JPH08278207A - 電力用半導体要素の温度検出用回路装置 - Google Patents
電力用半導体要素の温度検出用回路装置Info
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- JPH08278207A JPH08278207A JP8091845A JP9184596A JPH08278207A JP H08278207 A JPH08278207 A JP H08278207A JP 8091845 A JP8091845 A JP 8091845A JP 9184596 A JP9184596 A JP 9184596A JP H08278207 A JPH08278207 A JP H08278207A
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- G01—MEASURING; TESTING
- G01K—MEASURING TEMPERATURE; MEASURING QUANTITY OF HEAT; THERMALLY-SENSITIVE ELEMENTS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- G01K7/00—Measuring temperature based on the use of electric or magnetic elements directly sensitive to heat ; Power supply therefor, e.g. using thermoelectric elements
- G01K7/01—Measuring temperature based on the use of electric or magnetic elements directly sensitive to heat ; Power supply therefor, e.g. using thermoelectric elements using semiconducting elements having PN junctions
Abstract
(57)【要約】
【課題】 電力用半導体要素の温度を１６０°Ｃよりも
低い温度でも確実に検出し得るようにする。 【解決手段】 電力用半導体要素をバイポーラ半導体要
素と熱的に接触させ、バイポーラ半導体要素のオフ電流
を増幅形の電流ミラー回路２、３；６、７に供給し、増
幅された電流を参照電流と比較する。
低い温度でも確実に検出し得るようにする。 【解決手段】 電力用半導体要素をバイポーラ半導体要
素と熱的に接触させ、バイポーラ半導体要素のオフ電流
を増幅形の電流ミラー回路２、３；６、７に供給し、増
幅された電流を参照電流と比較する。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、電力用半導体要素
の温度を検出するための回路装置であって、電力用半導
体要素と熱的に接触して配置されているバイポーラ半導
体要素を有し、そのオフ電流の大きさを電力用半導体要
素の温度の尺度として用いる回路装置に関する。
の温度を検出するための回路装置であって、電力用半導
体要素と熱的に接触して配置されているバイポーラ半導
体要素を有し、そのオフ電流の大きさを電力用半導体要
素の温度の尺度として用いる回路装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】このような回路装置はたとえばヨーロッ
パ特許第 0240807号明細書に記載されている。この回路
装置はバイポーラトランジスタを有し、それと直列に、
電流源として接続されたディプリーション形ＭＯＳＦＥ
Ｔが接続されている。バイポーラトランジスタは電力用
半導体要素と熱的に接触している。電流源の電流は一方
では、電力用半導体要素が正常な作動温度を有するとき
に流れるバイポーラトランジスタのオフ電流よりも低く
設定されている。他方では電流源の電流は電力用半導体
要素が超過温度、たとえば１６０°Ｃに達したときに流
れるバイポーラトランジスタのオフ電流よりも低く設定
されている。一方の状態から他方の状態への移行はバイ
ポーラトランジスタとディプリーション形ＦＥＴとの間
の節点において顕著な電圧上昇を伴う。この電圧上昇が
超過温度信号として評価される。
