KR970053974A - 전압 발생 회로 및 반도체 장치 - Google Patents

전압 발생 회로 및 반도체 장치 Download PDF

Info

Publication number
KR970053974A
KR970053974A KR1019960021795A KR19960021795A KR970053974A KR 970053974 A KR970053974 A KR 970053974A KR 1019960021795 A KR1019960021795 A KR 1019960021795A KR 19960021795 A KR19960021795 A KR 19960021795A KR 970053974 A KR970053974 A KR 970053974A
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
voltage
circuit
generating
voltage generating
semiconductor device
Prior art date
Application number
KR1019960021795A
Other languages
English (en)
Inventor
미츠히로 히가시호
마사토 마츠미야
사토시 에토
도시카즈 나카무라
히데키 가노
아야코 기타모토
Original Assignee
세키자와 다다시
후지쓰 가부시키가이샤
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 세키자와 다다시, 후지쓰 가부시키가이샤 filed Critical 세키자와 다다시
Publication of KR970053974A publication Critical patent/KR970053974A/ko

Links

Classifications

    • G—PHYSICS
    • G11—INFORMATION STORAGE
    • G11C—STATIC STORES
    • G11C11/00—Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor
    • G11C11/21—Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor using electric elements
    • G11C11/34—Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor using electric elements using semiconductor devices
    • G11C11/40—Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor using electric elements using semiconductor devices using transistors
    • G11C11/401—Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor using electric elements using semiconductor devices using transistors forming cells needing refreshing or charge regeneration, i.e. dynamic cells
    • G11C11/4063—Auxiliary circuits, e.g. for addressing, decoding, driving, writing, sensing or timing
    • G11C11/407—Auxiliary circuits, e.g. for addressing, decoding, driving, writing, sensing or timing for memory cells of the field-effect type
    • G11C11/4074—Power supply or voltage generation circuits, e.g. bias voltage generators, substrate voltage generators, back-up power, power control circuits
    • G—PHYSICS
    • G11—INFORMATION STORAGE
    • G11C—STATIC STORES
    • G11C11/00—Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor
    • G11C11/21—Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor using electric elements
    • G11C11/34—Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor using electric elements using semiconductor devices
    • G11C11/40—Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor using electric elements using semiconductor devices using transistors
    • G11C11/401—Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor using electric elements using semiconductor devices using transistors forming cells needing refreshing or charge regeneration, i.e. dynamic cells
    • G11C11/4063—Auxiliary circuits, e.g. for addressing, decoding, driving, writing, sensing or timing
    • G11C11/407—Auxiliary circuits, e.g. for addressing, decoding, driving, writing, sensing or timing for memory cells of the field-effect type
    • G11C11/409—Read-write [R-W] circuits 
    • G11C11/4091—Sense or sense/refresh amplifiers, or associated sense circuitry, e.g. for coupled bit-line precharging, equalising or isolating

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Dram (AREA)
  • Semiconductor Integrated Circuits (AREA)
  • Semiconductor Memories (AREA)

Abstract

트랜지스터의 임계치가 복수의 반도체 장치에 대하여 차이가 나도 각 반도체 장치의 성능의 차이를 감소시킬 수 있는 반도체 장치를 제공한다.
제1전압으로부터 제2전압을 발생하기 위한 전압 발생 회로로서, 트랜지스터의 임계치를 검출하는 검출 수단과, 상기 검출 수단으로 검출한 트랜지스터의 임게치에 따라서 상기 제1전악으로부터 상기 제2전압을 발생하는 제1전압 발생 수단을 가진다.

Description

전압 발생 회로 및 반도체 장치
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제1도는 본 발명에 따른 전압 발생 회로의 제1실시예의 전기 회로도, 제2도는 본 발명에 따른 전압 발생회로의 제2실시예의 전기 회로도.

Claims (16)

