KR970051389A - 불휘발성 메모리의 버퍼 장치 - Google Patents
불휘발성 메모리의 버퍼 장치 Download PDFInfo
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Abstract
불휘발성 메모리 셀로부터 감지된 데이터를 감지하는 센스 앰프의 임계 전압을 안정화시켜 안정된 동작을 구현하는 불휘발성 메모리의 버퍼장치가 개시된다.
본 발명에 따른 버퍼 장치는 불휘발성 메모리 셀에 저장된 전하의 레벨을 감지하는 센스 앰프, 상기 센스 앰프에 의해 감지된 전하의 레벨을 래치하는 래치를 구비하여 불휘발성 메모리 셀에 저장된 전하의 레벨을 버퍼링하는 불휘발성 메모리의 버퍼 장치에 있어서, 상기 센스 앰프의 전원 전압을 제공하는 제1전압원; 및 상기 래치의 전원 전압을 제공하는 제2전압원을 포함함을 특징으로 한다.
본 발명에 따른 버퍼 장치는 래치 회로의 전원 전압을 센스 앰프에 인가되는 전원 전압을 제공하는 전압원의 출력 변동과 상관없는 다른 전압원에서 공급하도록 함으로써 안정된 동작을 구현하는 효과를 갖는다.
Description
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제1도는 본 발명에 따른 버퍼의 구성을 보이는 회로도이다.
제2도는 제1도에 도시된 장치에 의해 구성되는 페이지 버퍼의 예를 보이는 회로도이다.
Claims (3)
- 불휘발성 메모리 셀에 저장된 전하의 레벨을 감지하는 센스 앰프, 상기 센스 앰프에 의해 감지된 전하의 레벨을 래치하는 래치를 구비하여 불휘발성 메모리 셀에 저장된 전하의 레벨을 버퍼링하는 불휘발성 메모리의 버퍼 장치에 잇어서, 상기 센스 앰프의 전원 전압을 제공하는 제1전압원; 및 상기 래치의 전원 전압을 제공하는 제2전압원을 포함하는 불휘발성 메모리의 버퍼 장치.
- 제1항에 있어서, 상기 제2전압원은 정전압 발생기임을 특징으로 하는 불휘발성 메모리의 버퍼 장치.
- 제2항에 있어서, 상기 제2전압원은 불휘발성 메모리의 내부 전원 전압 발생 회로임을 특징으로 하는 불휘발성 메모리의 버퍼 장치.※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
KR1019950057242A KR970051389A (ko) | 1995-12-26 | 1995-12-26 | 불휘발성 메모리의 버퍼 장치 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
KR1019950057242A KR970051389A (ko) | 1995-12-26 | 1995-12-26 | 불휘발성 메모리의 버퍼 장치 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
KR970051389A true KR970051389A (ko) | 1997-07-29 |
Family
ID=66618309
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
KR1019950057242A KR970051389A (ko) | 1995-12-26 | 1995-12-26 | 불휘발성 메모리의 버퍼 장치 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
KR (1) | KR970051389A (ko) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR100466937B1 (ko) * | 1997-04-17 | 2005-04-06 | 삼성전자주식회사 | 반도체메모리장치 |
-
1995
- 1995-12-26 KR KR1019950057242A patent/KR970051389A/ko not_active Application Discontinuation
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR100466937B1 (ko) * | 1997-04-17 | 2005-04-06 | 삼성전자주식회사 | 반도체메모리장치 |
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