KR960019291A - 내부전압 발생회로 - Google Patents

내부전압 발생회로 Download PDF

Info

Publication number
KR960019291A
KR960019291A KR1019940029941A KR19940029941A KR960019291A KR 960019291 A KR960019291 A KR 960019291A KR 1019940029941 A KR1019940029941 A KR 1019940029941A KR 19940029941 A KR19940029941 A KR 19940029941A KR 960019291 A KR960019291 A KR 960019291A
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
voltage
internal
reference voltage
internal voltage
generating
Prior art date
Application number
KR1019940029941A
Other languages
English (en)
Other versions
KR0152905B1 (ko
Inventor
김삼수
김영현
Original Assignee
문정환
금성일렉트론 주식회사
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 문정환, 금성일렉트론 주식회사 filed Critical 문정환
Priority to KR1019940029941A priority Critical patent/KR0152905B1/ko
Priority to JP7247206A priority patent/JP2875192B2/ja
Priority to US08/559,702 priority patent/US5808953A/en
Publication of KR960019291A publication Critical patent/KR960019291A/ko
Application granted granted Critical
Publication of KR0152905B1 publication Critical patent/KR0152905B1/ko

Links

Classifications

    • GPHYSICS
    • G11INFORMATION STORAGE
    • G11CSTATIC STORES
    • G11C5/00Details of stores covered by group G11C11/00
    • G11C5/14Power supply arrangements, e.g. power down, chip selection or deselection, layout of wirings or power grids, or multiple supply levels
    • GPHYSICS
    • G11INFORMATION STORAGE
    • G11CSTATIC STORES
    • G11C5/00Details of stores covered by group G11C11/00
    • G11C5/14Power supply arrangements, e.g. power down, chip selection or deselection, layout of wirings or power grids, or multiple supply levels
    • G11C5/147Voltage reference generators, voltage or current regulators; Internally lowered supply levels; Compensation for voltage drops

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Dram (AREA)
  • For Increasing The Reliability Of Semiconductor Memories (AREA)
  • Static Random-Access Memory (AREA)
  • Continuous-Control Power Sources That Use Transistors (AREA)

Abstract

본 발명은 내부전압 발생회로에 관한 것으로, 종래에는 칩 액티브시 액티브되는 시점에서 기준전압과 내부소오스전압(int. VCC)을 비교하여 전류를 보상하도록 함으로써 원하는 내부전압 레벨까지의 복구되는 속도한계와 워드라인 인에이블시점보다 훨씬 많은 전류소모를 요구하는 센스앰프들의 동작시 전류공급에 대한 문제점이 있다. 따라서 본 발명은 칩동작시 급격한 전류소모 시점을 잠지하고 일정한 펄스구간을 생성하여 직접적으로 내부전압단자에 외부전원으로 부터를 전류를 가함으로써 내부전압의 강하현상 및 기준전압레벨로 복귀하는 속도를 향상시키도록 한다.

Description

내부전압 발생회로
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제4도는 본 발명의 내부전압 발생회로도,
제5도는 제4도에서 액티브용 차동증폭부의 상세회로도.

Claims (4)

  1. 내부전압의 기준이 되는 기준전압을 발생시키는 제1기준전압 발생수단과, 상기 제1기준전압 발생수단으로 부터 발생되는 기준전압에 따라 변-인(Burn-In)실험시에 의한 외부전압을 검출하는 전압레벨 감지수단과, 다시 상기 전압레벨 감지수단에 의해 검출된 전압에 따른 바이어스용 기준전압을 발생하는 제2기준전압발생수단과, 상기 제1, 2기준전압 발생수단으로 부터의 기준전압 및 바이어스용 기준전압과 그리고 내부전압단자(int. VCC)로 부터 공급되는 전압을 입력으로 받아 비교한 후 그 내부의 구동수단을 통해 내부전압을 보상하도록 하는 스탠바이용 차동증폭수단과, 상기 제1, 2기준전압 발생수단으로 부터의 기준전압 및 바이어스용 기준전압과 그리고 내부전압단자(int. VCC)로 부터의 전압, 제어신호에 따라 칩의 동작 및 비동작시 내부전압을 보상해주도록 하는 액티브용 차동증폭수단으로 구성된 것을 특징으로 하는 내부전압 발생회로.
  2. 제1항에 있어서, 액티브용 차동증폭수단은 내부 제어신호에 해당하는 펄스를 생성하는 펄스발생수단과, 상기 펄스발생기로 부터 발생하는 펄스에 따라 동작하여 외부전원을 공급하는 외부전원공급수단과, 상기 외부전원공급수단과 내부전원단자(int. VCC) 사이에 연결되고 펄스발생수단으로 부터 발생하는 제어신호에 의해 동작하여 내부전압을 보상하여 주는 구동수단으로 구성된 것을 특징으로 하는 내부전압 발생회로.
  3. 제2항에 있어서, 구동수단은 모스트랜지스터인 것을 특징으로 하는 내부전압 발생회로.
  4. ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
KR1019940029941A 1994-11-15 1994-11-15 반도체 메모리장치의 내부전압 발생회로 KR0152905B1 (ko)

