KR970076865A - 불휘발성 반도체 메모리 장치의 차지 펌프 회로 - Google Patents

불휘발성 반도체 메모리 장치의 차지 펌프 회로 Download PDF

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Abstract

본 발명은 플래시 불휘발성 반도체 메모리 장치의 차지 펌프 회로에 관한 것으로, 바디 효과에 의한 드레솔드 전압의 상승으로 인해 고전압의 전달 특성이 저하되는 문제를 해결하기 위해, 클럭 펄스 신호(øP)가 전원 전압 레벨을 유지하는 동안 스위칭 전압을 강하시키고 상기 클럭 펄스 신호(øP)가 접지 전압 레벨을 유지하는 동안 스위칭 전압을 증가시켜 스위칭 전압이 일정한 크기를 갖도록 함으로써, 전원 전압의 변화에 관계 없이 프로그램에 필요한 충분한 고전압을 얻을 수 있어 충분한 프로그램 마진이 확보된다.

Description

불휘발성 반도체 메모리 장치의 차지 펌프 회로
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제2도는 본 발명의 바람직한 실시예에 따른 차지 펌프 회로를 보여주는 회로도이며, 제5도는 제2도에 도시된 회로에서, 각 노드 전압과, 출력 전압의 변화를 보여주는 도면이며; 제6도는 제2도에 도시된 회로에서, 전원 전압의 감소에 따른 출력 전압의 변화를 보여주는 도면이다.

Claims (8)

  1. 소정의 클럭 펄스 신호(øP)를 발생하는 발진 수단(101)과, 내부 고전압 신호(Va)를 발생하는 내부 고전압 발생 수단(105)을 구비하고; 외부로부터 인가되는 소정의 제어 신호(Vin)에 응답하여 워드 라인으로 상기 내부 고전압 신호를 인가하는 불휘발성 반도체 메모리 장치의 로컬 차지 펌프 회로에 있어서 : 제1노드(110)와; 상기 클럭 플스 신호(øP)에 연결되는 하나의 단자와, 상기 제1노드에 연결되는 다른 단자를 가지는 커패시터(102)와; 제2노드(111)와; 상기 제1노드에 연결되는 제1전극과, 상기 제2노드에 연결되는 제2전극 및 상기 제1전극에 연결되는 제어 전극을 가지는 제1트랜지스터(103)와; 상기 제어 전극에 연결되는 제1전극과, 상기 내부 고전압 신호에 연결되는 제2전극 및, 상기 제2노드에 연결되는 제어 전극을 가지는 제2트랜지스터(104)와; 상기 제어 전압 신호가 인가되는 제어 입력 단자(106)와; 상기 제어 입력 단자에 연결되는 제1전극과, 상기 제2노드에 연결되는 제2전극 및, 전원 전압(Vcc)에 연결되는 제어 전극을 가지는 제3트랜지스터(107)와; 상기 워드 라인에 연결되고 상기 내부 고전압 신호를 출력하는 출력단자(109)와; 상기 내부 고전압 신호에 연결되는 제1전극과, 상기 출력 단자에 연결되는 제2전극 및, 상기 제2노드에 연결되는 제어 전극을 가지는 제4트랜지스터(108) 및; 상기 클럭 펄스 신호에 연결되는 입력 단자와, 상기 제2노드에 연결되는 출력 단자를 갖고, 상기 클럭 신호(øP)가 소정의 제1전압 레벨을 유지하는 동안 상기 제2노드(111)를 방전시키고 상기클럭 펄스 신호(øP)가 소정의 제2전압 레벨을 유지하는 동안 상기 제2노드(111)를 충전시켜 상기 제2노드의 스위칭 전압(V111)이 소정의 크기를 갖도록 하는 스위칭 전압 안정화 수단(112, 113)을 포함하는 것을 특징으로 하는 로컬 차지 펌프 회로.
  2. 제1항에 있어서, 상기 스위칭 전압 안정화 수단은; 상기 클럭 펄스 신호의 위상을 반전시켜서 반전된 클럭 펄스 신호(øP)를 출력하는 반전 수단(112)과, 상기 반전된 클럭 펄스 신호에 연결되는 하나의 단자와 상기 제2노드에 연결되는 다른 단자를 가지는 다른 하나의 커패시터(113)를 포함하는 것을 특징으로 하는 로컬 차지 펌프 회로.
  3. 제2항에 있어서, 상기 커패시터들은 MOS 커패시터들인 것을 특징으로 하는 로컬 차지 펌프 회로.
  4. 제3항에 있어서, 상기 제1 내지 제4트랜지스터들은 전계 효과 트랜지스터들인 것을 특징으로 하는 로컬 차지 펌프 회로.
  5. 제4항에 있어서, 상기 커패시터들은 공핍형 MOS 커패시터들인 것을 특징으로 하는 로컬 차지 펌프 회로.
  6. 제5항에 있어서, 상기 제1 내지 제4트랜지스터들은 증가형 NMOS 트랜지스터들인 것을 특징으로 하는 로컬 차지 펌프 회로.
  7. 제1항에 있어서, 상기 제1전압 레벨은 전원 전압 레벨이고, 상기 제2전압 레벨은 접지 전압 레벨인 것을 특징으로 하는 로컬 차지 펌프 회로.
  8. 제7항에 있어서, 상기 전원 전압 레벨은 2.4 내지 3.3V인 것을 특징으로 하는 로컬 차지 펌프 회로.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
KR1019960016053A 1996-05-15 1996-05-15 불휘발성 반도체 메모리 장치의 차지 펌프 회로 KR0176115B1 (ko)

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