- JPH01235412A JPH01235412A JP63060214A JP6021488A JPH01235412A JP H01235412 A JPH01235412 A JP H01235412A JP 63060214 A JP63060214 A JP 63060214A JP 6021488 A JP6021488 A JP 6021488A JP H01235412 A JPH01235412 A JP H01235412A
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- 239000003990 capacitor Substances 0.000 description 3
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 3
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 2
- 230000008878 coupling Effects 0.000 description 1
- 238000010168 coupling process Methods 0.000 description 1
- 238000005859 coupling reaction Methods 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
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- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 1
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- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03K—PULSE TECHNIQUE
- H03K17/00—Electronic switching or gating, i.e. not by contact-making and –breaking
- H03K17/22—Modifications for ensuring a predetermined initial state when the supply voltage has been applied
- H03K17/223—Modifications for ensuring a predetermined initial state when the supply voltage has been applied in field-effect transistor switches
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- H03K2017/6878—Electronic switching or gating, i.e. not by contact-making and –breaking characterised by the components used by the use, as active elements, of semiconductor devices the devices being field-effect transistors using multi-gate field-effect transistors
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
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Description
【発明の詳細な説明】
〔概 要〕
例えば電源投入時におけるリセットパルス発生回路など
に利用されるパルス信号発生回路に関し、比較的簡単な
構成で消費電力を少なくし、かつ信頬性を高めることを
目的とし、 所定の電源電圧が付与されたコントロールゲート、およ
びその電位が制御されるフローティングゲートを有する
トランジスタをそなえ、該電源電圧上昇時、該フローテ
ィングゲートの電位変化に応じて該トランジスタのしき
い値電圧を変化させ、所定のパルス信号を出力させるよ
うに構成される。
に利用されるパルス信号発生回路に関し、比較的簡単な
構成で消費電力を少なくし、かつ信頬性を高めることを
目的とし、 所定の電源電圧が付与されたコントロールゲート、およ
びその電位が制御されるフローティングゲートを有する
トランジスタをそなえ、該電源電圧上昇時、該フローテ
ィングゲートの電位変化に応じて該トランジスタのしき
い値電圧を変化させ、所定のパルス信号を出力させるよ
うに構成される。
本発明はパルス信号発生回路に関し、特に電源投入時に
おけるリセットパルス発生回路(パワーオン・リセット
回路)などに利用されるパルス信号発生回路に関する。
おけるリセットパルス発生回路(パワーオン・リセット
回路)などに利用されるパルス信号発生回路に関する。
例えば半導体メモリなどの半導体集積回路においては、
電源投入時において各部のノードの電圧を初期設定する
ために、電源投入時にリセットパルスをチップ内部で発
生させる回路(所謂パワーオン・リセット回路)が設け
られる。
電源投入時において各部のノードの電圧を初期設定する
