KR950022114A - 프리차지 전압 발생회로 - Google Patents
프리차지 전압 발생회로 Download PDFInfo
- Publication number
- KR950022114A KR950022114A KR1019930029287A KR930029287A KR950022114A KR 950022114 A KR950022114 A KR 950022114A KR 1019930029287 A KR1019930029287 A KR 1019930029287A KR 930029287 A KR930029287 A KR 930029287A KR 950022114 A KR950022114 A KR 950022114A
- Authority
- KR
- South Korea
- Prior art keywords
- precharge voltage
- circuit
- low impedance
- voltage generation
- generation circuit
- Prior art date
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03K—PULSE TECHNIQUE
- H03K19/00—Logic circuits, i.e. having at least two inputs acting on one output; Inverting circuits
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11C—STATIC STORES
- G11C7/00—Arrangements for writing information into, or reading information out from, a digital store
- G11C7/12—Bit line control circuits, e.g. drivers, boosters, pull-up circuits, pull-down circuits, precharging circuits, equalising circuits, for bit lines
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11C—STATIC STORES
- G11C5/00—Details of stores covered by group G11C11/00
- G11C5/14—Power supply arrangements, e.g. power down, chip selection or deselection, layout of wirings or power grids, or multiple supply levels
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11C—STATIC STORES
- G11C5/00—Details of stores covered by group G11C11/00
- G11C5/14—Power supply arrangements, e.g. power down, chip selection or deselection, layout of wirings or power grids, or multiple supply levels
- G11C5/147—Voltage reference generators, voltage or current regulators; Internally lowered supply levels; Compensation for voltage drops
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Computing Systems (AREA)
- General Engineering & Computer Science (AREA)
- Mathematical Physics (AREA)
- Dram (AREA)
- Static Random-Access Memory (AREA)
Abstract
본 발명은 비트라인 프리차지 시에 요구되는 이퀄라이징 특성을 빠르게 하기 위하여, 동작 모드에서 대기 모드로 전환되는 초기에 일정시간 동안만 동작하는 로우 임피던스 회로를 사용하여 구현한 프리차지 전압 발생회로에 관한 기술이다.
Description
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제1도는 종래의 프리차지 전압 발생회로를 도시한 회로도.
제2도는 본 발명에 의한 프리차지 전압 발생회로의 실시예를 도시한 회로도.
* 도면의 주요부분에 대한 부호의 설명
1 : 바이어스 회로 2 : 드라이버 회로
3 : 하이 임피던스 회로 4 : 제1로우 임피던스 회로
5 : 제2로우 임피던스 회로
Claims (3)
- 반도체 소자의 프리차지 전압 발생회로에 있어서, 하이 임피던스 특성을 갖고 항상 동작하여, 출력단이 일정 전위를 유지할 수 있도록 일정 전류를 구동하는 하이 임피던스 회로와, 동작 모드에서 대기 모드(standby mode)로 전환하는 초기에 일정시간 동안만 동작하여, 출력단이 일정 전위를 유지할 수 있도록 전류를 구동하는 로우 임피던스 회로를 포함하는 것을 특징으로 하는 프리차지 전압 발생회로.
- 제1항에 있어서, 동작 모드(active mode)시에만 동작하여 출력단이 일정 전위를 유지할 수 있도록 전류를 구동하는 두번째 로우 임피던스 회로를 추가로 포함하는 것을 특징으로 하는 프리차지 전압 발생회로.
- 제1항 또는 제2항에 있어서, 상기 로우 임피던스 회로를 반도체 소자의 전체 동작을 제어하는/ RAS(Row Address Strobe) 신호에 의해 출력된 신호로 제어하는 것을 특징으로 하는 프리차지 전압 발생 회로.※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
Priority Applications (4)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
KR1019930029287A KR960002330B1 (ko) | 1993-12-23 | 1993-12-23 | 프리차지 전압 발생회로 |
US08/358,755 US5636169A (en) | 1993-12-23 | 1994-12-19 | Precharge voltage generator |
JP6320474A JP2849557B2 (ja) | 1993-12-23 | 1994-12-22 | 改良されたプレチャージ電圧発生装置 |
DE4446405A DE4446405C2 (de) | 1993-12-23 | 1994-12-23 | Halbleiterspeichereinrichtung mit einem Vorladespannungsgenerator |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
KR1019930029287A KR960002330B1 (ko) | 1993-12-23 | 1993-12-23 | 프리차지 전압 발생회로 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
KR950022114A true KR950022114A (ko) | 1995-07-26 |
KR960002330B1 KR960002330B1 (ko) | 1996-02-16 |
Family
ID=19372334
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
KR1019930029287A KR960002330B1 (ko) | 1993-12-23 | 1993-12-23 | 프리차지 전압 발생회로 |
