KR910005312A - 자외선 소거형 비휘발성 메모리 장치 - Google Patents

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KR910005312A
KR910005312A KR1019900012355A KR900012355A KR910005312A KR 910005312 A KR910005312 A KR 910005312A KR 1019900012355 A KR1019900012355 A KR 1019900012355A KR 900012355 A KR900012355 A KR 900012355A KR 910005312 A KR910005312 A KR 910005312A
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KR
South Korea
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memory device
nonvolatile memory
memory cell
cell
node
Prior art date
Application number
KR1019900012355A
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English (en)
Inventor
히데끼 아라까와
Original Assignee
오오가 노리오
소니 가부시끼가이샤
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Publication date
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    • G11INFORMATION STORAGE
    • G11CSTATIC STORES
    • G11C16/00Erasable programmable read-only memories
    • G11C16/02Erasable programmable read-only memories electrically programmable
    • G11C16/06Auxiliary circuits, e.g. for writing into memory
    • G11C16/26Sensing or reading circuits; Data output circuits
    • G11C16/28Sensing or reading circuits; Data output circuits using differential sensing or reference cells, e.g. dummy cells
    • GPHYSICS
    • G11INFORMATION STORAGE
    • G11CSTATIC STORES
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    • G11C16/18Circuits for erasing optically

Landscapes

  • Read Only Memory (AREA)
  • Non-Volatile Memory (AREA)

Abstract

내용 없음

Description

자외선 소거형 비휘발성 메모리 장치
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제1도는 본 발명의 자외선 소거형 비휘발성 메모리 장치의 한예의 회로구성을 도시하는 회로도.

Claims (2)

  1. 비교 셀과 메모리 셀이 커런트 미러회로에 각각 접속되며, 그 메모리 셀측의 노드의 전위를 증폭해서 출력하는 센스 앰프를 가지는 자외선 소거형 비휘발성 메모리 장치에 있어서, 상기 비교셀의 실효적인 제어 게이트 전압을 상기 메모리 셀의 제어 게이트 전압보다 소정 전압 낮게 한 것을 특징으로 하는 자외선 소거형 비휘발성 메모리 장치.
  2. 비교셀과 메모리 셀이 커런트 미러 회로에 각각 접속되며 그 메모리 셀측의 노드의 전위를 증폭해서 출력하는 센스 앰프를 갖는 자외선 소거형 비휘발성 메모리 장치에 있어서, 상기 노드에 정전류원이 접속되는 것을 특징으로 하는 자외선 소거형 비휘발성 메모리 장치.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
KR1019900012355A 1989-08-11 1990-08-11 자외선 소거형 비휘발성 메모리 장치 KR910005312A (ko)

Applications Claiming Priority (2)

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JP208703 1989-08-11
JP1208703A JPH0371495A (ja) 1989-08-11 1989-08-11 紫外線消去型不揮発性メモリ装置

Publications (1)

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KR910005312A true KR910005312A (ko) 1991-03-30

Family

ID=16560681

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1019900012355A KR910005312A (ko) 1989-08-11 1990-08-11 자외선 소거형 비휘발성 메모리 장치

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JP (1) JPH0371495A (ko)
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Families Citing this family (12)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
IT1249616B (it) * 1991-05-30 1995-03-09 Sgs Thomson Microelectronics Circuito di precarica di bit line per la lettura di una cella di memoria eprom.
FR2694119B1 (fr) * 1992-07-24 1994-08-26 Sgs Thomson Microelectronics Circuit de lecture pour mémoire, avec recharge et équilibrage avant lecture.
FR2698998B1 (fr) * 1992-12-09 1995-02-03 Sgs Thomson Microelectronics Mémoire eeprom organisée en mots de plusieurs bits.
DE69327804T2 (de) * 1993-05-28 2000-08-17 Macronix International Co. Ltd., Hsinchu Lösch- und programmprüfungsschaltung für nichtflüchtige speicher
JP2723015B2 (ja) * 1993-12-01 1998-03-09 日本電気株式会社 半導体記憶装置
DE69426487T2 (de) * 1994-03-28 2001-06-07 Stmicroelectronics S.R.L., Agrate Brianza Verfahren und Schaltung zur Referenzsignalerzeugung zur Differentialauswertung des Inhalts von nichtflüchtigen Speicherzellen
JP2007042193A (ja) * 2005-08-02 2007-02-15 Toshiba Corp 不揮発性半導体記憶装置
JP4701362B2 (ja) * 2007-09-19 2011-06-15 国立大学法人鹿屋体育大学 前回り受け身補助機能付き上衣
CN102148051B (zh) * 2010-02-10 2015-05-27 上海华虹宏力半导体制造有限公司 存储器和灵敏放大器
JP5922935B2 (ja) * 2012-01-24 2016-05-24 エスアイアイ・セミコンダクタ株式会社 不揮発性メモリ装置の読出し回路
CN105378842B (zh) * 2013-03-15 2019-01-29 硅存储技术公司 用于存储器装置中的读出放大器的自定时器
US12027214B2 (en) * 2021-12-16 2024-07-02 Ememory Technology Inc. Sensing device for non-volatile memory

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* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS57130292A (en) * 1981-02-05 1982-08-12 Toshiba Corp Semiconductor nonvolatile read-only storage device

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EP0412837A3 (en) 1992-01-22
EP0412837A2 (en) 1991-02-13
JPH0371495A (ja) 1991-03-27

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