KR960038965A - 반도체 메모리장치의 스탠바이 내부전원전압 발생회로 - Google Patents
반도체 메모리장치의 스탠바이 내부전원전압 발생회로 Download PDFInfo
- Publication number
- KR960038965A KR960038965A KR1019950009641A KR19950009641A KR960038965A KR 960038965 A KR960038965 A KR 960038965A KR 1019950009641 A KR1019950009641 A KR 1019950009641A KR 19950009641 A KR19950009641 A KR 19950009641A KR 960038965 A KR960038965 A KR 960038965A
- Authority
- KR
- South Korea
- Prior art keywords
- power supply
- supply voltage
- response
- differential amplifier
- internal power
- Prior art date
Links
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11C—STATIC STORES
- G11C5/00—Details of stores covered by group G11C11/00
- G11C5/14—Power supply arrangements, e.g. power down, chip selection or deselection, layout of wirings or power grids, or multiple supply levels
- G11C5/147—Voltage reference generators, voltage or current regulators; Internally lowered supply levels; Compensation for voltage drops
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11C—STATIC STORES
- G11C11/00—Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor
- G11C11/21—Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor using electric elements
- G11C11/34—Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor using electric elements using semiconductor devices
- G11C11/40—Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor using electric elements using semiconductor devices using transistors
- G11C11/401—Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor using electric elements using semiconductor devices using transistors forming cells needing refreshing or charge regeneration, i.e. dynamic cells
- G11C11/4063—Auxiliary circuits, e.g. for addressing, decoding, driving, writing, sensing or timing
- G11C11/407—Auxiliary circuits, e.g. for addressing, decoding, driving, writing, sensing or timing for memory cells of the field-effect type
- G11C11/4074—Power supply or voltage generation circuits, e.g. bias voltage generators, substrate voltage generators, back-up power, power control circuits
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Dram (AREA)
- Continuous-Control Power Sources That Use Transistors (AREA)
Abstract
본 발명은 스탠바이 내부전원전압 발생회로에 관한 것으로서, 내부전원전압의 레벨이 기준전압보다 떨어지면 그 차만큼 차동증폭된 구동신호를 출력하는 차동증폭기 ; 차동증폭기의 구동신호에 응답하여 외부전원전압으로부터 스탠바이 내부전원전압을 발생하기 위한 구동수단 ; 및 직류전압발생기의 동작에 응답하여 동작 초기의 소정시간동안만 상기 차동증폭기의 전류구동능력을 증가시키기 위한 보상수단을 구비한 것을 특징으로 한다.
따라서, 본 발명에서는 직류전압 발생기의 동작 초기에 내부전압의 급강하를 빠른 시간내에 보상함으로써 스탠바이상태에서 내부전압의 레벨을 일정 레벨로 유지할 수 있다.
Description
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제3도는 본 발명에 의한 반도체 메모리장치의 스탠바이 내부전원전압 발생회로의 블럭도, 제4도는 본 발명에 의한 스탠바이 내부전원전압 발생회로의 바람직한 일 실시예의 회로도, 제5도는 본 발명에 의한 스탠바이 내부전원전압 발생회로의 바람직한 다른 실시예의 회로도.
Claims (4)
- 내부전원전압의 레벨이 기준전압보다 떨어지면 그 차만큼 차동증폭된 구동신호를 출력하는 차동증촉기 ; 상기 차동증폭기의 구동신호에 응답하여 외부전원전압으로부터 스탠바이 내부전원전압을 발생하기 위한 구동수단 ; 및 직류전압발생기의 동작에 응답하여 동작 초기의 소정 시간동안만 상기 차동증폭기의 전류구동능력을 증가시키기 위한 보상수단을 구비한 것을 특징으로 하는 스탠바이 내부 전원전압 발생기.
- 제1항에 있어서, 상기 보상수단은 직류전압발생기의 인에이블신호를 결합하는 결합수단 ; 상기 결합수단을 통해서 공급되는 인에이블신호의 선단에 응답하여 선단으로부터 소정 시간동안 액티브상태를 유지하는 보상펄스신호를 발생하는 보상펄스 발생수단 ; 상기 차동증폭기의 전류싱크에 병렬로 결합되고 상기 보상펄스에 응답하여 활성화되는 전류싱크수단을 구비하는 것을 특징으로 하는 스탠바이 내부 전원전압 발생기.
- 제1항에 있어서, 상기 보상수단은 직류전압발생기의 인에이블신호의 선단에 응답하여 선단으로부터 소정시간동안 액티브상태를 유지하는 펄스신호를 발생하는 적어도 하나 이상의 보상펄스 발생수단 ; 및 상기 차동증폭기의 전류싱크에 병렬로 결합되고 상기 보상펄스에 응답하여 활성화되는 적어도 하나 이상의 전류싱크수단을 구비하는 것을 특징으로 하는 스탠바이 내부 전원전압 발생기.