Priority Applications (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1019940029941A KR0152905B1 (ko) 1994-11-15 1994-11-15 반도체 메모리장치의 내부전압 발생회로
JP7247206A JP2875192B2 (ja) 1994-11-15 1995-09-26 半導体メモリ装置の内部電圧発生回路
US08/559,702 US5808953A (en) 1994-11-15 1995-11-15 Internal voltage generating circuit for semiconductor memory apparatus

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1019940029941A KR0152905B1 (ko) 1994-11-15 1994-11-15 반도체 메모리장치의 내부전압 발생회로

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR960019291A true KR960019291A (ko) 1996-06-17
KR0152905B1 KR0152905B1 (ko) 1998-12-01

Family

ID=19397961

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1019940029941A KR0152905B1 (ko) 1994-11-15 1994-11-15 반도체 메모리장치의 내부전압 발생회로

Country Status (3)

Country Link
US (1) US5808953A (ko)
JP (1) JP2875192B2 (ko)
KR (1) KR0152905B1 (ko)

Cited By (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100230372B1 (ko) * 1996-09-20 1999-11-15 윤종용 반도체 메모리 장치의 내부 전압 변환기
KR20030036045A (ko) * 2001-10-31 2003-05-09 엔이씨 일렉트로닉스 코포레이션 내부 전압 강하 회로
KR100641356B1 (ko) * 2000-01-14 2006-10-31 삼성전자주식회사 반도체 메모리 장치의 내부 전원전압 발생회로
KR100745072B1 (ko) * 2005-11-09 2007-08-01 주식회사 하이닉스반도체 내부전압 방전회로
KR100784906B1 (ko) * 2006-06-30 2007-12-11 주식회사 하이닉스반도체 반도체 메모리의 전압 조정장치
US7576596B2 (en) 2006-06-30 2009-08-18 Hynix Semiconductor, Inc. Internal voltage generator of semiconductor device

Families Citing this family (23)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP3505373B2 (ja) * 1997-11-14 2004-03-08 株式会社東芝 半導体記憶装置
KR100272163B1 (ko) * 1997-12-30 2000-11-15 윤종용 대기용어레이전압발생기를갖는반도체메모리장치
KR100455736B1 (ko) 1998-12-30 2005-05-11 주식회사 하이닉스반도체 프리세트기능을 갖는 출력버퍼회로_
KR100361656B1 (ko) 1999-09-17 2002-11-21 삼성전자 주식회사 반도체 메모리 장치의 고전압 발생회로
KR100351932B1 (ko) * 2000-05-30 2002-09-12 삼성전자 주식회사 반도체 메모리 장치의 전압 감지 회로
US6788574B1 (en) 2001-12-06 2004-09-07 Virage Logic Corporation Electrically-alterable non-volatile memory cell
US7130213B1 (en) 2001-12-06 2006-10-31 Virage Logic Corporation Methods and apparatuses for a dual-polarity non-volatile memory cell
US6850446B1 (en) 2001-12-06 2005-02-01 Virage Logic Corporation Memory cell sensing with low noise generation
US6992938B1 (en) 2001-12-06 2006-01-31 Virage Logic Corporation Methods and apparatuses for test circuitry for a dual-polarity non-volatile memory cell
US6842375B1 (en) 2001-12-06 2005-01-11 Virage Logic Corporation Methods and apparatuses for maintaining information stored in a non-volatile memory cell
JP2005222580A (ja) 2004-02-03 2005-08-18 Renesas Technology Corp 半導体記憶装置
JP4427365B2 (ja) * 2004-03-19 2010-03-03 株式会社東芝 半導体記憶装置
KR100798764B1 (ko) 2004-10-30 2008-01-29 주식회사 하이닉스반도체 반도체 메모리 소자 및 그 내부 전압 생성 방법
KR100713083B1 (ko) * 2005-03-31 2007-05-02 주식회사 하이닉스반도체 내부전원 생성장치
KR100812936B1 (ko) 2005-05-03 2008-03-11 주식회사 하이닉스반도체 스탠바이 모드에서 누설전류가 감소된 내부전원전압발생회로
KR100813534B1 (ko) 2006-09-13 2008-03-17 주식회사 하이닉스반도체 반도체 메모리 장치
KR100900785B1 (ko) 2007-05-14 2009-06-02 주식회사 하이닉스반도체 반도체 소자의 내부전압 발생기 및 발생방법
KR100859839B1 (ko) 2007-08-29 2008-09-23 주식회사 하이닉스반도체 코아전압 발생회로
KR100937950B1 (ko) 2008-05-09 2010-01-21 주식회사 하이닉스반도체 내부전압 방전회로 및 제어방법
KR101559908B1 (ko) 2009-01-20 2015-10-15 삼성전자주식회사 반도체 메모리 장치의 내부전압 발생회로
KR101038998B1 (ko) * 2010-01-08 2011-06-03 주식회사 하이닉스반도체 반도체 메모리 장치의 비트라인 프리차지 전압 생성 회로
KR101939237B1 (ko) * 2011-06-14 2019-01-17 삼성전자 주식회사 내부 전압 생성 회로 및 스마트 카드
KR20130015942A (ko) * 2011-08-05 2013-02-14 에스케이하이닉스 주식회사 반도체메모리장치

