KR960706219A - 승압회로(Boosting Circuit) - Google Patents
승압회로(Boosting Circuit)Info
- Publication number
- KR960706219A KR960706219A KR1019960702108A KR19960702108A KR960706219A KR 960706219 A KR960706219 A KR 960706219A KR 1019960702108 A KR1019960702108 A KR 1019960702108A KR 19960702108 A KR19960702108 A KR 19960702108A KR 960706219 A KR960706219 A KR 960706219A
- Authority
- KR
- South Korea
- Prior art keywords
- circuit
- voltage
- input terminal
- response
- capacitor
- Prior art date
Links
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11C—STATIC STORES
- G11C7/00—Arrangements for writing information into, or reading information out from, a digital store
-
- H—ELECTRICITY
- H02—GENERATION; CONVERSION OR DISTRIBUTION OF ELECTRIC POWER
- H02M—APPARATUS FOR CONVERSION BETWEEN AC AND AC, BETWEEN AC AND DC, OR BETWEEN DC AND DC, AND FOR USE WITH MAINS OR SIMILAR POWER SUPPLY SYSTEMS; CONVERSION OF DC OR AC INPUT POWER INTO SURGE OUTPUT POWER; CONTROL OR REGULATION THEREOF
- H02M3/00—Conversion of dc power input into dc power output
- H02M3/02—Conversion of dc power input into dc power output without intermediate conversion into ac
- H02M3/04—Conversion of dc power input into dc power output without intermediate conversion into ac by static converters
- H02M3/06—Conversion of dc power input into dc power output without intermediate conversion into ac by static converters using resistors or capacitors, e.g. potential divider
- H02M3/07—Conversion of dc power input into dc power output without intermediate conversion into ac by static converters using resistors or capacitors, e.g. potential divider using capacitors charged and discharged alternately by semiconductor devices with control electrode, e.g. charge pumps
- H02M3/073—Charge pumps of the Schenkel-type
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Dc-Dc Converters (AREA)
- Dram (AREA)
- Semiconductor Integrated Circuits (AREA)
- Direct Current Feeding And Distribution (AREA)
Abstract
전원전압을 사용하여 전원전압 보다 높은 승압전압을 발생하는 승압회로에 관한다.
승압회로는 2개의 커패시터를 가지고 이 2개의 커패시터는 입력단자의 전압에 응답하여 충전과 방전을 교호로 행한다.
제1의 커패시터는 승압용 노드를 제2의 커패시터는 출력단자의 전압을 각각 방전에 의해 승압한다.
또 승압회로는 제어회로를 가지고 제어 회로는 입력단자의 전압이 “H”레벨에서 “L”레벨로 변화할 때, 제2의 커패시터가 충전 상태로 되는 것 보다 늦어져 제1의 커패시터를 방전하는 전압을 제1의 커패시터로 공급하는 것이다.
Description
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제1도는 본원 발명의 제1의 실시예를 표시하는 승압회로의 회로도, 제3도는 본원 발명의 제2의 실시예를 표시하는 승압회로의 회로도.
Claims (10)
- 전원전압에 의거하여 전원전압 보다도 높은 승압전압을 발생하는 승압회로에 있어서, 제1 및 제2의 전압에 설정 가능한 입력단자와; 출력 단자와; 승압전압에 설정 가능한 승압용 노드와; 상기 승압용 노드의 전압에 응답하여 상기 출력단자와 전원전압원을 도통하는 제1의 도통회로와; 상기 출력단자의 전압에 응답하여 상기 승압용 노드와 전원전압원을 도통하는 제2의 도통회로와; 상기 입력단자와 상기 출력단자의 사이에 접속되어 해당 입력단자의 제2의 전압에 응답하여 방전하고 해당 입력 단자의 제1의 전압에 응답하여 해당 출력단자의 전압에 의거하여 충전하는 제1의 커패시터회로와; 상기 입력단자에 접속되어 해당 입력단자의 제2의 전압에 응답하여 제3의 전압을 공급하고 해당 입력단자의 제1의 전압에 응답하고 제1의 커패시터회로가 충전상태의 후에 제4의 전압을 공급하는 제어회로와; 상기 제어회로와 상기 승압용 노드의 사이에 접속되어 해당 제어회로의 출력의 제4의 전압에 응답하여 방전하고 해당 제어회로의 출력의 제3의 전압에 응답하고 해당 승압용 노드의 전압에 의거하여 충전하는 제2의 커패시터를 구비하는 승압회로.
- 제1항에 있어서, 상기 제1 및 제2의 커패시터 회로는 MOS 커패시터를 구비하는 승압회로.
