JPH0629116Y2 - ランプの断線検出装置 - Google Patents
ランプの断線検出装置Info
- Publication number
- JPH0629116Y2 JPH0629116Y2 JP1985055207U JP5520785U JPH0629116Y2 JP H0629116 Y2 JPH0629116 Y2 JP H0629116Y2 JP 1985055207 U JP1985055207 U JP 1985055207U JP 5520785 U JP5520785 U JP 5520785U JP H0629116 Y2 JPH0629116 Y2 JP H0629116Y2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- voltage
- lamp
- voltage dividing
- current
- disconnection
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Lifetime
Links
- 238000001514 detection method Methods 0.000 title claims description 22
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims description 18
- 239000008188 pellet Substances 0.000 claims description 7
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 6
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 5
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 description 3
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 3
- 230000004397 blinking Effects 0.000 description 2
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 238000000034 method Methods 0.000 description 1
Classifications
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B60—VEHICLES IN GENERAL
- B60Q—ARRANGEMENT OF SIGNALLING OR LIGHTING DEVICES, THE MOUNTING OR SUPPORTING THEREOF OR CIRCUITS THEREFOR, FOR VEHICLES IN GENERAL
- B60Q11/00—Arrangement of monitoring devices for devices provided for in groups B60Q1/00 - B60Q9/00
- B60Q11/005—Arrangement of monitoring devices for devices provided for in groups B60Q1/00 - B60Q9/00 for lighting devices, e.g. indicating if lamps are burning or not
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B41—PRINTING; LINING MACHINES; TYPEWRITERS; STAMPS
- B41J—TYPEWRITERS; SELECTIVE PRINTING MECHANISMS, i.e. MECHANISMS PRINTING OTHERWISE THAN FROM A FORME; CORRECTION OF TYPOGRAPHICAL ERRORS
- B41J2/00—Typewriters or selective printing mechanisms characterised by the printing or marking process for which they are designed
- B41J2/435—Typewriters or selective printing mechanisms characterised by the printing or marking process for which they are designed characterised by selective application of radiation to a printing material or impression-transfer material
- B41J2/447—Typewriters or selective printing mechanisms characterised by the printing or marking process for which they are designed characterised by selective application of radiation to a printing material or impression-transfer material using arrays of radiation sources
- B41J2/45—Typewriters or selective printing mechanisms characterised by the printing or marking process for which they are designed characterised by selective application of radiation to a printing material or impression-transfer material using arrays of radiation sources using light-emitting diode [LED] or laser arrays