ために、電源投入時にリセットパルスをチップ内部で発
生させる回路(所謂パワーオン・リセット回路)が設け
られる。
特にCMO3型の半導体集積回路は、低消費電力である
点が大きな特長とされており、したがってかかる集積回
路に用いられるパワーオン・リセット回路も低消費電力
を達成することが要求される。
点が大きな特長とされており、したがってかかる集積回
路に用いられるパワーオン・リセット回路も低消費電力
を達成することが要求される。
一方、従来技術としてのパワーオン・リセット回路とし
ては、01間抵抗により電源電圧を分圧し、該分圧した
電圧を例えばCMOSインバータ回路へ入力させる回路
(電源投入時、電源電圧の上昇に伴って該分圧した電圧
をも上昇させ、所定の値(該インバータのしきい値)ま
で上昇したときに該インバータを反転させて所定のリセ
ットパルスを発生させる回路)では、常時該高抵抗を通
して電流が流れるため消費電力の増大を招くことになる
。また■、上記高抵抗により分圧する代りにコンデンサ
の容量分割を利用する回路では、特に光がチップに当っ
たときあるいは温度上昇時、該コンデンサにリーク電流
が流れることによって分圧レベルが正確な値とならず、
誤動作する(リセットパルスが正しく出ない)おそれが
生ずる。
ては、01間抵抗により電源電圧を分圧し、該分圧した
電圧を例えばCMOSインバータ回路へ入力させる回路
(電源投入時、電源電圧の上昇に伴って該分圧した電圧
をも上昇させ、所定の値(該インバータのしきい値)ま
で上昇したときに該インバータを反転させて所定のリセ
ットパルスを発生させる回路)では、常時該高抵抗を通
して電流が流れるため消費電力の増大を招くことになる
。また■、上記高抵抗により分圧する代りにコンデンサ
の容量分割を利用する回路では、特に光がチップに当っ
たときあるいは温度上昇時、該コンデンサにリーク電流
が流れることによって分圧レベルが正確な値とならず、
誤動作する(リセットパルスが正しく出ない)おそれが
生ずる。
また■、上記高抵抗あるいはコンデンサの代りにCR時
定数回路を利用する場合には、電源のオン・オフの頻度
が高い場合(短い時間でオン・オフする場合)に正確に
動作しないおそれが生ずる。更に■、フィードバック回
路などを利用した回路も考えられているが、その回路構
成が複雑になるなどの問題点が住する。
定数回路を利用する場合には、電源のオン・オフの頻度
が高い場合(短い時間でオン・オフする場合)に正確に
動作しないおそれが生ずる。更に■、フィードバック回
路などを利用した回路も考えられているが、その回路構
成が複雑になるなどの問題点が住する。
本発明はかかる課題を解決するためになされたもので、
比較的簡単な構成でありながら消費電力がきわめて少く
、信頼性の高い、上記パワーオン・リセット回路などに
通したパルス信号発生回路をうるようにしたものである
。
比較的簡単な構成でありながら消費電力がきわめて少く
、信頼性の高い、上記パワーオン・リセット回路などに
通したパルス信号発生回路をうるようにしたものである
。
上記課題を解決するために本発明においては、所定の電
源電圧が付与されたコントロールゲート、およびその電
位が制御されるフローティングゲートを有するトランジ
スタをそなえ、該電源電圧上昇時、該フローティングゲ
ートの電位変化に応じて該トランジスタのしきい値電圧
を変化させ、所定のパルス信号を出力させるようにした
パルス信号発生回路が提供される。
源電圧が付与されたコントロールゲート、およびその電
位が制御されるフローティングゲートを有するトランジ
スタをそなえ、該電源電圧上昇時、該フローティングゲ
ートの電位変化に応じて該トランジスタのしきい値電圧
を変化させ、所定のパルス信号を出力させるようにした
パルス信号発生回路が提供される。
上記構成によれば、EPROMなどで利用されているフ
ローティングゲート付トランジスタを用い、該フローテ
ィングゲートの電位を制御して該トランジスタに、その
しきいイ直として2つの異なる値を持たせ、それによっ
て所定のパルス信号を出力させることができる。
ローティングゲート付トランジスタを用い、該フローテ
ィングゲートの電位を制御して該トランジスタに、その
しきいイ直として2つの異なる値を持たせ、それによっ
て所定のパルス信号を出力させることができる。
第1図は、本発明の1実施例としてのパルス信号発生回
路を示すもので、T1はフローティングゲ−1−FCお
よびコントロールゲートCGを有するトランジスタであ
って、該トランジスタT1のドレインは負荷抵抗Rを介
して電源Vccに接続され、ソースは電源Vtiに接続
され、また該コントロールゲートCGには該電源ν。。
路を示すもので、T1はフローティングゲ−1−FCお
よびコントロールゲートCGを有するトランジスタであ
って、該トランジスタT1のドレインは負荷抵抗Rを介
して電源Vccに接続され、ソースは電源Vtiに接続
され、また該コントロールゲートCGには該電源ν。。
が直接接続され、該フローティングゲートFGはエンハ
ンスメント形トランジスタT2のドレインに接続される
。更に該フローティングゲートFGにそのドレインが接
続された該エンハンスメント形トランジスタT2のゲー
トにも該電源V(eが直接接続され、そのソースには電
源Vssが接続される。なお該トランジスタT1のドレ
インと負荷抵抗Rとの接続点から出力電圧V。utがと
り出され、該出力電圧v0□が例えばCMOSインバー
