KR940006345A - 부스트 전압 발생 회로 - Google Patents
부스트 전압 발생 회로 Download PDFInfo
- Publication number
- KR940006345A KR940006345A KR1019930011560A KR930011560A KR940006345A KR 940006345 A KR940006345 A KR 940006345A KR 1019930011560 A KR1019930011560 A KR 1019930011560A KR 930011560 A KR930011560 A KR 930011560A KR 940006345 A KR940006345 A KR 940006345A
- Authority
- KR
- South Korea
- Prior art keywords
- capacitor element
- transistor
- level
- control signal
- source
- Prior art date
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H02—GENERATION; CONVERSION OR DISTRIBUTION OF ELECTRIC POWER
- H02M—APPARATUS FOR CONVERSION BETWEEN AC AND AC, BETWEEN AC AND DC, OR BETWEEN DC AND DC, AND FOR USE WITH MAINS OR SIMILAR POWER SUPPLY SYSTEMS; CONVERSION OF DC OR AC INPUT POWER INTO SURGE OUTPUT POWER; CONTROL OR REGULATION THEREOF
- H02M3/00—Conversion of dc power input into dc power output
- H02M3/02—Conversion of dc power input into dc power output without intermediate conversion into ac
- H02M3/04—Conversion of dc power input into dc power output without intermediate conversion into ac by static converters
- H02M3/06—Conversion of dc power input into dc power output without intermediate conversion into ac by static converters using resistors or capacitors, e.g. potential divider
- H02M3/07—Conversion of dc power input into dc power output without intermediate conversion into ac by static converters using resistors or capacitors, e.g. potential divider using capacitors charged and discharged alternately by semiconductor devices with control electrode, e.g. charge pumps
- H02M3/073—Charge pumps of the Schenkel-type
-
- G—PHYSICS
- G05—CONTROLLING; REGULATING
- G05F—SYSTEMS FOR REGULATING ELECTRIC OR MAGNETIC VARIABLES
- G05F3/00—Non-retroactive systems for regulating electric variables by using an uncontrolled element, or an uncontrolled combination of elements, such element or such combination having self-regulating properties
- G05F3/02—Regulating voltage or current
- G05F3/08—Regulating voltage or current wherein the variable is dc
- G05F3/10—Regulating voltage or current wherein the variable is dc using uncontrolled devices with non-linear characteristics
- G05F3/16—Regulating voltage or current wherein the variable is dc using uncontrolled devices with non-linear characteristics being semiconductor devices