Country Status (4)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US5636169A (ko) |
JP (1) | JP2849557B2 (ko) |
KR (1) | KR960002330B1 (ko) |
DE (1) | DE4446405C2 (ko) |
Families Citing this family (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH10112183A (ja) * | 1996-10-08 | 1998-04-28 | Nec Corp | 半導体記憶装置 |
US5999469A (en) * | 1998-03-04 | 1999-12-07 | Lsi Logic Corporation | Sense time reduction using midlevel precharge |
JP3913377B2 (ja) * | 1998-11-04 | 2007-05-09 | 富士通株式会社 | 半導体記憶装置 |
US20040183932A1 (en) * | 2003-01-30 | 2004-09-23 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Solid state imaging device |
US20070070720A1 (en) * | 2005-09-29 | 2007-03-29 | Hynix Semiconductor Inc. | Voltage generator for use in semiconductor device |
US7986577B2 (en) * | 2007-03-19 | 2011-07-26 | Hynix Semiconductor Inc. | Precharge voltage supplying circuit |
Family Cites Families (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH0731908B2 (ja) * | 1985-10-09 | 1995-04-10 | 株式会社東芝 | 半導体記憶装置 |
KR960009249B1 (ko) * | 1987-04-24 | 1996-07-16 | 미다 가쓰시게 | 반도체 메모리 |
KR0133933B1 (ko) * | 1988-11-09 | 1998-04-25 | 고스기 노부미쓰 | 기판바이어스 발생회로 |
JPH0341696A (ja) * | 1989-07-10 | 1991-02-22 | Sharp Corp | 半導体記憶装置 |
GB9007793D0 (en) * | 1990-04-06 | 1990-06-06 | Foss Richard C | Dram cell plate and precharge voltage generator |
JPH04271090A (ja) * | 1991-02-27 | 1992-09-28 | Hitachi Ltd | 半導体記憶装置 |
JPH0612896A (ja) * | 1992-04-28 | 1994-01-21 | Nec Corp | 半導体記憶装置 |
-
1993
- 1993-12-23 KR KR1019930029287A patent/KR960002330B1/ko not_active IP Right Cessation
-
1994
- 1994-12-19 US US08/358,755 patent/US5636169A/en not_active Expired - Lifetime
- 1994-12-22 JP JP6320474A patent/JP2849557B2/ja not_active Expired - Fee Related
- 1994-12-23 DE DE4446405A patent/DE4446405C2/de not_active Expired - Fee Related
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
DE4446405A1 (de) | 1995-06-29 |
DE4446405C2 (de) | 2002-09-19 |
JP2849557B2 (ja) | 1999-01-20 |
US5636169A (en) | 1997-06-03 |
KR960002330B1 (ko) | 1996-02-16 |
JPH07211072A (ja) | 1995-08-11 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
KR100210716B1 (ko) | 반도체 집적 회로 장치 | |
KR970017598A (ko) | 반도체 장치 및 그 제어 회로 | |
KR930008859A (ko) | 직류 전류를 제거한 데이타 출력 버퍼 | |
KR960030231A (ko) | 반도체 메모리장치의 전압 구동회로 | |
KR920020717A (ko) | 기판 바이어스 전압 발생 회로 | |
KR970051206A (ko) | 저전력용 센스앰프회로 | |
KR950022107A (ko) | 출력 트랜지스터에 연결된 게이트 전류 제어 트랜지스터의 게이트 전압제어 회로를 갖는 출력 버퍼 회로 | |
IE52401B1 (en) | Buffer amplifier circuit and address buffer circuit using such buffer amplifier circuit | |
KR880008336A (ko) | 반도체 집적회로 장치 | |
KR950022114A (ko) | 프리차지 전압 발생회로 | |
KR890007430A (ko) | 반도체 장치의 출력회로 | |
KR970051107A (ko) | 내부전원전압 공급장치 | |
JP2000021179A (ja) | ブースト回路及びこれを用いた半導体装置 | |
KR980005000A (ko) | 반도체 메모리 장치 | |
KR940025178A (ko) | 데이터 출력회로 | |
KR970051254A (ko) | 반도체 메모리장치의 센스앰프 회로 | |
KR900002516A (ko) | 메모리장치의 공급전압 안정화회로 | |
KR940018988A (ko) | 어드레스 변이 검출을 발생시키는 어드레스 버퍼(An address buffer for generating an address transition detection) | |
KR980006913A (ko) | 입력 누설전류가 없는 자동 모드 선택 장치 | |
KR100280396B1 (ko) | 센스앰프구동회로 | |
KR950012459A (ko) | 다(多)비트 출력 메모리 회로용 출력 회로 | |
KR0168774B1 (ko) | 이퀄라이징 펄스 제너레이터 | |
KR940012089A (ko) | 데이타 출력버퍼 | |
JPH07249978A (ja) | 出力回路装置 | |
KR960035640A (ko) | 반도체 메모리장치의 버퍼회로 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A201 | Request for examination | ||
G160 | Decision to publish patent application | ||
E701 | Decision to grant or registration of patent right | ||
GRNT | Written decision to grant | ||
FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20120127 Year of fee payment: 17 |
|
LAPS | Lapse due to unpaid annual fee |