- 제1항에 있어서, 종렬 접속된 적어도 2개의 인버터로 초단의 인버터의 입력이 상기 입력단자에 접속되어 최종단의 인버터의 출력과 해당 입력단자가 입력되어 출력이 상기 제2의 커패시터 회로에 접속된 NOR 회로를 구비하는 승압회로.
- 제3항에 있어서, 상기 입력단자와 상기 제1의 커패시터회로의 사이에는 적어도 2의 인버터를 구비하는 승압회로.
- 전원전압에 의거하여 전원전압 보다도 높은 승압전압을 발생하는 승압회로에 있어서, 제1 및 제2의 전압에 설정 가능한 입력단자와; 출력 단자와; 승압전압에 설정 가능한 승압용 노드와; 상기 승압용 노드의 전압에 응답하여 상기 출력단자와 전원전압원을 도통하는 제1의 도통회로와; 상기 출력단자와 상기 승압용용 노드의 사이에서 해당 승압용 노드에 대하여 순 방향 접속된 제1의 다이오드 회로와; 상기 입력단자와 상기 출력단자의 사이에 접속되어 해당 입력단자의 제1의 전압에 응답하여 방전하고 해당 입력단자의 제2의 전압에 응답하여 해당 승압용 노드의 전압에 의거하여 충전하는 커패시터 회로와; 상기 출력단자에 접속되어 상기 출력단자의 전압이 소정 이상으로 되는 것에 응답하여 해당 출력단자의 전압을 저하하는 크램프 회로를 구비하는 승압회로.
- 제5항에 있어서, 상기 제1및 제2의 커패시터 회로는 MOS 커패시터를 구비하는 승압회로.
- 제5항에 있어서, 상기 크램프회로는 상기 전원전압에 접속되어 해당 전원전압에 대하여 순 방향 접속된 제2의 다이오드 회로와 해당 제2의 다이오드회로에 대하여 순 방향 접속된 제3의 다이오드 회로를 구비하는 승압회로.
- 제7항에 있어서, 상기 제1, 제2, 제3의 다이오드 회로는 N형 MOS 트랜지스터를 구비하는 승압회로.
- 제7항에 있어서, 상기 전원전압원 보다 상기 제2 및 제3의 다이오드 회로의 스레숄드 전압의 합계치 이상으로 되면 크램프회로가 동작하는 것을 구비하는 승압회로.
- 제5항에 있어서, 상기 승압회로는 상기 입력단자와 상기 제1의 커패시터회로의 사이에 접속된 제1의 인버터와 해당 제1의 인버터와 상기 제2의 커패시터회로의 사이에 접속된 제2의 인버터를 구비하는 승압회로.※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
Applications Claiming Priority (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP94-212260 | 1994-09-06 | ||
JP06212260A JP3102833B2 (ja) | 1994-09-06 | 1994-09-06 | 昇圧回路 |
PCT/JP1995/001770 WO1996008070A1 (fr) | 1994-09-06 | 1995-09-06 | Circuit de preamplification |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
KR960706219A true KR960706219A (ko) | 1996-11-08 |
KR100342596B1 KR100342596B1 (ko) | 2002-12-05 |
Family
ID=16619637
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
KR1019960702108A KR100342596B1 (ko) | 1994-09-06 | 1995-09-06 | 승압회로 |
Country Status (7)
Country | Link |
---|---|
US (3) | US5877650A (ko) |
EP (1) | EP0727869B1 (ko) |
JP (1) | JP3102833B2 (ko) |
KR (1) | KR100342596B1 (ko) |
DE (1) | DE69532071T2 (ko) |
TW (1) | TW297967B (ko) |
WO (1) | WO1996008070A1 (ko) |
Families Citing this family (11)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
FR2758021B1 (fr) | 1996-12-31 | 1999-03-05 | Sgs Thomson Microelectronics | Circuit elevateur de tension |
KR100256226B1 (ko) * | 1997-06-26 | 2000-05-15 | 김영환 | 레퍼런스 전압 발생 장치 |
JP3698550B2 (ja) * | 1998-07-02 | 2005-09-21 | 富士通株式会社 | ブースト回路及びこれを用いた半導体装置 |
AU2319600A (en) * | 2000-01-27 | 2001-08-07 | Hitachi Limited | Semiconductor device |
US7107932B2 (en) | 2002-06-26 | 2006-09-19 | Ctb Ip, Inc. | Poultry feeder |
US7315438B2 (en) * | 2003-06-10 | 2008-01-01 | Seiko Epson Corporation | Technique to reduce ESD loading capacitance |
FR2856855A1 (fr) * | 2003-06-27 | 2004-12-31 | St Microelectronics Sa | Dispositif de commande d'un commutateur commande en tension |
US8536928B1 (en) * | 2012-05-25 | 2013-09-17 | Fairchild Semiconductor Corporation | Constant VGS charge pump for load switch applications |
US8975923B2 (en) | 2012-08-20 | 2015-03-10 | Fairchild Semiconductor Corporation | Protective multiplexer |
JP6469999B2 (ja) * | 2014-09-11 | 2019-02-13 | ローム株式会社 | ブートストラップ回路 |