- G05F3/20—Regulating voltage or current wherein the variable is dc using uncontrolled devices with non-linear characteristics being semiconductor devices using diode- transistor combinations
-
- G—PHYSICS
- G05—CONTROLLING; REGULATING
- G05F—SYSTEMS FOR REGULATING ELECTRIC OR MAGNETIC VARIABLES
- G05F3/00—Non-retroactive systems for regulating electric variables by using an uncontrolled element, or an uncontrolled combination of elements, such element or such combination having self-regulating properties
- G05F3/02—Regulating voltage or current
- G05F3/08—Regulating voltage or current wherein the variable is dc
- G05F3/10—Regulating voltage or current wherein the variable is dc using uncontrolled devices with non-linear characteristics
- G05F3/16—Regulating voltage or current wherein the variable is dc using uncontrolled devices with non-linear characteristics being semiconductor devices
- G05F3/20—Regulating voltage or current wherein the variable is dc using uncontrolled devices with non-linear characteristics being semiconductor devices using diode- transistor combinations
- G05F3/205—Substrate bias-voltage generators
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11C—STATIC STORES
- G11C5/00—Details of stores covered by group G11C11/00
- G11C5/14—Power supply arrangements, e.g. power down, chip selection or deselection, layout of wirings or power grids, or multiple supply levels
- G11C5/145—Applications of charge pumps; Boosted voltage circuits; Clamp circuits therefor
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11C—STATIC STORES
- G11C8/00—Arrangements for selecting an address in a digital store
- G11C8/08—Word line control circuits, e.g. drivers, boosters, pull-up circuits, pull-down circuits, precharging circuits, for word lines
Abstract
부스트 전압 발생회로는, 각각 제1및 제2제어신호를 수신하는 제1및 제2캐패시터를 갖는 부스트 전압 발생회로(2)와, 출력단자(VOUT)에 접속된 제3평활 캐패시터(C1,C2,C0)와 제1, 제2, 제3및 제4트랜지스터(Q1,Q3,Q4)를 포함한다. 부스트 전압 회로는 제3및 4트랜지스터를 통해 유도된다. 상기 부스트 전압 발생 회로는 제3트랜지스터(Q3)의 게이트와 제1캐패시터 사이에 접속된 제4캐패시터( C3)와 제4트랜지스터(Q4)의 게이트와 제2캐패시터(C2)의 사이에 접속된 제5캐패시터(C4)와, 소스 또는 드레인중 하나는 제1캐패스터(C1)에 접속되고 상기 소스 또는 드래인중 다른 하나는 제3트랜지스터(Q3)의 게이트에 접속되며 제2캐패시터(C2)에 접속된 게이트를 갖는 제5트랜지스터(Q5)와, 소스 또는 드레인중 하나는 제2캐패시터(C2)에 접속되고 상기 소스 및 드레인중 다른 하나는 제4트랜지스터(Q4)의 게이트에 접속되며 제1캐패시터(C1)에 접속된 게이트를 갖는 제6트랜지스터(Q6)를 더 포함한다. 이러한 상지는 소정 레벨 위에서 제3및 제4트랜지스터(Q3,Q4)의 게이트 전위를 유지하는 것이 가능ㅎ여, 부스트 전위에 대해 트랜지스터의 전류 구동 가능성과, 전류 공급 가능성의 저하가 방지된다.