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L29/00—Semiconductor devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching and having potential barriers; Capacitors or resistors having potential barriers, e.g. a PN-junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/02—Semiconductor bodies ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/06—Semiconductor bodies ; Multistep manufacturing processes therefor characterised by their shape; characterised by the shapes, relative sizes, or dispositions of the semiconductor regions ; characterised by the concentration or distribution of impurities within semiconductor regions
- H01L29/08—Semiconductor bodies ; Multistep manufacturing processes therefor characterised by their shape; characterised by the shapes, relative sizes, or dispositions of the semiconductor regions ; characterised by the concentration or distribution of impurities within semiconductor regions with semiconductor regions connected to an electrode carrying current to be rectified, amplified or switched and such electrode being part of a semiconductor device which comprises three or more electrodes
- H01L29/0843—Source or drain regions of field-effect devices
- H01L29/0847—Source or drain regions of field-effect devices of field-effect transistors with insulated gate
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L29/00—Semiconductor devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching and having potential barriers; Capacitors or resistors having potential barriers, e.g. a PN-junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/66—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/68—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor controllable by only the electric current supplied, or only the electric potential applied, to an electrode which does not carry the current to be rectified, amplified or switched
- H01L29/76—Unipolar devices, e.g. field effect transistors
- H01L29/772—Field effect transistors
- H01L29/78—Field effect transistors with field effect produced by an insulated gate
- H01L29/7833—Field effect transistors with field effect produced by an insulated gate with lightly doped drain or source extension, e.g. LDD MOSFET's; DDD MOSFET's
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05B—ELECTRIC HEATING; ELECTRIC LIGHT SOURCES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; CIRCUIT ARRANGEMENTS FOR ELECTRIC LIGHT SOURCES, IN GENERAL
- H05B47/00—Circuit arrangements for operating light sources in general, i.e. where the type of light source is not relevant
- H05B47/20—Responsive to malfunctions or to light source life; for protection
- H05B47/21—Responsive to malfunctions or to light source life; for protection of two or more light sources connected in parallel
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Ceramic Engineering (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
- Optics & Photonics (AREA)
- Health & Medical Sciences (AREA)
- General Health & Medical Sciences (AREA)
- Toxicology (AREA)
- Circuit Arrangement For Electric Light Sources In General (AREA)
- Lighting Device Outwards From Vehicle And Optical Signal (AREA)
Description
【考案の詳細な説明】 ［産業上の利用分野］ 本考案は複数のランプのうちのいずれかが断線したこと
を検出するためのランプの断線検出装置に関する。
を検出するためのランプの断線検出装置に関する。
［従来技術］ この種の検出装置としては、並列接続された複数のラン
プに電流検出抵抗を直列接続してランプの断線時の電流
変化を電流検出抵抗両端の電位差変化として取出すこと
により、ランプの断線を検出する方式が一般的である。