タ回路に入力される。
ンスメント形トランジスタT2のドレインに接続される
。更に該フローティングゲートFGにそのドレインが接
続された該エンハンスメント形トランジスタT2のゲー
トにも該電源V(eが直接接続され、そのソースには電
源Vssが接続される。なお該トランジスタT1のドレ
インと負荷抵抗Rとの接続点から出力電圧V。utがと
り出され、該出力電圧v0□が例えばCMOSインバー
タ回路に入力される。
上述した回路において、第2図(a)に示すように、時
点t1で電源を投入しその電源電圧vccをVss(O
v)から上昇させて行くと、はじめは該エンハンスメン
ト形トランジスタT2がオフのため、該l・ランジスタ
TlのフローティングゲートFCはフローティング状態
となり、該コントロールデー)CGとフローティングゲ
ートF0間の容量と、該フローティングデー)FCと基
板間の容量の結合により、該フローティングゲートFG
の電位は例えば0.5×■ccのレベルとなり、該トラ
ンジスタTIはオンとなり、該出力電圧ν。utはほぼ
OV (V、、)とナル(第2図(b)参照)。
点t1で電源を投入しその電源電圧vccをVss(O
v)から上昇させて行くと、はじめは該エンハンスメン
ト形トランジスタT2がオフのため、該l・ランジスタ
TlのフローティングゲートFCはフローティング状態
となり、該コントロールデー)CGとフローティングゲ
ートF0間の容量と、該フローティングデー)FCと基
板間の容量の結合により、該フローティングゲートFG
の電位は例えば0.5×■ccのレベルとなり、該トラ
ンジスタTIはオンとなり、該出力電圧ν。utはほぼ
OV (V、、)とナル(第2図(b)参照)。
そして更に電源電圧Vccが上昇すると(例えば第2図
(a)のV’cc点に到達する時点t2で)、該エンハ
ンスメント形トランジスタT2がオンとなり、その結果
、該フローティングゲートFGの電位がOvとなるため
、該トランジスタTIがオフとなり、該出力電圧Vc+
utがvcc(ハイレベル)に上昇する(第2図(b)
参照)。したがって該出力電圧VouLを例えばCMO
Sインバータへ人力させることにより、その出力側から
は、該時点1.からt2までの間(電源投入後、所定の
短時間だけ)所定のパルス電圧を出力させることができ
、例えば上記リセットパルスとして利用することができ
る。
(a)のV’cc点に到達する時点t2で)、該エンハ
ンスメント形トランジスタT2がオンとなり、その結果
、該フローティングゲートFGの電位がOvとなるため
、該トランジスタTIがオフとなり、該出力電圧Vc+
utがvcc(ハイレベル)に上昇する(第2図(b)
参照)。したがって該出力電圧VouLを例えばCMO
Sインバータへ人力させることにより、その出力側から
は、該時点1.からt2までの間(電源投入後、所定の
短時間だけ)所定のパルス電圧を出力させることができ
、例えば上記リセットパルスとして利用することができ
る。
上述したように本発明回路では、電源投入後(時点1+
)から時点t2までは、該トランジスタTIのフロー
ティングデー)FCの電位が例えば0.5×■ccのレ
ベルとなって該トランジスタT1は所定のしきい値電圧
(例えば3V)を有し、該時点t2以後は該トランジス
タT1のフローティングゲートFCの電位がOvとなっ
てそのしきい値電圧は無限大(すなわちトランジスタT
1は完全なオフ状態)となるため、このしきい値電圧の
変化を利用して所定のパルス信号を出力させることがで
きる。そして上記電源投入時点t、からt2までの短時
間のみ消費電力があるだけで、それ以後は全く消費電力
がなくなる。
)から時点t2までは、該トランジスタTIのフロー
ティングデー)FCの電位が例えば0.5×■ccのレ
ベルとなって該トランジスタT1は所定のしきい値電圧
(例えば3V)を有し、該時点t2以後は該トランジス
タT1のフローティングゲートFCの電位がOvとなっ
てそのしきい値電圧は無限大(すなわちトランジスタT
1は完全なオフ状態)となるため、このしきい値電圧の
変化を利用して所定のパルス信号を出力させることがで
きる。そして上記電源投入時点t、からt2までの短時
間のみ消費電力があるだけで、それ以後は全く消費電力
がなくなる。
本発明によれば、比較的簡単な構成で消費電力が少なく
、しかも小型で信頼性の高いパルス信号発生回路をうる
ことができるため、上記パワーオン・リセット回路など
に好適に利用することができる。
、しかも小型で信頼性の高いパルス信号発生回路をうる
ことができるため、上記パワーオン・リセット回路など
に好適に利用することができる。
第1図は、本発明の1実施例としてのパルス信号発生回
路を示す図、 第2図(a) 、 (b)は、第1図の回路の動作を説
明するタイミング図である。 (符号の説明) Tl:フローティングデー)FCを有するトランジスタ
、 ]゛2:エンハンスメント形トランジスタ、R:負荷抵
抗。
路を示す図、 第2図(a) 、 (b)は、第1図の回路の動作を説
明するタイミング図である。 (符号の説明) Tl:フローティングデー)FCを有するトランジスタ
、 ]゛2:エンハンスメント形トランジスタ、R:負荷抵
抗。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 1、所定の電源電圧が付与されたコントロールゲート、
およびその電位が制御されるフローティングゲートを有
