KR970031198A - 내부전원회로(Internal Power Supply Circuit) - Google Patents

내부전원회로(Internal Power Supply Circuit) Download PDF

Info

Publication number
KR970031198A
KR970031198A KR1019960052632A KR19960052632A KR970031198A KR 970031198 A KR970031198 A KR 970031198A KR 1019960052632 A KR1019960052632 A KR 1019960052632A KR 19960052632 A KR19960052632 A KR 19960052632A KR 970031198 A KR970031198 A KR 970031198A
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
power supply
supply terminal
switch means
node
circuit
Prior art date
Application number
KR1019960052632A
Other languages
English (en)
Inventor
미쓰오 소네다
아키라 리
Original Assignee
이데이 노부유키
소니 가부시기가이샤
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Priority claimed from JP29007095A external-priority patent/JP3456074B2/ja
Priority claimed from JP23073696A external-priority patent/JPH1075568A/ja
Application filed by 이데이 노부유키, 소니 가부시기가이샤 filed Critical 이데이 노부유키
Publication of KR970031198A publication Critical patent/KR970031198A/ko

Links

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H02GENERATION; CONVERSION OR DISTRIBUTION OF ELECTRIC POWER
    • H02MAPPARATUS FOR CONVERSION BETWEEN AC AND AC, BETWEEN AC AND DC, OR BETWEEN DC AND DC, AND FOR USE WITH MAINS OR SIMILAR POWER SUPPLY SYSTEMS; CONVERSION OF DC OR AC INPUT POWER INTO SURGE OUTPUT POWER; CONTROL OR REGULATION THEREOF
    • H02M3/00Conversion of dc power input into dc power output
    • H02M3/02Conversion of dc power input into dc power output without intermediate conversion into ac
    • H02M3/04Conversion of dc power input into dc power output without intermediate conversion into ac by static converters
    • H02M3/06Conversion of dc power input into dc power output without intermediate conversion into ac by static converters using resistors or capacitors, e.g. potential divider
    • H02M3/07Conversion of dc power input into dc power output without intermediate conversion into ac by static converters using resistors or capacitors, e.g. potential divider using capacitors charged and discharged alternately by semiconductor devices with control electrode, e.g. charge pumps

Abstract

내부전원회로는 복수의 전하축적수단과, 제1의 전원단자와, 제2의 전원단자와, 복수의 전하축적수단을 제1의 상태에서 병렬로 접속하는 제1의 스위치와, 복수의 전하축적수단을 제2의 상태에서 직렬로 접속하는 제2의 스위치와로 이루어지고, 전하축적수단은 제1의 전원단자와 제2의 전원단자 사이에서 제1의 상태 또는 제2의 상태의 어느 하나에서 접속되고, 제1의 상태 및 제2의 상태는 제1의 전원단자와 제2의 전원단자 사이의 전압을 상승 또는 하강하도록 반복하여 설정된다.

Description

내부전원회로(Internal Power Supply Circuit)
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
도 2는 본 발명에 관한 내부전원회로의 제1의 실시예를 나타낸 회로도.

Claims (21)

