KR20100138146A - 고효율의 차지 펌프 - Google Patents

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Abstract

본 발명은 반도체 소자에서 사용되는 부스팅(boosting) 전압 발생 수단, 즉, 차지 펌프에 관한 것으로, 클록에 응답하여 초기화 동작 및 승압 동작을 행하는 부스팅 수단, 승압된 전압을 출력 노드에 전달하는 전달 트랜지스터, 상기 전달 트랜지스터를 제어하는 제어 수단을 포함하는 제1 및 제2차지펌핑수단을 포함하여 구성된다. 본 발명에 따르면 승압 효율 및 전력 효율이 높은 차지 펌프 회로가 개시된다.
부스팅, Boosting, 승압, 차지 펌프

Description

고효율의 차지 펌프{High efficiency charge pump}
본 발명은 부스팅(Boosting) 전압 발생 기술에 관한 것으로, 구체적으로는 반도체 소자에서 사용되는 고효율의 차지 펌프회로에 관한 것이다.
반도체 집적회로에서는 그 동작 특성상 높은 전압을 필요로 하는 것들이 존재할 수 있으므로, 높은 동작 전압을 필요로 하는 반도체 장치와 같이 사용하거나 또는 반도체 장치 내부에 높은 동작 전압을 필요로 하는 회로들이 존재하는 경우에는 반도체 장치 내에서 전원 전압보다 높은 고전압을 발생시키는 부스팅 수단이 필요하다. 예를 들어, 모바일(Mobile) 기기용 TFT-LCD를 구동하는 LDI(LCD Driver IC)는 액정을 구동하기 위하여 소스라인 구동전압(SVDD), 공통전극 구동전압(VCOM), 감마 구동 기준전압(GVDD) 및 액정 온-오프 전압(VON, VOFF)등을 필요로 한다. 모바일 기기용 LDI의 경우에는 약 2.5볼트 내지 3.3볼트의 외부 배터리 전원 전압(VCI)을 받아 이를 승압 하여 약 5.5볼트의 승압 전압(AVDD)을 발생하고, 이 승압 전압(AVDD)을 이용하여 상기 전압들을 만들어 낼 필요가 있다. 차지 펌프는 커패시터(Capacitor)의 전하량 보존 법칙을 이용한 부스팅 수단의 일종이다. LDI의 소형화, 저전력화 경향에 맞추어 차지 펌프의 펌핑(Pumping) 커패시터의 소형 화, 내장화에 적합하도록 차지 펌프 회로의 승압 효율과 전력 효율을 높이는 기술이 요구되고 있는 실정이다.
본 발명이 이루고자 하는 기술적인 과제는 승압 효율 및 전력 효율이 높은 차지 펌프를 제공하는데 있다.
상기 기술적 과제를 해결하기 위한 일 실시 예에 따른 차지 펌프는 출력 노드를 공유하면서 초기화 및 승압 동작을 차동적으로 수행하는 제1 및 제2차지펌핑수단을 포함하고, 상기 제1 및 제2차지펌핑수단 각각은 클록에 응답하여 승압 노드의 전압을 제1전압으로 초기화하거나 제2전압으로 승압하는 부스팅(Boosting) 수단, 상기 승압 노드의 제2전압을 상기 출력 노드에 전달하는 전달 트랜지스터 및 상기 전달 트랜지스터의 턴-온 시 게이트-소스 전압의 절대치가 전원 전압보다 크도록 상기 전달 트랜지스터의 게이트 전압을 제어하는 제어 수단을 포함하여 구성되는 것을 특징으로 한다.
상기 다른 기술적 과제를 해결하기 위한 일 실시 예에 따른 차지 펌프는 제1단위차지펌프 및 상기 제1단위차지펌프의 출력 전압으로 초기화되는 제2단위차지펌프를 포함하고, 상기 제1 및 제2단위차지펌프 각각은, 출력 노드를 공유하면서 초기화 및 승압 동작을 차동적으로 수행하는 제1 및 제2차지펌핑수단을 포함하고, 상기 제1 및 제2차지펌핑수단 각각은 클록에 응답하여 승압 노드의 전압을 제1전압으로 초기화하거나 제2전압으로 승압하는 부스팅(Boosting) 수단, 상기 승압 노드의 제2전압을 상기 출력 노드에 전달하는 전달 트랜지스터 및 상기 전달 트랜지스터의 턴-온 시 게이트-소스 전압의 절대치가 전원 전압보다 크도록 상기 전달 트랜지스터의 게이트 전압을 제어하는 제어 수단을 포함하여 구성되는 것을 특징으로 한다.
