KR880002318A - 리카버리 타임을 단축 개선한 차동 증폭기 회로 - Google Patents

리카버리 타임을 단축 개선한 차동 증폭기 회로 Download PDF

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KR880002318A
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구니히꼬 고또
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야마모도 다꾸마
후지쓰 가부시끼가이샤
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Abstract

내용 없음

Description

리카버리 타임을 단축 개선한 차동 증폭기 회로
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제3도는 MOS 트랜지스터를 사용한 본 발명의 첫번째 실시예의 차동 증폭기 회로를 포함하고 있는 연산증폭기의 회로도.
제4도는 차동 증폭기 회로에서 발생되는 리카버리 타임에 대한 전압과 전류를 도시한 파형도.
제5도는 바이폴라 트랜지스터를 사용한 본 발명의 두번째 실시예의 차동 증폭기 회로를 포함하고 있는 연산 증폭기의 회로도.

Claims (10)

  1. 차입력 신호들을 받아들여 츨력 신호를 발생하는 차동 증폭기 회로에 있어서, 차 입력 신호들을 각각 받아들이는 첫번째 및 두번째 입력단자, 출력신호를 발생하는 출력단자, 차 입력 신호들을 받아들여서 첫번째 트랜지스터를 제어하는 상기 첫번째 입력단자와 함께 연결한 제어전극, 첫번째 공급 전압원 라인과 함께 연결한 첫번째 전극 및 두번째 전극으로 구성된 첫번째 트랜지스터, 차입력 신호들의 두번째 부분을 받아들여서 두번째 트랜지스터를 제어하는 상기 두번째 입력단자와 함께 연결한 제어전극, 상기 출력단자와 함께 연결한 첫번째 전극 및, 상기 첫번째 트랜지스터의 두번째 전극과 함께 연결한 두번째 전극을 포함하는 두번째 트랜지스터. 상기 두번째 트랜지스터의 첫번째 전극과 상기 첫번째 트랜지스터의 두번째 전극과의 사이에서 연결되어 있고, 차 입력신호들의 첫번째 부분을 받아들여서 상기 세번째 트랜지스터를 제어하는 상기 첫번째 트랜지스터의 제어 전극과 함께 연결한 제어전극, 상기 두번째 트랜지스터의 첫번째 전극과 함께 연결되고 상기 첫번째 트랜지스터의 상호 컨덕틴스보다 작은 상호 컨덕틴스를 가지는 첫번째 전극을 포함하는 세번째 트랜지스터, 첫번째 공급 전압원 라인과 상기 두번째 공금 전압원 라인과의 사이에서 연결되어 있는 두번째 부하 소자, 상기 첫번째 트랜지스터의 전극과 상기 두번째 트랜지스터의 두번째 전극과의 사이에서 연결되어 있는 정전류원등을 포함하는 차동 증폭기 회로.
  2. 청구범위 제1항에 있어서, 상기 첫번째 트랜지스터의 첫번째 전극과 첫번째 공급전압원 라인과의 사이에서 연결되어 있는 두번째 부하소자, 상기 첫번째 트랜지스터의 첫번째 전극과 상기 두번째 트랜지스터의 두번째 전극과의 사이에서 연결되어 있고, 차 입력 신호들의 두번째 부분을 받아들여서 네번째 트랜지스터를 제어하는 상기 두번째 트랜지스터의 제어전극과 함께 연결된 제어전극, 상기 첫번째 트랜지스터의 첫번째 전극과 함께 연결한 첫번째 전극 및 상기 두번째 트랜지스터와 함께 연결되어 있는 두번째 전극 등을 포함하고, 상기 두번째 트랜지스터의 상호 컨덕턴스보다 더 작은 상호 컨덕턴스를 가지는 네번째 트랜지스터등을 더 포함하는 차동 증폭기 회로.
  3. 청구범위 제2항에 있어서, 상기 첫번째 부하 소자 및 상기 두번째 부하 소자가 각각 다섯번째 트랜지스터 및 여섯번째 트랜지스터를 포함하고, 커런트 미러 회로를 형성하는 차동 증폭기.
    하는 차동 증폭기.
  4. 청구범위 제3항에 있어서, 출력신호를 받아서 일곱번째 트랜지스터를 제어하는 출력단자와 함께 연결되어 있는 제어전극을 포함하는 일곱번째 트랜지스터로 구성되는 출력단을 더 포함하는 차동 증폭기 회로.
  5. 청구 범위 제4항에 있어서, 상기 첫번째, 두번째,세번째,네번째,다섯번째, 여섯번째 및 일곱번째 트랜지스터가 금속산화 반도체 트랜지스터인 차동 증폭기 회로.
  6. 청구범위 제5항에 있어서, 상기 첫번째, 두번째,세번째 및 네번째 트랜지스터가 채널 금속산화 반도체 트랜지스터이고, 상기 다섯번째, 여섯번째 및 일곱번째 틀랜지스터가 P채널 금속산화 반도체 트랜지스터인 차동 증폭기 회로.
  7. 청구범위 제4항에 있어서, 상기 첫번째,두번째,세번째,네번째,다섯번째,여섯번째 및 일곱번째 트랜지스터가 바이폴라 트랜지스터인 차동 증폭기.
  8. 청구범위 제7항에 있어서, 상기 첫번째, 두번째,세번째 및 네번째 트랜지스터가n-p-n 바이폴라 트랜지스터이고, 상기 다섯번째, 여섯번째, 일곱번째 트랜지스터가 p-n-p 바이폴라 트랜지스터인 차동 증폭기.
  9. 청구범위 제1항에 있어서, 상기 세번째 트랜지스터의 상호 컨덕턴스 대 상기 첫번째 트랜지스터의 상호 컨덕턴스와의 비율은인 차동 증폭기 회로.
  10. 청구범위 제2항에 있어서, 상기 네번째 트랜지스터의 상호 컨덕턴스 대 상기 두번째 트랜지스터의 상호 컨덕턴스와의 비율은인 차동 증폭기 회로.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
KR1019870007865A 1986-07-24 1987-07-20 리카버리 타임을 단축 개선한 차동 증폭기 회로 KR900009177B1 (ko)

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EP0254323A2 (en) 1988-01-27
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