Family Cites Families (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4482985A (en) * 1981-04-17 1984-11-13 Hitachi, Ltd. Semiconductor integrated circuit
JPH07113863B2 (ja) * 1985-06-29 1995-12-06 株式会社東芝 半導体集積回路装置
KR930009148B1 (ko) * 1990-09-29 1993-09-23 삼성전자 주식회사 전원전압 조정회로

Cited By (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100230372B1 (ko) * 1996-09-20 1999-11-15 윤종용 반도체 메모리 장치의 내부 전압 변환기
KR100641356B1 (ko) * 2000-01-14 2006-10-31 삼성전자주식회사 반도체 메모리 장치의 내부 전원전압 발생회로
KR20030036045A (ko) * 2001-10-31 2003-05-09 엔이씨 일렉트로닉스 코포레이션 내부 전압 강하 회로
KR100745072B1 (ko) * 2005-11-09 2007-08-01 주식회사 하이닉스반도체 내부전압 방전회로
KR100784906B1 (ko) * 2006-06-30 2007-12-11 주식회사 하이닉스반도체 반도체 메모리의 전압 조정장치
US7576596B2 (en) 2006-06-30 2009-08-18 Hynix Semiconductor, Inc. Internal voltage generator of semiconductor device

Also Published As

Publication number Publication date
JP2875192B2 (ja) 1999-03-24
KR0152905B1 (ko) 1998-12-01
US5808953A (en) 1998-09-15
JPH08147998A (ja) 1996-06-07

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR960019291A (ko) 내부전압 발생회로
KR100210556B1 (ko) 전압 변동 방지를 위한 전압 회로
KR950012454A (ko) 다수의 내부 전원을 갖는 동적 메모리장치
KR940022828A (ko) 반도체 집적회로
KR930002827A (ko) 파워 온 검출회로
KR920005152A (ko) 반도체 기억장치
KR930014589A (ko) 내부 및 외부 전원으로부터 선택적으로 기동되는 기판 바이어스 시스템을 구비한 반도체 집적 회로 디바이스
KR0127318B1 (ko) 백바이어스전압 발생기
KR960025732A (ko) 동작전류 소모를 줄인 반도체 메모리 소자
KR950004271A (ko) 반도체 메모리 장치의 전원전압 감지회로
KR970051107A (ko) 내부전원전압 공급장치
JPH0696596A (ja) 半導体装置の内部電源発生回路
KR960038965A (ko) 반도체 메모리장치의 스탠바이 내부전원전압 발생회로
KR20070084879A (ko) 기판 바이어스 전압 검출기
KR960002755A (ko) 반도체 집적장치의 전원전압 변환회로
KR980004951A (ko) 오판독 동작을 방지할 수 있는 감지 증폭기 회로
KR950022114A (ko) 프리차지 전압 발생회로
KR100280396B1 (ko) 센스앰프구동회로
KR200162272Y1 (ko) 메모리셀의 구동 제어회로
KR100186307B1 (ko) 내부 전원전압 보상회로
KR970003189A (ko) 복수의 접지전원을 갖는 반도체 메모리장치
KR970053974A (ko) 전압 발생 회로 및 반도체 장치
KR20010059032A (ko) 내부 전압 발생장치
KR970023354A (ko) 내부 전압 레벨 보상회로
KR20020049808A (ko) 반도체 메모리 장치의 내부 전원 전압 드라이버

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
E902 Notification of reason for refusal
E701 Decision to grant or registration of patent right
GRNT Written decision to grant
FPAY Annual fee payment

Payment date: 20120524

Year of fee payment: 15

LAPS Lapse due to unpaid annual fee