본 발명에 따른 차지 펌프는 클록의 하이 레벨과 로우 레벨 구간에서 모두 승압 동작이 이루어진다. 또한, 레벨 시프터(Level Shifter)를 사용하지 않고도 전달 트랜지스터의 온-저항을 줄일 수 있다. 그 결과 회로 면적의 증가와 추가되는 전력소모를 최소화하면서 차지 펌프의 승압 효율 및 전력 효율을 높일 수 있다.
또한, 본 발명에 따른 차지 펌프는 플러스 승압과 마이너스 승압이 가능하고, 차지 펌프의 단수를 임의로 할 수 있어 원하는 크기의 승압 전압을 얻을 수 있다.
이하, 첨부한 도면을 참조하여 본 발명의 바람직한 실시 예를 설명함으로써, 본 발명을 상세히 설명한다. 각 도면에 제시된 동일한 참조부호는 동일한 부재를 나타낸다.
도 1은 본 발명의 일 실시 예에 따른 플러스 승압형 차지 펌프의 회로도이다. 도 1을 참조하면, 본 실시 예에 따른 차지 펌프(100)는 서로 역상인 클록(CLK, CLKB)에 응답하여 초기화 및 승압 동작을 차동적으로 수행하면서 출력 노드를 공유하는 제1차지펌핑수단(110) 및 제2차지펌핑수단(120)을 구비할 수 있다. 상기 제1 및 제2차지펌핑수단(110, 120) 각각은 부스팅 수단(112, 122), 전달 트랜지스터(MP1, MP3), 제어 수단(114, 124)을 구비할 수 있다.
상기 부스팅 수단(112, 122)은 클록(CLK, CLKB)에 응답하여 승압 노드(116, 126)를 상기 클록의 제1논리레벨에서 초기 전압으로 프리차징하고(초기화 동작), 상기 클록의 제2논리레벨에서 프리차칭된 전하를 펌핑 한다(승압 동작). 전원 전압 VDD와 승압 노드(116, 126) 사이에 NMOS 타입의 초기화 트랜지스터(MN1, MN3)를 구비하고, 일단에는 상기 클록(CLK, CLKB)이 연결되고 타단에는 승압 노드(116, 126)가 연결되는 펌핑 커패시터(C1, C2)를 구비할 수 있다.
상기 전달 트랜지스터는(MP1, MP3)는 상기 승압 동작 시에 승압 노드(116, 126)의 전압을 출력 노드에 전달할 수 있다.
상기 제어 수단(114, 124)은 상기 전달 트랜지스터(MP1, MP3)의 온-오프를 제어하는 게이트 전압을 제공한다. 상기 제어 수단(114, 124)은 PMOS 타입의 풀-업 트랜지스터(MP5, MP7)와 NMOS 타입의 풀-다운 트랜지스터(MN5, MN7)가 직렬 연결된 인버터로 구성될 수 있고, 이 경우에 클록(CLK, CLKB)에 응답하여 전달 트랜지스터(MP1, MP3)의 게이트 단자에 온-오프 전압을 전달한다.
구체적인 동작을 살펴보면, 승압 노드(116)가 전원 전압 VDD로 초기화되어 있는 상태에서 하이(High) 레벨의 CLK이 입력되는 경우, 승압 노드(116)는 VDD에서 2VDD로 플러스 승압 되고, 이로 인해 초기화 트랜지스터(MN3)가 턴-온 되어 승압 노드(126)는 전원 전압 VDD로 초기화된다. 제어 수단(114)은 하이 레벨의 CLK에 응답하여 전달 트랜지스터(MP1)의 게이트 단자에 접지 전압 VSS를 전달하고, 이로 인해 전달 트랜지스터(MP1)는 게이트-소스 전압 Vgs는 VSS-2VDD=-2VDD가 되어 턴-온 된다. 한편, 제어 수단(124)은 로우(Low) 레벨의 CLKB에 응답하여 전달 트랜지스 터(MP3)의 게이트 단자에 반대편 승압 노드(126)의 전압 2VDD를 전달하고, 이로 인해 전달 트랜지스터(MP3)는 게이트-소스 전압 Vgs가 2VDD-VDD= VDD가 되어 턴-오프 된다. 따라서, CLK이 하이 레벨인 경우에는 제1차지펌핑수단(110)이 플러스 승압 동작을 수행하고 제2차지펌핑수단(120)이 초기화 동작을 수행함으로써 승압 노드(116)의 전압 2VDD가 출력 노드(VGH)에 전달되어 커패시터(Cs)를 2VDD로 충전할 수 있다.