Description
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제2A도는 본 발명에 따른 제1실시예의 부수트 전압 발생 호로를 도시하는 회로 다이어그램, 제2B도는 다수의 포인트에서 동작 파형을 도시하는 흐림도,
제3A도는 본 발명에 따른 제2실시예의 부스트 전압 발생 회로를 도시하는 회로 다이어그램, 제3B도는 다수의 포인트에서 동작 파형을 도시하는 흐름도,
제4A도는 본 발명에 따른 제3실시예의 부스트 전압 발생 호로를 도시하는 회로 다이어그램, 제4B도는 다수의 포인트에서 동작 파형을 도시하는 흐름도.
Claims (4)
- 타이밍 제어회로(1 : 1A)및 부스트 전압 발생회로(2A : 2B :2C)를 갖는 부스트 전압 발생회로에서, 상기 타이밍 제어 회로(1) 소정 싸이클에서 전원 전위 레벨(Vcc) 및 기준 전위 레벨이 되도록 제1제어신호(ø1, ø2)를 각각 수신하는 제1및 제2캐패시터 소자(C1,C2)와, 소스 또는 드레인중 하나는 전원 전위 노드에 접속되고 상기 소스 및 드레인중 다른 하나는 제1캐패스터 소자(C1)의 제2단부에 접속되고 상기 제2캐패시터 소자(C2)의 제2단부에 접속된 드레인을 갖는 제1트랜지스터(Q1)와, 소스 또는 드레인중 하나는 전원 전위 노드에 접속되고 상기 소스 및 드레인중 다른 하나는 제2캐패시터 소자(C2)의 제2단부에 접속되고 상기 제1캐패시터 소자(C1)의 제2단부에 접속된 드레인을 갖는 제2트랜지스터(Q2)와, 소스 또는 드레인중 하나는 상기 제1캐패시터 소자(C1)의 제2단부에 접속되고 상기 소스 또는 드레인중 다른 하나는 부스트 전위 출력단자(VOUT)에 접속되는 제3트랜지스터(Q3)와 소스 또는 드레인중 하나는 캐패시터 소자(C2)의 제2단부에 접속되고 상기 소스 및 드레인의 다른 하나는 상기 부스트 전위 출력 단자에 접속된 제4트랜지스터(Q4)와, 상기 부스트 전위 출력 단자와 기준 저위 노드 사이에 접속된 제3캐패시터 소자(Co)를 구비하는 부스트 전압 발생 회로에 있어서, 상기 부스트 전압발생회로는, 제1캐패시터 소자(C1)의 제1단부와 제3트랜지스터(Q3)의 게이트 사이에 접속된 제4캐패시터 소자(C3)와, 상기 제2캐패시터 소자(C2)의 제1단부와 제4트랜지스터(Q4)의 게이트 사이에 접속된 제5캐패시터 소자(C4)와, 소스 또는 드레인중 하나는 제1캐패시터 소자(C1)의 제2단부에 접속되고 상기 소스 및 드레인중 다른 하나는 제3트랜지스터(Q3)의 게이트에 접속되며 제2캐래시터 소자(C2)의 제2단부에 접속된 게이트를 제5트랜지스터(Q5)와, 소스 또는 드레인중 하나는 제2캐패시터의 제2단부에 접속되고 상시 소스 및 드레인주 다른하나는 상기 제4트랜지스터(Q4)의 게이트에 접속되며 상기 제1캐패시터 소자(C1)의 제2단부에 접속된 게이트를 갖는 제6트랜지스터(Q6)를 더 구비하는 부스트 전압 발생 회로.
- 제1항에 있어서, 상기 타이밍 제어 회로(2B,2C)는 상기 제1및 제2제어신호(ø1,ø2)에 부가하여 상기 제1제어 신호가 전원 전위 레벨로 된 후 전원 전위 레벨로 턴하여 상기 제1제어 신호가 기준 전위 레벨로 되기 전에 기준 전위 레벨로 턴하는 제3제어 신호(ø3)와, 상기 제2제어신호가 전원 전위 레벨로 된 후 전원 전위 레벨로 턴하여 제2제어신호가 기준 전위 레벨로 되기전에 기준 전위 레벨로 턴하는 제4제어 신호(ø4)를 발생하여, 제4캐패시터 소자(C3)의 제1단부는 상기 제1캐패시터 소자(C1)의 제1단부로 부터 분리되며, 제3제어 신호(ø3)를 수신하며, 제5캐패시터 소자(C4)의 제1단부는 상기 제2캐패시터 소자(C2)의 제1단부로부터 분리되여 제4제어 신호(ø4)를 수신하는 부스트 전압 발생회로.
- 제2항에 있어서, 상기 제3제어 신호(ø3)의 전원 전위 레벨을 소정 레벨만큼 더 높은 레벨에서 레벨 변환되는 제3제어 신호(ø3)로 변환시키는 제1레벨 변환 회로(3a)와, 상기 제4제어신호(ø4)의 전원 전위 레벨을 소정 레벨 만큼 더 높은 레벨에서 레벨 변환되는 제4제어 신호(ø4)로 변환시키는 제2레벨 변환 회로(3b)을 더 구비하며, 상기 레벨 변환된 제3제어신호(ø3a)는 제4캐패시터 소자(C3)의 제1단부에 입력되고 상기 레벨 변환된 제4제어신호(ø4a)는 제5 캐패시터 소자 (C4)의 제1단부에 입력되는 부스트 전압 발생 회로.
