JP2718258B2 - 出力回路 - Google Patents

出力回路

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Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は出力回路に係り、特に出力にソースフォロア
としたNチャネル電界効果トランジスタを使用し、出力
トランジスタのゲート電圧を正の電源電位より高電圧に
昇圧してドライブする出力回路に関する。
〔従来の技術〕
従来のこの種の出力回路は、第3図に示す様に、電源
VDDと接地電位GNDの間の電圧VDD1(v)を基にした昇圧
回路で、ゲート電圧を電源VDDより高圧に昇圧する構成
となっていた。その動作を以下に説明する。
発振器6の出力信号を電圧VDD1を基にした信号とし、
インバータ8の出力13が“L",インバータ10の出力14が
“H"の時、スイッチ1をNO,スイッチ2をOFF,スイッチ
3をONとし、接点11の電圧VDD1まで上げ、次にインバー
タ8の出力13を“H",インバータ10の出力14が“L"と反
転したとき、スイッチ1をOFF,スイッチ2をON,スイッ
チ3をOFFとし,インバータ8の出力13が電圧VDD1にな
ると、第5図に示すように、接点11を〔2×V
DD1(v)〕に昇圧し、コンデンサ5に充電する。再
び、インバータ8の出力13とインバータ10の出力14が反
転するとき、スイッチ1をON,スイッチ2をOFF,スイッ
チ3をONとし、インバータ10の出力14が電圧VDD1に上が
ると、接点12は〔3×VDD1(v)〕に昇圧し、昇圧した
電圧を出力電界効果トランジスタ7のゲートに供給す
る。こうすることで、ソースフォロア出力のトランジス
タ7のオン抵抗を十分に下げ、パワーロスを小さくする
ようにしている。
〔発明が解決しようとする課題〕
前述した従来の出力回路は、ソースフォロアの出力電
界効果トランジスタ7のゲート電圧を昇圧する昇圧回路
を、VDD−GND間の電圧VDD1で構成しているため、電圧V
DD1が変動すると、昇圧された電圧もVDDに対して変動す
る。従って、負荷出力電流を供給する前記Nチャネル電
界効果トランジスタ7のゲート電位が変化するため、前
記Nチャネル電界効果トランジスタ7のオン抵抗が電圧
VDD1に依存して変化する。また電圧VDD1が高い電圧にな
ったとき、昇圧回路の過昇圧によりゲート破壊を起こす
という欠点があった。
本発明の目的は、前記欠点を解決し、もとの電圧VDD1
が変動しても、出力トランジスタがゲート破壊を起こす
ことのないようにした半導体装置を提供することにあ
る。
〔課題を解決するための手段〕
本発明の出力回路は、電源電圧および接地電圧間に設
けられるとともに電源電圧の所定倍の電圧を生成する昇
圧手段を備え、この昇圧手段の出力する前記電源電圧の
所定倍の電圧でゲート電極電位が設定されるNチャネル
電界効果トランジスタを使用したソースフォロアタイプ
の出力回路において、電源電圧よりも低い第1の定電圧
を生成する定電圧回路を有し、接地電圧に代えて前記第
1の定電圧が用いられ、この第1の定電圧および電源電
圧間に設けた前記昇圧手段により、電源電圧と前記第1
の定電圧との差電圧を所定倍に昇圧するとともに、前記
電源電圧の所定倍の電圧に代えて、前記差電圧の所定倍
の電圧と電源電圧とを加えた電位で前記ゲート電極電位
が設定され、前記Nチャネル電界効果トランジスタのゲ
ートソース電極間電圧は、電源電圧の変動によらず電源
電圧に対して常に前記昇圧電圧で決まる一定の電位に維
持されることを特徴とする。
〔実施例〕
次の本発明について図面を参照して説明する。
第1図は本発明の第1の実施例を示す回路図である。
第1図において、本実施例の出力回路は、定電圧回路
16と、発振器6と、相補型電界効果トランジスタからな
るインバータ8,9,10と、コンデンサ4,5と、スイッチ1,
2,3と、N型出力電界効果トランジスタ7と、接点11〜1
4とを備え、負荷15に出力している。
電源VDDと、これを基準とした定電圧回路16の出力電