例えば、車両の方向指示ランプの断線検出装置に用いら
れる従来の具体的構成を第６図に示すに、１はバッテリ
ー、２は互いに並列接続された方向指示用の複数のラン
プ、３は方向指示スイッチ、４はランプに直列接続され
た電流検出抵抗である。電流検出抵抗４の両端部Ａ，Ｂ
には夫々抵抗５，６及び７，８からなる分圧回路９，１
０が接続され、各分圧回路９，１０の分圧点Ａ′，Ｂ′
はコンパレータ１１の非反転入力端子（＋）及び反転入
力端子（−）に接続されている、ランプ２の断線が生ず
ると、電流検出抵抗４の接続点Ａひいては分圧点Ａ′の
電圧は変化しなくとも、電流検出抵抗４に流れる電流値
が減少するため、電流検出抵抗４の接続点Ｂひいては分
圧回路１０の分圧点Ｂ′の電圧が上昇し、コンパレータ
１１の出力が反転するのである。
プに電流検出抵抗を直列接続してランプの断線時の電流
変化を電流検出抵抗両端の電位差変化として取出すこと
により、ランプの断線を検出する方式が一般的である。
例えば、車両の方向指示ランプの断線検出装置に用いら
れる従来の具体的構成を第６図に示すに、１はバッテリ
ー、２は互いに並列接続された方向指示用の複数のラン
プ、３は方向指示スイッチ、４はランプに直列接続され
た電流検出抵抗である。電流検出抵抗４の両端部Ａ，Ｂ
には夫々抵抗５，６及び７，８からなる分圧回路９，１
０が接続され、各分圧回路９，１０の分圧点Ａ′，Ｂ′
はコンパレータ１１の非反転入力端子（＋）及び反転入
力端子（−）に接続されている、ランプ２の断線が生ず
ると、電流検出抵抗４の接続点Ａひいては分圧点Ａ′の
電圧は変化しなくとも、電流検出抵抗４に流れる電流値
が減少するため、電流検出抵抗４の接続点Ｂひいては分
圧回路１０の分圧点Ｂ′の電圧が上昇し、コンパレータ
１１の出力が反転するのである。
ところが、ランプ２は一般に電源電圧が上昇してフィラ
メントが高温になる程その抵抗値が上昇するため、第７
図に示すように、ランプの電流曲線は電源電圧が高くな
る程傾きが小さくなるという非直線性を示す。このた
め、第８図に示すように、電源電圧が上昇すると、分圧
回路９の分圧点Ａ′の電圧は電源電圧に応じて直線的に
上昇するものの、分圧点Ｂ′の電圧は正常時及び一灯断
線時のいずれの場合にも非直線的に上昇することにな
る。コンパレータ１１によりランプ２の断線を検出する
には、正常時と一灯断線時とにおける分圧点Ｂ′の各電
圧が分圧点Ａ′の電圧の上下両側にあることが必要であ
るから、正確な断線検出が可能な電源電圧の範囲（検出
可能領域）は、同図に示すように、分圧点Ａ′の電圧を
示す直線と正常時及び一灯断線時における分圧点Ｂ′の
各電圧を示す二つの曲線との交点間の狭い領域内に限ら
れてしまい、この検出可能領域を越える電源電圧変動が
あった場合には正確な断線検出が不可能になってしま
う。このことは、車両の電源のように電圧変動が大きな
電源では、誤検出が生じ易いことを意味する。
メントが高温になる程その抵抗値が上昇するため、第７
図に示すように、ランプの電流曲線は電源電圧が高くな
る程傾きが小さくなるという非直線性を示す。このた
め、第８図に示すように、電源電圧が上昇すると、分圧
回路９の分圧点Ａ′の電圧は電源電圧に応じて直線的に
上昇するものの、分圧点Ｂ′の電圧は正常時及び一灯断
線時のいずれの場合にも非直線的に上昇することにな
る。コンパレータ１１によりランプ２の断線を検出する
には、正常時と一灯断線時とにおける分圧点Ｂ′の各電
圧が分圧点Ａ′の電圧の上下両側にあることが必要であ
るから、正確な断線検出が可能な電源電圧の範囲（検出
可能領域）は、同図に示すように、分圧点Ａ′の電圧を
示す直線と正常時及び一灯断線時における分圧点Ｂ′の
各電圧を示す二つの曲線との交点間の狭い領域内に限ら
れてしまい、この検出可能領域を越える電源電圧変動が
あった場合には正確な断線検出が不可能になってしま
う。このことは、車両の電源のように電圧変動が大きな
電源では、誤検出が生じ易いことを意味する。
そこで、従来は、ランプ電流の非直線性を補償演算する
専用の集積回路を付加し、この回路を用いて誤検出を防
止するようにした構成が考えられている。しかしなが
ら、これでは、高価な専用補償回路を必要とするので、
製造コストが大きく上昇してしまうという欠点がある。
専用の集積回路を付加し、この回路を用いて誤検出を防
止するようにした構成が考えられている。しかしなが
ら、これでは、高価な専用補償回路を必要とするので、
製造コストが大きく上昇してしまうという欠点がある。
［考案の目的］ 本考案の目的は、コスト上昇を来たすことなく、広い電
源電圧範囲でランプの断線検出を正確に行なうことがで
きるランプの断線検出装置を提供するにある。
源電圧範囲でランプの断線検出を正確に行なうことがで
きるランプの断線検出装置を提供するにある。
［考案の要約］ 本考案は、電流検出抵抗の両端に接続した分圧回路に、
夫々ダイオード特性を有するように同一の半導体ペレッ
トに形成された２つの半導体素子を順方向となるように
直列接続することにより、ランプ電流の非直線性をダイ
オード特性を利用して補償すると共に、２つの半導体素
子が同様な熱的影響を受けるようにして周囲温度による
影響を打ち消そうとするところに特徴を有するものであ
る。
夫々ダイオード特性を有するように同一の半導体ペレッ
トに形成された２つの半導体素子を順方向となるように
直列接続することにより、ランプ電流の非直線性をダイ
オード特性を利用して補償すると共に、２つの半導体素
子が同様な熱的影響を受けるようにして周囲温度による
影響を打ち消そうとするところに特徴を有するものであ
る。
［実施例］ 以下本考案の第１実施例につき第１図乃至第３図を参照
して説明する。前記従来例と同一部分には同一符号を付
して説明を省略し、異なるところのみについて述べる。
１２，１３はダイオード特性を有する半導体素子たる二
つのダイオードで、これは例えば同一の半導体ペレット
上に一体的に構成されており、夫々各分圧回路９，１０
の抵抗６，８と接地側との間に順方向に直列接続されて
いる。
して説明する。前記従来例と同一部分には同一符号を付
して説明を省略し、異なるところのみについて述べる。
１２，１３はダイオード特性を有する半導体素子たる二
つのダイオードで、これは例えば同一の半導体ペレット
上に一体的に構成されており、夫々各分圧回路９，１０
の抵抗６，８と接地側との間に順方向に直列接続されて
いる。
上記構成において、コンパレータ１１の非反転入力端子
（＋）に印加される電圧（分圧点Ａ′の電圧）は、ダイ
オード１２に流れる順方向電流に応じた順方向電圧に分
圧回路９による分圧電圧を加えた値となる。一方、反転
入力端子（−）に印加される電圧（分圧点Ｂ′の電圧）
は、同様にダイオード１３の順方向電流に応じた順方向
電圧に分圧回路１０による分圧電圧を加えた値となる。
そして、４個のランプ２のうちいずれも断線していない
正常時においては、分圧回路９の分圧点Ａ′の電圧が分
圧回路１０の分圧点Ｂ′の電圧よりも高くなるように各
抵抗５乃至８の抵抗値を設定してあるので、コンパレー