- 제1항에 있어서, 상기 제1내지 제6트랜지스터(Q1 내지 Q6)는 N-채널 전계호과 트랜지스터인 부스트 전압 발생회로.※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP92-165209 | 1992-06-24 | ||
JP4165209A JP2755047B2 (ja) | 1992-06-24 | 1992-06-24 | 昇圧電位発生回路 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
KR940006345A true KR940006345A (ko) | 1994-03-23 |
KR970005408B1 KR970005408B1 (ko) | 1997-04-16 |
Family
ID=15807920
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
KR1019930011560A KR970005408B1 (ko) | 1992-06-24 | 1993-06-24 | 부스트 전압 발생 회로 |
Country Status (5)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US5521547A (ko) |
EP (1) | EP0576008B1 (ko) |
JP (1) | JP2755047B2 (ko) |
KR (1) | KR970005408B1 (ko) |
DE (1) | DE69321040T2 (ko) |
Families Citing this family (60)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR100208443B1 (ko) * | 1995-10-14 | 1999-07-15 | 김영환 | 네가티브 전압 구동회로 |
GB2308513B (en) * | 1995-12-20 | 2000-11-22 | Hyundai Electronics Ind | Negative voltage drive circuit |
JP2933002B2 (ja) * | 1996-04-05 | 1999-08-09 | 日本電気株式会社 | 電圧伝達回路 |
JPH09320267A (ja) * | 1996-05-28 | 1997-12-12 | Oki Micro Design Miyazaki:Kk | 昇圧回路の駆動方法および昇圧回路 |
US5793224A (en) * | 1996-06-18 | 1998-08-11 | Micron Technology, Inc. | Voltage generator for antifuse programming |
US6064250A (en) * | 1996-07-29 | 2000-05-16 | Townsend And Townsend And Crew Llp | Various embodiments for a low power adaptive charge pump circuit |
KR100320118B1 (ko) * | 1997-02-03 | 2002-04-22 | 모리시타 요이찌 | 충전펌프회로및논리회로 |
US5852576A (en) * | 1997-02-28 | 1998-12-22 | Advanced Micro Devices, Inc. | High voltage NMOS pass gate for integrated circuit with high voltage generator and flash non-volatile memory device having the pass gate |
US5801579A (en) * | 1997-02-28 | 1998-09-01 | Advanced Micro Devices, Inc. | High voltage NMOS pass gate for integrated circuit with high voltage generator |
US6078212A (en) * | 1997-08-18 | 2000-06-20 | Micron Technology, Inc. | VT cancellation in output stage of charge pump |
KR100279296B1 (ko) * | 1998-06-09 | 2001-01-15 | 윤종용 | 승압 전압 발생 회로 |
KR100268887B1 (ko) * | 1998-06-17 | 2000-10-16 | 김영환 | 차아지 펌프 회로 |
KR100294584B1 (ko) * | 1998-06-19 | 2001-09-17 | 윤종용 | 반도체메모리장치의기판바이어스전압발생회로 |
JP3293577B2 (ja) | 1998-12-15 | 2002-06-17 | 日本電気株式会社 | チャージポンプ回路、昇圧回路及び半導体記憶装置 |
US6198335B1 (en) * | 1999-02-25 | 2001-03-06 | Stmicroelectronics, Inc. | Method and apparatus to drive the coil of a magnetic write head |
US6060873A (en) * | 1999-03-12 | 2000-05-09 | Vanguard International Semiconductor Corporation | On-chip-generated supply voltage regulator with power-up mode |
US6456152B1 (en) * | 1999-05-17 | 2002-09-24 | Hitachi, Ltd. | Charge pump with improved reliability |
JP3910765B2 (ja) * | 1999-09-08 | 2007-04-25 | 株式会社東芝 | 電圧発生回路及びこれを用いた電圧転送回路 |
US7023259B1 (en) * | 2001-02-26 | 2006-04-04 | Cypress Semiconductor Corp. | High voltage switch with no latch-up hazards |