이제 로우(Low) 레벨의 CLK이 입력되는 경우에, 승압 노드(126)는 하이 레벨의 CLKB에 의해 VDD에서 2VDD로 승압 되고(승압 동작), 이로 인해 초기화 트랜지스터(MN1)가 턴-온 되어 승압 노드(116)는 VDD로 초기화 된다(초기화 동작).
제어 수단(114)은 로우 레벨의 CLK에 응답하여 전달 트랜지스터(MP1)의 게이트 단자에 반대편 승압 노드(126)의 전압 2VDD를 전달하고, 이로 인해 전달 트랜지스터(MP1)는 게이트-소스 전압 Vgs가 2VDD-VDD= VDD가 되어 턴-오프 된다. 한편, 제어 수단(124)은 하이 레벨의 CLKB에 응답하여 전달 트랜지스터(MP3)의 게이트 단자에 접지 전압 VSS를 전달하고, 이로 인해 전달 트랜지스터(MP3)는 게이트-소스 전압 Vgs가 VSS-2VDD= -2VDD가 되어 턴-온 된다. 따라서, CLK이 로우 레벨인 경우에는 제1차지펌핑수단(110)이 초기화 동작을 수행하고 제2차지펌핑수단(120)이 플러스 승압 동작을 수행함으로써 승압 노드(126)의 전압 2VDD가 출력 노드(VGH)에 전달되어 커패시터(Cs)를 2VDD로 충전할 수 있다.
결과적으로, 도 1의 플러스 승압형 차지 펌프는 클록의 하이 레벨 및 로우 레벨 모두에서 승압 전압 2VDD를 출력한다. 또한, 전달 트랜지스터(MP1, MP3)를 PMOS 타입으로 하여 문턱 전압에 기인하는 손실이 없을 뿐 아니라, 레벨 시프터(Level Shifter)를 사용하지 않고서도 전달 트랜지스터의 게이트-소스 전압 Vgs의 절대치를 2VDD만큼 높여 온-저항을 줄임으로써 전력 효율 및 승압 효율이 향상될 수 있다.
도 2는 본 발명의 일 실시 예에 따른 마이너스 승압형 차지 펌프의 회로도이다. 도 2를 참조하면, 본 실시 예에 따른 차지 펌프(200)는 서로 역상인 클록(CLK, CLKB)에 응답하여 초기화 및 승압 동작을 차동적으로 수행하면서 출력 노드를 공유하는 제1차지펌핑수단(210) 및 제2차지펌핑수단(220)을 구비할 수 있다. 상기 제1차지펌핑수단 및 제2차지펌핑수단은 각각 부스팅 수단(212, 222), 전달 트랜지스터(MP1, MP3), 제어 수단(214, 224)을 구비할 수 있다.
상기 부스팅 수단(212, 222)은 클록(CLK, CLKB)에 응답하여 승압 노드(216, 226)를 클록의 제1논리레벨에서 초기 전압으로 프리차징하고(초기화 동작), 클록의 제2논리레벨에서 프리차칭된 전하를 펌핑(Pumping)할 수 있다(승압 동작). 접지 전압 VSS와 승압 노드(216, 226) 사이에 PMOS 타입의 초기화 트랜지스터(MP1, MP3)를 구비하고, 일단에는 클록이 입력되고 타단에는 승압 노드(216, 226)가 연결되는 펌핑 커패시터(C1, C2)를 구비할 수 있다.
상기 NMOS 타입의 전달 트랜지스터(MN1, MN3)는 상기 승압 동작 시에 승압 노드(216, 226)의 전압을 출력 노드에 전달한다.