  1. 복수의 전하축적수단과, 제1의 전원단자와, 제2의 전원단자와, 복수의 전하축적수단을 제1의 상태에서 병렬로 접속하는 제1의 스위치수단과, 복수의 전하축적수단을 제2의 상태에서 직렬로 접속하는 제2의 스위치수단과, 제1의 상태 또는 제2의 상태에 따라서 제1의 스위치수단 또는 제2의 스위치수단을 통전하여 제1의 전원단자와 제2의 전원단자 사이에 복수의 전하축적수단을 접속하고, 제1의 상태 또는 제2의 상태에 따라서 제1의 스위치수단 또는 제2의 스위치수단을 비통전하여 제1의 전원단자와 제2의 전원단자 사이에 복수의 전하축적수단이 비접속되도록 통전 및 비통전을 반복하는 제어수단과로 이루어지는 것을 특징으로 하는 내부전원회로,
  2. 청구항 1에 있어서, 전하축적수단은 커패시터에 의하여 구성되고, 제1의 스위치수단은 제3의 스위치수단 및 제4의 스위치수단에 의하여 구성되고, 부분승압회로는 제1의 노드와 제2의 노드 사이에 접속된 커패시터, 제1의 노드와 제1의 전원단자 사이에 접속된 제3의 스위치수단, 및 제2의 노드와 제2의 전원단자 사이에 접속된 제4의 스위치수단으로 이루어지고, 복수의 부분승압회로가 배설되고, 제2의 스위치수단은 전방의 부분승압회로의 제1의 노드와 후방의 부분승압회로의 제2의 노드를 제1의 상태에서 비도통상태로 유지하며, 이들을 제2의 상태에서 도통상태로 유지하고, 제1의 상태에서 제3의 스위치수단과 제4의 스위치수단으로 이루어진 제1의 스위치수단은 도통상태로 유지되며, 제2의 스위치수단은 비도통상태로 유지되고, 제2의 상태에서 제3의 스위치수단과 제4의 스위치수단으로 이루어진 제1의 스위치수단은 비도통상태로 유지되며, 제2의 스위치수단은 도통상태로 유지되어, 제1의 전원단자와 제2의 전원단자 사이의 전압을 상승시키는 것을 특징으로 하는 내부전원회로.
  3. 청구항 1에 있어서, 또한 제2의 노드를 정전위(定電位)로 유지하도록 초단(初段) 부분승압회로의 제2의 노드에 접속된 바이어스수단과, 최종단 부분승압회로의 제1의 노드와 승압전압 출력단자 사이에 접속된 정류수단과로 이루어지는 것을 특징으로 하는 내부전원회로.
  4. 청구항 3에 있어서, 바이어스수단은 제3 및 제4의 스위치수단으로 이루어진 제1의 스위치수단이 비도통상태일 때, 도통상태로 설정되는 스위치수단에 의하여 구성되는 것을 특징으로 하는 내부전원회로.
  5. 청구항 3에 있어서, 제1의 전원단자는 플러스의 전원단자, 제2의 전원단자는 마이너스의 전원단자이고, 정전위는 제1의 전원단자의 전위이고, 바이어스수단은, 제1의 전원단자로부터 초단의 부분승압회로의 제2의 노드에 향하여 순방향(順方向)으로 되도록 접속되어 있는 정류소자이고, 정류소자는 최종단의 부분승압회로의 제1의 노드로부터 출력단자에 향하여 순방향으로 되도록 접속되고, 출력단자에 플러스의 승압전압을 공급하는 것을 특징으로 하는 내부전원회로.
