RU95122707A - Усилитель для радиотелефона - Google Patents
Усилитель для радиотелефонаInfo
- Publication number
- RU95122707A RU95122707A RU95122707/09A RU95122707A RU95122707A RU 95122707 A RU95122707 A RU 95122707A RU 95122707/09 A RU95122707/09 A RU 95122707/09A RU 95122707 A RU95122707 A RU 95122707A RU 95122707 A RU95122707 A RU 95122707A
- Authority
- RU
- Russia
- Prior art keywords
- control
- bias
- input
- transistor
- current
- Prior art date
Links
- 230000001419 dependent Effects 0.000 claims 3
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 2
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 claims 2
- 239000010703 silicon Substances 0.000 claims 2
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims 2
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 claims 1
- 230000000875 corresponding Effects 0.000 claims 1
- 230000001939 inductive effect Effects 0.000 claims 1
- 230000001264 neutralization Effects 0.000 claims 1
- 230000001702 transmitter Effects 0.000 claims 1
Claims (10)
1. Усилитель (201), содержащий вход управления смещением (117), вход смещения ( VB+ ), вход сигнала (115) и выход сигнала (207), причем вход (115) предназначен для приема входного сигнала, имеющего некоторый входной уровень мощности, выход (207) предназначен для снятия выходного сигнала, имеющего некоторый выходной уровень мощности, вход управления смещением (117) предназначен для приема сигнала управления смещением, имеющего некоторый управляющий ток, а вход смещения ( VB+ ) предназначен для приема тока смещения, отличающийся тем, что содержит первый и второй транзисторы (301, 303), имеющие клеммы стока, истока, затвора, и соответствующие пороговые напряжения, причем со стока второго транзистора снимают выходной сигнал (207), а клемма подачи смещения ( VB+ ), затворы первого и второго транзисторов и сток первого транзистора связаны с входной клеммой (115) входного сигнала и входной клеммой управления смещением (117), истоки первого и второго транзисторов связаны с общей нулевой точкой схемы (309), а первое пороговое напряжение и второе пороговое напряжение по существу равны.
2. Усилитель (201) по п. 1, отличающийся тем, что входная клемма управления смещением (117) связана с затвором первого и второго транзисторов со стоком первого транзистора через первый резистор (307).
3. Усилитель (201) по п. 1 или 2, отличающийся тем, что входная клемма подачи смещения ( VB+ ) связана со стоком второго транзистора через первый индуктивный элемент (305).
4. Усилитель (201) по п. 1 или 2, отличающийся тем, что входная клемма подачи смещения ( VB+ ) связана со стоком второго транзистора через первую линию передачи.
5. Усилитель (201) по любому из предыдущих пунктов, отличающийся тем, что первый транзистор (301) и второй транзистор (303) расположены на первом кристалле, в котором кремниевая подложка является электропроводной, а первый исток и второй исток соединены с кремниевой подложкой.
6. Схема многокаскадного усилителя (109), отличающаяся тем, что содержит первый сигнал управления (117), имеющий управляющее напряжение, первый каскад транзисторного усилителя (201), имеющий первый ток смещения, первый ток управления и первое пороговое напряжение, причем первый ток управления получен из управляющего напряжения и первого порогового напряжения, первый ток смещения находится в линейной зависимости с первым током управления, первый каскад транзисторного усилителя (201) включает в себя усилитель (201) по любому из предыдущих пунктов, в котором выходной уровень мощности зависит от входного уровня мощности и первого тока смещения, первый ток смещения находится в линейной зависимости с первым управляющим током, второй каскад транзисторного усилителя (203), имеющий второй ток смещения, второй ток управления и третье пороговое напряжение, причем второй ток управления получен из управляющего напряжения и третьего порогового напряжения.
7. Многокаскадный усилитель (109) по п.6, отличающийся тем, что второй каскад транзисторного усилителя (203) содержит усилитель (201) по любому из пунктов 1-5, в котором выходной уровень мощности зависит от входного уровня мощности и тока смещения, ток смещения находится в линейной зависимости от управляющего тока.
