KR850007149A - 어드레스천이 검지회로 - Google Patents

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KR850007149A
KR850007149A KR1019850000954A KR850000954A KR850007149A KR 850007149 A KR850007149 A KR 850007149A KR 1019850000954 A KR1019850000954 A KR 1019850000954A KR 850000954 A KR850000954 A KR 850000954A KR 850007149 A KR850007149 A KR 850007149A
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pulse generating
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pulse
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히로시 야수다 (외 2)
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사바 쇼오이찌
가부시끼 가이샤 도오시바
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    • G11C11/21Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor using electric elements
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    • HELECTRICITY
    • H03ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03KPULSE TECHNIQUE
    • H03K3/00Circuits for generating electric pulses; Monostable, bistable or multistable circuits
    • H03K3/02Generators characterised by the type of circuit or by the means used for producing pulses
    • H03K3/353Generators characterised by the type of circuit or by the means used for producing pulses by the use, as active elements, of field-effect transistors with internal or external positive feedback
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    • H03K3/3565Bistables with hysteresis, e.g. Schmitt trigger
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  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Static Random-Access Memory (AREA)
  • Manipulation Of Pulses (AREA)

Abstract

내용 없음

Description

어드레스천이 검지회로
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제7도는 본 발명의 일실시예를 나타내는 회로도. 제8도는 본 발명의 다른 실시예를 나타내는 회로도.
제9도는 잡음을 포함한 어드레스 신호파형도.
*도면의 부호에 대한 설명
1:노아회로 2:인버터 3:펄스발생회로 50:전압단자 60,61:클럭게이트
Ar:어드레스신호 CE,CE:칩이네이블신호.

Claims (2)

  1. 입력부의 전압변화를 검출해서 펄스를 발생하는 펄스발생회로와 펄스발생회로의 전단에 설치되어서 어드레스신호와 칩이네이블신호에 대해 노아논리를 구성하는 노아회로로 구성된 어드레스천이 검지회로에 있어서, 상기 노아회로는 어드레스신호에 대한 입력관계로써 히드테리시스 특성을 갖는 것을 특징으로 하는 어드레스천이 검지회로.
  2. 입력부의 전압변화를 검출해서 펄스를 발생하는 펄스발생회로와 펄스발생회로의 전단에 설치되어서 어드레스신호와 칩이네이블신호에 대해 노아논리를 구성하는 제1회로 및 상기 펄스발생회로와 제1회로 사이에 설치된 인버터로 구성된 어드레스천이 검지회로에 있어서, 상기 인버터회로가 히스테리시스 특성을 갖는 것을 특징으로 하는 어드레스천이 검지회로.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
KR1019850000954A 1984-03-06 1985-02-15 어드레스천이 검지회로 KR890004763B1 (ko)

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JP59042753A JPS60187993A (ja) 1984-03-06 1984-03-06 アドレス・トランジシヨン・デイテクタ回路
JP59-42753 1984-03-06

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KR890004763B1 KR890004763B1 (ko) 1989-11-25

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JPH02177083A (ja) * 1988-12-27 1990-07-10 Nec Corp 半導体記憶回路装置
JP3109986B2 (ja) * 1996-03-22 2000-11-20 シャープ株式会社 信号遷移検出回路
JP3263658B2 (ja) * 1998-03-30 2002-03-04 三洋電機株式会社 アドレス遷移検出回路

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