  6. 청구항 3에 있어서, 제1의 전원단자는 마이너스의 전원단자, 제2의 전원단자는 플러스의 전원단자이고, 정전위는 제2의 전원단자의 전위이고, 바이어스수단은, 초단의 부분승압회로의 제2의 노드로부터 제1의 전원단자에 향하여 순방향으로 되도록 접속되어 있는 정류소자이고, 정류소자는 출력단자로부터 최종단의 부분승압회로의 제1의 노드에 향하여 순방향으로 되도록 접속되고, 출력단자에 마이너스의 승압전압을 공급하는 것을 특징으로 하는 내부전원회로.
  7. 청구항 3에 있어서, 제3의 스위치수단은 게이트전극이 제1의 클록의 입력단자에 접속되고, 한쪽의 확산층이 제1의 전원에 접속되고, 다른 쪽의 확산층이 부분승압회로의 제1의 노드에 접속된 제1의 도전형 절연게이트형 전계효과트랜지스터에 의하여 구성되고, 제4의 스위치수단은 게이트전극이 제2의 클록의 입력단자에 접속되고, 한쪽의 확산층이 제2의 전원에 접속되고, 다른 쪽의 확산층이 부분승압회로의 제2의 노드에 접속된 제1의 도전형 절연게이트형 전계효과트랜지스터에 의하여 구성되고, 제2의 스위치수단은 게이트전극이 제3의 클록의 입력단자에 접속된 제2의 도전형 절연게이트형 전계효과트랜지스터에 의하여 구성되는 것을 특징으로 하는 내부전원회로.
  8. 청구항 3에 있어서, 바이어스수단은 게이트전극이 제3의 클록의 입력단자에 접속된 제2의 도전형 절연게이트형 전계효과트랜지스터에 의하여 구성되는 것을 특징으로 하는 내부전원회로.
  9. 청구항 7에 있어서, 제1의 클록의 진폭은 제1의 전원단자와 제2의 전원단자와의 전위차보다 크게 설정되는것을 특징으로 하는 내부전원회로.
  10. 청구항 7에 있어서, 제1의 전원단자는 플러스의 전원단자, 또한 제1의 도전형 절연게이트형 전계효과트랜지스터는 n채널형 트랜지스터이고, 제1의 클록의 하이레벨 구간에, 제1의 전원단자전압보다 높은 레벨로 유지되는 것을 특징으로 하는 내부전원회로.
  11. 청구항 7에 있어서, 제1의 전원단자는 마이너스의 전원단자, 또한 제1의 도전형 절연게이트형 전계효과트랜지스터는 p채널형 트랜지스터이고. 제1의 클록의 로우레벨 구간에, 제2의 전원단자전압보다 낮은 레벨로 유지되는 것을 특징으로 하는 내부전원회로.
  12. 청구항 7에 있어서, 제2의 스위치수단을 구성하는 제2의 도전형 절연게이트형 전계효과트랜지스터는 각각 독립된 웰에 형성되는 것을 특징으로 하는 내부전원회로.
  13. 청구항 8에 있어서, 바이어스수단은 제2의 도전형 절연게이트형 전계효과트랜지스터가 주변논리회로의 일부를 구성하는 제2의 도전형 절연게이트형 전계효과트랜지스터와 동일한 웰내에 형성되는 것을 특징으로 하는 내부전원회로,
  14. 제1의 전원단자와, 제2의 전원단자와, 제1의 노드와, 제2의 노드와, 제1의 노드와 제2의 노드 사이에 접속된 커패시터와, 제1의 노드와 제1의 전원단자 사이에 접속된 제1의 스위치수단과, 제2의 노드와 제2의 전원단자사이에 접속된 제2의 스위치수단과, 제2의 노드에 접속되어, 이 노드를 정전위로 바이어스하는 바이어스수단과, 제1의 노드와 승압전압 출력단자 사이에 접속된 정류수단과로 이루어지고, 제1 및 제2의 스위치수단은 도통상태와 비도통상태로 반복하여 설정되어 중복됨으로써 출력단자에 승압전압을 출력하는 것을 특징으로 하는 내부전원회로.
