KR870009494A - 전원전압 검출회로 - Google Patents

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KR870009494A
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노부다카 기타가와
마고토 이토
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와타리 스기이치로
가부시키가이샤 도시바
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    • G05—CONTROLLING; REGULATING
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    • G05F1/00—Automatic systems in which deviations of an electric quantity from one or more predetermined values are detected at the output of the system and fed back to a device within the system to restore the detected quantity to its predetermined value or values, i.e. retroactive systems
    • G05F1/10—Regulating voltage or current
    • G05F1/46—Regulating voltage or current wherein the variable actually regulated by the final control device is dc
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Abstract

내용 없음

Description

전원전압 검출회로
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제1도는 본 발명의 1실시예에 따른 전원전압 검출회로의 구성을 나타낸 블록도,
제2도는 일반적인 MOS트랜지스터의 특성을 나타낸 그래프,
제3도는 제1도에 도시된 각 회로부의 구체적인 회로를 나타낸 회로도,

Claims (9)

  1. 직류전원의 출력단자 사이에 접속되면서 복수개의 CMOSFET로 구성되어 전류미러회로를 설치하는 바이어스전압 발생수단과,
    이 바이어스 전압발생 수단으로부터 출력되는 바이어스전압이 공급되는 게이트를 갖춘 적어도 1개의 MOSFET로 구성되어 정전류회로를 설치하는 상기 출력단자 사이에 접속되는 기준전압 발생수단,
    상기 출력단자 사이에 직렬로 접속되는 전류통로를 갖는 복수개의 MOSFET를 설치하여 상기 출력단자 사이의 전압을 분할하기 위한 전압분할회로 및, 복수개의 CMOSFET로 구성되는 차동증폭기와, 이 차동증폭기의 제1입력단자에 상기 기준전압 발생수단에서 발생되는 기준전압을 공급하는 수단 및, 상기 전압분할수단으로부터 얻어진 분할전압을 상기 차동증폭기의 제2입력단자에 공급되는 수단을 설치하는 전압비교수단을 구비하여서, 이 전압비교수단의 출력으로 상기 직류전원의 전원전압을 나타내는 출력을 얻을 수 있도록 된 것을 특징으로 하는 전원 전압검출회로.
  2. 제1전원전위가 공급되는 제1접속점과, 제2전원전위가 공급되는 제2접속점, 이 제2접속점과는 제1저항소자를 거쳐 격리되는 제3접속점, 이 제1, 제3접속점의 상호 사이에 끼워져서 소정의 바이어스 전압을 발생하는 바이어스전압 발생수단, 제1, 제3접속점의 상호 사이에 제2저항소자 및 바이어스 전압 발생수단에서 발생되는 소정의 바이어스전압이 게이트에 공급되는 MOS트랜지스터가 직렬로 끼워져서 기준전압을 발생하는 기준전압 발생수단, 이 제1, 제3접속점의 상호 사이에 복수개의 MOS트랜지스터가 직렬로 끼워져서 제1, 제3접속점 사이의 전압을 분할하는 전압분할수단, 이 제1, 제3접속점의 상호사이에 설치되는 기준전압과 전압분할수단에 따른 분할전압을 비교하는 전압비교수단 및, 이 제1, 제3접속점의 상호사이에 콜렉터 · 에미터사이가 끼워져서 베이스에 전압비교수단의 출력이 공급되는 바이폴러트랜지스터가 설치되는 전류경로수단을 구비하여, 제1접속점과 제3접속점의 상호사이로부터 일정한 값으로 제한되는 전압을 얻을 수 있도록 된 전원전압검출회로.