8. Радиотелефон (103), контроллер (111) для формирования первого сигнала управления (117), имеющего управляющее напряжение, передатчик (109), отличающийся тем, что содержит первый каскад транзисторного усилителя (201), имеющий первый ток смещения, первый ток управления и первое пороговое напряжение, причем первый ток управления получен из управляющего напряжения и первого порогового напряжения, первый ток смещения находится в линейной зависимости с первым током управления, первый каскад транзисторного усилителя (201) содержит первый транзистор (301), имеющий входные клеммы стока, истока, затвора и первое пороговое напряжение, и второй транзистор (303), имеющий входные клеммы стока, истока, затвора и второе пороговое напряжение, при этом сток второго транзистора соединен с выходной клеммой сигнала (207), а клемма подачи смещения ( VB+ ) затвора первого и второго транзисторов и стока первого транзистора соединены с входной клеммой подачи сигнала (115) и входной клеммой управления смещением (117), исток первого и второго транзистора соединены с общей нулевой точкой (309) схемы, первое пороговое напряжение и второе пороговое напряжение по существу равны, так что выходной уровень мощности зависит от входного уровня мощности и первого тока смещения, первый ток смещения находится в линейной зависимости с первым управляющим током, второй каскад транзисторного усилителя (203), имеющий второй ток смещения, второй ток управления и третье пороговое напряжение, причем второй ток управления получен из управляющего напряжения и второго порогового напряжения.
9. Радиотелефон по п. 8, отличающийся тем, что второй ток смещения находится в линейной зависимости от второго тока управления.
10. Радиотелефон по п. 8 или 9, отличающийся тем, что второй каскад транзисторного усилителя (203) содержит первый (301) и второй (303) транзисторы, имеющие клеммы стока, истока, затвора и соответственно первое и второе пороговые напряжения, при этом сток второго транзистора соединен с выходной клеммой сигнала (207), а входная клемма подачи смещения ( VB+ ), затвора первого и второго транзисторов и стока первого транзистора соединены с входной клеммой сигнала (115) и входной клеммой управления смещением (117), истоки первого и второго транзисторов соединены с общей нулевой точкой (309) схемы, первое пороговое напряжение и второе пороговое напряжение по существу равны, так что выходной уровень мощности зависит от входного уровня мощности и первого тока смещения, первый ток смещения находится в линейной зависимости с первым управляющим током.
Applications Claiming Priority (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
US08/166,054 US5410275A (en) | 1993-12-13 | 1993-12-13 | Amplifier circuit suitable for use in a radiotelephone |
US08/166,054 | 1993-12-13 | ||
US08/166054 | 1993-12-13 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
RU95122707A true RU95122707A (ru) | 1998-03-20 |
RU2170488C2 RU2170488C2 (ru) | 2001-07-10 |
Family
ID=22601620
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
RU95122707/09A RU2170488C2 (ru) | 1993-12-13 | 1994-11-03 | Усилитель для радиотелефона |
Country Status (15)
Country | Link |
---|---|
US (2) | US5410275A (ru) |
JP (1) | JPH08507192A (ru) |
KR (1) | KR0160574B1 (ru) |
CN (1) | CN1037056C (ru) |
AU (1) | AU1087595A (ru) |
BR (1) | BR9405759A (ru) |