  15. 청구항 14에 있어서, 바이어스수단은 제1의 전원으로부터 제2의 노드에 향하여 순방향으로 되도록 접속된 정류소자이고, 정류수단은 제1의 노드로부터 승압전압 출력단자에 향하여 순방향으로 되도록 접속되는 것을 특징으로 하는 내부전원회로.
  16. 청구항 14에 있어서, 바이어스수단은 제2의 노드로부터 제1의 전원에 향하여 순방향으로 되도록 접속된 정류소자이고, 정류수단은 승압전압 출력단자로부터 제1의 노드에 향하여 순방향으로 되도록 접속되는 것을 특징으로 하는 내부전원회로.
  17. 청구항 1에 있어서, 전하축적수단은 커패시터에 의하여 구성되고, 커패시터는 제1의 전원단자와 제2의 전원단자 사이에 직렬로 접속된 후 제2의 상태에서 충전되고, 커패시터는 제1의 상태에서 제2의 전원단자와 다운전압 출력단자 사이에 병렬로 접속되고, 이로써 제1의 전원단자와 제2의 전원단자 사이의 전압을 얻는 것을 특징으로 하는 내부전원회로.
  18. 청구항 17에 있어서, 또한 제1의 전원단자의 전압과 제2의 전원단자의 전압 사이의 외부전원에 접속되고, 외부전원보다 전위가 낮은 전위용 전원을 최소한 하나 가지고, 외부전원 및 낮은 전위용 전원을 작동적으로 접속하는 스위치수단과, 외부전원에 접속된 스위치수단으로부터 접속, 비접속상태를 순차 전환하여 커패시터의 충전, 방전을 행하는 수단과로 이루어지는 것을 특징으로 하는 내부전원회로.
  19. 청구항 8에 있어서, 또한 낮은 전위용 전원에 접속된 스위치수단으로부터 접속, 비접속상태를 순차 전환하여 커패시터의 충전, 방전을 행하는 수단으로 이루어지는 것을 특징으로 하는 내부전원회로.
  20. 청구항 18에 있어서, 커패시터의 직렬접속과 병렬접속과의 전환이 클록신호에 따라서 행해지는 복수의 커패시터의 배열을 최소한 2계통 가지고, 상기 최소한 2계통에, 역상(逆相)의 클록신호가 공급되는 것을 특징으로하는 내부전원회로.
  21. 청구항 17에 있어서, 커패시터가 강유전체 커패시터, 고유전체 커패시터, MIM (meta1- insulator-metal)구성의 커패시터, DRAM의 트렌치 및 스택 커패시터, 플레이너 커패시터, 외부 커패시터, 또는 MIS (meta1-insulator-semiconductor)의 게이트커패시터중 어느 하나의 커패시터에 의하여 구성되는 것을 특징으로 하는 내부전원회로.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
KR1019960052632A 1995-11-08 1996-11-07 내부전원회로(Internal Power Supply Circuit) KR970031198A (ko)