상기 제어 수단(214, 224)은 전달 트랜지스터(MN1, MN3)를 온-오프 시키기 위한 게이트 전압을 제공한다. 상기 제어 수단(214, 224)은 PMOS 타입의 풀-업 트 랜지스터(MP5, MP7)와 NMOS 타입의 풀-다운 트랜지스터(MN5, MN7)가 직렬 연결된 인버터로 구성될 수 있고, 이 경우에 상기 클록에 응답하여 전달 트랜지스터(MN1, MN3)의 게이트 단자에 온-오프 전압을 전달한다.
구체적인 동작을 살펴보면, 승압 노드(216)가 접지 전압 VSS로 초기화되어 있는 상태에서 로우(Low) 레벨의 CLK이 입력되는 경우, 승압 노드(216)의 전압은 VSS에서 -VDD로 마이너스 승압 되고, 이로 인해 초기화 트랜지스터(MP3)가 턴-온 되어 승압 노드(226)의 전압은 접지 전압 VSS로 초기화된다. 제어 수단(214)은 로우 레벨의 CLK에 응답하여 전달 트랜지스터(MN1)의 게이트 단자에 전원 전압 VDD를 전달하고, 이로 인해 전달 트랜지스터(MN1)의 게이트-소스 전압 Vgs는 VDD-(-VDD)=2VDD가 되어 턴-온 된다. 한 편, 제어 수단(224)은 하이 레벨의 CLKB에 응답하여 전달 트랜지스터(MN3)의 게이트 단자에 반대편 승압 노드(216)의 전압 -VDD를 전달하고, 이로 인해 전달 트랜지스터(MN3)는 게이트-소스 전압 Vgs가 -VDD-VSS= -VDD가 되어 턴-오프 된다. 따라서, CLK이 로우 레벨인 경우에는 제1차지펌핑수단(210)이 마이너스 승압 동작을 수행하고 제2차지펌핑수단(220)이 초기화 동작을 수행함으로써 승압 노드(216)의 전압 -VDD가 출력 노드(VGL)에 전달되어 커패시터(Cs)가 -VDD로 충전될 수 있다.
이제 하이 레벨의 CLK이 입력되는 경우, 승압 노드(226)는 로우 레벨의 CLKB에 의해 접지 전압 VSS에서 -VDD로 펌핑 되고, 이로 인해 초기화 트랜지스터(MP1)가 턴-온 되어 승압 노드(216)는 접지 전압 VSS로 프리차징 된다. 제어 수단(214)은 하이 레벨(VDD) CLK에 응답하여 전달 트랜지스터(MN1)의 게이트 단자에 반대편 승압 노드(226)의 전압 -VDD를 전달하고, 이로 인해 전달 트랜지스터(MN1)는 게이트-소스 전압 Vgs가 -VDD-VSS= -VDD가 되어 턴-오프 된다. 한편, 제어 수단(224)은 로우 레벨의 CLKB에 응답하여 전달 트랜지스터(MN3)의 게이트 단자에 전원 전압 VDD를 전달하고, 이로 인해 전달 트랜지스터(MN3)는 게이트-소스 전압 Vgs가 VDD-(-VDD)= 2VDD가 되어 턴-온 된다. 따라서, CLK이 하이 레벨(VDD)인 경우에는 제1차지펌핑수단(210)이 초기화 동작을 수행하고 제2차지펌핑수단(220)이 마이너스 승압 동작을 수행함으로써 승압 노드(226)의 전압 -VDD가 출력 노드(VGL)에 전달되어 커패시터(Cs)에 -VDD가 충전될 수 있다.
결과적으로, 도 2의 마이너스 승압형 차지 펌프는 클록의 하이 레벨 및 로우 레벨 모두에서 마이너스 승압 전압 -VDD를 출력한다. 또한, 전달 트랜지스터(MN1, MN3)를 NMOS 타입으로 하여 문턱 전압에 기인하는 손실이 없을 뿐 아니라, 레벨 시프터를 사용하지 않고서도 전달 트랜지스터의 게이트-소스 전압 Vgs의 절대치를 2VDD만큼 키워 온-저항을 줄임으로써 전력 효율 및 승압 효율이 향상될 수 있다.
