KR920005439A - 정전압 발생회로 - Google Patents

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KR920005439A
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고스기 노부미쓰
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Abstract

내용 없음

Description

정전압 발생회로
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제1도는 본 발명의 실시예를 표시하는 정전압발생회로의 구성블록도.
제3도는 제2도중 연산증폭기의 입력단을 표시하는 부분회로도.

Claims (1)

  1. 기준출력전압에 의하여 전원전위로부터의 전류의 도통상태가 제어되는 제1및 제2의 트랜지스터에 있는 벤드겝 전압에 의거하여 제1 및 제2의 참조전압을 출력하는 참조전압 발생부와 전기 제1및 제2의 참조전압을 제1및 제2의 입력단자를 통하여 각각 입력하고 해당 제1및 제2의 참조전압을 차동증폭하여 전기기준출력전압을 출력하는 기준출력 전압발생부와를 구비한 정전압 발생회로에 있어서, 전기 제1의 참조전압에 의거하여 제3의 참조 전압을 발생시키기 위한 제1의 레벨시프트용 구동트랜지스터와 전기전원전위다 전기 제1의 레벨시프트용 구동트랜지스터와의 사이에 접속된 제1의 레벨시프트용 장전류수단과, 전기 제2의 창조전압에 의거하여 제4의 참조전압을 발생시키기 위한 제2의 레벨시프트용 구동트랜지스터와 전기전원전위와 전기 제2의 레벨스프트용 구동트랜지스터와의 사이에 접속된 제2의 레벨시프트용 정전류수단과를 설치하고, 저기 제3및 제4의 참조전압을 전기 제1및 제2의 입력단자에 각각 인가하는 구성으로 한것을 특징으로 하는 정전압 발생회로.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임
KR1019910009894A 1990-08-20 1991-06-14 정전압발생회로 KR100188821B1 (ko)

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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100443873B1 (ko) * 1997-11-17 2004-11-17 주식회사 엘지화학 미세기공막및그의제조방법

Families Citing this family (14)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5241261A (en) * 1992-02-26 1993-08-31 Motorola, Inc. Thermally dependent self-modifying voltage source
JP2851767B2 (ja) * 1992-10-15 1999-01-27 三菱電機株式会社 電圧供給回路および内部降圧回路
JPH06175742A (ja) * 1992-12-09 1994-06-24 Nec Corp 基準電圧発生回路
US5469111A (en) * 1994-08-24 1995-11-21 National Semiconductor Corporation Circuit for generating a process variation insensitive reference bias current
EP0701190A3 (en) * 1994-09-06 1998-06-17 Motorola, Inc. CMOS circuit for providing a bandgap reference voltage
US5666046A (en) * 1995-08-24 1997-09-09 Motorola, Inc. Reference voltage circuit having a substantially zero temperature coefficient
US5808501A (en) * 1997-03-13 1998-09-15 Burr-Brown Corporation Voltage level shifter and method
US6078169A (en) * 1998-09-30 2000-06-20 Siemens Medical Systems, Inc. Amplifier for interpolating the power supply from multiple supply voltages
FR2845781B1 (fr) 2002-10-09 2005-03-04 St Microelectronics Sa Generateur de tension de type a intervalle de bande
FR2845767B1 (fr) * 2002-10-09 2005-12-09 St Microelectronics Sa Capteur numerique de temperature integre
DE102004013175A1 (de) * 2004-03-17 2005-10-06 Atmel Germany Gmbh Schaltungsanordnung zur Lastregelung im Empfangspfad eines Transponders
US7129774B1 (en) * 2005-05-11 2006-10-31 Sun Microsystems, Inc. Method and apparatus for generating a reference signal
JP5051105B2 (ja) * 2008-11-21 2012-10-17 三菱電機株式会社 リファレンス電圧発生回路及びバイアス回路
JP2021016046A (ja) * 2019-07-11 2021-02-12 株式会社村田製作所 バイアス回路

Family Cites Families (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS5913052B2 (ja) * 1975-07-25 1984-03-27 日本電気株式会社 基準電圧源回路
USRE30586E (en) * 1979-02-02 1981-04-21 Analog Devices, Incorporated Solid-state regulated voltage supply
US4287439A (en) * 1979-04-30 1981-09-01 Motorola, Inc. MOS Bandgap reference
JPS6269719A (ja) * 1985-09-24 1987-03-31 Toshiba Corp レベル変換論理回路
US4795961A (en) * 1987-06-10 1989-01-03 Unitrode Corporation Low-noise voltage reference
DE68911708T2 (de) * 1988-02-19 1994-06-30 Philips Nv Bandabstand-Referenzspannungsschaltung.

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100443873B1 (ko) * 1997-11-17 2004-11-17 주식회사 엘지화학 미세기공막및그의제조방법

Also Published As

Publication number Publication date
KR100188821B1 (ko) 1999-06-01
US5153500A (en) 1992-10-06
EP0472128B1 (en) 1995-11-08
EP0472128A2 (en) 1992-02-26
EP0472128A3 (en) 1992-05-06
DE69114408D1 (de) 1995-12-14
DE69114408T2 (de) 1996-07-18

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