Applications Claiming Priority (4)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP29007095A JP3456074B2 (ja) 1995-11-08 1995-11-08 Dc−dcコンバータ
JP95-290070 1995-11-08
JP96-230736 1996-08-30
JP23073696A JPH1075568A (ja) 1996-08-30 1996-08-30 電源回路

Publications (1)

Publication Number Publication Date
KR970031198A true KR970031198A (ko) 1997-06-26

Family

ID=26529502

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1019960052632A KR970031198A (ko) 1995-11-08 1996-11-07 내부전원회로(Internal Power Supply Circuit)

Country Status (6)

Country Link
US (1) US5856918A (ko)
EP (1) EP0773622A3 (ko)
KR (1) KR970031198A (ko)
CN (1) CN1061484C (ko)
ID (1) ID18396A (ko)
SG (1) SG48486A1 (ko)

Families Citing this family (39)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE19627197C1 (de) * 1996-07-05 1998-03-26 Siemens Ag Vorrichtung zur Spannungsvervielfachung mit geringer Abhängigkeit der Ausgangsspannung von der Versorgungsspannung
IT1290167B1 (it) * 1996-12-23 1998-10-19 Consorzio Eagle Pompa di carica in cmos ad alta corrente, in particolare per memorie flash eeprom
IT1290168B1 (it) * 1996-12-23 1998-10-19 Consorzio Eagle Pompa di carica a tensione negativa per memorie flash eeprom
KR100256226B1 (ko) * 1997-06-26 2000-05-15 김영환 레퍼런스 전압 발생 장치
JP3223504B2 (ja) * 1998-03-31 2001-10-29 日本電気株式会社 昇圧回路
JP3872927B2 (ja) * 2000-03-22 2007-01-24 株式会社東芝 昇圧回路
JP3696125B2 (ja) * 2000-05-24 2005-09-14 株式会社東芝 電位検出回路及び半導体集積回路
US6696883B1 (en) * 2000-09-20 2004-02-24 Cypress Semiconductor Corp. Negative bias charge pump
JP3594126B2 (ja) * 2000-10-13 2004-11-24 日本電気株式会社 電流駆動回路
US7336121B2 (en) * 2001-05-04 2008-02-26 Samsung Electronics Co., Ltd. Negative voltage generator for a semiconductor memory device
US20030184360A1 (en) * 2002-03-29 2003-10-02 Yi-Ti Wang Charge pump for flash memory with serially connected capacitors for preventing breakdown
US6861894B2 (en) * 2002-09-27 2005-03-01 Sandisk Corporation Charge pump with Fibonacci number multiplication
FI114758B (fi) * 2002-10-25 2004-12-15 Nokia Oyj Jännitekertoja
US6833753B2 (en) * 2002-11-27 2004-12-21 Texas Instruments Incorporated Method and system for signal dependent boosting in sampling circuits
KR100518545B1 (ko) * 2002-12-10 2005-10-04 삼성전자주식회사 고전압 스트레스를 감소시킬 수 있는 승압전압 발생회로및 승압전압 발생방법
US20050077950A1 (en) * 2003-10-14 2005-04-14 Robinson Curtis B. Negative charge pump
TWI298828B (en) * 2005-06-29 2008-07-11 Novatek Microelectronics Corp Charge pump for generating arbitrary voltage level
KR100741978B1 (ko) * 2005-09-16 2007-07-23 삼성에스디아이 주식회사 클럭신호 발생장치 및 이를 포함하는 유기 전계발광표시장치
JP2008159736A (ja) * 2006-12-22 2008-07-10 Elpida Memory Inc 半導体装置及びその電源供給方法
US8115597B1 (en) * 2007-03-07 2012-02-14 Impinj, Inc. RFID tags with synchronous power rectifier
US7894220B2 (en) * 2008-03-27 2011-02-22 Elite Semiconductor Memory Technology Inc. Voltage generating circuit
US9001234B2 (en) 2011-02-25 2015-04-07 Intrinsix Corporation Imager readout architecture utilizing A/D converters (ADC)
US9595558B2 (en) 2013-11-12 2017-03-14 Intrinsix Corporation Photodiode architectures and image capture methods having a plurality of photodiode with a shared electrode
US9344660B2 (en) 2011-02-25 2016-05-17 Intrinsix Corporation Foveal imager readout integrated circuit (ROIC)
KR101840379B1 (ko) 2011-10-31 2018-03-21 에스케이하이닉스 주식회사 반도체 장치
US8723491B2 (en) 2011-12-19 2014-05-13 Arctic Sand Technologies, Inc. Control of power converters with capacitive energy transfer
KR101315143B1 (ko) * 2012-08-22 2013-10-14 전북대학교산학협력단 높은 승압 비를 갖는 고효율 dc/dc 컨버터
US9847712B2 (en) 2013-03-15 2017-12-19 Peregrine Semiconductor Corporation Fault control for switched capacitor power converter
US8619445B1 (en) * 2013-03-15 2013-12-31 Arctic Sand Technologies, Inc. Protection of switched capacitor power converter
US9787923B2 (en) * 2014-01-13 2017-10-10 Intrinsix Corporation Correlated double sampled (CDS) pixel sense amplifier
KR102320321B1 (ko) 2014-03-14 2021-11-01 아크틱 샌드 테크놀로지스, 인크. 전하 펌프 안정성 제어
US10128745B2 (en) 2014-03-14 2018-11-13 Psemi Corporation Charge balanced charge pump control
US10693368B2 (en) 2014-03-14 2020-06-23 Psemi Corporation Charge pump stability control
JP6652457B2 (ja) * 2016-06-29 2020-02-26 キオクシア株式会社 昇圧回路
CN108616216B (zh) * 2016-12-09 2023-10-10 兆易创新科技集团股份有限公司 一种电荷泵泄放电路
US10686367B1 (en) 2019-03-04 2020-06-16 Psemi Corporation Apparatus and method for efficient shutdown of adiabatic charge pumps
US10763746B1 (en) 2019-08-01 2020-09-01 Silanna Asia Pte Ltd Series-parallel charge pump with NMOS devices
CN111338419B (zh) * 2020-03-04 2021-05-25 长江存储科技有限责任公司 基准电压供应电路及其供应方法
CN114362514A (zh) * 2022-01-12 2022-04-15 南方科技大学 一种充电电路与充电系统