  3. 제2항에 있어서, 바이어스 전압발생수단은 소오스가 제1접속점에 접속되는 제1챈널의 제1MOS트랜지스터와, 소오스가 제1접속점에 접속되는 게이트가 제1MOS트랜지스터의 게이트에 접속되면서 게이트와 드레인이 접속되는 제1챈널의 제2MOS트랜지스터, 일단이 제1MOS트랜지스터의 드레인에 접속되는 저항, 드레인이 제3접속점에 접속되는 소오스와 저항의 다른 단에 접속되는 게이트가 저항의 일단에 접속되는 제2챈널의 제3MOS트랜지스터 및, 소오스가 제3접속점에 접속되는 타단이 제1MOS트랜지스터의 드레인에 접속되면서 그 게이트가 저항의 타단에 접속되는 제2챈널의 제4 MOS트랜지스터로 구성되어, 저항의 타단으로부터 소정의 바이어스전압을 발생하도록 구성된 것을 특징으로 하는 전원전압 검출회로.
  4. 제2항에 있어서, 전압분할수단은 게이트와 드레인, 소오스와 백게이트가 각각 접속되는 복수개의 MOS트랜지스터를 제1접속점과 제3접속점 사이에 직렬로 끼워져서 구성되는 것을 특징으로 하는 전원전압 검출회로.
  5. 제2항에 있어서, 전압비교수단은 소오스가 제1접속점에 접속되는 드레인과 게이트가 접속되는 제1챈널의 제1MOS트랜지스터와, 소오스가 제1접속점에 접속되는 게이트가 제1MOS트랜지스터의 게이트에 접속되는 제1챈널의 제2MOS트랜지스터, 드레인이 제21MOS트랜지스터의 드레인에 접속되는 게이트에 분할전압이 공급되는 제2챈널의 제3MOS트랜지스터, 드레인이 제2MOS트랜지스터의 드레인에 접속되는 소오스가 제3MOS트랜지스터의 소오스와 접속되는 게이트에 기준전압이 공급되는 제2챈널의 제4MOS트랜지스터, 소오스가 제3접속점에 접속되는 드레인이 제3 및 제4MOS트랜지스터의 소오스 공통접속점에 접속되는 게이트에 바이어스 전압발생수단에서 발생되는 소정의 바이어스전압이 공급되는 제2챈널의 제5MOS트랜지스터, 소오스가 제1접속점에 접속되는 게이트가 제2MOS트랜지스터의 드레인에 접속되는 제1챈널의 제6MOS트랜지스터 및, 드레인이 제6MOS트랜지스터의 드레인에 접속되는 소오스가 제2접속점에 접속되는 게이트에 바이어스 전압발생수단으로부터 발생되는 소정의 바이어스전압이 공급되는 제2챈널의 제7MOS트랜지스터로 구성되어, 제6 및 제7MOS트랜지스터의 접속점으로부터 출력을 얻을 수 있도록 구성되는 것을 특징으로 하는 전원전압 검출회로.
  6. 제2항에 있어서, 전류경로수단이 다링톤트랜지스터로 구성되는 것을 특징으로 하는 전원전압 검출회로.
  7. 반도체 집적회로내에 설치되면서 정전압 바이어스를 발생하는 바이어스회로와, 이 바이어스회로로부터 바이어스가 공급되는 회로를 복수개의 전원전압 분할전압을 발생하는 전원전압 분할회로, 이 전원전압 분할회로로부터 발생된 1가지의 분할전압과 기준전압회로로부터 발생된 1가지의 기준전압을 전압비교하는 전압비교기 및, 기준전압회로 및 전원전압 분할회로가 적어도 한쪽을 제어해서 출력되는 복수개의 기준전압 및 복수개의 분할전압이 적어도 1개를 택일적으로 출력시키는 제어회로를 구비하는 것을 특징으로 하는 전원전압 검출회로.
  8. 제7항에 있어서, 기준전압 회로는 상이하게 되는 기준전압을 발생시켜 제어회로에 의해 택일적으로 동작 가능상태로 제어되는 복수개의 기준전압 회로이고, 이 복수개의 기준전압회로의 각 출력을 제어회로에 의해 택일적으로 선택해서 전압비교기에 인도하는 선택게이트를 구비하는 것을 특징으로 하는 전원접압 검출회로.
  9. 제7항에 있어서, 전원전압 분할회로는 제어신호에 의해 전원전압 분할전압의 크기가 제어되도록 된 것을 특징으로 하는 전원전압 검출회로.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
KR1019870002955A 1986-03-31 1987-03-30 전원전압검출회로 KR910001293B1 (ko)

