KR970023359A - 워드라인 구동기용 부트스트랩회로 - Google Patents

워드라인 구동기용 부트스트랩회로 Download PDF

Info

Publication number
KR970023359A
KR970023359A KR1019950036399A KR19950036399A KR970023359A KR 970023359 A KR970023359 A KR 970023359A KR 1019950036399 A KR1019950036399 A KR 1019950036399A KR 19950036399 A KR19950036399 A KR 19950036399A KR 970023359 A KR970023359 A KR 970023359A
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
bootstrap
potential
wordline
driving
potential level
Prior art date
Application number
KR1019950036399A
Other languages
English (en)
Other versions
KR0171950B1 (ko
Inventor
김용기
이경수
Original Assignee
김주용
현대전자산업 주식회사
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 김주용, 현대전자산업 주식회사 filed Critical 김주용
Priority to KR1019950036399A priority Critical patent/KR0171950B1/ko
Publication of KR970023359A publication Critical patent/KR970023359A/ko
Application granted granted Critical
Publication of KR0171950B1 publication Critical patent/KR0171950B1/ko

Links

Classifications

    • G—PHYSICS
    • G11—INFORMATION STORAGE
    • G11C—STATIC STORES
    • G11C8/00—Arrangements for selecting an address in a digital store
    • G11C8/08—Word line control circuits, e.g. drivers, boosters, pull-up circuits, pull-down circuits, precharging circuits, for word lines
    • G—PHYSICS
    • G11—INFORMATION STORAGE
    • G11C—STATIC STORES
    • G11C5/00—Details of stores covered by group G11C11/00
    • G11C5/14—Power supply arrangements, e.g. power down, chip selection or deselection, layout of wirings or power grids, or multiple supply levels
    • G11C5/143—Detection of memory cassette insertion or removal; Continuity checks of supply or ground lines; Detection of supply variations, interruptions or levels ; Switching between alternative supplies
    • G—PHYSICS
    • G11—INFORMATION STORAGE
    • G11C—STATIC STORES
    • G11C5/00—Details of stores covered by group G11C11/00
    • G11C5/14—Power supply arrangements, e.g. power down, chip selection or deselection, layout of wirings or power grids, or multiple supply levels
    • G11C5/145—Applications of charge pumps; Boosted voltage circuits; Clamp circuits therefor

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Dram (AREA)

Abstract

본 발명은 반도체 장치에 관한 것으로, 특히 워드라인을 구동하기 위한 부트스트랩용 전위를 워드라인 구동기용 부트스트랩회로에 관한 것이다.
본 발명의 워드라인 구동기용 부트스트랩회로는 워드라인을 구동하기 위하여 워드라인 구동기에 부트스트랩 전위를 공급하기 위한 부트스트랩 트랜지스터와, 상기 부트스트랩 트랜지스터의 게이트에 전하를 펌핑하기 위한 전하 펌핑회로와, 상기 부트스트랩 트랜지스터에 인가되는 전위레벨을 감지하는 고전위 레벨감지기와, 상기 고전위 레벨감지기의 전위 레벨 감지상태에 따라 상기 전하 펌핑회로의 구동을 제어하기 위하여 펄스신호를 발생하는 링발진기로 구성된다.

Description

워드라인 구동기용 부트스트랩회로
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제2도는 본 발명의 일실시예에 따른 워드라인 부트스트랩 전압발생회로의 블럭도,
제3도는 제2도에 도시된 부트스트랩 전압발생회로의 상세도.

Claims (2)

  1. 워드라인을 구동하기 위하여 워드라인 구동기에 부트스트랩 전위를 공급하기 위한 부트스트랩 트랜지스터와, 상기 부트스트랩 트랜지스터의 게이트에 전하를 펌핑하기 위한 전하 펌핑회로와, 상기 부트스트랩 트랜지스터에 인가되는 전위레벨을 감지하는 고전위 레벨감지기와, 상기 고전위 레벨감지기의 전위 레벨 감지상태에 따라 상기 전하 펌핑회로의 구동을 제어하기 위하여 펄스신호를 발생하는 링발진기로 구성되는 것을 특징으로 하는 워드라인 구동기용 부트스트랩회로.
  2. 제1항에 있어서, 상기 전하 펌핑회로의 출력전위를 이용하여 일정한 워드라인 구동용 부트스트랩 전위를 발생하는 부트스트랩 전위드라이버를 더 구비하는 것을 특징으로 하는 워드라인 구동기용 부트스트랩회로.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
KR1019950036399A 1995-10-20 1995-10-20 워드라인 구동기용 부트스트랩 회로 KR0171950B1 (ko)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1019950036399A KR0171950B1 (ko) 1995-10-20 1995-10-20 워드라인 구동기용 부트스트랩 회로