US20030016070A1 (en) * | 2001-07-17 | 2003-01-23 | Wenhua Yang | Bootstrap module for multi-stage circuit |
KR20040030569A (ko) * | 2002-02-22 | 2004-04-09 | 미쓰비시덴키 가부시키가이샤 | 전압발생회로 |
CN100365935C (zh) * | 2002-10-24 | 2008-01-30 | 松下电器产业株式会社 | 电压发生电路、电压发生装置、半导体器件及其驱动方法 |
JP4393182B2 (ja) * | 2003-05-19 | 2010-01-06 | 三菱電機株式会社 | 電圧発生回路 |
US6995603B2 (en) * | 2004-03-03 | 2006-02-07 | Aimtron Technology Corp. | High efficiency charge pump with prevention from reverse current |
JP2006115682A (ja) * | 2004-09-14 | 2006-04-27 | Mitsubishi Electric Corp | 電圧発生回路 |
TWI285465B (en) * | 2004-11-29 | 2007-08-11 | Au Optronics Corp | DC-DC converter formed on a glass substrate |
US7936023B1 (en) | 2006-09-26 | 2011-05-03 | Cypress Semiconductor Corporation | High voltage diode |
US8044705B2 (en) * | 2007-08-28 | 2011-10-25 | Sandisk Technologies Inc. | Bottom plate regulation of charge pumps |
WO2009063661A1 (ja) * | 2007-11-13 | 2009-05-22 | Sharp Kabushiki Kaisha | 電源回路およびそれを備える表示装置 |
CN101842969A (zh) * | 2007-12-28 | 2010-09-22 | 夏普株式会社 | 电源电路和具备该电源电路的显示装置 |
US7969235B2 (en) * | 2008-06-09 | 2011-06-28 | Sandisk Corporation | Self-adaptive multi-stage charge pump |
US20090302930A1 (en) * | 2008-06-09 | 2009-12-10 | Feng Pan | Charge Pump with Vt Cancellation Through Parallel Structure |
US8710907B2 (en) * | 2008-06-24 | 2014-04-29 | Sandisk Technologies Inc. | Clock generator circuit for a charge pump |
US7683700B2 (en) * | 2008-06-25 | 2010-03-23 | Sandisk Corporation | Techniques of ripple reduction for charge pumps |
US7795952B2 (en) * | 2008-12-17 | 2010-09-14 | Sandisk Corporation | Regulation of recovery rates in charge pumps |
US8154333B2 (en) * | 2009-04-01 | 2012-04-10 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. | Charge pump circuits, systems, and operational methods thereof |
KR20100138146A (ko) * | 2009-06-24 | 2010-12-31 | 삼성전자주식회사 | 고효율의 차지 펌프 |
US7973592B2 (en) * | 2009-07-21 | 2011-07-05 | Sandisk Corporation | Charge pump with current based regulation |
US8339183B2 (en) * | 2009-07-24 | 2012-12-25 | Sandisk Technologies Inc. | Charge pump with reduced energy consumption through charge sharing and clock boosting suitable for high voltage word line in flash memories |
US20110133820A1 (en) * | 2009-12-09 | 2011-06-09 | Feng Pan | Multi-Stage Charge Pump with Variable Number of Boosting Stages |
US20110148509A1 (en) * | 2009-12-17 | 2011-06-23 | Feng Pan | Techniques to Reduce Charge Pump Overshoot |
US8294509B2 (en) | 2010-12-20 | 2012-10-23 | Sandisk Technologies Inc. | Charge pump systems with reduction in inefficiencies due to charge sharing between capacitances |
US8339185B2 (en) | 2010-12-20 | 2012-12-25 | Sandisk 3D Llc | Charge pump system that dynamically selects number of active stages |
EP2506432B1 (en) * | 2011-04-01 | 2016-12-28 | STMicroelectronics S.r.l. | Level-shifter circuit |
US8699247B2 (en) | 2011-09-09 | 2014-04-15 | Sandisk Technologies Inc. | Charge pump system dynamically reconfigurable for read and program |
