KR960706219A - 승압회로(Boosting Circuit) - Google Patents

승압회로(Boosting Circuit)

Info

Publication number
KR960706219A
KR960706219A KR1019960702108A KR19960702108A KR960706219A KR 960706219 A KR960706219 A KR 960706219A KR 1019960702108 A KR1019960702108 A KR 1019960702108A KR 19960702108 A KR19960702108 A KR 19960702108A KR 960706219 A KR960706219 A KR 960706219A
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
circuit
voltage
input terminal
response
capacitor
Prior art date
Application number
KR1019960702108A
Other languages
English (en)
Other versions
KR100342596B1 (ko
Inventor
유이치 마쓰시타
Original Assignee
사와무라 시코
오끼뎅끼 고오교오 가부시끼가이샤
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 사와무라 시코, 오끼뎅끼 고오교오 가부시끼가이샤 filed Critical 사와무라 시코
Publication of KR960706219A publication Critical patent/KR960706219A/ko
Application granted granted Critical
Publication of KR100342596B1 publication Critical patent/KR100342596B1/ko

Links

Classifications

    • GPHYSICS
    • G11INFORMATION STORAGE
    • G11CSTATIC STORES
    • G11C7/00Arrangements for writing information into, or reading information out from, a digital store
    • HELECTRICITY
    • H02GENERATION; CONVERSION OR DISTRIBUTION OF ELECTRIC POWER
    • H02MAPPARATUS FOR CONVERSION BETWEEN AC AND AC, BETWEEN AC AND DC, OR BETWEEN DC AND DC, AND FOR USE WITH MAINS OR SIMILAR POWER SUPPLY SYSTEMS; CONVERSION OF DC OR AC INPUT POWER INTO SURGE OUTPUT POWER; CONTROL OR REGULATION THEREOF
    • H02M3/00Conversion of dc power input into dc power output
    • H02M3/02Conversion of dc power input into dc power output without intermediate conversion into ac
    • H02M3/04Conversion of dc power input into dc power output without intermediate conversion into ac by static converters
    • H02M3/06Conversion of dc power input into dc power output without intermediate conversion into ac by static converters using resistors or capacitors, e.g. potential divider
    • H02M3/07Conversion of dc power input into dc power output without intermediate conversion into ac by static converters using resistors or capacitors, e.g. potential divider using capacitors charged and discharged alternately by semiconductor devices with control electrode, e.g. charge pumps
    • H02M3/073Charge pumps of the Schenkel-type

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Dc-Dc Converters (AREA)
  • Dram (AREA)
  • Semiconductor Integrated Circuits (AREA)
  • Direct Current Feeding And Distribution (AREA)

Abstract

전원전압을 사용하여 전원전압 보다 높은 승압전압을 발생하는 승압회로에 관한다.
승압회로는 2개의 커패시터를 가지고 이 2개의 커패시터는 입력단자의 전압에 응답하여 충전과 방전을 교호로 행한다.
제1의 커패시터는 승압용 노드를 제2의 커패시터는 출력단자의 전압을 각각 방전에 의해 승압한다.
또 승압회로는 제어회로를 가지고 제어 회로는 입력단자의 전압이 “H”레벨에서 “L”레벨로 변화할 때, 제2의 커패시터가 충전 상태로 되는 것 보다 늦어져 제1의 커패시터를 방전하는 전압을 제1의 커패시터로 공급하는 것이다.

Description

승압회로 (Boosting Circuit)
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제1도는 본원 발명의 제1의 실시예를 표시하는 승압회로의 회로도, 제3도는 본원 발명의 제2의 실시예를 표시하는 승압회로의 회로도.

Claims (10)