圧との間の電圧(以降V1と記す)を基にした昇圧回路
で、ゲート電圧を電圧VDDより高圧に昇圧する構成とな
っている。その動作を以下に説明する。
インバータ8,9,10は、正の電源電圧を基準とした定電
圧回路16の出力電圧を電源とし、発振器6の出力信号に
より動作する。初め、インバータ8の出力13が“L",イ
ンバータ10の出力14が“H"の時、スイッチ1をON,スイ
ッチ2をOFF,スイッチ3をONとし、接点11の電位をVDD
まで上げ、次にインバータ8の出力13が“H",インバー
タ10の出力14が“L"と反転したとき、スイッチ1をOFF,
スイッチ2をON,スイッチ3をOFFとし、接点13がVDD
なると、接点11は電圧〔VDD1+V1〕に昇圧し、コンデン
サ5に充電する。
再び、インバータ出力13,14は反転したとき、スイッ
チ1,2,3をそれぞれON,OFF,ONとし、インバータ10の出力
14がVDD1に上がると、接点12は電圧〔VDD1+V1+V1(第
4図参照)まで昇圧し、出力電界効果トランジスタ7の
ゲートに電圧を供給する。
この際、電圧V1は電圧VDD1を基にした定電圧なので、
出力電界効果トランジスタ7のゲート電圧は、電圧VDD1
に対して一定となる。
次に本発明の第2の実施例の出力回路を説明する。第
2図は本発明の第2の実施例の基本のブロック図であ
る。第2図において、本実施例では、前記第1の実施例
のスイッチ1,2,3を、ダイオード1a,2a,3aとした。昇圧
機構としては、前記第1の実施例と同じである。本第2
の実施例では、ダイオード1a,2a,3aを使用することによ
り、スイッチドライブを省略できる。
但し、昇圧値はダイオードの順方向電圧VF分降下し、
電圧〔VDD1+V1+V1−3VF〕となる。
〔発明の効果〕
以上説明したように、本発明は、ソースフォロアとし
たNチャネル電界効果トランジスタを使用した出力回路
において、出力電界効果トランジスタのゲート電圧を電
源電圧を基準とした定電圧下で昇圧するため、出力電界
効果トランジスタのゲートソース間電圧は電源電圧に対
して常に一定となり、そのため出力オン抵抗の電源電圧
依存性がなくなり、また電圧VDD1が高い電圧のとき、ゲ
ート破壊も起こらないという効果を有する。
【図面の簡単な説明】
第1図は本発明の第1の実施例の出力回路を示す回路
図、第2図は本発明の第2の実施例の回路図、第3図は
従来技術の出力回路の回路図、第4図は第1図の特性を
示す電位図、第5図は従来回路の電位図である。 1,2,3…スイッチ、1a,2a,3a…ダイオード、4,5…コンデ
ンサ、6…発振器、7…出力電界効果トランジスタ、8,
9,10…CMOSインバータ、11,12,13,14…接点、15…負
荷、16…安定回路。

Claims (1)

    (57)【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】電源電圧および接地電圧間に設けられると
    ともに電源電圧の所定倍の電圧を生成する昇圧手段を備
    え、この昇圧手段の出力する前記電源電圧の所定倍の電
    圧でゲート電極電位が設定されるNチャネル電界効果ト
    ランジスタを使用したソースフォロアタイプの出力回路
    において、電源電圧よりも低い第1の定電圧を生成する
    定電圧回路を有し、接地電圧に代えて前記第1の定電圧
    が用いられ、この第1の定電圧および電源電圧間に設け
    た前記昇圧手段により、電源電圧と前記第1の定電圧と
    の差電圧を所定倍に昇圧するとともに、前記電源電圧の
    所定倍の電圧に代えて、前記差電圧の所定倍の電圧と電
    源電圧とを加えた電位で前記ゲート電極電位が設定さ
    れ、前記Nチャネル電界効果トランジスタのゲートソー
    ス電極間電圧は、電源電圧の変動によらず電源電圧に対
    して常に前記昇圧電圧で決まる一定の電位に維持される
    ことを特徴とする出力回路。
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