KR900700990A - 드라이버 회로 - Google Patents
드라이버 회로Info
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Abstract
내용 없음
Description
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제1도는 본 발명에 관한 드라이버 회로의 실시예에 관한 구성을 표시한 회로도
제2도는 상기 실시예 회로의 동작을 설명하기 위한 타이밍 차트.
제3도는 상기 실시예 회로로 사용되는 구동신호 발생회로의 구체예시 구성 회로도.
Claims (10)
- 소스, 드레인의 일측이 제1의 전원전압에 접속된 제1의 MOS트랜지스터와, 상기 제1의 MOS트랜지스터의 소스, 드레인의 타측과 출력단자와의 사이에 접속된 다이오드와, 상기 출력단자와 어스 전압과에 소스, 드레인이 각각 접속되고, 게이트에 제1의 구동신호가 공급된 제2의 MOS트랜지스터와, 상기 제1의 MOS트랜지스터의 소스, 드레인의 타측과의 사이에 삽입된 정전압 소자와, 상기 제1의 MOS트랜지스터의 게이트와 어스전압등에 소스, 드레인을 각각 접속하고, 게이트에 제2의 구동신호가 공급될 제3의 MOS트랜지스터와, 에미터 회로가 상기 제1의 전원전압에 접속되고 콜렉터 회로는 상기 제1의 MOS트랜지스터의 게이트에 접속된 바이파일러 트랜지스터와 복수의 제3의 구동신호에 따라 상기 바이파일러 트랜지스터의 베이스 회로에 공급할 전류의 값을 제어하는 전류제어수단과, 입력신호 및 제어신호에 의하여 상기 제1, 제2의 구동신호 및 복수의 제3구동신호를 발생하는 구동신호 발생수단등을 구비한 것을 특징으로 하는 드라이버 회로.
- 제1항에 있어서, 상기 제1, 제2, 제3의 각 MOS트랜지스터는 각각 이중 확산형 N챠넬 MOS트랜지스터인 드라이버 회로.
- 제1항에 있어서, 상기 정전압 소자는 제너 다이오드이고, 이 제너 다이오드의 아노드는 상기 제1의 MOS트랜지스터의 소스, 드레인의 타측에 접속되며, 캐소드는 사이 제1의 MOS트랜지스터의 게이트에 접속되어 있는 드라이브 회로.
- 제1항에 있어서, 상기 전류제어수단은, 소스, 드레인의 일측이 상기 바이파일러 트랜지스터의 베이스 회로에 접속되고, 게이트에 제2의 전원 전압이 공급된 제4의 MOS트랜지스터와, 각 일단이 상기 제4의 MOS트랜지스터의 소스, 드레인의 타측에 접속되고, 서로 저항치가 상이한 복수개의 제1의 저항과, 소스, 드레인의 일측이 상기 복수개의 제1의 저항의 각 타단에 접속되고, 소스, 드레인의 타측은 어스 전압에 접속되며, 각 게이트에 상기 복수의 제3의 구동신호 각각이 공급될 복수의 제5의 MOS트랜지스터로 구성된 드라이버 회로.
- 제4항에 있어서, 상기 전류제어수단에는 상기 제1의 저항이 2개 설치되어 있으며, 전류치 0을 포함한 서로의 값이 상이한 3값의 전류를 상기 바이파일러 트랜지스터의 베이스 회로에 공급하는 드라이버 회로.
- 제4항에 있어서, 상기 제4의 MOS트랜지스터는 이중 확산형의 N챠넬 MOS트랜지스터이고, 상기 복수의 제5의 MOS트랜지스터의 각각은 엔헌스먼트형의 N챠넬 MOS트랜지스터인 드라이버 회로.
- 제1항에 있어서, 상기 구동신호 발생수단은, 상기 제2의 MOS트랜지스터는 상기 제1의 구동신호에 따라 도통에서 비도통으로 되는 시기를 합쳐서 상기 제3의 MOS트랜지스터 도통이 개시되도록 상기 제2의 구동신호를 발생하도록 구성되어 있는 드라이버 회로.
- 제1항에 있어서, 상기 구동신호 발생수단은, 상기 제2의 MOS트랜지스터의 도통을 개시시킴에 앞서 이것보다도 소정기간전에 상기 제3의 MOS트랜지스터가 비도통에서 도통되도록 상기 제1, 제2의 구동신호를 발생함과 동시에, 상기 제2의 MOS트랜지스터를 도통에서 비도통으로 한다음의 소정기간후에 상기 제3의 MOS트랜지스터가 도통에서 비도통이 되도록 상기 제1, 제2의 구동신호를 발생하도록 구성된 드라이버 회로.
- 제4항에 있어서, 상기 바이파일러 트랜지스터는 제1 및 제2의 콜렉터를 가진 Pnp형 멀티콜렉터 트랜지스터이고 이 멀티콜렉터 트랜지스터의 에미터는 상기 제1의 전원 전압에 접속되고, 베이스는 제1의 콜렉터 및 상기 제4의 MOS트랜지스터의 소스, 드레인의 일측에 접속되며, 제2의 콜렉터는 상기 제1의 MOS트랜지스터의 게이트에 접속되어 있고, 베이스와 제1의 전원 전압과의 사이에는 제2의 저항이 접속되어 있는 드라이버회로.
- 제4항에 있어서, 상기 바이파일러 트랜지스터는 단일 콜렉터를 가진 Pnp형 트랜지지스터이고, 이 Pnp형 트랜지스터의 에미터는 상기 제1의 전원전압에 접속되며, 베이스는 상기 제4의 MOS트랜지스터의 소스, 드레인의 일측에 접속되고, 콜렉터는 상기 제1의 MOS트랜지스터의 게이트에 접속되어 있으며, 베이스와 제1의 전원전압과의 사이에는 제2의 저항이 접속되어 있는 드라이버 회로.※참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임
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JPH0229115A (ja) * | 1988-07-19 | 1990-01-31 | Toshiba Corp | 出力回路 |
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US5532712A (en) * | 1993-04-13 | 1996-07-02 | Kabushiki Kaisha Komatsu Seisakusho | Drive circuit for use with transmissive scattered liquid crystal display device |
US5510748A (en) * | 1994-01-18 | 1996-04-23 | Vivid Semiconductor, Inc. | Integrated circuit having different power supplies for increased output voltage range while retaining small device geometries |
US5572211A (en) * | 1994-01-18 | 1996-11-05 | Vivid Semiconductor, Inc. | Integrated circuit for driving liquid crystal display using multi-level D/A converter |
US5465054A (en) * | 1994-04-08 | 1995-11-07 | Vivid Semiconductor, Inc. | High voltage CMOS logic using low voltage CMOS process |
US5708388A (en) * | 1994-12-15 | 1998-01-13 | International Business Machines Corporation | Single current source current generating circit for periodically activating and deactivating portions of an IC |
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