  1. 전원전압에 의거하여 전원전압 보다도 높은 승압전압을 발생하는 승압회로에 있어서, 제1 및 제2의 전압에 설정 가능한 입력단자와; 출력 단자와; 승압전압에 설정 가능한 승압용 노드와; 상기 승압용 노드의 전압에 응답하여 상기 출력단자와 전원전압원을 도통하는 제1의 도통회로와; 상기 출력단자의 전압에 응답하여 상기 승압용 노드와 전원전압원을 도통하는 제2의 도통회로와; 상기 입력단자와 상기 출력단자의 사이에 접속되어 해당 입력단자의 제2의 전압에 응답하여 방전하고 해당 입력 단자의 제1의 전압에 응답하여 해당 출력단자의 전압에 의거하여 충전하는 제1의 커패시터회로와; 상기 입력단자에 접속되어 해당 입력단자의 제2의 전압에 응답하여 제3의 전압을 공급하고 해당 입력단자의 제1의 전압에 응답하고 제1의 커패시터회로가 충전상태의 후에 제4의 전압을 공급하는 제어회로와; 상기 제어회로와 상기 승압용 노드의 사이에 접속되어 해당 제어회로의 출력의 제4의 전압에 응답하여 방전하고 해당 제어회로의 출력의 제3의 전압에 응답하고 해당 승압용 노드의 전압에 의거하여 충전하는 제2의 커패시터를 구비하는 승압회로.
  2. 제1항에 있어서, 상기 제1 및 제2의 커패시터 회로는 MOS 커패시터를 구비하는 승압회로.
  3. 제1항에 있어서, 종렬 접속된 적어도 2개의 인버터로 초단의 인버터의 입력이 상기 입력단자에 접속되어 최종단의 인버터의 출력과 해당 입력단자가 입력되어 출력이 상기 제2의 커패시터 회로에 접속된 NOR 회로를 구비하는 승압회로.
  4. 제3항에 있어서, 상기 입력단자와 상기 제1의 커패시터회로의 사이에는 적어도 2의 인버터를 구비하는 승압회로.
  5. 전원전압에 의거하여 전원전압 보다도 높은 승압전압을 발생하는 승압회로에 있어서, 제1 및 제2의 전압에 설정 가능한 입력단자와; 출력 단자와; 승압전압에 설정 가능한 승압용 노드와; 상기 승압용 노드의 전압에 응답하여 상기 출력단자와 전원전압원을 도통하는 제1의 도통회로와; 상기 출력단자와 상기 승압용용 노드의 사이에서 해당 승압용 노드에 대하여 순 방향 접속된 제1의 다이오드 회로와; 상기 입력단자와 상기 출력단자의 사이에 접속되어 해당 입력단자의 제1의 전압에 응답하여 방전하고 해당 입력단자의 제2의 전압에 응답하여 해당 승압용 노드의 전압에 의거하여 충전하는 커패시터 회로와; 상기 출력단자에 접속되어 상기 출력단자의 전압이 소정 이상으로 되는 것에 응답하여 해당 출력단자의 전압을 저하하는 크램프 회로를 구비하는 승압회로.
  6. 제5항에 있어서, 상기 제1및 제2의 커패시터 회로는 MOS 커패시터를 구비하는 승압회로.
  7. 제5항에 있어서, 상기 크램프회로는 상기 전원전압에 접속되어 해당 전원전압에 대하여 순 방향 접속된 제2의 다이오드 회로와 해당 제2의 다이오드회로에 대하여 순 방향 접속된 제3의 다이오드 회로를 구비하는 승압회로.
  8. 제7항에 있어서, 상기 제1, 제2, 제3의 다이오드 회로는 N형 MOS 트랜지스터를 구비하는 승압회로.
  9. 제7항에 있어서, 상기 전원전압원 보다 상기 제2 및 제3의 다이오드 회로의 스레숄드 전압의 합계치 이상으로 되면 크램프회로가 동작하는 것을 구비하는 승압회로.
  10. 제5항에 있어서, 상기 승압회로는 상기 입력단자와 상기 제1의 커패시터회로의 사이에 접속된 제1의 인버터와 해당 제1의 인버터와 상기 제2의 커패시터회로의 사이에 접속된 제2의 인버터를 구비하는 승압회로.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
KR1019960702108A 1994-09-06 1995-09-06 승압회로 KR100342596B1 (ko)

Applications Claiming Priority (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP94-212260 1994-09-06
JP06212260A JP3102833B2 (ja) 1994-09-06 1994-09-06 昇圧回路
PCT/JP1995/001770 WO1996008070A1 (fr) 1994-09-06 1995-09-06 Circuit de preamplification

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR960706219A true KR960706219A (ko) 1996-11-08
KR100342596B1 KR100342596B1 (ko) 2002-12-05

Family

ID=16619637

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1019960702108A KR100342596B1 (ko) 1994-09-06 1995-09-06 승압회로

Country Status (7)

Country Link
US (3) US5877650A (ko)
EP (1) EP0727869B1 (ko)
JP (1) JP3102833B2 (ko)
KR (1) KR100342596B1 (ko)
DE (1) DE69532071T2 (ko)
TW (1) TW297967B (ko)
WO (1) WO1996008070A1 (ko)