パ特許第 0240807号明細書に記載されている。この回路
装置はバイポーラトランジスタを有し、それと直列に、
電流源として接続されたディプリーション形ＭＯＳＦＥ
Ｔが接続されている。バイポーラトランジスタは電力用
半導体要素と熱的に接触している。電流源の電流は一方
では、電力用半導体要素が正常な作動温度を有するとき
に流れるバイポーラトランジスタのオフ電流よりも低く
設定されている。他方では電流源の電流は電力用半導体
要素が超過温度、たとえば１６０°Ｃに達したときに流
れるバイポーラトランジスタのオフ電流よりも低く設定
されている。一方の状態から他方の状態への移行はバイ
ポーラトランジスタとディプリーション形ＦＥＴとの間
の節点において顕著な電圧上昇を伴う。この電圧上昇が
超過温度信号として評価される。
【０００３】バイポーラトランジスタのオフ電流は温度
と共に指数関数的に上昇するので、この回路装置によっ
ては１６０°Ｃおよびそれ以上の温度のみが確実に検出
され得る。
と共に指数関数的に上昇するので、この回路装置によっ
ては１６０°Ｃおよびそれ以上の温度のみが確実に検出
され得る。
【０００４】しかし、多くの応用目的に対して、約１６
０°Ｃの超過温度を検出するだけでなく、正常な作動温
度、たとえば１２５°Ｃからたとえば１４０°Ｃへの上
昇を先に検出することが必要である。このような低い温
度ではオフ電流は１００ｎＡのオーダーでしかなく、従
ってもはや確実に検出され得ない。
０°Ｃの超過温度を検出するだけでなく、正常な作動温
度、たとえば１２５°Ｃからたとえば１４０°Ｃへの上
昇を先に検出することが必要である。このような低い温
度ではオフ電流は１００ｎＡのオーダーでしかなく、従
ってもはや確実に検出され得ない。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】本発明の課題は、前記
の種類の回路装置を、１６０°Ｃよりも低い温度も確実
に検出し得るように改良することである。
の種類の回路装置を、１６０°Ｃよりも低い温度も確実
に検出し得るように改良することである。
【０００６】
【課題を解決するための手段】この課題を解決するた
め、本発明においては、電力用半導体要素とバイポーラ
半導体要素とを熱的に接触させ、バイポーラ半導体要素
のオフ電流が増幅形の電流ミラー回路に供給され、増幅
された電流が参照電流と比較される。
め、本発明においては、電力用半導体要素とバイポーラ
半導体要素とを熱的に接触させ、バイポーラ半導体要素
のオフ電流が増幅形の電流ミラー回路に供給され、増幅
された電流が参照電流と比較される。
【０００７】本発明の構成は請求項２以下に記載されて
いる。
いる。
【０００８】
【実施例】以下に本発明を図面に示す実施例により詳細
に説明する。
に説明する。
【０００９】図１による回路装置はトランジスタであっ
てよいバイポーラ半導体要素１を含んでいる。しかし原
理的にはサイリスタを使用することも可能である。バイ
ポーラトランジスタ１はＭＯＳＦＥＴ２および３並びに
ＭＯＳＦＥＴ６および７から成る増幅形の電流ミラー回
路の入力端４と接続されている。ＭＯＳＦＥＴ２のドレ
イン端子は入力端４並びにＭＯＳＦＥＴ２および３のゲ
ート端子と接続されており、それによってダイオードと
して接続されている。ＭＯＳＦＥＴ３のドレイン端子は
ＭＯＳＦＥＴ６のドレイン端子および両ＭＯＳＦＥＴ
６、７のゲート端子と接続されている。
てよいバイポーラ半導体要素１を含んでいる。しかし原
理的にはサイリスタを使用することも可能である。バイ
ポーラトランジスタ１はＭＯＳＦＥＴ２および３並びに
ＭＯＳＦＥＴ６および７から成る増幅形の電流ミラー回
路の入力端４と接続されている。ＭＯＳＦＥＴ２のドレ
イン端子は入力端４並びにＭＯＳＦＥＴ２および３のゲ
ート端子と接続されており、それによってダイオードと
して接続されている。ＭＯＳＦＥＴ３のドレイン端子は
ＭＯＳＦＥＴ６のドレイン端子および両ＭＯＳＦＥＴ
６、７のゲート端子と接続されている。
【００１０】ＭＯＳＦＥＴ６および７はｐチャネル形で
あり、ＭＯＳＦＥＴ２および３はｎチャネル形である。
ＭＯＳＦＥＴ６、７のソース端子およびバイポーラトラ
ンジスタ１のコレクタ端子は第１の作動電圧端子９と接
続されている。ＭＯＳＦＥＴ２および３のソース端子は
定電圧源の出力端１９と接続されている。電流ミラー回
路２、３、６、７は出力端８を介してディプリーション