도 3은 본 발명의 일 실시 예에 따른 플러스 승압형 차지 펌프의 회로도이다. 도 3을 참조하면, 본 실시 예에 따른 차지 펌프는 도 1의 차지 펌프에 클록을 공급하는 인버터(319, 329)를 더 포함할 수 있다. 상기 인버터(319, 329)는 PMOS 트랜지스터(MP9, MP11) 및 NMOS 트랜지스터(MN9, MN11)가 동시에 턴-온 되어 생기는 스위칭 전류를 방지하기 위해 상기 PMOS 트랜지스터(MP9, MP11)와 상기 NMOS 트랜지스터(MN9, MN11)는 서로 듀티(duty)가 달라 레벨 천이 구간이 겹치지 않는 제 어 신호들(A와B, AB와BB)에 의해 제어될 수 있다. 도 3의 차지 펌프의 제어 수단(314, 324)은 PMOS 트랜지스터(MP5, MP7) 및 NMOS 트랜지스터(MN5, MN7)가 동시에 턴-온 되어 생기는 스위칭 전류를 방지하기 위해 상기 PMOS 트랜지스터(MP5, MP7)와 상기 NMOS 트랜지스터(MN5, MN7)는 서로 듀티(duty)가 달라 레벨 천이 구간이 겹치지 않는 제어 신호(A와B, AB와BB)에 의해 제어될 수 있다. 도 5에 상기 제어 신호들(A, B, AB, BB)의 관계가 도시되어 있다. 그 이외에는 도 1의 차지 펌프의 동작과 유사하므로 이에 대한 자세한 설명은 생략한다.
도 4는 본 발명의 일 실시 예에 따른 마이너스 승압형 차지 펌프의 회로도이다. 도 4를 참조하면, 본 실시 예에 따른 차지 펌프는 도 2의 차지 펌프에 클록을 공급하는 인버터(419, 429)를 더 포함할 수 있다. 상기 인버터(419, 429)는 PMOS 트랜지스터(MP9, MP11) 및 NMOS 트랜지스터(MN9, MN11)가 동시에 턴-온 되어 생기는 스위칭 전류를 방지하기 위해 상기 PMOS 트랜지스터(MP9, MP11)와 상기 NMOS 트랜지스터(MN9, MN11)의 게이트는 서로 듀티(duty)가 달라 레벨 천이 구간이 겹치지 않는 제어 신호들(A와B, AB와BB)에 의해 제어될 수 있다. 도 4의 제어 수단(414, 424)은 상기 PMOS 트랜지스터(MP5, MP7)와 NMOS 트랜지스터(MN5, MN7)가 동시에 턴-온 되어 생기는 스위칭 전류를 방지하기 위해 상기 PMOS 트랜지스터(MP5, MP7)와 상기 NMOS 트랜지스터(MN5, MN7)의 게이트는 서로 듀티(duty)가 달라 레벨 천이 구간이 겹치지 않는 제어 신호들(A와B, AB와BB)에 의해 구동될 수 있다. 도 5 에 상기 제어 신호들의 관계(A, B, AB, BB)가 도시되어 있다. 그 이외에는 도 2의 차지 펌프의 동작과 유사하므로 이에 대한 자세한 설명은 생략한다.
도 5는 본 발명의 일 실시 예에 따른 차지 펌프를 구동하는 제어 신호의 타이밍 도이다. 도 5를 참조하면, 듀티(duty)가 서로 다른 제어신호 A 와 B(AB는 A의 역상, BB는 B의 역상)는 레벨 천이 구간이 서로 겹치지 않아 인버터를 구성하는 PMOS 트랜지스터와 NMOS 트랜지스터가 동시에 턴-온 되어 생기는 스위칭 전류가 흐르는 것을 방지할 수 있다.
도 6은 본 발명의 일 실시 예에 따른 플러스 승압형 차지 펌프(610, 620)가 2단 연결된 회로도이다. 도 6을 참조하면, 제1단위차지펌프(610)의 출력은 제2단위 차지펌프(620)의 초기화 전압으로 이용될 수 있다. 구체적으로, 제1단위차지펌프는(610) 전원 전압 VDD로 초기화되고, 상기 초기화 전압 VDD를 플러스 승압하여 2VDD의 승압 전압을 출력할 수 있다. 한편, 제2단위차지펌프(620)는 제1단위차지펌프(610)의 출력 2VDD로 초기화되고, 상기 초기화 전압 2VDD를 VDD만큼 플러스 승압하여 3VDD를 출력해서 커패시터(Cs)를 3VDD로 충전할 수 있다. 따라서, 본 발명의 일 실시 예에 따른 플러스 승압형 차지 펌프를 2단 연결한 것에 의해 전원 전압 VDD의 3배가 되는 승압 전압을 얻을 수 있다. 도면에는 개시되어 있지 않으나 3단 연결 구성의 경우에는 4VDD의 플러스 승압 전압을 얻을 수 있다.