するトランジスタをそなえ、該電源電圧上昇時、該フロ
ーティングゲートの電位変化に応じて該トランジスタの
しきい値電圧を変化させ、所定のパルス信号を出力させ
ることを特徴とするパルス信号発生回路。 2、該電源電圧が所定値まで上昇したとき、該フローテ
ィングゲートの電位変化に応じて該トランジスタのしき
い値電圧を変化させ、これにより電源投入時に所定のリ
セットパルスを出力させるようにした、請求項1に記載
のパルス信号発生回路。 3、該フローティングゲートの電位を制御する素子とし
て、そのゲートに該電源電圧が付与されたエンハンスメ
ント形トランジスタが用いられる、請求項1に記載のパ
ルス信号発生回路。
Priority Applications (5)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP63060214A JP2578465B2 (ja) | 1988-03-16 | 1988-03-16 | パルス信号発生回路 |
US07/321,779 US5017803A (en) | 1988-03-16 | 1989-03-10 | Power supply potential rising detection circuit |
EP89302443A EP0333405B1 (en) | 1988-03-16 | 1989-03-13 | Power supply potential rising detection circuit |
DE68922766T DE68922766T2 (de) | 1988-03-16 | 1989-03-13 | Speisespannungspotentialanstiegsdetektorschaltung. |
KR8903204A KR920002673B1 (en) | 1988-03-16 | 1989-03-15 | Source voltage-up detection circuit |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP63060214A JP2578465B2 (ja) | 1988-03-16 | 1988-03-16 | パルス信号発生回路 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH01235412A true JPH01235412A (ja) | 1989-09-20 |
JP2578465B2 JP2578465B2 (ja) | 1997-02-05 |
Family
ID=13135685
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP63060214A Expired - Fee Related JP2578465B2 (ja) | 1988-03-16 | 1988-03-16 | パルス信号発生回路 |
Country Status (5)
Country | Link |
---|---|
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EP (1) | EP0333405B1 (ja) |
JP (1) | JP2578465B2 (ja) |
KR (1) | KR920002673B1 (ja) |
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---|---|---|---|---|
US5239500A (en) * | 1989-09-29 | 1993-08-24 | Centre Suisse D'electronique Et De Microtechnique S.A. | Process of storing analog quantities and device for the implementation thereof |
JP3059737B2 (ja) * | 1989-12-25 | 2000-07-04 | シャープ株式会社 | 半導体記憶装置 |
JPH0474015A (ja) * | 1990-07-13 | 1992-03-09 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体集積回路装置 |
US5248907A (en) * | 1992-02-18 | 1993-09-28 | Samsung Semiconductor, Inc. | Output buffer with controlled output level |
FR2691289A1 (fr) * | 1992-05-15 | 1993-11-19 | Thomson Csf | Dispositif semiconducteur à effet de champ, procédé de réalisation et application à un dispositif à commande matricielle. |
EP0596637A1 (en) * | 1992-11-02 | 1994-05-11 | STMicroelectronics, Inc. | Input buffer circuit |
EP0700159A1 (en) * | 1994-08-31 | 1996-03-06 | STMicroelectronics S.r.l. | Threshold detection circuit |