形ＦＥＴ１２のドレイン端子と接続されており、そのソ
ース端子は第２の供給電圧端子１０と接続されている。
出力端８はさらに出力端１４と接続されている。
あり、ＭＯＳＦＥＴ２および３はｎチャネル形である。
ＭＯＳＦＥＴ６、７のソース端子およびバイポーラトラ
ンジスタ１のコレクタ端子は第１の作動電圧端子９と接
続されている。ＭＯＳＦＥＴ２および３のソース端子は
定電圧源の出力端１９と接続されている。電流ミラー回
路２、３、６、７は出力端８を介してディプリーション
形ＦＥＴ１２のドレイン端子と接続されており、そのソ
ース端子は第２の供給電圧端子１０と接続されている。
出力端８はさらに出力端１４と接続されている。
【００１１】本発明の機能を説明するため、定電圧源の
機能については特に説明することなく端子９と１９との
間に一定の電圧が得られているものとする。バイポーラ
トランジスタ１を通ってその温度に相応してオフ電流が
流れ、このオフ電流が第１の電流ミラー回路２、３に供
給される。ＭＯＳＦＥＴ２、３は相異なるチャネル断面
積対チャネル長さ比を別として等しい特性を有する。バ
イポーラトランジスタの電流はダイオードとして接続さ
れたＭＯＳＦＥＴ２を通って入力端１９および端子１０
へ流れ出る。ＭＯＳＦＥＴ３には両ＭＯＳＦＥＴ２、３
のチャネル断面積対チャネル長さ比に相応してより高い
電流がダイオードとして接続されたＭＯＳＦＥＴ６を通
って流れる。この電流は同じく出力端１９を経て端子１
０へ流れ出る。ＭＯＳＦＥＴ６を通って流れる電流はＭ
ＯＳＦＥＴ７のなかで再び両ＭＯＳＦＥＴ６および７の
チャネル断面積対チャネル長さ比に相応して増幅され、
出力端８およびディプリーション形ＦＥＴ１２を経て端
子１０へ流れる。
機能については特に説明することなく端子９と１９との
間に一定の電圧が得られているものとする。バイポーラ
トランジスタ１を通ってその温度に相応してオフ電流が
流れ、このオフ電流が第１の電流ミラー回路２、３に供
給される。ＭＯＳＦＥＴ２、３は相異なるチャネル断面
積対チャネル長さ比を別として等しい特性を有する。バ
イポーラトランジスタの電流はダイオードとして接続さ
れたＭＯＳＦＥＴ２を通って入力端１９および端子１０
へ流れ出る。ＭＯＳＦＥＴ３には両ＭＯＳＦＥＴ２、３
のチャネル断面積対チャネル長さ比に相応してより高い
電流がダイオードとして接続されたＭＯＳＦＥＴ６を通
って流れる。この電流は同じく出力端１９を経て端子１
０へ流れ出る。ＭＯＳＦＥＴ６を通って流れる電流はＭ
ＯＳＦＥＴ７のなかで再び両ＭＯＳＦＥＴ６および７の
チャネル断面積対チャネル長さ比に相応して増幅され、
出力端８およびディプリーション形ＦＥＴ１２を経て端
子１０へ流れる。
【００１２】一方ではバイポーラトランジスタ、電流ミ
ラー回路２、３、６、７、また他方ではディプリーショ
ン形ＦＥＴ１２はいま、出力端８から流れる電流が電力
用半導体要素の最大許容可能な温度よりも低い予め定め
られた温度においてディプリーション形ＦＥＴ１２を通
る最大電流よりも小さいように設計されている。出力端
１４にはその場合に、端子１０の電位の付近、たとえば
零電位に位置する電位が与えられている。他方におい
て、回路装置は、高められてはいるが電力用半導体要素
の最大許容可能な温度よりも低い温度において出力端８
を通る電流がディプリーション形ＦＥＴ１２の最大電流
よりも大きいように設計されている。この場合、出力端
１４に、＋ＵＢＢからＭＯＳＦＥＴ７のドレイン‐ソー
ス間電圧を差し引いた値に等しい電圧が生ずる。出力端
１４と端子１０との間のこの高められた電圧は臨界的な
温度よりも低い温度、たとえば１４０°Ｃへの温度上昇
として検出され得る。
ラー回路２、３、６、７、また他方ではディプリーショ
ン形ＦＥＴ１２はいま、出力端８から流れる電流が電力
用半導体要素の最大許容可能な温度よりも低い予め定め
られた温度においてディプリーション形ＦＥＴ１２を通
る最大電流よりも小さいように設計されている。出力端
１４にはその場合に、端子１０の電位の付近、たとえば
零電位に位置する電位が与えられている。他方におい
て、回路装置は、高められてはいるが電力用半導体要素
の最大許容可能な温度よりも低い温度において出力端８
を通る電流がディプリーション形ＦＥＴ１２の最大電流
よりも大きいように設計されている。この場合、出力端
１４に、＋ＵＢＢからＭＯＳＦＥＴ７のドレイン‐ソー