タ１１の出力端子はハイレベルにある。一方、ランプ２
のうちの少なくも一灯が断線すると、分圧点Ａ′の電圧
は一定であっても、電流検出抵抗４に流れる電流が減少
するため、電流検出抵抗４の接続点Ｂひいては分圧回路
１０の分圧点Ｂ′の電圧が上昇し、このためコンパレー
タ１１の出力がローレベルに反転してランプ２の断線が
検出される。
（＋）に印加される電圧（分圧点Ａ′の電圧）は、ダイ
オード１２に流れる順方向電流に応じた順方向電圧に分
圧回路９による分圧電圧を加えた値となる。一方、反転
入力端子（−）に印加される電圧（分圧点Ｂ′の電圧）
は、同様にダイオード１３の順方向電流に応じた順方向
電圧に分圧回路１０による分圧電圧を加えた値となる。
そして、４個のランプ２のうちいずれも断線していない
正常時においては、分圧回路９の分圧点Ａ′の電圧が分
圧回路１０の分圧点Ｂ′の電圧よりも高くなるように各
抵抗５乃至８の抵抗値を設定してあるので、コンパレー
タ１１の出力端子はハイレベルにある。一方、ランプ２
のうちの少なくも一灯が断線すると、分圧点Ａ′の電圧
は一定であっても、電流検出抵抗４に流れる電流が減少
するため、電流検出抵抗４の接続点Ｂひいては分圧回路
１０の分圧点Ｂ′の電圧が上昇し、このためコンパレー
タ１１の出力がローレベルに反転してランプ２の断線が
検出される。
ところで、既述したようにランプ２に流れる電流には電
源電圧に対して非直線性があるので、電源電圧が高くな
る程電流検出抵抗４の接続点Ｂの電圧上昇率は大きくな
り、第８図に示した分圧点Ｂ′の電圧曲線と同様な傾向
を呈する。ところが一方、ダイオード１２，１３の順方
向電圧Ｖは電源電圧に対し第２図に示すようにランプ２
とは逆の非直線性がある。これは、一般にダイオードの
電圧電流特性が次式（１）にて表わされ、この式（１）
を順方向電流Ｉをパラメーターとして変形した式（２）
において、電源電圧の上昇に伴い順方向電流Ｉが増大す
る場合を考えれば明らかである。
源電圧に対して非直線性があるので、電源電圧が高くな
る程電流検出抵抗４の接続点Ｂの電圧上昇率は大きくな
り、第８図に示した分圧点Ｂ′の電圧曲線と同様な傾向
を呈する。ところが一方、ダイオード１２，１３の順方
向電圧Ｖは電源電圧に対し第２図に示すようにランプ２
とは逆の非直線性がある。これは、一般にダイオードの
電圧電流特性が次式（１）にて表わされ、この式（１）
を順方向電流Ｉをパラメーターとして変形した式（２）
において、電源電圧の上昇に伴い順方向電流Ｉが増大す
る場合を考えれば明らかである。
Ｉ＝Ｉｓ（ｅqV/kT−１）…………………（１） Ｖ＝ｋＴ／ｑ・Ｉｎ｛（Ｉ／Ｉｓ）＋１｝…（２） ΔＶ＝ｋＴ／ｑ・Ｉｎ｛Ｉ13／Ｉ12｝…（３） ここで、Ｉｓは飽和電流、ｑは電子電荷、ｋはボルツマ
ン定数、Ｔは絶対温度である。
ン定数、Ｔは絶対温度である。
これにより、ダイオード１２，１３の各順方向電圧に各
分圧回路９，１０の分圧電圧を夫々加えた分圧点Ａ′，
Ｂ′の電圧ひいてはコンパレータ１１の非反転入力端子
（＋）及び反転入力端子（−）の電圧は、第３図に示す
ようになる。これは、第８図の従来例の場合に比べて分
圧点Ａ′の電圧のＹ軸の交点を分圧点Ｂ′の電圧のＹ軸
との交点よりダイオード１２，１３の順方向電圧の電圧
差ΔＶだけ下げたことになる。このため、分圧回路９の
各抵抗５，６の抵抗値バランスを従来例とは異ならせて
分圧点Ａ′の電圧直線の傾きを適切に設定することによ
り、電源電圧の検出可能領域を第３図に示すように大き
く拡大することができる。尚、式（２）から明らかなよ
うに、ダイオードの順方向電圧Ｖは温度Ｔによっても変
化するが、分圧回路９にもダイオード１２を順方向に直
列接続しているから、周囲温度に応じてダイオード１３
の順方向電圧が変化して分圧点Ｂ′の電圧が変化する場
合には、これと同様にダイオード１２の順方向電圧ひい
ては分圧点Ａ′の電圧も変化して周囲温度の影響をほぼ
打ち消すことができる。この点に関し、特に本実施例で
は、ダイオード１２，１３の双方を同一の半導体ペレッ
ト上に一体的に構成したものを使用するようにしたか
ら、電圧電流特性が略同一となって、周囲温度の影響を
より一層打ち消すことができるものである。
分圧回路９，１０の分圧電圧を夫々加えた分圧点Ａ′，
Ｂ′の電圧ひいてはコンパレータ１１の非反転入力端子
（＋）及び反転入力端子（−）の電圧は、第３図に示す
ようになる。これは、第８図の従来例の場合に比べて分
圧点Ａ′の電圧のＹ軸の交点を分圧点Ｂ′の電圧のＹ軸
との交点よりダイオード１２，１３の順方向電圧の電圧
差ΔＶだけ下げたことになる。このため、分圧回路９の
各抵抗５，６の抵抗値バランスを従来例とは異ならせて
分圧点Ａ′の電圧直線の傾きを適切に設定することによ
り、電源電圧の検出可能領域を第３図に示すように大き
く拡大することができる。尚、式（２）から明らかなよ
うに、ダイオードの順方向電圧Ｖは温度Ｔによっても変
化するが、分圧回路９にもダイオード１２を順方向に直
列接続しているから、周囲温度に応じてダイオード１３
の順方向電圧が変化して分圧点Ｂ′の電圧が変化する場
合には、これと同様にダイオード１２の順方向電圧ひい
ては分圧点Ａ′の電圧も変化して周囲温度の影響をほぼ
打ち消すことができる。この点に関し、特に本実施例で
は、ダイオード１２，１３の双方を同一の半導体ペレッ
ト上に一体的に構成したものを使用するようにしたか
ら、電圧電流特性が略同一となって、周囲温度の影響を
より一層打ち消すことができるものである。
このように、本実施例では、ランプ２の電流が電源電圧
に対し非直線性を有するという事情があっても、ダイオ
ード１２，１３の順方向電圧の電圧差を利用してランプ
電流の非直線性を周囲温度にかかわらず補償することが
できるので、断線検出が可能な電源電圧範囲を大幅に拡
大することができる。これにて、車両の電源電圧が広範
囲に変動するという事情があっても、ランプ２の断線検
出を常に正確に行なうことができるものである。因み
に、本実施例では、車両において考えられる電圧変動範
囲７Ｖ〜２０Ｖ内で正確な断線検出を行なうことができ
た。また、ランプ数が増大すると検出可能領域が狭くな
るため、従来の構成では正確な断線検出ができるランプ
数は極めて少数に限られていたが、本実施例では、多数
のランプ２を用いた場合でも正確に断線検出を行なうこ
とができる。しかも、このように優れた効果を奏するも
のでありながら、極めて安価なダイオードを追加するの
みであるから、複雑な回路を付加したものに比べて大幅
に安価に製造できる上に、ランプの仕様変更があった場
合には、補償演算回路を設計し直す必要があったのに対
し、本実施例では抵抗調整のみで対処することができ
る。
に対し非直線性を有するという事情があっても、ダイオ
ード１２，１３の順方向電圧の電圧差を利用してランプ
電流の非直線性を周囲温度にかかわらず補償することが
できるので、断線検出が可能な電源電圧範囲を大幅に拡
大することができる。これにて、車両の電源電圧が広範
囲に変動するという事情があっても、ランプ２の断線検
出を常に正確に行なうことができるものである。因み
に、本実施例では、車両において考えられる電圧変動範