Families Citing this family (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
FR2758021B1 (fr) 1996-12-31 1999-03-05 Sgs Thomson Microelectronics Circuit elevateur de tension
KR100256226B1 (ko) * 1997-06-26 2000-05-15 김영환 레퍼런스 전압 발생 장치
JP3698550B2 (ja) * 1998-07-02 2005-09-21 富士通株式会社 ブースト回路及びこれを用いた半導体装置
AU2319600A (en) * 2000-01-27 2001-08-07 Hitachi Limited Semiconductor device
US7107932B2 (en) 2002-06-26 2006-09-19 Ctb Ip, Inc. Poultry feeder
US7315438B2 (en) * 2003-06-10 2008-01-01 Seiko Epson Corporation Technique to reduce ESD loading capacitance
FR2856855A1 (fr) * 2003-06-27 2004-12-31 St Microelectronics Sa Dispositif de commande d'un commutateur commande en tension
US8536928B1 (en) * 2012-05-25 2013-09-17 Fairchild Semiconductor Corporation Constant VGS charge pump for load switch applications
US8975923B2 (en) 2012-08-20 2015-03-10 Fairchild Semiconductor Corporation Protective multiplexer
JP6469999B2 (ja) * 2014-09-11 2019-02-13 ローム株式会社 ブートストラップ回路
US9838004B2 (en) 2015-03-24 2017-12-05 Fairchild Semiconductor Corporation Enhanced protective multiplexer

Family Cites Families (33)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3942047A (en) * 1974-06-03 1976-03-02 Motorola, Inc. MOS DC Voltage booster circuit
DE2632199A1 (de) * 1976-07-16 1978-01-19 Siemens Ag Anordnung zur spannungsvervielfachung
JPS60234354A (ja) * 1984-05-07 1985-11-21 Hitachi Ltd バイアス発生回路装置
US4621315A (en) * 1985-09-03 1986-11-04 Motorola, Inc. Recirculating MOS charge pump
JPS6369455A (ja) * 1986-09-05 1988-03-29 Nec Corp 昇圧回路
KR890005159B1 (ko) * 1987-04-30 1989-12-14 삼성전자 주식회사 백 바이어스 전압 발생기
JPH0193919A (ja) * 1987-10-06 1989-04-12 Seiko Epson Corp レベルシフト回路
JPH01273417A (ja) * 1988-04-26 1989-11-01 Citizen Watch Co Ltd レベルシフト装置
JPH0238118A (ja) * 1988-07-29 1990-02-07 Mazda Motor Corp 車両のサスペンション装置
JP2652694B2 (ja) * 1988-12-28 1997-09-10 三菱電機株式会社 昇圧回路
JPH02234460A (ja) * 1989-03-08 1990-09-17 Hitachi Ltd 半導体集積回路装置
JP2805210B2 (ja) * 1989-06-09 1998-09-30 日本テキサス・インスツルメンツ株式会社 昇圧回路
JP2556902B2 (ja) * 1989-06-21 1996-11-27 益樹 高須 洗濯物等の乾燥方法
US5267201A (en) * 1990-04-06 1993-11-30 Mosaid, Inc. High voltage boosted word line supply charge pump regulator for DRAM
KR930008876B1 (ko) * 1990-08-17 1993-09-16 현대전자산업 주식회사 반도체소자의 고전압 발생회로
JP2575956B2 (ja) * 1991-01-29 1997-01-29 株式会社東芝 基板バイアス回路
JP2636091B2 (ja) * 1991-05-17 1997-07-30 日本電気アイシーマイコンシステム株式会社 半導体集積回路
KR940003837B1 (ko) * 1991-05-22 1994-05-03 삼성전자 주식회사 기판 전압 발생회로의 구동방법
DE4130191C2 (de) * 1991-09-30 1993-10-21 Samsung Electronics Co Ltd Konstantspannungsgenerator für eine Halbleitereinrichtung mit kaskadierter Auflade- bzw. Entladeschaltung
JPH05103463A (ja) * 1991-10-07 1993-04-23 Nec Corp 電圧発生回路
US5289025A (en) * 1991-10-24 1994-02-22 At&T Bell Laboratories Integrated circuit having a boosted node
IT1258242B (it) * 1991-11-07 1996-02-22 Samsung Electronics Co Ltd Dispositivo di memoria a semiconduttore includente circuiteria di pompaggio della tensione di alimentazione
JP2633774B2 (ja) * 1992-07-24 1997-07-23 松下電子工業株式会社 アナログ・デジタル回路混在型半導体装置
JPH0660653A (ja) * 1992-08-12 1994-03-04 Hitachi Ltd 電源回路、及び半導体記憶装置
FR2696598B1 (fr) * 1992-10-01 1994-11-04 Sgs Thomson Microelectronics Circuit élévateur de tension de type pompe de charge avec oscillateur bootstrapé.
JPH06195971A (ja) 1992-10-29 1994-07-15 Mitsubishi Electric Corp 基板電位発生回路
KR0135735B1 (ko) * 1992-11-04 1998-05-15 기다오까 다까시 소음발생을 억제하는 개량된 출력 드라이버 회로 및 번인테스트를 위한 개량된 반도체 집적회로 장치
KR950008246B1 (ko) * 1992-12-02 1995-07-26 현대전자산업주식회사 반도체소자의 고전압 발생기
KR0157334B1 (ko) * 1993-11-17 1998-10-15 김광호 반도체 메모리 장치의 전압 승압회로
US5677645A (en) * 1995-05-08 1997-10-14 Micron Technology, Inc. Vccp pump for low voltage operation
US5721509A (en) 1996-02-05 1998-02-24 Motorola, Inc. Charge pump having reduced threshold voltage losses
US5734290A (en) * 1996-03-15 1998-03-31 National Science Council Of R.O.C. Charge pumping circuit having cascaded stages receiving two clock signals
KR100200721B1 (ko) 1996-08-20 1999-06-15 윤종용 반도체 메모리장치의 내부 승압 전압 발생기