ス間電圧を差し引いた値に等しい電圧が生ずる。出力端
１４と端子１０との間のこの高められた電圧は臨界的な
温度よりも低い温度、たとえば１４０°Ｃへの温度上昇
として検出され得る。
【００１３】電流ミラー回路の増幅率は、どの電流がな
お障害なしに検出され得るかに合わされている。この電
流がたとえば１ｍＡであり、またバイポーラトランジス
タ１に１４０°Ｃの温度において１００ｎＡしか流れな
いならば、増幅率は１００００でなければならない。全
体の増幅率は一方ではＭＯＳＦＥＴ２、３、また他方で
はＭＯＳＦＥＴ６、７の増幅率の積である。これらの対
はそれぞれ電流ミラー回路をも形成する。電流ミラー回
路２、３と電流ミラー回路６、７との前記の組み合わせ
により、弱い電流をわずかな費用で１０の何乗かの増幅
率で増幅する非常に簡単な可能性が得られる。
お障害なしに検出され得るかに合わされている。この電
流がたとえば１ｍＡであり、またバイポーラトランジス
タ１に１４０°Ｃの温度において１００ｎＡしか流れな
いならば、増幅率は１００００でなければならない。全
体の増幅率は一方ではＭＯＳＦＥＴ２、３、また他方で
はＭＯＳＦＥＴ６、７の増幅率の積である。これらの対
はそれぞれ電流ミラー回路をも形成する。電流ミラー回
路２、３と電流ミラー回路６、７との前記の組み合わせ
により、弱い電流をわずかな費用で１０の何乗かの増幅
率で増幅する非常に簡単な可能性が得られる。
【００１４】多くの応用目的に対してヒステリシスを有
するスイッチング挙動が望ましい。すなわち、出力端１
４における電圧が出力端１４におけるレベルがＬにリセ
ットされる温度よりも高い温度においてレベルＨに跳躍
することが望ましい。このことは簡単な仕方で、電流源
として接続されたディプリーション形ＦＥＴ１６が出力
端１４と接続されており、このディプリーション形ＦＥ
Ｔ１６にエンハンスメント形ＦＥＴ１７が直列に接続さ
れていることにより達成され得る。実施例ではディプリ
ーション形ＦＥＴ１６のドレイン端子が出力端１４と接
続されており、そのソース端子がエンハンスメント形Ｆ
ＥＴ１７のドレイン端子と接続されている。エンハンス
メント形ＦＥＴ１７のソース端子は作動電圧端子１０と
接続されている。さらに、インバータ１８の入力端が出
力端１４と接続されており、インバータ１８の出力端は
ＦＥＴ１７のゲート端子と接続されている。
するスイッチング挙動が望ましい。すなわち、出力端１
４における電圧が出力端１４におけるレベルがＬにリセ
ットされる温度よりも高い温度においてレベルＨに跳躍
することが望ましい。このことは簡単な仕方で、電流源
として接続されたディプリーション形ＦＥＴ１６が出力
端１４と接続されており、このディプリーション形ＦＥ
Ｔ１６にエンハンスメント形ＦＥＴ１７が直列に接続さ
れていることにより達成され得る。実施例ではディプリ
ーション形ＦＥＴ１６のドレイン端子が出力端１４と接
続されており、そのソース端子がエンハンスメント形Ｆ
ＥＴ１７のドレイン端子と接続されている。エンハンス
メント形ＦＥＴ１７のソース端子は作動電圧端子１０と
接続されている。さらに、インバータ１８の入力端が出
力端１４と接続されており、インバータ１８の出力端は
ＦＥＴ１７のゲート端子と接続されている。
【００１５】ＦＥＴ１６および１７の直列回路は、出力
端１４におけるレベルがＬであるかぎり、出力端８を通
って流れる電流に対する分流回路を形成する。その場
合、ＦＥＴ１７は導通状態に制御されている。出力端８
における電流が、電流源１２および１６の最大電流が得
られるまでさらに上昇すると、出力端１４における電位
はレベルＨに跳躍し、ＦＥＴ１７は遮断される。ＦＥＴ
１２の分流回路はそれによって解消され、出力端１４に
おけるレベルは、出力端８を通る電流がＦＥＴ１２を通
る最大電流以下に低下するときに初めてＨからＬへリセ
ットされる。このヒステリシス挙動は図２に示されてい
る。
端１４におけるレベルがＬであるかぎり、出力端８を通
って流れる電流に対する分流回路を形成する。その場
合、ＦＥＴ１７は導通状態に制御されている。出力端８
における電流が、電流源１２および１６の最大電流が得
られるまでさらに上昇すると、出力端１４における電位
はレベルＨに跳躍し、ＦＥＴ１７は遮断される。ＦＥＴ
１２の分流回路はそれによって解消され、出力端１４に
おけるレベルは、出力端８を通る電流がＦＥＴ１２を通
る最大電流以下に低下するときに初めてＨからＬへリセ