US9838004B2 (en) | 2015-03-24 | 2017-12-05 | Fairchild Semiconductor Corporation | Enhanced protective multiplexer |
Family Cites Families (33)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US3942047A (en) * | 1974-06-03 | 1976-03-02 | Motorola, Inc. | MOS DC Voltage booster circuit |
DE2632199A1 (de) * | 1976-07-16 | 1978-01-19 | Siemens Ag | Anordnung zur spannungsvervielfachung |
JPS60234354A (ja) * | 1984-05-07 | 1985-11-21 | Hitachi Ltd | バイアス発生回路装置 |
US4621315A (en) * | 1985-09-03 | 1986-11-04 | Motorola, Inc. | Recirculating MOS charge pump |
JPS6369455A (ja) * | 1986-09-05 | 1988-03-29 | Nec Corp | 昇圧回路 |
KR890005159B1 (ko) * | 1987-04-30 | 1989-12-14 | 삼성전자 주식회사 | 백 바이어스 전압 발생기 |
JPH0193919A (ja) * | 1987-10-06 | 1989-04-12 | Seiko Epson Corp | レベルシフト回路 |
JPH01273417A (ja) * | 1988-04-26 | 1989-11-01 | Citizen Watch Co Ltd | レベルシフト装置 |
JPH0238118A (ja) * | 1988-07-29 | 1990-02-07 | Mazda Motor Corp | 車両のサスペンション装置 |
JP2652694B2 (ja) * | 1988-12-28 | 1997-09-10 | 三菱電機株式会社 | 昇圧回路 |
JPH02234460A (ja) * | 1989-03-08 | 1990-09-17 | Hitachi Ltd | 半導体集積回路装置 |
JP2805210B2 (ja) * | 1989-06-09 | 1998-09-30 | 日本テキサス・インスツルメンツ株式会社 | 昇圧回路 |
JP2556902B2 (ja) * | 1989-06-21 | 1996-11-27 | 益樹 高須 | 洗濯物等の乾燥方法 |
US5267201A (en) * | 1990-04-06 | 1993-11-30 | Mosaid, Inc. | High voltage boosted word line supply charge pump regulator for DRAM |
KR930008876B1 (ko) * | 1990-08-17 | 1993-09-16 | 현대전자산업 주식회사 | 반도체소자의 고전압 발생회로 |
JP2575956B2 (ja) * | 1991-01-29 | 1997-01-29 | 株式会社東芝 | 基板バイアス回路 |
JP2636091B2 (ja) * | 1991-05-17 | 1997-07-30 | 日本電気アイシーマイコンシステム株式会社 | 半導体集積回路 |
KR940003837B1 (ko) * | 1991-05-22 | 1994-05-03 | 삼성전자 주식회사 | 기판 전압 발생회로의 구동방법 |
DE4130191C2 (de) * | 1991-09-30 | 1993-10-21 | Samsung Electronics Co Ltd | Konstantspannungsgenerator für eine Halbleitereinrichtung mit kaskadierter Auflade- bzw. Entladeschaltung |
JPH05103463A (ja) * | 1991-10-07 | 1993-04-23 | Nec Corp | 電圧発生回路 |
US5289025A (en) * | 1991-10-24 | 1994-02-22 | At&T Bell Laboratories | Integrated circuit having a boosted node |
IT1258242B (it) * | 1991-11-07 | 1996-02-22 | Samsung Electronics Co Ltd | Dispositivo di memoria a semiconduttore includente circuiteria di pompaggio della tensione di alimentazione |
JP2633774B2 (ja) * | 1992-07-24 | 1997-07-23 | 松下電子工業株式会社 | アナログ・デジタル回路混在型半導体装置 |
JPH0660653A (ja) * | 1992-08-12 | 1994-03-04 | Hitachi Ltd | 電源回路、及び半導体記憶装置 |
FR2696598B1 (fr) * | 1992-10-01 | 1994-11-04 | Sgs Thomson Microelectronics | Circuit élévateur de tension de type pompe de charge avec oscillateur bootstrapé. |
JPH06195971A (ja) | 1992-10-29 | 1994-07-15 | Mitsubishi Electric Corp | 基板電位発生回路 |
KR0135735B1 (ko) * | 1992-11-04 | 1998-05-15 | 기다오까 다까시 | 소음발생을 억제하는 개량된 출력 드라이버 회로 및 번인테스트를 위한 개량된 반도체 집적회로 장치 |
KR950008246B1 (ko) * | 1992-12-02 | 1995-07-26 | 현대전자산업주식회사 | 반도체소자의 고전압 발생기 |
KR0157334B1 (ko) * | 1993-11-17 | 1998-10-15 | 김광호 | 반도체 메모리 장치의 전압 승압회로 |
US5677645A (en) * | 1995-05-08 | 1997-10-14 | Micron Technology, Inc. | Vccp pump for low voltage operation |