囲７Ｖ〜２０Ｖ内で正確な断線検出を行なうことができ
た。また、ランプ数が増大すると検出可能領域が狭くな
るため、従来の構成では正確な断線検出ができるランプ
数は極めて少数に限られていたが、本実施例では、多数
のランプ２を用いた場合でも正確に断線検出を行なうこ
とができる。しかも、このように優れた効果を奏するも
のでありながら、極めて安価なダイオードを追加するの
みであるから、複雑な回路を付加したものに比べて大幅
に安価に製造できる上に、ランプの仕様変更があった場
合には、補償演算回路を設計し直す必要があったのに対
し、本実施例では抵抗調整のみで対処することができ
る。
第４図は本考案の第２実施例を示し、前記第１実施例と
の相違は、断線検出装置のコンパレータ１１の出力を利
用してランプ２の点滅周期を変化させるようにした点に
ある。以下、第１実施例と同一部分には同一符号を付し
て説明を省略し、異なるところのみを具体的に述べる
に、１４はコンパレータで、これの非反転入力端子
（＋）は抵抗１５を介してコンパレータ１１の出力端子
に接続されると共に、抵抗１６を介して接地されてい
る。コンパレータ１４の反転入力端子（−）には抵抗１
７及びコンデンサ１８からなる時定数回路が接続されて
いる。コンパレータ１４の出力端子は抵抗１９を介して
トランジスタ２０のベースに接続され、そのトランジス
タ２０のコレクタとバッテリー１側との間にはリレー２
１が接続されている。リレー２１は方向指示スイッチ３
と電流検出抵抗４との間に設けたリレースイッチ２２を
開閉させる。また、バッテリー１側とコンパレータ１４
の出力端子及び非反転入力端子（＋）との間には図示の
通り抵抗２３，２４，２５が接続されている。
の相違は、断線検出装置のコンパレータ１１の出力を利
用してランプ２の点滅周期を変化させるようにした点に
ある。以下、第１実施例と同一部分には同一符号を付し
て説明を省略し、異なるところのみを具体的に述べる
に、１４はコンパレータで、これの非反転入力端子
（＋）は抵抗１５を介してコンパレータ１１の出力端子
に接続されると共に、抵抗１６を介して接地されてい
る。コンパレータ１４の反転入力端子（−）には抵抗１
７及びコンデンサ１８からなる時定数回路が接続されて
いる。コンパレータ１４の出力端子は抵抗１９を介して
トランジスタ２０のベースに接続され、そのトランジス
タ２０のコレクタとバッテリー１側との間にはリレー２
１が接続されている。リレー２１は方向指示スイッチ３
と電流検出抵抗４との間に設けたリレースイッチ２２を
開閉させる。また、バッテリー１側とコンパレータ１４
の出力端子及び非反転入力端子（＋）との間には図示の
通り抵抗２３，２４，２５が接続されている。
上記構成において、コンパレータ１４の出力端子がハイ
レベルにあるとすると、抵抗１７を介してコンデンサ１
８に充電されるので、コンデンサ１４の反転入力端子
（−）の電圧Ｖｎが次第に上昇し、これが非反転入力端
子（＋）に与えられているしきい値電圧ＶＨに至ると出
力端子がローレベルに反転してコンデンサ１８の電荷が
抵抗１７を通じて次第に放電してＶｎが低下し、非反転
入力端子（＋）に新たに与えられたしきい値電圧ＶＬに
至ると出力端子が再び反転してハイレベルになる。この
ように、各しきい値電圧ＶＨ，ＶＬにより定まる周期に
よりコンパレータ１４の出力が交互に反転すると、トラ
ンジスタ２０がオン・オフを繰返してリレースイッチ２
２が開閉し、これにてランプ２が点滅する。そして、コ
ンパレータ１４の非反転入力端子（＋）に与えられるし
きい値電圧ＶＨ，ＶＬは、コンパレータ１１の出力端子
がハイレベルにあるかローレベルにあるかにより異なる
ので、コンパレータ１４の出力端子の反転周期即ちラン
プ２の点滅周期は、ランプ２のうちの少なくとも１個が
断線した場合にはコンパレータ１１の出力端子がローレ
ベルになることからハイレベルとなる正常状態の場合に
比べて短くなり、これにて運転者はランプ２が断線して
いることを知ることができる。
レベルにあるとすると、抵抗１７を介してコンデンサ１
８に充電されるので、コンデンサ１４の反転入力端子
（−）の電圧Ｖｎが次第に上昇し、これが非反転入力端
子（＋）に与えられているしきい値電圧ＶＨに至ると出
力端子がローレベルに反転してコンデンサ１８の電荷が
抵抗１７を通じて次第に放電してＶｎが低下し、非反転
入力端子（＋）に新たに与えられたしきい値電圧ＶＬに
至ると出力端子が再び反転してハイレベルになる。この
ように、各しきい値電圧ＶＨ，ＶＬにより定まる周期に
よりコンパレータ１４の出力が交互に反転すると、トラ
ンジスタ２０がオン・オフを繰返してリレースイッチ２
２が開閉し、これにてランプ２が点滅する。そして、コ
ンパレータ１４の非反転入力端子（＋）に与えられるし
きい値電圧ＶＨ，ＶＬは、コンパレータ１１の出力端子
がハイレベルにあるかローレベルにあるかにより異なる
ので、コンパレータ１４の出力端子の反転周期即ちラン
プ２の点滅周期は、ランプ２のうちの少なくとも１個が
断線した場合にはコンパレータ１１の出力端子がローレ
ベルになることからハイレベルとなる正常状態の場合に
比べて短くなり、これにて運転者はランプ２が断線して
いることを知ることができる。
尚、上記各実施例では、半導体素子としてダイオード１
２，１３を用いるようにしたが、本考案はこれに限られ
ず、例えば第５図に示すように、ベース−コレクタ間を
接続したＰＮＰ形のトランジスタ２６，２７であっても
良く、要は同一の半導体ペレットに形成されたダイオー
ド特性を有する半導体素子であれば良いものである。
２，１３を用いるようにしたが、本考案はこれに限られ
ず、例えば第５図に示すように、ベース−コレクタ間を
接続したＰＮＰ形のトランジスタ２６，２７であっても
良く、要は同一の半導体ペレットに形成されたダイオー
ド特性を有する半導体素子であれば良いものである。
［考案の効果］ 本考案は以上述べたように、電流検出抵抗の両端に接続
した分圧回路に同一の半導体ペレットに形成された夫々
ダイオード特性を有する半導体素子を順方向に直列接続
したところに特徴を有し、これにて、ランプ電流の電源
電圧に対する非直線性を、電流量によるダイオードの順
方向電圧特性を利用して補償することができ、しかも２
つの半導体素子を同一の半導体ペレットに形成したこと
から、これらが同様な熱的影響を受けて周囲温度による
影響を打ち消すことができるので、広い電源電圧範囲で
且つ広い周囲温度範囲で多数のランプの断線検出を正確
に且つ安価に行なうことができるという著効を奏するも
のである。
した分圧回路に同一の半導体ペレットに形成された夫々
ダイオード特性を有する半導体素子を順方向に直列接続
したところに特徴を有し、これにて、ランプ電流の電源
電圧に対する非直線性を、電流量によるダイオードの順
方向電圧特性を利用して補償することができ、しかも２
つの半導体素子を同一の半導体ペレットに形成したこと
から、これらが同様な熱的影響を受けて周囲温度による
影響を打ち消すことができるので、広い電源電圧範囲で
且つ広い周囲温度範囲で多数のランプの断線検出を正確
