KR970029842A - 전압 발생회로가 구비된 반도체 메모리 디바이스 - Google Patents

Abstract

본 발명은 발진 신호를 생성하는 발진기, 발진 신호에 응답하여 활성화될 때 출력 전압을 발생하는 전압 발생회로, 및 출력 신호가 선정된 전압에 이를 때 센서 신호를 출력하며 발진 신호와 별개로 전압 발생 회로를 비활성화시키도록 전압 발생 회로에 센서 신호를 공급하는 센서 회로를 포함하는 반도체 회로에 관한 것이다.

Description

전압 발생회로가 구비된 반도체 메모리 디바이스

본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음

제4도는 본 발명의 제1실시예에 따른 승압 발생 회로의 블록도.

제5도는 본 발명의 제1실시예에 따라 사용가능한 승압 회로(300)의 회로도.

Claims (5)

1. 반도체 회로에 있어서, 발진 신호를 발생하는 발진기, 상기 발진 신호에 응답해서 활성화될 때 출력 전압을 발생하는 전압 발생 회로, 및 상기 출력 신호가 선정된 전압에 도달했을 때 센서 신호를 출력하고 상기 발진 신호에 관계없이 상기 전압 발생 회로를 비활성화시키기 위하여 상기 전압 발생 회로에 상기 센서 신호를 공급하는 센서 회로를 포함하는 반도체 회로.
2. 제1항에 있어서, 상기 센서 회로는 상기 발진기를 비활성화시키기 위해 상기 발진기에 상기 센서 신호를 더 출력하는 반도체 회로.
3. 재1항에 있어서, 상기 전압 발생 회로는 입력 게이트를 구비하고 있고, 상기 입력 게이트는 상기 센서 신호가 상기 입력 게이트에 공급되지 않을 때 개방되고 상기 전압 발생 회로를 비활성화시키기 위한 상기 센서 신호에 응답해서 폐쇄되는 반도체 회로.
4. 제3항에 있어서, 상기 전압 발생 회로는 출력 게이트를 포함하고, 상기 출력 게이트는 상기 입력 게이트가 개방될 때 개방되어 상기 출력 신호를 출력하고 상기 입력 게이트가 폐쇄될 때 폐쇄되어 상기 출력 신호를 출력하는 반도체 회로.
5. 전압 발생기 회로에 있어서, 출력 신호가 선정된 전압에 도달했을 때 센서 신호를 출력하는 센서 회로; 발진 신호를 발생하는 발진기; 및 상기 센서 회로로부터의 상기 센서 신호를 수신할 때 상기 발진기로부터의 상기 발진 신호를 출력부로 전송하는 게이트를 구비하는 입력부와, 상기 입력부로부터의 상기 발진 신호에 응답해서 발생된 제1응답 신호를 수신하는 제1 전극 및 제2 전극을 갖고 있는 캐패시터, 전기 연속성을 형성하기 위해 상기 캐패시터의 상기 제2 전극과 상기 캐패시터의 상기 제2 전극을 프리차지하는 전원 단자 사이에 접속된 제1 트랜지스터, 및 전기 연속성을 형성하기 위해 상기 제1 캐패시터의 상기 제2 전극과 출력 단자 사이에 접속되어 있고, 상기 입력부로부터의 상기 발진 신호에 응답해서 발생된 제2 응답 신호에 동기해서 상기 출력 신호로서 상기 캐패시터의 상기 제2 전극의 전압을 상기 출력 단자에 출력하는 제2 트랜지스터를 구비하는 출력부를 갖고 있는 전압 발생 회로를 포함하는 전압 발생기 회로.