KR970067368A - 워드선 활성화전압의 안정화회로를 가지는 반도체기억장치 - Google Patents

워드선 활성화전압의 안정화회로를 가지는 반도체기억장치 Download PDF

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KR970067368A
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이데이 노부유키
소니 가부시기가이샤
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Abstract

차지펌핑회로에 의하여 발생한 승압전압을, 정전위(定電位)강하회로 또는 래퍼런스전압에 추종하는 볼티지 폴로어를 사용하여, 메모리셀의 최저동작전압 근방의 전압으로 조정하여 워드선 선택시의 전압을 내부 정전압원(定電壓源)을 가지는 반도체기억장치.

Description

워드선 활성화전압의 안정화회로를 가지는 반도체기억장치
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제3도는 본 발명에 관한 반도체기억장치의 제2의 실시형태를 나타낸 회로도.

Claims (7)

  1. 열방향으로 배치된 비트선과, 행방향으로 배치된 워드선과, 상기 비트선과 워드선의 교점에 행렬형으로 배치된 메모리셀과, 출력노드에 접속되고, 열마다 한쌍의 비트선 전원전압을 승압하는 승압회로와, 상기 승압 회로의 출력전압을 안정화하는 전압안전화회로와를 가지고, 상기 전압안정화회로에 의하여 안정화된, 상기 승압회로의 출력전압을 상기 워드선의 활성화시의 전압으로 하는 것을 특징으로 하는 반도체기억장치.
  2. 청구항 1에 있어서, 상기 전압안정화회로는 상기 승압회로의 출력노드와 기준전원과의 사이에 접속된 정전압(定電壓)강하수단인 것을 특징으로 하는 반도체기억장치.
  3. 청구항 1에 있어서, 상기 정전압강하수단은 게이트전극과 드레인전극이 접속된, 최소한 1개의 MIS트랜지스터로 이루어지는 것을 특징으로 하는 반도체기억장치.
  4. 청구항 1에 있어서, 상기 승압회로가, 차지펌핑회로에 의하여 구성되고, 이차지펌핑회로의 차지펌핑의 반복주파수가, 상기 반도체기억장치의 활성화시와, 대기시에서 전환되고, 이 대기시의 차지펌프의 반복주파수가, 상기 활성화시보다 작게 설정된 것을 특징으로 하는 반도체기억장치.
  5. 청구항 1에 있어서, 상기 전압안정화회로는 메모리셀의 최저동작전압을 포함하는 그 근방의 전압으로 조정된 것을 특징으로 하는 반도체기억장치.
  6. 청구항 1에 있어서, 상기 전압안정화회로는, 레퍼런스전위발생수단과, 연산증폭기와를 가지고, 상기 승압회로의 출력전압이, 상기 연산증폭기의 전원에 공급되고, 상기 연산증폭기의 한쪽의 입력은 상기 레퍼런스전위발생수단에 접속되고, 상기 연산증폭기의 출력노드는 이 연산증폭기의 다른 쪽의 입력에 부귀환(負歸還)하도록 접속되고, 메모리셀의 최저동작전압을 포함하는 그 근방의 전압으로 조정하는 것을 특징으로 하는 반도체기억 장치.
  7. 청구항 6에 있어서, 상기 승압회로의 출력노드에 정전위(定電位)강하수단이 접속된 것을 특징으로 하는 반도체기억장치.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
KR1019970003852A 1996-03-21 1997-02-10 워드선활성화전압의안정화회로를가지는반도체기억장치 KR100493599B1 (ko)

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