に且つ安価に行なうことができるという著効を奏するも
のである。
第１図乃至第３図は本考案の第１実施例を示し、第１図
は回路図、第２図は電源電圧変化に対するダイオードの
順方向電圧特性を示す電圧曲線図、第３図は回路中の各
点における電圧曲線図、第４図は本考案の第２実施例を
示す回路図、第５図は半導体素子としてトランジスタを
用いた場合の変形例を示す部分回路図、第６図乃至第８
図は従来例を示し、第６図は回路図、第７図はランプ電
流の非直線性を示す電流曲線図、第８図は第３図相当図
である。 図面中、２はランプ、４は電流検出抵抗、９，１０は分
圧回路、１２，１３はダイオード（半導体素子）、２
６，２７はトランジスタ（半導体素子）である。
は回路図、第２図は電源電圧変化に対するダイオードの
順方向電圧特性を示す電圧曲線図、第３図は回路中の各
点における電圧曲線図、第４図は本考案の第２実施例を
示す回路図、第５図は半導体素子としてトランジスタを
用いた場合の変形例を示す部分回路図、第６図乃至第８
図は従来例を示し、第６図は回路図、第７図はランプ電
流の非直線性を示す電流曲線図、第８図は第３図相当図
である。 図面中、２はランプ、４は電流検出抵抗、９，１０は分
圧回路、１２，１３はダイオード（半導体素子）、２
６，２７はトランジスタ（半導体素子）である。
フロントページの続き (72)考案者 鈴木 律夫 愛知県丹羽郡大口町大字豊田字野田１番地 株式会社東海理化電機製作所内 (72)考案者 木下 賢一 愛知県丹羽郡大口町大字豊田字野田１番地 株式会社東海理化電機製作所内 (56)参考文献 特開 昭52−103140（ＪＰ，Ａ) 実開 昭53−112289（ＪＰ，Ｕ) 実開 昭57−138756（ＪＰ，Ｕ)
Claims (1)
- 【請求項１】互いに並列接続された複数のランプに電流
検出抵抗を直列接続すると共に、その電流検出抵抗の両
端に夫々分圧回路を接続し、この両分圧回路により分圧
された電圧差に基づき前記ランプの断線を検出するもの
において、夫々ダイオード特性を有するように同一の半
導体ペレットに形成された２つの半導体素子を、前記各
分圧回路中に夫々順方向となるように直列接続したこと
を特徴とするランプの断線検出装置。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1985055207U JPH0629116Y2 (ja) | 1985-04-12 | 1985-04-12 | ランプの断線検出装置 |
| US06/849,415 US4745339A (en) | 1985-04-12 | 1986-04-08 | Lamp failure detecting device for automobile |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1985055207U JPH0629116Y2 (ja) | 1985-04-12 | 1985-04-12 | ランプの断線検出装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS61169837U JPS61169837U (ja) | 1986-10-21 |
| JPH0629116Y2 true JPH0629116Y2 (ja) | 1994-08-10 |
Family
ID=12992204
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1985055207U Expired - Lifetime JPH0629116Y2 (ja) | 1985-04-12 | 1985-04-12 | ランプの断線検出装置 |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US4745339A (ja) |
| JP (1) | JPH0629116Y2 (ja) |
Families Citing this family (43)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5266840A (en) * | 1988-10-25 | 1993-11-30 | Siemens Aktiengesellschaft | Circuit for detecting the failure of a load which is connected in series with an electronic switch |
| JPH02179551A (ja) * | 1988-12-29 | 1990-07-12 | Nissan Motor Co Ltd | 車両用ランプ断線警報装置 |
| US4972174A (en) * | 1989-07-21 | 1990-11-20 | Onan Lance C | Motorcycle turn signal control circuit |
| US5057814A (en) * | 1989-07-24 | 1991-10-15 | Harley-Davidson, Inc. | Electrical malfunction detection system |
| US5063374A (en) * | 1989-08-29 | 1991-11-05 | A. O. Smith Corp. | Simultaneous signal devices testing in response to periodic function of an operating device in a system |
| US5103137A (en) * | 1990-04-02 | 1992-04-07 | Multipoint Control Systems, Inc. | Anti-cycling device for high pressure sodium lamps |
| US5235317A (en) * | 1991-01-18 | 1993-08-10 | General Motors Corporation | Adaptive lamp monitor with non-linear normalization factor |
| US5254971A (en) * | 1991-01-18 | 1993-10-19 | General Motors Corporation | Adaptive lamp monitor using capacitors and switches |
| US5223820A (en) * | 1991-01-18 | 1993-06-29 | General Motors Corporation | Adaptive lamp monitor with single piece sensor |
| US5144282A (en) * | 1991-01-18 | 1992-09-01 | General Motors Corporation | Adaptive lamp monitor with first and second comparison rates |
