JP4113170B2 - 半導体装置 - Google Patents
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Description
J.F.Dickson,"On−chip high−voltage generation in MNOS integrated circuits using an improved voltage multiplier technique," IEEE J.Solid−State Circuits,vol.SC−11,pp.374−378,June 1976. Toru Tanzawa and Tomoharu Tanaka,"A Dynamic Analysis of the Dickson Charge Pump Circuit", IEEE Journal of solid−state circuits,vol.32,No.8,August 1997,pp.1231−1240.
図1は、この発明の第1の実施形態にしたがった、多段(半導体)チャージポンプの基本構成を示すものである。なお、ここでは、4段構造のDickson型チャージポンプ電源回路を例に説明する。また、0Vの第1の電源電圧および2.5Vの第2の電源電圧の供給に対して、6.0V程度の出力電圧(昇圧電圧)を得ることができるように構成した場合について説明する。
図3は、この発明の第2の実施形態にしたがった、多段(半導体)チャージポンプの基本構成を示すものである。なお、ここでは、負電圧電源回路を例に説明する。また、図1と同一部分には同一符号を付し、詳しい説明は割愛する。
図4は、この発明の第3の実施形態にしたがった、多段(半導体)チャージポンプの基本構成を示すものである。なお、ここでは、2段構造のチャージポンプからなる昇圧電源回路を例に説明する。特に、0Vの第1の電源電圧および2.5Vの第2の電源電圧の供給に対して、通常の負荷条件下において、4.0V程度の出力電圧(昇圧電圧)を得ることができるように構成した場合について説明する。また、図1と同一部分には同一符号を付し、詳しい説明は割愛する。
図6は、この発明の第4の実施形態にしたがった、多段(半導体)チャージポンプの基本構成を示すものである。なお、ここでは、図1に示した4段構造のDickson型チャージポンプ電源回路において、ダイオード素子を、ダイオード接続されたNチャネルMOSトランジスタで構成した場合について説明する。また、図1と同一部分には同一符号を付し、詳しい説明は割愛する。
図7は、この発明の第5の実施形態にしたがった、多段(半導体)チャージポンプの基本構成を示すものである。なお、ここでは、図1に示した4段構造のDickson型チャージポンプ電源回路において、ダイオード素子を、ダイオード接続されたPチャネルMOSトランジスタで構成した場合について説明する。また、図1と同一部分には同一符号を付し、詳しい説明は割愛する。
Claims (5)
- 2段よりも多い段数の半導体チャージポンプを含む半導体装置であって、
出力側の最終段のノードの電位を上げ下げするポンピングキャパシタが、並列に接続された2つのキャパシタを含み、他の段のノードの電位を上げ下げするポンピングキャパシタの2倍もしくはそれ以上の容量をもつことを特徴とする半導体装置。 - 前記半導体装置は、
直列に接続された複数のダイオード素子と、
位相が180度異なる第1のクロック信号および第2のクロック信号をそれぞれ出力する出力回路と、
前記第2のクロック信号が一方の電極に供給され、前記複数のダイオード素子のうちの、奇数段目のダイオード素子の第1の端子と偶数段目のダイオード素子の第2の端子との接続点に他方の電極が接続された、少なくとも1つ以上の第1のポンピングキャパシタと、
前記第1のクロック信号が一方の電極に供給され、前記複数のダイオード素子のうちの、偶数段目のダイオード素子の第1の端子と奇数段目のダイオード素子の第2の端子との接続点に他方の電極が接続された、少なくとも1つ以上の第2のポンピングキャパシタと
を含むことを特徴とする請求項1に記載の半導体装置。 - 前記複数のダイオード素子は、ダイオード接続されたNチャネルMOS(Metal Oxide Semiconductor)トランジスタを用いて構成されることを特徴とする請求項2に記載の半導体装置。
- 前記複数のダイオード素子は、ダイオード接続されたPチャネルMOS(Metal Oxide Semiconductor)トランジスタを用いて構成されることを特徴とする請求項2に記載の半導体装置。
- 前記第1および第2のポンピングキャパシタは、MOS(Metal Oxide Semiconductor)キャパシタを用いて構成されることを特徴とする請求項2に記載の半導体装置。
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