- 보상펄스신호에 응답하여 전류구동능력이 가변되고 내부전원전압의 레벨이 기준전압보다 떨어지면 그 차만큼 차동 증폭된 구동신호를 출력하는 차동증폭기 ; 상기 차동증폭기의 구동신호에 응답하여 외부전원전압으로부터 스탠바이 내부전원전압을 발생하기 위한 구동수단 ; 및 직류전압발생기의 동작에 응답하여 동작 초기의 소정 시간동안만 활성화되는 상기 보상펄스신호를 발생하기 위한 신호발생수단을 구비한 것을 특징으로 하는 스탠바이 내부 전원전압 발생기.※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1019950009641A KR0165385B1 (ko) | 1995-04-24 | 1995-04-24 | 반도체 메모리장치의 스탠바이 내부전원전압 발생회로 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1019950009641A KR0165385B1 (ko) | 1995-04-24 | 1995-04-24 | 반도체 메모리장치의 스탠바이 내부전원전압 발생회로 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| KR960038965A true KR960038965A (ko) | 1996-11-21 |
| KR0165385B1 KR0165385B1 (ko) | 1999-02-01 |
Family
ID=19412803
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| KR1019950009641A KR0165385B1 (ko) | 1995-04-24 | 1995-04-24 | 반도체 메모리장치의 스탠바이 내부전원전압 발생회로 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| KR (1) | KR0165385B1 (ko) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR20030036045A (ko) * | 2001-10-31 | 2003-05-09 | 엔이씨 일렉트로닉스 코포레이션 | 내부 전압 강하 회로 |
| KR100401518B1 (ko) * | 2001-09-13 | 2003-10-17 | 주식회사 하이닉스반도체 | 반도체 장치의 내부전압발생회로 |
| KR100924353B1 (ko) * | 2008-03-28 | 2009-11-02 | 주식회사 하이닉스반도체 | 내부전압 발생 장치 |
-
1995
- 1995-04-24 KR KR1019950009641A patent/KR0165385B1/ko not_active IP Right Cessation
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100401518B1 (ko) * | 2001-09-13 | 2003-10-17 | 주식회사 하이닉스반도체 | 반도체 장치의 내부전압발생회로 |
| KR20030036045A (ko) * | 2001-10-31 | 2003-05-09 | 엔이씨 일렉트로닉스 코포레이션 | 내부 전압 강하 회로 |
| KR100924353B1 (ko) * | 2008-03-28 | 2009-11-02 | 주식회사 하이닉스반도체 | 내부전압 발생 장치 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| KR0165385B1 (ko) | 1999-02-01 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| KR960019291A (ko) | 내부전압 발생회로 | |
| KR950012454A (ko) | 다수의 내부 전원을 갖는 동적 메모리장치 | |
| KR970012757A (ko) | 전압 변동 방지를 위한 전압 회로 | |
| KR930020449A (ko) | 내부전원전압 발생회로 | |
| KR920006969A (ko) | 반도체 집적회로용 전압발생회로 | |
| KR950015379A (ko) | 반도체 메모리장치의 안정된 파워-온을 위한 스타트-엎회로 | |
| KR970029842A (ko) | 전압 발생회로가 구비된 반도체 메모리 디바이스 | |
| KR880008336A (ko) | 반도체 집적회로 장치 | |
| KR960025732A (ko) | 동작전류 소모를 줄인 반도체 메모리 소자 | |
| KR950004271A (ko) | 반도체 메모리 장치의 전원전압 감지회로 | |
| KR960038965A (ko) | 반도체 메모리장치의 스탠바이 내부전원전압 발생회로 | |
| KR920022711A (ko) | 고전압 발생회로 | |
| KR970051254A (ko) | 반도체 메모리장치의 센스앰프 회로 | |
| KR950022114A (ko) | 프리차지 전압 발생회로 | |
| KR970023354A (ko) | 내부 전압 레벨 보상회로 | |
| KR960002755A (ko) | 반도체 집적장치의 전원전압 변환회로 | |
| KR980004946A (ko) | 반도체 메모리 장치의 전류 센스앰프 | |
| KR970053974A (ko) | 전압 발생 회로 및 반도체 장치 | |
| KR930024017A (ko) | 내부전원전압 발생회로 | |
| KR970023359A (ko) | 워드라인 구동기용 부트스트랩회로 | |
| KR0146062B1 (ko) | 내부전압 발생기의 전원발생 안정화 회로 | |
| KR910005580A (ko) | 내부전압 발생회로 | |
| KR970051100A (ko) | 반도체 메모리 장치의 내부 전원전압 발생회로 | |
| KR970024151A (ko) | 반도체 칩의 전압 변환 장치 | |
| KR970076835A (ko) | 반도체 메모리 장치의 센스 증폭기 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A201 | Request for examination | ||
| E902 | Notification of reason for refusal | ||
| E701 | Decision to grant or registration of patent right | ||
| GRNT | Written decision to grant | ||
| FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20060830 Year of fee payment: 9 |
|
| LAPS | Lapse due to unpaid annual fee |