US8514628B2 (en) | 2011-09-22 | 2013-08-20 | Sandisk Technologies Inc. | Dynamic switching approach to reduce area and power consumption of high voltage charge pumps |
US8400212B1 (en) | 2011-09-22 | 2013-03-19 | Sandisk Technologies Inc. | High voltage charge pump regulation system with fine step adjustment |
US8710909B2 (en) | 2012-09-14 | 2014-04-29 | Sandisk Technologies Inc. | Circuits for prevention of reverse leakage in Vth-cancellation charge pumps |
US8836412B2 (en) | 2013-02-11 | 2014-09-16 | Sandisk 3D Llc | Charge pump with a power-controlled clock buffer to reduce power consumption and output voltage ripple |
US8981835B2 (en) | 2013-06-18 | 2015-03-17 | Sandisk Technologies Inc. | Efficient voltage doubler |
US9024680B2 (en) | 2013-06-24 | 2015-05-05 | Sandisk Technologies Inc. | Efficiency for charge pumps with low supply voltages |
US9077238B2 (en) | 2013-06-25 | 2015-07-07 | SanDisk Technologies, Inc. | Capacitive regulation of charge pumps without refresh operation interruption |
US9007046B2 (en) | 2013-06-27 | 2015-04-14 | Sandisk Technologies Inc. | Efficient high voltage bias regulation circuit |
US9083231B2 (en) | 2013-09-30 | 2015-07-14 | Sandisk Technologies Inc. | Amplitude modulation for pass gate to improve charge pump efficiency |
US9154027B2 (en) | 2013-12-09 | 2015-10-06 | Sandisk Technologies Inc. | Dynamic load matching charge pump for reduced current consumption |
US9917507B2 (en) | 2015-05-28 | 2018-03-13 | Sandisk Technologies Llc | Dynamic clock period modulation scheme for variable charge pump load currents |
US9647536B2 (en) | 2015-07-28 | 2017-05-09 | Sandisk Technologies Llc | High voltage generation using low voltage devices |
US9520776B1 (en) | 2015-09-18 | 2016-12-13 | Sandisk Technologies Llc | Selective body bias for charge pump transfer switches |
US10250133B2 (en) * | 2017-07-18 | 2019-04-02 | Stmicroelectronics International N.V. | Single-stage CMOS-based voltage quadrupler circuit |
WO2020033597A1 (en) | 2018-08-07 | 2020-02-13 | Battery Savers Inc. | Method and system to boost battery voltage |
Family Cites Families (13)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US3808468A (en) * | 1972-12-29 | 1974-04-30 | Ibm | Bootstrap fet driven with on-chip power supply |
DE2821418A1 (de) * | 1978-05-16 | 1979-11-22 | Siemens Ag | Taktgesteuerter gleichspannungswandler |
DE3105147A1 (de) * | 1981-02-12 | 1982-09-09 | Siemens AG, 1000 Berlin und 8000 München | Integrierte digitale halbleiterschaltung |
US4412143A (en) * | 1981-03-26 | 1983-10-25 | Ncr Corporation | MOS Sense amplifier |
NL8503331A (nl) * | 1985-12-03 | 1987-07-01 | Philips Nv | Geintegreerde schakeling bevattende een lastkapaciteit en geintegreerde referentiebron. |
JPH0750552B2 (ja) * | 1985-12-20 | 1995-05-31 | 三菱電機株式会社 | 内部電位発生回路 |
DE8714849U1 (ko) * | 1986-12-23 | 1987-12-23 | Jenoptik Jena Gmbh, Ddr 6900 Jena, Dd | |