CA (1) | CA2154584C (ru) |
DE (2) | DE4499891T1 (ru) |
FR (1) | FR2713857B1 (ru) |
GB (1) | GB2294832B (ru) |
RU (1) | RU2170488C2 (ru) |
SE (1) | SE9502813L (ru) |
SG (1) | SG52466A1 (ru) |
WO (1) | WO1995017042A1 (ru) |
ZA (1) | ZA948745B (ru) |
Families Citing this family (19)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5410275A (en) * | 1993-12-13 | 1995-04-25 | Motorola Inc. | Amplifier circuit suitable for use in a radiotelephone |
JP3139734B2 (ja) * | 1995-11-07 | 2001-03-05 | 日本電気株式会社 | 可変利得増幅器 |
JP3881079B2 (ja) * | 1997-03-14 | 2007-02-14 | 株式会社アドバンテスト | 半導体集積回路素子 |
US6191656B1 (en) | 1999-07-23 | 2001-02-20 | Rf Micro Devices, Inc. | High efficiency, unilateral dual stage RF amplifier |
JP2001127701A (ja) * | 1999-10-28 | 2001-05-11 | Hitachi Ltd | 電力増幅器モジュール |
US6448855B1 (en) * | 2000-04-13 | 2002-09-10 | Koninklijke Philips Electronics N.V. | Accurate power detection circuit for use in a power amplifier |
WO2002003543A1 (fr) * | 2000-06-30 | 2002-01-10 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | Amplificateur haute frequence |
WO2002003544A1 (fr) * | 2000-06-30 | 2002-01-10 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | Amplificateur haute frequence |
KR20050000423A (ko) * | 2002-05-16 | 2005-01-03 | 코닌클리즈케 필립스 일렉트로닉스 엔.브이. | 푸시풀 전력 증폭기용 엔드 스테이지 회로 및 그를 포함한d급 증폭기와 푸시풀 증폭기의 엔드 스테이지 제어 방법 |
EP1367710B1 (en) * | 2002-05-31 | 2008-02-06 | Telefonaktiebolaget LM Ericsson (publ) | Power amplifiers |
US6784745B2 (en) * | 2003-01-31 | 2004-08-31 | Lsi Logic Corporation | Adjustable current-mode equalizer |
KR100663450B1 (ko) * | 2003-05-19 | 2007-01-02 | 삼성전자주식회사 | 집적 가능한 전압조정 초고주파 전력 증폭기 |
CN101071312B (zh) * | 2006-05-12 | 2010-04-21 | 苏州中科集成电路设计中心有限公司 | 共源共栅电流镜偏置方法及其偏置电路 |
US8282754B2 (en) | 2007-04-05 | 2012-10-09 | Avery Dennison Corporation | Pressure sensitive shrink label |
CN101679818A (zh) | 2007-04-05 | 2010-03-24 | 艾利丹尼森公司 | 压敏收缩标签 |
KR20120116008A (ko) | 2010-01-28 | 2012-10-19 | 애버리 데니슨 코포레이션 | 라벨 부착기 벨트 시스템 |
KR101944337B1 (ko) * | 2012-06-14 | 2019-02-01 | 스카이워크스 솔루션즈, 인코포레이티드 | 공정 보상된 hbt 전력 증폭기 바이어스 회로 및 방법 |
RU2571402C1 (ru) * | 2014-11-17 | 2015-12-20 | Федеральное Государственное Бюджетное Образовательное Учреждение Высшего Профессионального Образования "Донской Государственный Технический Университет" (Дгту) | Свч избирательный усилитель на основе планарной индуктивности с низкой добротностью |
KR101796989B1 (ko) * | 2016-04-29 | 2017-11-13 | 현대자동차주식회사 | 차량용 앰프 및 그를 포함하는 차량 |
Family Cites Families (15)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS5949604B2 (ja) * | 1974-12-13 | 1984-12-04 | ソニー株式会社 | トランジスタのバイアス回路 |
US4618815A (en) * | 1985-02-11 | 1986-10-21 | At&T Bell Laboratories | Mixed threshold current mirror |
US4694201A (en) * | 1985-04-30 | 1987-09-15 | Motorola, Inc. | Current-saving CMOS input buffer |
US4990976A (en) * | 1987-11-24 | 1991-02-05 | Nec Corporation | Semiconductor device including a field effect transistor having a protective diode between source and drain thereof |
JPH0229543U (ru) * | 1988-08-15 | 1990-02-26 | ||
US4896121A (en) * | 1988-10-31 | 1990-01-23 | Hughes Aircraft Company | Current mirror for depletion-mode field effect transistor technology |
US4896061A (en) * | 1988-12-13 | 1990-01-23 | Siemens Aktiengesellschaft | GaAs analog switch cell with wide linear dynamic range from DC to GHz |