ットされる。このヒステリシス挙動は図２に示されてい
る。
【００１６】前記のヒステリシス挙動は、たとえば１６
０°Ｃのより高い温度が超過温度として検出されるとき
にも達成され得る。その場合、バイポーラトランジスタ
１のオフ電流を直接に、すなわち電流ミラー回路なし
に、ディプリーション形ＦＥＴ１２に供給し、これに対
してヒステリシス回路１６、１７、１８を並列に接続す
ることが可能である。
０°Ｃのより高い温度が超過温度として検出されるとき
にも達成され得る。その場合、バイポーラトランジスタ
１のオフ電流を直接に、すなわち電流ミラー回路なし
に、ディプリーション形ＦＥＴ１２に供給し、これに対
してヒステリシス回路１６、１７、１８を並列に接続す
ることが可能である。
【００１７】その出力端１９でＦＥＴ２、３のソース端
子に接続されている電圧安定器は電流源として接続され
たディプリーション形ＦＥＴ２１と直列と接続されてい
るツェナーダイオード２０から成っている。その際にツ
ェナーダイオード２０の陽極端子はＦＥＴ２１のドレイ
ン端子と接続されている。エンハンスメント形ＦＥＴ２
２のゲート端子がツェナーダイオード２０とディプリー
ション形ＦＥＴ２１との間の節点と接続されており、エ
ンハンスメント形ＦＥＴ２２のソース端子は出力端１９
と接続されており、またそのドレイン端子は第２の作動
電圧端子１０と接続されている。ＦＥＴ２１および２２
は相補性のチャネル形式を有する。電圧安定器の作用の
仕方は下記のとおりである。即ちツェナーダイオード２
０およびディプリーション形ＦＥＴ２１の直列回路を通
って一定電流が流れ、従ってゲート‐ソース間電圧、従
ってまた出力端１９における電圧も一定に保たれる。
子に接続されている電圧安定器は電流源として接続され
たディプリーション形ＦＥＴ２１と直列と接続されてい
るツェナーダイオード２０から成っている。その際にツ
ェナーダイオード２０の陽極端子はＦＥＴ２１のドレイ
ン端子と接続されている。エンハンスメント形ＦＥＴ２
２のゲート端子がツェナーダイオード２０とディプリー
ション形ＦＥＴ２１との間の節点と接続されており、エ
ンハンスメント形ＦＥＴ２２のソース端子は出力端１９
と接続されており、またそのドレイン端子は第２の作動
電圧端子１０と接続されている。ＦＥＴ２１および２２
は相補性のチャネル形式を有する。電圧安定器の作用の
仕方は下記のとおりである。即ちツェナーダイオード２
０およびディプリーション形ＦＥＴ２１の直列回路を通
って一定電流が流れ、従ってゲート‐ソース間電圧、従
ってまた出力端１９における電圧も一定に保たれる。
【００１８】回路が自己絶縁性の技術により集積回路と
して構成されるならば、ＦＥＴ２２のバルク端子は端子
９に置かれ、ディプリーション形ＦＥＴ１６のバルク端
子は端子１０に置かれる。
して構成されるならば、ＦＥＴ２２のバルク端子は端子
９に置かれ、ディプリーション形ＦＥＴ１６のバルク端
子は端子１０に置かれる。
【００１９】端子１０にくらべて端子９の作動電圧が負
である場合には、それぞれ相補性のチャネル形式を有す
るＦＥＴおよびバイポーラトランジスタを使用する必要
がある。
である場合には、それぞれ相補性のチャネル形式を有す
るＦＥＴおよびバイポーラトランジスタを使用する必要
がある。
【００２０】バイポーラトランジスタ１のノイズイミュ
ニティを改善するため、そのベースにコンデンサが接続
される。定常的な場合にはそれは開いたベースで動作
し、擾乱パルスの場合にはベース‐エミッタ間電圧が擾
乱パルスの継続時間中はその以前の値にクランプされ
る。それにより擾乱パルスは作用しなくなる。
ニティを改善するため、そのベースにコンデンサが接続
される。定常的な場合にはそれは開いたベースで動作
し、擾乱パルスの場合にはベース‐エミッタ間電圧が擾
乱パルスの継続時間中はその以前の値にクランプされ
る。それにより擾乱パルスは作用しなくなる。
【図１】本発明の実施例の接続図である。
【図２】本発明の電流ミラー回路の出力電流と温度との
関係を示す線図である。
関係を示す線図である。
１ バイポーラトランジスタ ２、３ ＭＯＳＦＥＴ（電流ミラー回路） ４ 電流ミラー回路の入力端 ６、７ ＭＯＳＦＥＴ（電流ミラー回路） ８ 電流ミラー回路の出力端 ９、１０ 作動電圧端子 １２ ディプリーション形ＦＥＴ １４ 出力端 １６ ディプリーション形ＦＥＴ １７ エンハンスメント形ＦＥＴ １８ インバータ １９ 定電圧源の出力端 ２０ ツェナーダイオード ２１ ディプリーション形ＦＥＴ ２２ エンハンスメント形ＦＥＴ