JPH0727717B2 (ja) * | 1988-07-13 | 1995-03-29 | 株式会社東芝 | センス回路 |
US4922128A (en) * | 1989-01-13 | 1990-05-01 | Ibm Corporation | Boost clock circuit for driving redundant wordlines and sample wordlines |
US4954731A (en) * | 1989-04-26 | 1990-09-04 | International Business Machines Corporation | Wordline voltage boosting circuits for complementary MOSFET dynamic memories |
JP2805210B2 (ja) * | 1989-06-09 | 1998-09-30 | 日本テキサス・インスツルメンツ株式会社 | 昇圧回路 |
US5023465A (en) * | 1990-03-26 | 1991-06-11 | Micron Technology, Inc. | High efficiency charge pump circuit |
US5126590A (en) * | 1991-06-17 | 1992-06-30 | Micron Technology, Inc. | High efficiency charge pump |
-
1992
- 1992-06-24 JP JP4165209A patent/JP2755047B2/ja not_active Expired - Lifetime
-
1993
- 1993-06-24 EP EP93110116A patent/EP0576008B1/en not_active Expired - Lifetime
- 1993-06-24 KR KR1019930011560A patent/KR970005408B1/ko not_active IP Right Cessation
- 1993-06-24 DE DE69321040T patent/DE69321040T2/de not_active Expired - Lifetime
-
1995
- 1995-06-07 US US08/485,144 patent/US5521547A/en not_active Expired - Lifetime
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP2755047B2 (ja) | 1998-05-20 |
US5521547A (en) | 1996-05-28 |
KR970005408B1 (ko) | 1997-04-16 |
EP0576008B1 (en) | 1998-09-16 |
JPH0614529A (ja) | 1994-01-21 |
EP0576008A2 (en) | 1993-12-29 |
EP0576008A3 (en) | 1995-03-15 |
DE69321040T2 (de) | 1999-05-20 |
DE69321040D1 (de) | 1998-10-22 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
KR940006345A (ko) | 부스트 전압 발생 회로 | |
KR860002149A (ko) | 차지-업(charge-up)회로 | |
KR970051173A (ko) | 승압펄스 발생회로 | |
KR970029757A (ko) | 반도체장치 및 비교회로 | |
KR960043527A (ko) | 저전력 고속 레벨 시프터 | |
KR910007223A (ko) | 전압증배회로 | |
KR950024339A (ko) | 반도체 집적회로장치 | |
KR950010340A (ko) | 정 전류 발생 장치 | |
KR940009801A (ko) | 기판전위 발생회로와 이것을 포함하는 반도체장치 | |
KR850003617A (ko) | 프로그램어블 리드-온리 메모리장치 | |
KR920015378A (ko) | 기판 바이어스 회로 | |
KR860009423A (ko) | 반도체 승압 신호 발생회로 | |
KR920005439A (ko) | 정전압 발생회로 | |
KR920018758A (ko) | 집적 반도체 회로 | |
KR950024349A (ko) | 외부 파워 서플라이의 전위에 의거하여 내부 파워 서플라이의 전위를 발생시키는 내부 파워 서플라이 회로 | |
KR950028263A (ko) | 전압 변환 회로 | |
KR940003011A (ko) | 출력전압에 있어 전계효과트랜지스터의 한계치전압의 손실이 생기지 않는 전압발생회로 | |
KR100586750B1 (ko) | 전위 부스트 회로 | |
KR880013173A (ko) | 주승압회로의 출력전압승압용 부승압회로 | |
KR850006902A (ko) | 전압레벨 검출회로 | |
KR920022711A (ko) | 고전압 발생회로 | |
KR970701947A (ko) | 클록 스윙을 감소시킨 저전력손실 집적회로(low loss integrated circuit with reduced clock swing) | |
KR960019978A (ko) | 펄스 발생기 | |
KR960019311A (ko) | 양/음 고전압 발생 전원의 출력전위 리셋회로 | |
KR950012459A (ko) | 다(多)비트 출력 메모리 회로용 출력 회로 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A201 | Request for examination | ||
G160 | Decision to publish patent application | ||
E701 | Decision to grant or registration of patent right | ||
GRNT | Written decision to grant | ||
FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20120629 Year of fee payment: 16 |
|
EXPY | Expiration of term |