KR910010868A - 전력 fet용 적응 게이트 충전 회로 - Google Patents

전력 fet용 적응 게이트 충전 회로 Download PDF

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존 지.웨브
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Abstract

내용 없음

Description

전력 FET용 적응 게이트 충전 회로
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
본 도면은 발명에 따른 적응 게이트 충전 회로의 한 실시예에 대한 개략도.

Claims (5)

  1. (a)제어 신호에 응답하여 필요한 전위까지 요소를 충전하는데 필요한 초기 시간 주기 동안 충전 공급원으로부터 발생된 충전 전류를 제공하는 구동 수단, (b)상기 충전 공급원에 접속되어 상기 초기 시간 주기후에 상기 요소로부터의 누설충전을 보상하도록 상기 충전 공급원으로 발생된 충분한 유지 전류를 상기 요소에 제공하는 적응지속 수단, (c)상기 적용 지속 수단에 접속되어 상기 초기시간 주기후에 상기 유지 전류를 부가적인 최소 전류를 더한 값까지 상기 충전 공급원으로 발생된 드레인 전류를 제한하는 전류제한 수단을 포함하는 적용 게이트 충전 회로.
  2. 전력 FET게이트에 제공된 전류를 제어하도록 상기 전력FET게이트 및 충전 공급원사이에 접속된 적응게이트 충전 회로로서, 제어 신호에 응답하여 상기 전력FET를 턴온시키기에 충분한 초기 시간 주기동안 상기 충전 공급원으로부터 발생된 전류 펄스를 상기 전력게이트에 제공하는 충전 수단을 포함하고, 상기 충전 수단은 상기 충전 공급원 및 상기 전력 FET게이트 사이에 접속되어 상기 초기 시간주기 후에 상기 전력 FET게이트으로 부터의 충전 누설을 보상하도록 상기 전력 FET게이트에 충분한 유지 전류를 제공하는 적용 지속수단, 및 상기 적용 지속수단 및 상기 전력 FET게이트 사이에 접속되어 상기 초기시간 주기후에 상기 유지전류를 부가적인 최소 전류를 더한 값까지 상기 충전 공급원으로부터 발생된 드레인 전류를 제한하는 전류제한수단을 포함하는 적용 게이트 충전 회로.
  3. 제2항에 있어서, 상기 초기 시간주기 동안 초기 전류를 제공하는 수단을 포함하고, 상기 적용 지속수단은 (a)상기 충전 공급원에 접속된 에미터,상기 전력FET게이트에 접속된 1차 콜렉터, 및 2차 콜렉터에 접속되며 저항 요소를 거쳐 상기 충전 공급원에 접속된 베이스를 지니는 제1의 다수 콜렉터 전류미터형 PNP트랜지스터 (b)상기 제1전류 미터 트랜지스터의 베이스-2차 콜렉터 접합부에 접속된 에미터, 상기 전력 FET게이트에 접속된 1차 콜렉터, 베이스에 접속된 2차 콜렉터 및 상기 1차 콜렉터에 싸여 있는 중앙 콜렉터를 지니는 제2의 다수 콜렉터 전류 미러형 PNP트랜지스터를 포함하는 적용 게이트 충전회로.
  4. 제3항에 있어서,상기 초기 시간주기후에 상기 제2전류 미러 트랜지스터를 턴온시키기에 충분하지만 상기 제1전류 미러 트랜지스터를 턴온시키기에 불충분한 유리 전류를 상기 제2전류 미러 트랜지스터의 베이스에 발생 시키는 수단을 포함하므로써 상기 제2전류 미러 트랜지스터가 상기 초기 시간주기 후에 단일 전류를 상기 전력FET게이트에 공급하는 적용 게이트 충전회로.
  5. 제3항에 있어서, 상기 제2전력 미러 트랜지스터의 1차 콜렉터가 포화할 경우, 상기 제2전류 미러 트랜지스터의 모든 에미터 전류가 상기 제2전류 미러 트랜지스터의 베이스에 복귀되므로 상기 제2전류 미러 트랜지스터가 다이오드로서 작용하도록 상기 제2전류 미러트랜지스터의중앙 콜렉터가 상기 제 2전류미러 트랜지스터의 베이스에 과잉 전류를 복귀시키는 적용 게이트 충전회로.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
KR1019900017894A 1989-11-08 1990-11-06 전력 fet용 적응 게이트 충전 회로 KR0177145B1 (ko)

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Families Citing this family (16)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP0555648A3 (en) * 1992-01-16 1994-09-28 Kopp Heinrich Ag Circuit for controlling field-controlled power switches
US5258662A (en) * 1992-04-06 1993-11-02 Linear Technology Corp. Micropower gate charge pump for power MOSFETS
EP0574646B1 (en) * 1992-06-16 1997-12-29 STMicroelectronics S.r.l. A circuit for controlling the maximum current in a power-MOS transistor used for driving a load connected to ground
US5359244A (en) * 1992-07-31 1994-10-25 Sgs-Thomson Microelectronics, Inc. Gate drive circuit for a MOS power transistor
EP0627807B1 (en) * 1993-05-27 1998-08-12 Fujitsu Limited Power line connection circuit and power line switch IC for the same
US5563587A (en) * 1994-03-21 1996-10-08 Rosemount Inc. Current cancellation circuit
EP0684699B1 (en) * 1994-05-25 2001-10-24 STMicroelectronics S.r.l. Slew rate control and optimization of power consumption in a power stage
US5672992A (en) * 1995-04-11 1997-09-30 International Rectifier Corporation Charge pump circuit for high side switch
US5923210A (en) * 1997-05-07 1999-07-13 Caterpillar Inc. High side driver circuit with diagnostic output
US6188265B1 (en) * 1997-12-12 2001-02-13 Scenix Semiconduction, Inc. High-voltage NMOS switch
DE19855054A1 (de) * 1998-11-28 2000-05-31 E G O Control Systems Gmbh & C Schaltungseinrichtung für einen elektronischen Leistungsschalter
US7129678B2 (en) * 2002-01-25 2006-10-31 Victory Industrial Corporation High voltage generator using inductor-based charge pump for automotive alternator voltage regulator
JP4400336B2 (ja) * 2003-08-27 2010-01-20 株式会社デンソー 電子制御装置
KR100980112B1 (ko) * 2008-03-27 2010-09-03 광주과학기술원 Ｒｆ 스위칭 장치 및 방법
WO2010117884A1 (en) * 2009-04-07 2010-10-14 Marvell World Trade Ltd Transistor gate driver for short circuit protection
DE102009049615B4 (de) * 2009-10-16 2015-04-02 Texas Instruments Deutschland Gmbh Elektronische Vorrichtung zur Ansteuerung eines Leistungsschalters

Family Cites Families (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4153909A (en) * 1973-12-10 1979-05-08 National Semiconductor Corporation Gated collector lateral transistor structure and circuits using same
US4471245A (en) * 1982-06-21 1984-09-11 Eaton Corporation FET Gating circuit with fast turn-on capacitor
US4609832A (en) * 1983-10-14 1986-09-02 Sundstrand Corporation Incremental base drive circuit for a power transistor
US4736121A (en) * 1985-09-10 1988-04-05 Sos Microelettronica S.p.A. Charge pump circuit for driving N-channel MOS transistors
FR2627033B1 (fr) * 1988-02-04 1990-07-20 Sgs Thomson Microelectronics Circuit de commande de grille d'un transistor mos de puissance fonctionnant en commutation

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