KR930024010A - 불휘발성 반도체 기억장치 - Google Patents

불휘발성 반도체 기억장치 Download PDF

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Abstract

본 발명은 전원전압의 변동에 의존하지 않는 승압능력을 갖춘 승압회로를 탑재하여 기입·소거시에 전원파워가 헛되이 소비되는 것을 억제하거나 방지하도록 된 불휘발성 반도체 기억장치를 제공하고자함에 그 목적이 있다.
이를 위해 본 발명은, 전원전극의 강하와 더불어 발진주파수가 높아지는 발진회로(9)와, 승압능력에 구동주파수의존성을 가지며 발진회로(9)의 구동에 의해 전원전압을 승압시켜 메모리수단(1)의 기입·소거시에 필요한 전압을 발생시키는 승압회로(8)를 갖춘 것을 특징으로 한다.

Description

불휘발성 반도체 기억장치
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제1도는 본 발명에 따른 불휘발성 반도체 기억장치의 제1실시예를 나타낸 블럭도.

Claims (4)

  1. 불휘발성 메모리 기능을 갖추고 있는 메모리 수단을 구비한 메모리 본체와, 전원 전압의 강하와 더불어 발전 주파수가 높아지는 발진회로 및 승압능력에 구동주파수의존성을 가지며, 상기 발진회로의 구동에 의해 전원전압을 승압시켜 상기 메모리수단의 기입·소거시에 필요한 전압을 발생시키는 승압회로를 갖춘 것을 특징으로 하는 불휘발성 반도체 기억장치.
  2. 제1항에 있어서, 상기 발진회로로서 링오실레이터가 이용되고, 상기 링오실레이터는, 복수개의 인버터회로를 서로 전하전송용 MOS 트랜지스터를 매개로 하여 고리모양으로 접속하고, 이 MOS 트랜지스터의 게이트 전극을 출력전압이 전원전압의 강하와 더불어 당해 MOS 트랜지스터의 전송능력을 향상시키는 방향으로 변화하는 전압변환용 회로의 출력단에 접속하여 구성된 것을 특징으로 하는 불휘발성 반도체 기억장치.
  3. 제1항에 있어서, 발진회로로서 링오실레이터가 이용되고, 상기 링오실레이터는, 복수개의 인버터회로를 고리 모양으로 접속하고, 사기 각 인버터회로를 각각 전하전성용 MOS 트랜지스터를 매개로 하여 전원전위, 접지전위에 접속하며, 이 이 MOS 트랜지스터의 게이트 전극을 출력전압이 전원전압의 강화와 더불어 당해 MOS 트랜지스터의 전송능력을 향상시키는 방향으로 변화하는 전압변환회로의 출력단에 접속하여 구성된 것을 특징으로 하는 불휘발성 반도체 기억장치.
  4. 불휘발성 메모리기능을 갖추고 있는 메모리 수단을 각각 구비한 복수개의 메모리 본체와, 이 복수개의 메모리 본체에 대해 전원 전압을 승압시켜 상기 각 메모리 수단의 기입·소거시에 필요한 전압을 발생시키는 공통의 승압장치를 갖춘 것을 특징으로 하는 불휘발성 반도체 기억장치.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
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