| JPH05343185A (ja) * | 1992-06-05 | 1993-12-24 | Kagatsuu Kk | 照明灯の点灯判別装置 |
| US5426416A (en) * | 1992-10-19 | 1995-06-20 | Westinghouse Electric Corporation | Automotive current sensor |
| US5417858A (en) * | 1993-01-13 | 1995-05-23 | Derrick Manufacturing Corporation | Screen assembly for vibrating screening machine |
| US5515028A (en) * | 1994-02-04 | 1996-05-07 | Dittmar; Norman R. | Vehicular lamp status display system |
| GB9426007D0 (en) * | 1994-12-22 | 1995-02-22 | Philips Electronics Uk Ltd | A power semiconductor switch |
| EP0752593A3 (de) * | 1995-07-07 | 1998-01-07 | Siemens Aktiengesellschaft | Verfahren zur Früherkennung von Ausfällen bei Leistungshalbleitermodulen |
| JP3717006B2 (ja) * | 1995-11-01 | 2005-11-16 | 矢崎総業株式会社 | ランプ断線検出装置 |
| GB2307321A (en) * | 1995-11-15 | 1997-05-21 | Delmatic Ltd | Failed light detector |
| US5798690A (en) * | 1996-02-08 | 1998-08-25 | Varity Gmbh | Monitoring circuit for an ABS warning lamp |
| ES2156519B1 (es) * | 1998-12-30 | 2002-02-01 | Senalizacion Y Accesorios Del | Sistema de deteccion de fallos en pilotos de señalizacion para vehiculos automoviles. |
| US6154122A (en) * | 1999-01-29 | 2000-11-28 | M. P. Menze Research & Development | Snowplow diagnostic system |
| US6323759B1 (en) | 1999-01-29 | 2001-11-27 | M. P. Menze Research Development Inc. | Snowplow diagnostic system |
| DE10146191A1 (de) * | 2001-09-17 | 2003-04-10 | Ackermann Albert Gmbh Co | Verfahren zur Leuchtmittelüberwachung von Lichtrufsystemen und Lichtrufsystem |
| US6936969B2 (en) * | 2002-03-28 | 2005-08-30 | Roger K. Gourdine | Secondary vehicle headlight system |
| US6979959B2 (en) | 2002-12-13 | 2005-12-27 | Microsemi Corporation | Apparatus and method for striking a fluorescent lamp |
| US6870330B2 (en) * | 2003-03-26 | 2005-03-22 | Microsemi Corporation | Shorted lamp detection in backlight system |
| US20050029955A1 (en) * | 2003-08-07 | 2005-02-10 | Blake Frederick H. | Anti-cycling control system for luminaires |
| US7187139B2 (en) | 2003-09-09 | 2007-03-06 | Microsemi Corporation | Split phase inverters for CCFL backlight system |
| US7183727B2 (en) | 2003-09-23 | 2007-02-27 | Microsemi Corporation | Optical and temperature feedbacks to control display brightness |
| US7468722B2 (en) | 2004-02-09 | 2008-12-23 | Microsemi Corporation | Method and apparatus to control display brightness with ambient light correction |
| US7112929B2 (en) | 2004-04-01 | 2006-09-26 | Microsemi Corporation | Full-bridge and half-bridge compatible driver timing schedule for direct drive backlight system |
| US7755595B2 (en) | 2004-06-07 | 2010-07-13 | Microsemi Corporation | Dual-slope brightness control for transflective displays |
| US7414371B1 (en) | 2005-11-21 | 2008-08-19 | Microsemi Corporation | Voltage regulation loop with variable gain control for inverter circuit |
| US7569998B2 (en) | 2006-07-06 | 2009-08-04 | Microsemi Corporation | Striking and open lamp regulation for CCFL controller |