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Families Citing this family (15)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5084665A (en) * 1990-06-04 1992-01-28 Motorola, Inc. Voltage reference circuit with power supply compensation
US5215599A (en) * 1991-05-03 1993-06-01 Electric Power Research Institute Advanced solar cell
US5557363A (en) * 1993-03-16 1996-09-17 Olympus Optical Co., Ltd. CMOS-analog IC for controlling camera and camera system using the same
US5519313A (en) * 1993-04-06 1996-05-21 North American Philips Corporation Temperature-compensated voltage regulator
JPH07229932A (ja) * 1994-02-17 1995-08-29 Toshiba Corp 電位検知回路
US5640122A (en) * 1994-12-16 1997-06-17 Sgs-Thomson Microelectronics, Inc. Circuit for providing a bias voltage compensated for p-channel transistor variations
US6157259A (en) * 1999-04-15 2000-12-05 Tritech Microelectronics, Ltd. Biasing and sizing of the MOS transistor in weak inversion for low voltage applications
KR100364428B1 (ko) * 2000-12-30 2002-12-11 주식회사 하이닉스반도체 고전압 레귤레이션 회로
KR100452323B1 (ko) * 2002-07-02 2004-10-12 삼성전자주식회사 반도체 메모리 장치의 기준전압 선택회로 및 그 방법
US6927590B2 (en) * 2003-08-21 2005-08-09 International Business Machines Corporation Method and circuit for testing a regulated power supply in an integrated circuit
US7061307B2 (en) * 2003-09-26 2006-06-13 Teradyne, Inc. Current mirror compensation circuit and method
US7123075B2 (en) 2003-09-26 2006-10-17 Teradyne, Inc. Current mirror compensation using channel length modulation
US8878511B2 (en) * 2010-02-04 2014-11-04 Semiconductor Components Industries, Llc Current-mode programmable reference circuits and methods therefor
US8680840B2 (en) * 2010-02-11 2014-03-25 Semiconductor Components Industries, Llc Circuits and methods of producing a reference current or voltage
JP2019148478A (ja) 2018-02-27 2019-09-05 セイコーエプソン株式会社 電源電圧検出回路、半導体装置、及び、電子機器

Family Cites Families (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
GB2081458B (en) * 1978-03-08 1983-02-23 Hitachi Ltd Voltage comparitors
JPS5528167A (en) * 1978-08-18 1980-02-28 Sutatsukusu Kogyo Kk Parallel type constant voltage source unit by constant current feeding
US4306183A (en) * 1979-03-14 1981-12-15 Lucas Industries Limited Voltage regulation circuit for a solar cell charging system
US4260946A (en) * 1979-03-22 1981-04-07 Rca Corporation Reference voltage circuit using nested diode means
JPS562017A (en) * 1979-06-19 1981-01-10 Toshiba Corp Constant electric current circuit
JPS5822423A (ja) * 1981-07-31 1983-02-09 Hitachi Ltd 基準電圧発生回路
DE3137451A1 (de) * 1981-09-21 1983-03-31 Siemens AG, 1000 Berlin und 8000 München Schaltungsanordnung zur erzeugung einer von schwankungen einer versorgungsgleichspannung unabhaengigen ausgangsgleichspannung
US4532467A (en) * 1983-03-14 1985-07-30 Vitafin N.V. CMOS Circuits with parameter adapted voltage regulator
US4593208A (en) * 1984-03-28 1986-06-03 National Semiconductor Corporation CMOS voltage and current reference circuit
JPH0690656B2 (ja) * 1985-01-24 1994-11-14 ソニー株式会社 基準電圧の形成回路

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KR910001293B1 (ko) 1991-02-28
EP0239989B1 (en) 1992-05-13

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