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1019950036399A KR0171950B1 (ko) 1995-10-20 1995-10-20 워드라인 구동기용 부트스트랩 회로

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR970023359A true KR970023359A (ko) 1997-05-30
KR0171950B1 KR0171950B1 (ko) 1999-03-30

Family

ID=19430835

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1019950036399A KR0171950B1 (ko) 1995-10-20 1995-10-20 워드라인 구동기용 부트스트랩 회로

Country Status (1)

Country Link
KR (1) KR0171950B1 (ko)

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100504555B1 (ko) * 2000-12-29 2005-08-03 주식회사 하이닉스반도체 Ｓｒａｍ의 셀 레이소에 따라 전압레벨을 제어하는부트스트랩 회로
KR100477814B1 (ko) * 1998-06-29 2005-08-29 주식회사 하이닉스반도체 반도체메모리장치의 워드라인 부트스트랩회로

Families Citing this family (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100545582B1 (ko) * 2003-05-28 2006-01-24 학교법인 포항공과대학교 전압 레벨 제어 부트스트랩 회로를 이용한 외부 구동회로

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100477814B1 (ko) * 1998-06-29 2005-08-29 주식회사 하이닉스반도체 반도체메모리장치의 워드라인 부트스트랩회로
KR100504555B1 (ko) * 2000-12-29 2005-08-03 주식회사 하이닉스반도체 Ｓｒａｍ의 셀 레이소에 따라 전압레벨을 제어하는부트스트랩 회로

Also Published As

Publication number Publication date
KR0171950B1 (ko) 1999-03-30

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR900010774A (ko) 백바이어스전압 발생회로
KR960035634A (ko) 셀프 리프레쉬 주기 조절장치
KR950015379A (ko) 반도체 메모리장치의 안정된 파워-온을 위한 스타트-엎회로
KR910013037A (ko) 액정표시장치용 구동회로
KR960015590A (ko) 저전력의 스테이틱 랜덤 억세스 메모리소자
KR920018758A (ko) 집적 반도체 회로
KR960025746A (ko) 반도체 메모리장치의 전원승압회로
KR960025732A (ko) 동작전류 소모를 줄인 반도체 메모리 소자
KR940003011A (ko) 출력전압에 있어 전계효과트랜지스터의 한계치전압의 손실이 생기지 않는 전압발생회로
KR950004271A (ko) 반도체 메모리 장치의 전원전압 감지회로
KR910013671A (ko) 초음파 모터 구동회로
KR970023359A (ko) 워드라인 구동기용 부트스트랩회로
KR970063246A (ko) 기판 전압의 크기를 모드에 따라서 설정할 수 있는 반도체 기억 장치
KR960043523A (ko) 클램프기능을 가지는 데이타 출력버퍼
KR950021980A (ko) 부트스트랩 회로
KR960038966A (ko) 반도체장치의 내부 승압회로
KR970051265A (ko) 반도체 메모리 장치의 초기화 회로
KR970053974A (ko) 전압 발생 회로 및 반도체 장치
KR970023354A (ko) 내부 전압 레벨 보상회로
KR850007149A (ko) 어드레스천이 검지회로
KR970029830A (ko) 백 바이어스 발생회로
KR970012688A (ko) 래치업 방지를 위한 반도체 메모리 장치의 전원전압 제어회로
KR970051091A (ko) 고전위 발생기
KR970051082A (ko) 내부 전원전압 승압 회로
KR910013275A (ko) 반도체 소자의 파워엎 안정회로

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
E701 Decision to grant or registration of patent right
GRNT Written decision to grant
FPAY Annual fee payment

Payment date: 20090922

Year of fee payment: 12

LAPS Lapse due to unpaid annual fee