도 7은 본 발명의 일 실시 예에 따른 마이너스 승압형 차지 펌프(710, 720)가 2단 연결된 회로도이다. 도 7을 참조하면, 제1단위차지펌프(710)의 출력 전압은 제2단위차지펌프(720)의 초기화 전압으로 이용될 수 있다. 구체적으로, 제1단위차지펌프(710)는 접지 전압 VSS로 초기화되고, 상기 초기화 전압 VSS를 VDD만큼 마이너스 승압하여 -VDD의 승압 전압을 출력할 수 있다. 한편, 제2단위차지펌프(720)는 제1단위차지펌프(710)의 출력 전압 -VDD로 초기화되고, 상기 초기화 전압 -VDD를 VDD만큼 마이너스 승압하여 -2VDD의 승압 전압을 출력해서 커패시터(Cs)에 -2VDD가 충전될 수 있다. 따라서, 본 발명의 일 실시 예에 따른 마이너스 승압형 차지 펌프를 2단 연결한 것에 의해 전원 전압 VDD의 마이너스 전압의 2배가 되는 승압 전압을 얻을 수 있다. 도면에는 개시되어 있지 않으나 3단 연결 구성의 경우에는 -3VDD의 마이너스 승압 전압을 얻을 수 있다.
이상, 도 6 및 도 7을 참조하여 본 발명의 일 실시 예에 의한 2단 차지 펌프 회로에 관해 설명했지만, 그 단수는 2단에 한정되는 것은 아니다. 즉, 전단의 차지 펌프의 출력 전압을 후단의 초기화 전압으로 사용하는 것에 의해 임의의 단수의 차지 펌프 회로를 실현할 수가 있어 원하는 레벨의 승압 전압을 용이하게 만들어 낼 수 있다.
이상에서와 같이 도면과 명세서에서 최적 실시 예가 개시되었다. 여기서 특정한 용어들이 사용되었으나, 이는 단지 본 발명을 설명하기 위한 목적에서 사용된 것이지 의미 한정이나 특허청구범위에 기재된 본 발명의 범위를 제한하기 위하여 사용된 것은 아니다. 그러므로 본 기술 분야의 통상의 지식을 가진 자라면 이로부터 다양한 변형 및 균등한 타 실시 예가 가능하다는 점을 이해할 것이다. 따라서 본 발명의 진정한 기술적 보호범위는 첨부된 특허청구범위의 기술적 사상에 의해 정해져야 할 것이다.
도 1은 본 발명의 실시 예에 따른 플러스 승압형 차지 펌프의 회로 구성도이다.
도 2는 본 발명의 실시 예에 따른 마이너스 승압형 차지 펌프의 회로 구성도이다.
도 3은 본 발명의 실시 예에 따른 플러스 승압형 차지 펌프의 회로 구성도이다.
도 4는 본 발명의 실시 예에 따른 마이너스 승압형 차지 펌프의 회로 구성도이다.
도 5는 도 3 및 도 4의 차지 펌프를 구동하는 제어신호들의 타이밍도이다.
도 6은 도 1의 플러스 승압형 차지 펌프를 2단 연결한 블럭도이다.
도 7은 도 2의 마이너스 승압형 차지 펌프를 2단 연결한 블럭도이다.

Claims (10)

  1. 초기화 및 승압 동작을 차동적으로 수행하면서 출력 노드를 공유하는 제1 및 제2차지펌핑수단을 포함하고,
    상기 제1 및 제2차지펌핑수단 각각은,
    클록에 응답하여 승압 노드의 전압을 제1전압으로 초기화하거나 제2전압으로 승압하는 부스팅 수단;
    상기 승압 노드의 제2전압을 상기 출력 노드에 전달하는 전달 트랜지스터; 및
    상기 전달 트랜지스터의 턴-온 시 게이트-소스 전압의 절대치가 전원 전압보다 크도록 상기 전달 트랜지스터의 게이트 전압을 제어하는 제어 수단을 포함하는 것을 특징으로 하는 차지 펌프.
