KR900019019A - 고밀도 반도체 메모리장치의 전원 공급전압 변환회로 - Google Patents

고밀도 반도체 메모리장치의 전원 공급전압 변환회로 Download PDF

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Abstract

내용 없음

Description

고밀도 반도체 메모리장치의 전원 공급전압 변환회로
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제2도는 본 발명에 따른 공급전압 변환회로의 블럭도,
제3도는 제2도의 회로도,
제4도는 본 발명에서 사용하는 인에이블 펄스들 øENP와 øENA의 타이밍도.

Claims (5)

  1. 반도체 메모리 장치의 주변회로들과 어레이회로들에 외부 공급전압보다 낮은 내부공급전압을 공급하기 위한 전원공급전압 변환회로에 있어서, 일정한 기준전압을 발생하기 위한 기준전압 발생기와, 상기 주변회로들과 어레이 회로들에 각각 상기 내부 공급전압을 공급하는 주변전원회로 및 어레이 전원회로와, 상기 주변전원회로와 어레이 전원회로의 각각이 상기 내부 공급전압에 비례하는 전압을 발생하는 제산기와, 소정 펄스에 의해 활성화되고 상기 비례전압을 상기 기준전압과 비교하는 메인 차동증폭기와 상기 메인 차동증폭기로 부터의 신호에 응답하여 내부 전원전압을 제공하는 메인 파워소자를 가지는 메인전원부와, 항상 활성화 되어있고 상기비례전압을 상기 기준전압과 비교하는 서브 차동증폭기와 상기 서브차동증폭기로 부터의 신호에 응답하여 내부전원전압을 제공하는 서브 파워소자를 가지는 서브전원부를 가짐을 특징으로하는 전원공급전압 변환회로.
  2. 제1항에 있어서, 상기 메인 및 서브차동증폭기들은 싱글 앤디드 차동증폭기들이며 상기 파워소자들의 각각은 대응하는 차동증폭기의 출력과 접속된 게이트와 외부전원 전압과 접속된 드레인과, 내부전원 전압을 제공하는 소오스를 가지는 MOS FET트랜지스터임을 특징으로 하는 전원공급 전압 변환회로.
  3. 제1항에 있어서, 상기 소정 펄스는에 의해 인에이블되고 비트라인들의 등화까지 인에이블되는 제1펄스와, 워드라인의 인에이블로 부터 센스앰프의 센싱동작 종료까지 인에이블되는 제2펄스임을 특징으로 하는 전원공급 전압 변환회로.
  4. 제1항에 있어서, 상기 메인 차동증폭기와 상기 메인 파워소자사이에 상기 메인 파워소자의 파괴를 방지하기 위한 과전류 방지회로가 접속됨을 특징으로 하는 전원공급 전압변환회로.
  5. 외부 공급전압보다 낮은 내부 공급전압을 발생하기 위한 전원공급전압 변환회로에 있어서, 일정한 기준전압을 발생하기 위한 기준전압 발생기와, 상기 내부 공급전압을 전달하기 위한 도체의 출력라인과, 상기 출력라인상의 내부 공급전압에 비례하는 전압을 발생하는 수단과, 소정 펄스에 의해 활성화되고, 상기 비례전압을 상기 기준전압과 비교하기 위한 제1차동증폭기와 상기 제1차동증폭기의 출력신호에 응답하여 상기 내부 공급전압을 제공하는 제1파워소자를 가지는 제1전원부와, 항상 활성화 되어있고, 상기 비례전압을 상기 기준전압과 비교하기 위한 제2차동증폭기와 상기 제2차동증폭기의 출력신호에 응답하여 상기 내부 공급전압을 제공하는 제2파워소자를 가지는 제2전원부로 구성함을 특징으로 하는 전원공급 전압 변환회로.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
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