| FR2919456B1 (fr) * | 2007-07-26 | 2009-11-27 | Inergy Automotive Systems Res | Methode pour le chauffage d'au moins un composant d'un systeme scr a l'aide d'elements chauffants resistifs. |
| US8093839B2 (en) | 2008-11-20 | 2012-01-10 | Microsemi Corporation | Method and apparatus for driving CCFL at low burst duty cycle rates |
| US10093232B2 (en) | 2015-09-16 | 2018-10-09 | Truck-Lite Co., Llc | Telematics road ready system |
| US10065563B2 (en) * | 2015-09-16 | 2018-09-04 | Truck-Lite Co. Llc | Light emitting diode failure detection system for a vehicle |
| US10388161B2 (en) | 2015-09-16 | 2019-08-20 | Truck-Lite Co., Llc | Telematics road ready system with user interface |
| US10271411B2 (en) | 2015-09-16 | 2019-04-23 | Truck-Lite Co., Llc | Light emitting diode failure detection system for a vehicle with pre-trip inspection |
| US20190268675A1 (en) | 2017-03-15 | 2019-08-29 | Scott Troutman | Telematics Road Ready System including a Bridge Integrator Unit |
| WO2021078562A1 (en) * | 2019-10-22 | 2021-04-29 | Signify Holding B.V. | Led driver and lighting system using the same |
| CN112248934A (zh) * | 2020-09-29 | 2021-01-22 | 蔚来汽车科技(安徽)有限公司 | 车辆灯光提示控制装置的状态检测方法、装置及车辆 |
Family Cites Families (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US3719937A (en) * | 1971-02-11 | 1973-03-06 | Master Specialties Co | Failure detection circuit |
| US3735378A (en) * | 1971-04-29 | 1973-05-22 | Gen Motors Corp | Lamp failure indicating apparatus |
| DE2354582C2 (de) * | 1973-10-31 | 1975-09-04 | Siemens Ag, 1000 Berlin Und 8000 Muenchen | Anzeigevorrichtung mit Meldelampen |
| JPS52103140A (en) * | 1976-02-24 | 1977-08-30 | Toyota Motor Corp | Device for sensing disconnection of lamp for vehicle |
| JPS53112289U (ja) * | 1977-02-09 | 1978-09-07 | ||
| JPS57138756U (ja) * | 1981-02-25 | 1982-08-30 |
-
1985
- 1985-04-12 JP JP1985055207U patent/JPH0629116Y2/ja not_active Expired - Lifetime
-
1986
- 1986-04-08 US US06/849,415 patent/US4745339A/en not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS61169837U (ja) | 1986-10-21 |
| US4745339A (en) | 1988-05-17 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JPH0629116Y2 (ja) | ランプの断線検出装置 | |
| GB2071946A (en) | Temperature detecting device | |
| EP0493750A2 (en) | A comparator circuit with precision hysteresis and high input impedance | |
| US5175489A (en) | Current-detecting circuit | |
| EP0632357A1 (en) | Voltage reference circuit with programmable temperature coefficient | |
| JPS62191907A (ja) | 半導体回路 | |
| US6181192B1 (en) | Constant voltage circuit comprising temperature dependent elements and a differential amplifier | |
| JPH06311638A (ja) | 熱保護回路 | |
| JPH0317257Y2 (ja) | ||
| JP3498251B2 (ja) | 半導体集積回路装置 | |
| JP2763778B2 (ja) | ピーク値検出回路 | |
| JPS5844669Y2 (ja) | シユミツトトリガ回路 | |
| JPS632888Y2 (ja) | ||
| JP2979742B2 (ja) | 熱線式流量計 | |
| JPH0237548B2 (ja) | Batsuteriichetsukaakairo | |
| JPS6117461Y2 (ja) | ||
| JPH0541415Y2 (ja) | ||
| JPS5811768B2 (ja) | コンパレ−タ回路 | |
| JPH06109677A (ja) | 湿度検出回路 | |
| JPH03118434A (ja) | サーミスタ温度検出回路 | |
| JPH0742145Y2 (ja) | 電圧監視回路 | |
| JPH0535622Y2 (ja) | ||
| JPS6136626B2 (ja) | ||
| JP2001188617A (ja) | 電流制御回路 | |
| JPH0223053B2 (ja) |