US5721509A (en) | 1996-02-05 | 1998-02-24 | Motorola, Inc. | Charge pump having reduced threshold voltage losses |
US5734290A (en) * | 1996-03-15 | 1998-03-31 | National Science Council Of R.O.C. | Charge pumping circuit having cascaded stages receiving two clock signals |
KR100200721B1 (ko) | 1996-08-20 | 1999-06-15 | 윤종용 | 반도체 메모리장치의 내부 승압 전압 발생기 |
-
1994
- 1994-09-06 JP JP06212260A patent/JP3102833B2/ja not_active Expired - Fee Related
-
1995
- 1995-08-29 TW TW084109027A patent/TW297967B/zh active
- 1995-09-06 DE DE69532071T patent/DE69532071T2/de not_active Expired - Fee Related
- 1995-09-06 WO PCT/JP1995/001770 patent/WO1996008070A1/ja active IP Right Grant
- 1995-09-06 EP EP95930706A patent/EP0727869B1/en not_active Expired - Lifetime
- 1995-09-06 KR KR1019960702108A patent/KR100342596B1/ko not_active IP Right Cessation
- 1995-09-06 US US08/637,621 patent/US5877650A/en not_active Expired - Fee Related
-
1998
- 1998-04-07 US US09/055,999 patent/US6225853B1/en not_active Expired - Fee Related
-
1999
- 1999-10-21 US US09/421,951 patent/US6297690B1/en not_active Expired - Fee Related
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
DE69532071T2 (de) | 2004-07-08 |
EP0727869A1 (en) | 1996-08-21 |
EP0727869B1 (en) | 2003-11-05 |
US6225853B1 (en) | 2001-05-01 |
JPH0880033A (ja) | 1996-03-22 |
WO1996008070A1 (fr) | 1996-03-14 |
JP3102833B2 (ja) | 2000-10-23 |
US5877650A (en) | 1999-03-02 |
DE69532071D1 (de) | 2003-12-11 |
US6297690B1 (en) | 2001-10-02 |
TW297967B (ko) | 1997-02-11 |
KR100342596B1 (ko) | 2002-12-05 |
EP0727869A4 (en) | 1999-12-08 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
KR0170002B1 (ko) | 정전압 발생 회로 | |
KR880014723A (ko) | 승압회로 | |
KR970031198A (ko) | 내부전원회로(Internal Power Supply Circuit) | |
KR930024010A (ko) | 불휘발성 반도체 기억장치 | |
KR980004932A (ko) | 독립적인 웰 바이어스 전압을 가진 전압 펌프 회로 | |
US4208595A (en) | Substrate generator | |
KR970005773B1 (ko) | 충전 펌프 회로 | |
US7009857B2 (en) | Soft-start charge pump circuit | |
KR960706219A (ko) | 승압회로(Boosting Circuit) | |
KR950028263A (ko) | 전압 변환 회로 | |
KR880013173A (ko) | 주승압회로의 출력전압승압용 부승압회로 | |
JP3006320B2 (ja) | 高効率ドライバ−を有する電圧変換回路 | |
KR970076800A (ko) | 승압회로 및 그 구동방법 | |
US5059816A (en) | High speed booster circuit | |
JP2718258B2 (ja) | 出力回路 | |
KR960015904A (ko) | 반도체 집적장치의 내부전압 승압회로 | |
JP3314473B2 (ja) | パワーmosfetの制御装置 | |
JP3064573B2 (ja) | 昇圧回路 | |
JPH0430207B2 (ko) | ||
KR100594286B1 (ko) | 승압회로 및 이를 이용하는 다단 승압회로 | |
JPH07319567A (ja) | ツェナーダイオードによる基準電圧を有するレギュレータ回路 | |
KR20010070342A (ko) | 출력 버퍼 회로와 그 회로를 구동하는 구동 회로를포함하는 반도체 회로 | |
KR19990065165A (ko) | 반도체 장치의 고전압 발생 회로 | |
KR970051075A (ko) | 반도체 메모리장치의 전압 승압회로 | |
JP6263898B2 (ja) | 降圧装置、昇圧装置及び変圧装置 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A201 | Request for examination | ||
E701 | Decision to grant or registration of patent right | ||
GRNT | Written decision to grant | ||
FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20050614 Year of fee payment: 4 |
|
LAPS | Lapse due to unpaid annual fee |