  1. 제1전압으로부터 제2전압을 발생하기 위한 전압 발생 회로로서, 트랜지스터의 임계치를 검출하는 검출 수단과, 상기 검출 수단으로 검출한 트랜지스터의 임게치에 따라 상기 제1전압으로부터 상기 제2전압을 발생하는 제1전압 발생 수단을 가지는 것을 특징으로 하는 전압 발생 회로.
  2. 제1항에 있어서, 상기 제2전압은 다른 회로의 전원으로서 사용되는 전원 전압인 것을 특징으로 하는 전압발생 회로.
  3. 제1항에 있어서, 상기 제2전압은 다른 회로의 동작의 기준으로서 사용되는 전원 전압인것을 특징으로 하는 전압 발생 회로.
  4. 제1항에 있어서, 상기 제2전압이 기준전압으로 공급되고, 제3정압을 출력하는 제2전압 발생 수단을 가지는 것을 특징으로 하는 전압발생 회로.
  5. 제4항에 있어서, 상기 제2전압 발생 수단은 강압 회로를 포함하는 것을 특징으로 하는 전압 발생 회로.
  6. 제1항에 있어서, 상기 제1전압으로 부터 상기 제2전압보다도 낮은 제4전압을 발생하는 제3전압 발생 수단을 또 가지며, 제어신호에 의해 상기 제2전압과 상기 제4전압중 어느 한쪽이 출력되는 것을 특징으로 하는 전압 발생 회로.
  7. 제1항에 내지 제6항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 검출 수단은 상기 제1전압 발생 수단의 내부에 일체적으로 구성되는 것을 특징으로 하는 전압 발생 회로.
  8. 제7항에 있어서, 상기 검출 수단은 다이오드 접속된 FET를 포함하는 것을 특징으로 하는 전압 발생 회로.
  9. 제1항 내지 제6항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 제1전압 발생 수단은 차동 증폭기를 포함하는 것을 특징으로 하는 전압 발생 회로.
  10. 적어도 하나의 내부 회로와, 외부로부터 공급되는 제1전압으로부터 상기 내부 회로에 공급하기 위한 제2전압을 발생하고, 트랜지스터의 임계치를 검출하는 검출 수단과, 상기 검출 수단으로 검출한 트랜지스터의 임계치에 따라 상기 제1전압으로부터 상기 제2전압을 발생하는 제1전압 발생 수단을 가지는 전압 발생 회로를 갖춘 것을 특징으로 하는 반도체 장치.
  11. 제10항에 있어서, 상기 전압 발생 회로는 상기 제2전압이 기준 전압으로 공급되기, 제3저압을 출력하는 제2전압 발생 수단을 또 가지며, 상기 내부 회로에는 상기 제2전압 대신에 상기 제3전압이 공급되는 것을 특징으로 하는 반도체 장치.
  12. 제10항에 있어서, 상기 전압 발생 회로는 상기 제1전압으로부터 상기 제2전압보다도 낮은 제4전압을 발생하는 제3전압 발생 수단을 또 가지며, 제어신호에 의해 상기 제2전압과 상기 제4전압중 어느 한쪽이 상기 내부 회로에 공급되는 것을 특징으로 하는 반도체 장치.
  13. 제10항 내지 제12항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 검출 수단은 상기 제1전압 발생 수단의 내부에 일체적으로 구성되는 것을 특징으로 하는 반도체 장치.
  14. 제13항에 있어서, 상기 검출 수단은 다이오드 접속된 FET를 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 장치.
  15. 제10항 내지 제12항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 내부 회로는 메모리 회로를 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 장치.
  16. 제10항 내지 제12항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 내부 회로는 메모리 회로의 센스 앰프를 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 장치.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
KR1019960021795A 1995-12-28 1996-06-17 전압 발생 회로 및 반도체 장치 KR970053974A (ko)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP7343954A JPH09186294A (ja) 1995-12-28 1995-12-28 電圧発生回路及び半導体装置
JP95-343954 1995-12-28

Publications (1)

Publication Number Publication Date
KR970053974A true KR970053974A (ko) 1997-07-31

Family

ID=18365525

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1019960021795A KR970053974A (ko) 1995-12-28 1996-06-17 전압 발생 회로 및 반도체 장치

Country Status (2)

Country Link
JP (1) JPH09186294A (ko)
KR (1) KR970053974A (ko)

Families Citing this family (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP4514460B2 (ja) * 2004-01-29 2010-07-28 富士通セミコンダクター株式会社 発振回路および半導体装置
JP4684616B2 (ja) * 2004-10-20 2011-05-18 ルネサスエレクトロニクス株式会社 発振回路
JP2006352741A (ja) * 2005-06-20 2006-12-28 Nec Electronics Corp デッドタイム制御回路
JP4253739B2 (ja) 2006-10-05 2009-04-15 Ｏｋｉセミコンダクタ株式会社 発振回路

Also Published As

Publication number Publication date
JPH09186294A (ja) 1997-07-15

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR970051145A (ko) 전위 발생회로
KR970029757A (ko) 반도체장치 및 비교회로
KR940010104A (ko) 기준전압 발생회로 및 내부강압 변환기
KR960002354A (ko) 반도체 메모리 장치의 비트라인 센싱회로 및 그 방법
KR930024162A (ko) 반도체 기억 장치
KR910003665A (ko) 반도체 기억 회로
KR920022293A (ko) 비정기적인 리프레쉬 동작을 실행하는 반도체 메모리 장치
KR970029753A (ko) 승압 전원을 갖는 반도체 메모리 장치
KR960025746A (ko) 반도체 메모리장치의 전원승압회로
KR950024349A (ko) 외부 파워 서플라이의 전위에 의거하여 내부 파워 서플라이의 전위를 발생시키는 내부 파워 서플라이 회로
KR950004271A (ko) 반도체 메모리 장치의 전원전압 감지회로
KR940003011A (ko) 출력전압에 있어 전계효과트랜지스터의 한계치전압의 손실이 생기지 않는 전압발생회로
KR970051107A (ko) 내부전원전압 공급장치
KR970053974A (ko) 전압 발생 회로 및 반도체 장치
KR970063246A (ko) 기판 전압의 크기를 모드에 따라서 설정할 수 있는 반도체 기억 장치
KR950012459A (ko) 다(多)비트 출력 메모리 회로용 출력 회로
KR0183874B1 (ko) 반도체 메모리장치의 내부 전원전압 발생회로
KR960002755A (ko) 반도체 집적장치의 전원전압 변환회로
KR950012708A (ko) 반도체 장치
KR970051075A (ko) 반도체 메모리장치의 전압 승압회로
KR970051389A (ko) 불휘발성 메모리의 버퍼 장치
KR970012688A (ko) 래치업 방지를 위한 반도체 메모리 장치의 전원전압 제어회로
KR950002018A (ko) 반도체집적회로의 전원전압 레귤레이터
KR970071787A (ko) 전원 공급 전압에 응답하여 기판 전위 변화를 일으킬 수 있는 기판 전위 제어 회로
KR970023359A (ko) 워드라인 구동기용 부트스트랩회로

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
E902 Notification of reason for refusal
E601 Decision to refuse application
J201 Request for trial against refusal decision
J301 Trial decision

Free format text: TRIAL DECISION FOR APPEAL AGAINST DECISION TO DECLINE REFUSAL REQUESTED 19990722

Effective date: 19991029