Also Published As

Publication number Publication date
DE69532071T2 (de) 2004-07-08
EP0727869A1 (en) 1996-08-21
EP0727869B1 (en) 2003-11-05
US6225853B1 (en) 2001-05-01
JPH0880033A (ja) 1996-03-22
WO1996008070A1 (fr) 1996-03-14
JP3102833B2 (ja) 2000-10-23
US5877650A (en) 1999-03-02
DE69532071D1 (de) 2003-12-11
US6297690B1 (en) 2001-10-02
TW297967B (ko) 1997-02-11
KR100342596B1 (ko) 2002-12-05
EP0727869A4 (en) 1999-12-08

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR0170002B1 (ko) 정전압 발생 회로
KR880014723A (ko) 승압회로
KR970031198A (ko) 내부전원회로(Internal Power Supply Circuit)
KR930024010A (ko) 불휘발성 반도체 기억장치
KR980004932A (ko) 독립적인 웰 바이어스 전압을 가진 전압 펌프 회로
US4208595A (en) Substrate generator
KR970005773B1 (ko) 충전 펌프 회로
US7009857B2 (en) Soft-start charge pump circuit
KR960706219A (ko) 승압회로(Boosting Circuit)
KR950028263A (ko) 전압 변환 회로
KR880013173A (ko) 주승압회로의 출력전압승압용 부승압회로
JP3006320B2 (ja) 高効率ドライバ−を有する電圧変換回路
KR970076800A (ko) 승압회로 및 그 구동방법
US5059816A (en) High speed booster circuit
JP2718258B2 (ja) 出力回路
KR960015904A (ko) 반도체 집적장치의 내부전압 승압회로
JP3314473B2 (ja) パワーmosfetの制御装置
JP3064573B2 (ja) 昇圧回路
JPH0430207B2 (ko)
KR100594286B1 (ko) 승압회로 및 이를 이용하는 다단 승압회로
JPH07319567A (ja) ツェナーダイオードによる基準電圧を有するレギュレータ回路
KR20010070342A (ko) 출력 버퍼 회로와 그 회로를 구동하는 구동 회로를포함하는 반도체 회로
KR19990065165A (ko) 반도체 장치의 고전압 발생 회로
KR970051075A (ko) 반도체 메모리장치의 전압 승압회로
JP6263898B2 (ja) 降圧装置、昇圧装置及び変圧装置

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
E701 Decision to grant or registration of patent right
GRNT Written decision to grant
FPAY Annual fee payment

Payment date: 20050614

Year of fee payment: 4

LAPS Lapse due to unpaid annual fee