KR970053974A - 전압 발생 회로 및 반도체 장치 - Google Patents

전압 발생 회로 및 반도체 장치 Download PDF

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미츠히로 히가시호
마사토 마츠미야
사토시 에토
도시카즈 나카무라
히데키 가노
아야코 기타모토
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세키자와 다다시
후지쓰 가부시키가이샤
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Abstract

트랜지스터의 임계치가 복수의 반도체 장치에 대하여 차이가 나도 각 반도체 장치의 성능의 차이를 감소시킬 수 있는 반도체 장치를 제공한다.
제1전압으로부터 제2전압을 발생하기 위한 전압 발생 회로로서, 트랜지스터의 임계치를 검출하는 검출 수단과, 상기 검출 수단으로 검출한 트랜지스터의 임게치에 따라서 상기 제1전악으로부터 상기 제2전압을 발생하는 제1전압 발생 수단을 가진다.

Description

전압 발생 회로 및 반도체 장치
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제1도는 본 발명에 따른 전압 발생 회로의 제1실시예의 전기 회로도, 제2도는 본 발명에 따른 전압 발생회로의 제2실시예의 전기 회로도.

Claims (16)

  1. 제1전압으로부터 제2전압을 발생하기 위한 전압 발생 회로로서, 트랜지스터의 임계치를 검출하는 검출 수단과, 상기 검출 수단으로 검출한 트랜지스터의 임게치에 따라 상기 제1전압으로부터 상기 제2전압을 발생하는 제1전압 발생 수단을 가지는 것을 특징으로 하는 전압 발생 회로.
  2. 제1항에 있어서, 상기 제2전압은 다른 회로의 전원으로서 사용되는 전원 전압인 것을 특징으로 하는 전압발생 회로.
  3. 제1항에 있어서, 상기 제2전압은 다른 회로의 동작의 기준으로서 사용되는 전원 전압인것을 특징으로 하는 전압 발생 회로.
  4. 제1항에 있어서, 상기 제2전압이 기준전압으로 공급되고, 제3정압을 출력하는 제2전압 발생 수단을 가지는 것을 특징으로 하는 전압발생 회로.
  5. 제4항에 있어서, 상기 제2전압 발생 수단은 강압 회로를 포함하는 것을 특징으로 하는 전압 발생 회로.
  6. 제1항에 있어서, 상기 제1전압으로 부터 상기 제2전압보다도 낮은 제4전압을 발생하는 제3전압 발생 수단을 또 가지며, 제어신호에 의해 상기 제2전압과 상기 제4전압중 어느 한쪽이 출력되는 것을 특징으로 하는 전압 발생 회로.
  7. 제1항에 내지 제6항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 검출 수단은 상기 제1전압 발생 수단의 내부에 일체적으로 구성되는 것을 특징으로 하는 전압 발생 회로.
  8. 제7항에 있어서, 상기 검출 수단은 다이오드 접속된 FET를 포함하는 것을 특징으로 하는 전압 발생 회로.
  9. 제1항 내지 제6항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 제1전압 발생 수단은 차동 증폭기를 포함하는 것을 특징으로 하는 전압 발생 회로.
  10. 적어도 하나의 내부 회로와, 외부로부터 공급되는 제1전압으로부터 상기 내부 회로에 공급하기 위한 제2전압을 발생하고, 트랜지스터의 임계치를 검출하는 검출 수단과, 상기 검출 수단으로 검출한 트랜지스터의 임계치에 따라 상기 제1전압으로부터 상기 제2전압을 발생하는 제1전압 발생 수단을 가지는 전압 발생 회로를 갖춘 것을 특징으로 하는 반도체 장치.
  11. 제10항에 있어서, 상기 전압 발생 회로는 상기 제2전압이 기준 전압으로 공급되기, 제3저압을 출력하는 제2전압 발생 수단을 또 가지며, 상기 내부 회로에는 상기 제2전압 대신에 상기 제3전압이 공급되는 것을 특징으로 하는 반도체 장치.
  12. 제10항에 있어서, 상기 전압 발생 회로는 상기 제1전압으로부터 상기 제2전압보다도 낮은 제4전압을 발생하는 제3전압 발생 수단을 또 가지며, 제어신호에 의해 상기 제2전압과 상기 제4전압중 어느 한쪽이 상기 내부 회로에 공급되는 것을 특징으로 하는 반도체 장치.
  13. 제10항 내지 제12항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 검출 수단은 상기 제1전압 발생 수단의 내부에 일체적으로 구성되는 것을 특징으로 하는 반도체 장치.
  14. 제13항에 있어서, 상기 검출 수단은 다이오드 접속된 FET를 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 장치.
  15. 제10항 내지 제12항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 내부 회로는 메모리 회로를 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 장치.
  16. 제10항 내지 제12항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 내부 회로는 메모리 회로의 센스 앰프를 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 장치.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
KR1019960021795A 1995-12-28 1996-06-17 전압 발생 회로 및 반도체 장치 KR970053974A (ko)

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