KR910001775A - 반도체 기억장치 - Google Patents

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KR910001775A
KR910001775A KR1019900009538A KR900009538A KR910001775A KR 910001775 A KR910001775 A KR 910001775A KR 1019900009538 A KR1019900009538 A KR 1019900009538A KR 900009538 A KR900009538 A KR 900009538A KR 910001775 A KR910001775 A KR 910001775A
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KR1019900009538A
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히로시 이와하시
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아오이 죠이치
가부시키가이샤 도시바
다케다이 마사다카
도시바 마이크로 일렉트로닉스 가부시키가이샤
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    • G11C—STATIC STORES
    • G11C17/00—Read-only memories programmable only once; Semi-permanent stores, e.g. manually-replaceable information cards
    • G—PHYSICS
    • G11—INFORMATION STORAGE
    • G11C—STATIC STORES
    • G11C7/00—Arrangements for writing information into, or reading information out from, a digital store
    • G11C7/12—Bit line control circuits, e.g. drivers, boosters, pull-up circuits, pull-down circuits, precharging circuits, equalising circuits, for bit lines
    • G—PHYSICS
    • G11—INFORMATION STORAGE
    • G11C—STATIC STORES
    • G11C16/00—Erasable programmable read-only memories
    • G11C16/02—Erasable programmable read-only memories electrically programmable
    • G11C16/06—Auxiliary circuits, e.g. for writing into memory
    • G11C16/26—Sensing or reading circuits; Data output circuits

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  • Read Only Memory (AREA)
  • Semiconductor Memories (AREA)
  • Non-Volatile Memory (AREA)
  • Static Random-Access Memory (AREA)

Abstract

내용 없음

Description

반도체 기억장치
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제1도는 본 발명의 제1실시예를 적용시킨 반도체기억장치의 전체 회로도.
제2도는 본 발명의 제2실시예의 회로도.

Claims (4)

  1. 행선(11~1n)과, 이 행선에 의해 선택적으로 구동되는 메모리셀(311~3nm), 이 메모리셀에 접속되는 열선(21~2m), 이 열선에 (21~2m), 이 이 열선에 접속되는 부하트랜지스터(16), 이 부하트랜지스터와 상기 열선의 사이에 소오스/드레인전류로가 접속되어 상기 열선의 전위에 따라 게이트전위가 제어되는 제1트랜지스터(15.15A), 상기 열선에 접속되어 상기 열선의 전위가 소정의 전위 이상일때 상기 열선의 전위를 상기 소정의 전위까지 방전시키는 방전수단(21~26.I)를 구비한 것을 특징으로 하는 반도체 기억장치.
  2. 제1항에 있어서, 상기 소정의 전위는 상기 제1트랜지스터의 게이트전위 보다도 제1트랜지스터의 문턱치 전압 분만큼 낮은 값인 것을 특징으로 하는 반도체 기억장치.
  3. 제1항에 있어서, 상기 방전수단은 상기 열선에 드레인과 게이트가 접속된 문턱치 전압이 대략 0V인 제2트랜지스터(23)를 구비하고, 그 제2트랜지스터의 소오스를 전원단자에 접지사이에 직렬로 접속된 제3트랜지스터(21) 및 제4트랜지스터(24)의 접속중점에 접속시키며 상기 제3트랜지스터(21)의 게이트를 상기 제1트랜지스터(15)의 게이트에 접속시킨 구성으로 되어 있고, 더욱이 상기 제1트랜지스터의 문턱치 전압과 제3트랜지스터의 문턱치 전압이 거의 동일한 것을 특징으로 하는 반도체 기억장치.
  4. V
    제1항에 있어서, 상기 제1트랜지스터는 문턱치 전압이 대략0V인 트랜지스터이고, 상기 방전수단은 상기 열선과 상기 제1트랜지스터의 게이트 사이에 접속된 문턱치 전압이 대략 0V인 제5트랜지스터(26)를 구비하여 그 제5트랜지스터(26)의 게이트를 상기 열선에 접속시킨 것임을 특징으로 하는 반도체기억장치.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
KR1019900009538A 1989-06-27 1990-06-27 반도체기억장치 KR930008413B1 (ko)

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JP16497089A JPH0814996B2 (ja) 1989-06-27 1989-06-27 半導体記憶装置
JP1-164970 1989-06-27
JP89-164970 1989-06-27

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KR910001775A true KR910001775A (ko) 1991-01-31
KR930008413B1 KR930008413B1 (ko) 1993-08-31

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KR930008413B1 (ko) 1993-08-31
JPH0330192A (ja) 1991-02-08
JPH0814996B2 (ja) 1996-02-14
US5175705A (en) 1992-12-29

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