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 イエネ チハニ ドイツ連邦共和国 85551 キルヒハイム イザールヴエーク 13
Claims (9)
- 【請求項１】 電力用半導体要素と熱的に接触して配置
されているバイポーラ半導体要素を有し、そのオフ電流
の大きさを電力用半導体要素の温度の尺度として用いる
回路装置において、オフ電流が増幅形の電流ミラー回路
（２、３；６、７）に供給され、増幅された電流が参照
電流と比較されることを特徴とする電力用半導体要素の
温度検出用回路装置。 - 【請求項２】 電流ミラー回路が、相異なるチャネル長
さ対チャネル断面積比およびその他の点では等しいパラ
メータを有する２つのＭＯＳＦＥＴ（２、３）を含んで
いることを特徴とする請求項１記載の回路装置。 - 【請求項３】 鏡映された電流が別の増幅形の電流ミラ
ー回路（６、７）に供給され、増幅された電流が参照電
流と比較されることを特徴とする請求項１または２記載
の回路装置。 - 【請求項４】 別の電流ミラー回路が、相異なるチャネ
ル長さ対チャネル断面積比およびその他の点では等しい
パラメータを有する２つのＭＯＳＦＥＴ（６、７）を含
んでいることを特徴とする請求項３記載の回路装置。 - 【請求項５】 参照電流が定電流源として接続されたデ
ィプリーション形ＭＯＳＦＥＴ（１２）から作られ、そ
の電流が、電力用半導体要素の正常温度では鏡映された
電流よりも大きく、超過温度では鏡映された電流よりも
小さいように設定されていることを特徴とする請求項１
ないし４のいずれか１つに記載の回路装置。 - 【請求項６】 バイポーラ半導体要素が電流ミラー回路
と直列に接続されているバイポーラトランジスタ（１）
であり、この直列回路が電圧安定器の出力端に接続され
ていることを特徴とする請求項１記載の回路装置。 - 【請求項７】 電圧安定器がツェナーダイオード（２
０）と定電流源として接続された第１のチャネル形式の
ディプリーション形ＦＥＴ（２１）とから成る直列回路
を有し、その直列回路が作動電圧を与えられている第１
および第２の作動電圧端子（９、１０）の間に接続され
ており、ツェナーダイオードとディプリーション形ＦＥ
Ｔとの間の節点が第２のチャネル形式のエンハンスメン
ト形ＦＥＴ（２２）のゲート端子と接続されており、こ
のエンハンスメント形ＦＥＴが電流ミラー回路と第２の
作動電圧端子との間に接続されていることを特徴とする
請求項６記載の回路装置。 - 【請求項８】 電流ミラー回路の出力端（８）が電流源
として接続されているディプリーション形ＦＥＴ（１
２）のドレイン‐ソース間パスと接続されており、この
ドレイン‐ソース間パスが第２の作動電圧端子（１０）
と接続されており、電流ミラー回路の出力端（８）が出
力端（１４）と接続されていることを特徴とする請求項
１ないし７のいずれか１つに記載の回路装置。 - 【請求項９】 電流源として接続されているディプリー
ション形ＦＥＴ（１２）のドレイン‐ソース間パスが出
力端（１４）と接続されており、エンハンスメント形Ｆ
ＥＴ（１７）のドレイン‐ソース間パスが第２の作動電
圧端子（１０）と接続されており、両ＦＥＴ（１６、１
７）のドレイン‐ソース間パスが互いに接続されてお
り、インバータ（１８）の入力端が出力端（１４）と接
続されており、インバータの出力端がエンハンスメント
形ＦＥＴ（１７）のゲート端子と接続されていることを
特徴とする請求項８記載の回路装置。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| DE19511505 | 1995-03-29 | ||
| DE19511505.8 | 1995-03-29 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH08278207A true JPH08278207A (ja) | 1996-10-22 |
| JP3532694B2 JP3532694B2 (ja) | 2004-05-31 |
Family
ID=7758044
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