Family Cites Families (14)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE405009C (de) * 1922-11-25 1924-10-27 Locomotive Firebox Company Maschine zur Formgebung von Blechen durch eine Biegevorrichtung
GB1364618A (en) * 1971-12-03 1974-08-21 Seiko Instr & Electronics Voltage boosters
US4106086A (en) * 1976-12-29 1978-08-08 Rca Corporation Voltage multiplier circuit
US4199806A (en) * 1978-01-18 1980-04-22 Harris Corporation CMOS Voltage multiplier
FR2437734A1 (fr) * 1978-09-26 1980-04-25 Thomson Csf Amplificateur a capacites commutees, filtre a capacites commutees et filtre a transfert de charges comportant un tel amplificateur
US4433282A (en) * 1981-12-08 1984-02-21 Intersil Monolithic voltage divider
DE3931596A1 (de) * 1989-03-25 1990-10-04 Eurosil Electronic Gmbh Spannungsvervielfacherschaltung
JP2805210B2 (ja) * 1989-06-09 1998-09-30 日本テキサス・インスツルメンツ株式会社 昇圧回路
CH679901A5 (ko) * 1989-06-20 1992-04-30 Ernst Feller
US5301097A (en) * 1992-06-10 1994-04-05 Intel Corporation Multi-staged charge-pump with staggered clock phases for providing high current capability
JP2500422B2 (ja) * 1993-02-10 1996-05-29 日本電気株式会社 半導体icチップ内蔵用の降圧回路
US5397931A (en) * 1993-03-31 1995-03-14 Texas Instruments Deutschland Gmbh Voltage multiplier
JPH07264842A (ja) * 1994-03-22 1995-10-13 Hitachi Ltd 昇圧回路
TW271011B (ko) * 1994-04-20 1996-02-21 Nippon Steel Corp

Also Published As

Publication number Publication date
CN1159094A (zh) 1997-09-10
EP0773622A2 (en) 1997-05-14
EP0773622A3 (en) 1997-07-23
US5856918A (en) 1999-01-05
SG48486A1 (en) 1998-04-17
CN1061484C (zh) 2001-01-31
ID18396A (id) 1998-04-02

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR970031198A (ko) 내부전원회로(Internal Power Supply Circuit)
US4321661A (en) Apparatus for charging a capacitor
US6359501B2 (en) Charge-pumping circuits for a low-supply voltage
KR0136664B1 (ko) 집적 전압 증배기 회로
US4042838A (en) MOS inverting power driver circuit
JPH02285959A (ja) 電圧逓倍回路
KR970063244A (ko) 전원전압의 큰 변화에 대해 유연성을 갖는 메모리 레귤레이터 제어방법
WO2007034384A3 (en) Single threshold and single conductivity type logic
US20200021187A1 (en) Serial-parallel switch negative charge pump
KR960036105A (ko) 박막 집적 회로
US7724073B2 (en) Charge pump circuit
KR860009423A (ko) 반도체 승압 신호 발생회로
TWI439840B (zh) Charge pump
EP0727869B1 (en) Booster
US5627739A (en) Regulated charge pump with low noise on the well of the substrate
KR20010078777A (ko) 전하 펌프 장치
KR100315901B1 (ko) 고속으로 고전압이 발생되는 부스팅 회로
KR970067328A (ko) 승압회로
JP3190940B2 (ja) 昇圧回路
KR20020064211A (ko) 데드락 없는 전력회로
KR20040013842A (ko) 고전압 발생회로 및 방법
US6341077B1 (en) Boosting circuit
JP2613579B2 (ja) 集積半導体回路内の発生器回路
JPH0923639A (ja) 電圧変換装置
US5638023A (en) Charge pump circuit

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
E902 Notification of reason for refusal
E601 Decision to refuse application