JP3409938B2 (ja) * | 1995-03-02 | 2003-05-26 | 株式会社東芝 | パワーオンリセット回路 |
US5555166A (en) * | 1995-06-06 | 1996-09-10 | Micron Technology, Inc. | Self-timing power-up circuit |
DE10146831B4 (de) * | 2001-09-24 | 2006-06-22 | Atmel Germany Gmbh | Verfahren zur Erzeugung eines zeitlich begrenzten Signals |
JP3597501B2 (ja) * | 2001-11-20 | 2004-12-08 | 松下電器産業株式会社 | 半導体集積回路 |
SE526731C2 (sv) * | 2003-10-30 | 2005-11-01 | Infineon Technologies Ag | Uppstartningsövervakningskrets |
US7944769B1 (en) * | 2009-10-14 | 2011-05-17 | Xilinx, Inc. | System for power-on detection |
US8432727B2 (en) * | 2010-04-29 | 2013-04-30 | Qualcomm Incorporated | Invalid write prevention for STT-MRAM array |
KR102409970B1 (ko) * | 2015-11-18 | 2022-06-17 | 삼성디스플레이 주식회사 | 스캔라인 드라이버 및 이를 포함하는 디스플레이 장치 |
Family Cites Families (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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US4245165A (en) * | 1978-11-29 | 1981-01-13 | International Business Machines Corporation | Reversible electrically variable active parameter trimming apparatus utilizing floating gate as control |
JPS6197576A (ja) * | 1984-10-19 | 1986-05-16 | Toshiba Corp | 高電位検知回路 |
JPH07105704B2 (ja) * | 1985-08-12 | 1995-11-13 | 松下電器産業株式会社 | 電圧検出回路 |
US4742492A (en) * | 1985-09-27 | 1988-05-03 | Texas Instruments Incorporated | EEPROM memory cell having improved breakdown characteristics and driving circuitry therefor |
-
1988
- 1988-03-16 JP JP63060214A patent/JP2578465B2/ja not_active Expired - Fee Related
-
1989
- 1989-03-10 US US07/321,779 patent/US5017803A/en not_active Expired - Lifetime
- 1989-03-13 DE DE68922766T patent/DE68922766T2/de not_active Expired - Fee Related
- 1989-03-13 EP EP89302443A patent/EP0333405B1/en not_active Expired - Lifetime
- 1989-03-15 KR KR8903204A patent/KR920002673B1/ko not_active IP Right Cessation
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
EP0333405A2 (en) | 1989-09-20 |
KR890015507A (ko) | 1989-10-30 |
EP0333405B1 (en) | 1995-05-24 |
DE68922766D1 (de) | 1995-06-29 |
JP2578465B2 (ja) | 1997-02-05 |
DE68922766T2 (de) | 1995-09-28 |
KR920002673B1 (en) | 1992-03-31 |
EP0333405A3 (en) | 1991-01-09 |
US5017803A (en) | 1991-05-21 |
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Legal Events
Date | Code | Title | Description |
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