  2. 제1항에 있어서, 상기 전달 트랜지스터의 턴-오프 시 게이트-소스 전압의 절대치가 전원 전압이 되도록 상기 전달 트랜지스터의 게이트 전압을 제어하는 것을 특징으로 하는 차지 펌프.
  3. 제2항에 있어서, 상기 부스팅 수단은
    일단에 상기 승압 노드가 연결되고 타단에 상기 클록이 입력되는 펌핑 커패시터; 및
    상기 제1전압을 상기 승압 노드에 전달하는 초기화 트랜지스터를 포함하고,
    상기 초기화 트랜지스터는 상기 제2전압에 의해 턴-온 되는 것을 특징으로 하는 차지 펌프.
  4. 제3항에 있어서, 상기 제어 수단은
    서로 직렬 연결된 풀-업 트랜지스터와 풀-다운 트랜지스터를 포함하고,
    상기 초기화 동작 시에는 상기 풀-업 트랜지스터가 턴-온 되어 상기 제2전압을 출력하고,
    상기 승압 동작 시에는 상기 풀-다운 트랜지스터가 턴-온 되어 접지 전압을 출력하는 것을 특징으로 하는 차지 펌프.
  5. 제4항에 있어서,
    상기 제1전압은 전원 전압, 상기 초기화 트랜지스터 및 상기 풀-다운 트랜지스터는 NMOS 타입, 상기 전달 트랜지스터 및 상기 풀-업 트랜지스터는 PMOS 타입인 것을 특징으로 하는 차지 펌프.
  6. 제3항에 있어서, 상기 제어 수단은
    서로 직렬 연결된 풀-업 트랜지스터와 풀-다운 트랜지스터를 포함하고,
    상기 초기화 동작 시에는 상기 풀-다운 트랜지스터가 턴-온 되어 상기 제2전압을 출력하고,
    상기 승압 동작 시에는 상기 풀-업 트랜지스터가 턴-온 되어 전원 전압을 출력하는 것을 특징으로 하는 차지 펌프.
  7. 제6항에 있어서,
    상기 제1전압은 접지 전압, 상기 초기화 트랜지스터 및 상기 풀-업 트랜지스터는 PMOS 타입, 상기 전달 트랜지스터 및 상기 풀-다운 트랜지스터는 NMOS 타입인 것을 특징으로 하는 차지 펌프.
  8. 제4항 또는 제6항에 있어서, 상기 부스팅 수단은
    상기 펌핑 커패시터의 일단에 상기 클록을 공급하는 인버터를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 차지 펌프.
  9. 제8항에 있어서,
    상기 제1차지펌핑수단의 상기 인버터와 상기 제2차지펌핑수단의 상기 제어 수단은 제1 및 제2제어신호에 응답하여 각각 풀-다운 및 풀-업 전압을 출력하고,
    상기 제2차지펌핑수단의 상기 인버터와 상기 제1차지펌핑수단의 상기 제어 수단은 제3 및 제4제어신호에 응답하여 각각 풀-업 및 풀-다운 전압을 출력하고,
    상기 제1 및 제2제어신호는 서로 레벨 천이 구간이 겹치지 않도록 다른 듀티(duty)를 갖고,
    상기 제3 및 제4제어신호는 각각 상기 제1 및 제2제어신호의 역상인 것을 특징으로 하는 차지 펌프.
  10. 제1단위차지펌프 및 상기 제1단위차지펌프의 출력 전압으로 초기화되는 제2단위차지펌프를 포함하고,
    상기 제1 및 제2단위차지펌프 각각은,
    초기화 및 승압 동작을 차동적으로 수행하면서 출력 노드를 공유하는 제1 및 제2차지펌핑수단을 포함하고,
    상기 제1 및 제2차지펌핑수단 각각은,
    클록에 응답하여 승압 노드의 전압을 제1전압으로 초기화하거나 제2전압으로 승압하는 부스팅 수단;
    상기 승압 노드의 제2전압을 상기 출력 노드에 전달하는 전달 트랜지스터; 및
    상기 전달 트랜지스터의 턴-온 시 게이트-소스 전압의 절대치가 전원 전압보다 크도록 상기 전달 트랜지스터의 게이트 전압을 제어하는 제어수단을 포함하는 것을 특징으로 하는 차지 펌프.
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