US4975632A (en) * | 1989-03-29 | 1990-12-04 | Texas Instruments Incorporated | Stable bias current source |
US5126688A (en) * | 1990-03-20 | 1992-06-30 | Oki Electric Co., Ltd. | Power amplifying apparatus for wireless transmitter |
US5079456A (en) * | 1990-11-05 | 1992-01-07 | Motorola, Inc. | Current monitoring and/or regulation for sense FET's |
US5142696A (en) * | 1991-04-16 | 1992-08-25 | Motorola, Inc. | Current mirror having increased output swing |
US5160898A (en) * | 1991-06-03 | 1992-11-03 | Motorola, Inc. | Power amplifier |
US5220290A (en) * | 1991-06-03 | 1993-06-15 | Motorola, Inc. | Power amplifier |
DE69427378T2 (de) * | 1993-01-08 | 2002-04-25 | Sony Corp., Tokio/Tokyo | Monolithische integrierte Mikrowellenschaltung |
US5410275A (en) * | 1993-12-13 | 1995-04-25 | Motorola Inc. | Amplifier circuit suitable for use in a radiotelephone |
-
1993
- 1993-12-13 US US08/166,054 patent/US5410275A/en not_active Expired - Lifetime
-
1994
- 1994-11-02 US US08/333,408 patent/US5477192A/en not_active Expired - Lifetime
- 1994-11-03 JP JP7516753A patent/JPH08507192A/ja active Pending
- 1994-11-03 RU RU95122707/09A patent/RU2170488C2/ru active
- 1994-11-03 CN CN94191151A patent/CN1037056C/zh not_active Expired - Fee Related
- 1994-11-03 GB GB9516176A patent/GB2294832B/en not_active Expired - Fee Related
- 1994-11-03 KR KR1019950703382A patent/KR0160574B1/ko not_active IP Right Cessation
- 1994-11-03 SG SG1996004910A patent/SG52466A1/en unknown
- 1994-11-03 DE DE4499891T patent/DE4499891T1/de active Pending
- 1994-11-03 DE DE4499891A patent/DE4499891C2/de not_active Expired - Lifetime
- 1994-11-03 CA CA002154584A patent/CA2154584C/en not_active Expired - Fee Related
- 1994-11-03 AU AU10875/95A patent/AU1087595A/en not_active Abandoned
- 1994-11-03 WO PCT/US1994/012636 patent/WO1995017042A1/en active Application Filing
- 1994-11-03 BR BR9405759A patent/BR9405759A/pt not_active IP Right Cessation
- 1994-11-04 ZA ZA948745A patent/ZA948745B/xx unknown
- 1994-11-25 FR FR9414153A patent/FR2713857B1/fr not_active Expired - Lifetime
-
1995
- 1995-08-11 SE SE9502813A patent/SE9502813L/ not_active Application Discontinuation
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
RU95122707A (ru) | Усилитель для радиотелефона | |
US4996443A (en) | Integrated circuit for level shift | |
US4794283A (en) | Edge sensitive level translating and rereferencing CMOS circuitry | |
KR930020852A (ko) | 반도체 집적 회로 장치 | |
JPH03235517A (ja) | スイッチ回路 | |
KR920010900A (ko) | 반도체지연회로 | |
KR970056052A (ko) | 반도체 스위치 | |
EP0481530A3 (en) | Digital input circuit | |
KR880012008A (ko) | 전원절환회로 | |
KR890005977A (ko) | 증폭기 장치 | |
KR890005992A (ko) | 상보신호 출력회로 | |
US4698524A (en) | MESFET logic using integral diode level shifting | |
KR940017217A (ko) | 티티엘(ttl) 레벨의 입력 신호를 수신하는 입력 회로 | |
KR970067329A (ko) | 전원 전환 회로 | |
US4961015A (en) | MOS current switching circuit | |
ATE139069T1 (de) | Stromsenke | |
US6255885B1 (en) | Low voltage transistor biasing | |
KR960009401A (ko) | 비교기 회로 | |
DK0840454T3 (da) | Niveauskiftekredsløb | |
CA1298628C (en) | Amplifier circuit | |
GB2292856A (en) | Slew-rate limited bus driver | |
EP0435600A2 (en) | Integrated sample and hold circuits | |
KR960027331A (ko) | 버퍼회로 및 바이어스회로 | |
US5063343A (en) | Current pump structure | |
KR950012459A (ko) | 다(多)비트 출력 메모리 회로용 출력 회로 |