KR950022114A - 프리차지 전압 발생회로 - Google Patents

프리차지 전압 발생회로 Download PDF

Info

Publication number
KR950022114A
KR950022114A KR1019930029287A KR930029287A KR950022114A KR 950022114 A KR950022114 A KR 950022114A KR 1019930029287 A KR1019930029287 A KR 1019930029287A KR 930029287 A KR930029287 A KR 930029287A KR 950022114 A KR950022114 A KR 950022114A
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
precharge voltage
circuit
low impedance
voltage generation
generation circuit
Prior art date
Application number
KR1019930029287A
Other languages
English (en)
Other versions
KR960002330B1 (ko
Inventor
오영남
Original Assignee
김주용
현대전자산업 주식회사
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 김주용, 현대전자산업 주식회사 filed Critical 김주용
Priority to KR1019930029287A priority Critical patent/KR960002330B1/ko
Priority to US08/358,755 priority patent/US5636169A/en
Priority to JP6320474A priority patent/JP2849557B2/ja
Priority to DE4446405A priority patent/DE4446405C2/de
Publication of KR950022114A publication Critical patent/KR950022114A/ko
Application granted granted Critical
Publication of KR960002330B1 publication Critical patent/KR960002330B1/ko

Links

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H03ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03KPULSE TECHNIQUE
    • H03K19/00Logic circuits, i.e. having at least two inputs acting on one output; Inverting circuits
    • GPHYSICS
    • G11INFORMATION STORAGE
    • G11CSTATIC STORES
    • G11C7/00Arrangements for writing information into, or reading information out from, a digital store
    • G11C7/12Bit line control circuits, e.g. drivers, boosters, pull-up circuits, pull-down circuits, precharging circuits, equalising circuits, for bit lines
    • GPHYSICS
    • G11INFORMATION STORAGE
    • G11CSTATIC STORES
    • G11C5/00Details of stores covered by group G11C11/00
    • G11C5/14Power supply arrangements, e.g. power down, chip selection or deselection, layout of wirings or power grids, or multiple supply levels
    • GPHYSICS
    • G11INFORMATION STORAGE
    • G11CSTATIC STORES
    • G11C5/00Details of stores covered by group G11C11/00
    • G11C5/14Power supply arrangements, e.g. power down, chip selection or deselection, layout of wirings or power grids, or multiple supply levels
    • G11C5/147Voltage reference generators, voltage or current regulators; Internally lowered supply levels; Compensation for voltage drops

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Computing Systems (AREA)
  • General Engineering & Computer Science (AREA)
  • Mathematical Physics (AREA)
  • Dram (AREA)
  • Static Random-Access Memory (AREA)

Abstract

본 발명은 비트라인 프리차지 시에 요구되는 이퀄라이징 특성을 빠르게 하기 위하여, 동작 모드에서 대기 모드로 전환되는 초기에 일정시간 동안만 동작하는 로우 임피던스 회로를 사용하여 구현한 프리차지 전압 발생회로에 관한 기술이다.

Description

프리차지 전압 발생회로
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제1도는 종래의 프리차지 전압 발생회로를 도시한 회로도.
제2도는 본 발명에 의한 프리차지 전압 발생회로의 실시예를 도시한 회로도.
* 도면의 주요부분에 대한 부호의 설명
1 : 바이어스 회로 2 : 드라이버 회로
3 : 하이 임피던스 회로 4 : 제1로우 임피던스 회로
5 : 제2로우 임피던스 회로

Claims (3)

  1. 반도체 소자의 프리차지 전압 발생회로에 있어서, 하이 임피던스 특성을 갖고 항상 동작하여, 출력단이 일정 전위를 유지할 수 있도록 일정 전류를 구동하는 하이 임피던스 회로와, 동작 모드에서 대기 모드(standby mode)로 전환하는 초기에 일정시간 동안만 동작하여, 출력단이 일정 전위를 유지할 수 있도록 전류를 구동하는 로우 임피던스 회로를 포함하는 것을 특징으로 하는 프리차지 전압 발생회로.
  2. 제1항에 있어서, 동작 모드(active mode)시에만 동작하여 출력단이 일정 전위를 유지할 수 있도록 전류를 구동하는 두번째 로우 임피던스 회로를 추가로 포함하는 것을 특징으로 하는 프리차지 전압 발생회로.
  3. 제1항 또는 제2항에 있어서, 상기 로우 임피던스 회로를 반도체 소자의 전체 동작을 제어하는/ RAS(Row Address Strobe) 신호에 의해 출력된 신호로 제어하는 것을 특징으로 하는 프리차지 전압 발생 회로.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
KR1019930029287A 1993-12-23 1993-12-23 프리차지 전압 발생회로 KR960002330B1 (ko)

Priority Applications (4)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1019930029287A KR960002330B1 (ko) 1993-12-23 1993-12-23 프리차지 전압 발생회로
US08/358,755 US5636169A (en) 1993-12-23 1994-12-19 Precharge voltage generator
JP6320474A JP2849557B2 (ja) 1993-12-23 1994-12-22 改良されたプレチャージ電圧発生装置
DE4446405A DE4446405C2 (de) 1993-12-23 1994-12-23 Halbleiterspeichereinrichtung mit einem Vorladespannungsgenerator

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1019930029287A KR960002330B1 (ko) 1993-12-23 1993-12-23 프리차지 전압 발생회로

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR950022114A true KR950022114A (ko) 1995-07-26
KR960002330B1 KR960002330B1 (ko) 1996-02-16

Family

ID=19372334

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1019930029287A KR960002330B1 (ko) 1993-12-23 1993-12-23 프리차지 전압 발생회로

Country Status (4)

Country Link
US (1) US5636169A (ko)
JP (1) JP2849557B2 (ko)
KR (1) KR960002330B1 (ko)
DE (1) DE4446405C2 (ko)

Families Citing this family (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH10112183A (ja) * 1996-10-08 1998-04-28 Nec Corp 半導体記憶装置
US5999469A (en) * 1998-03-04 1999-12-07 Lsi Logic Corporation Sense time reduction using midlevel precharge
JP3913377B2 (ja) * 1998-11-04 2007-05-09 富士通株式会社 半導体記憶装置
US20040183932A1 (en) * 2003-01-30 2004-09-23 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. Solid state imaging device
US20070070720A1 (en) * 2005-09-29 2007-03-29 Hynix Semiconductor Inc. Voltage generator for use in semiconductor device
US7986577B2 (en) * 2007-03-19 2011-07-26 Hynix Semiconductor Inc. Precharge voltage supplying circuit

Family Cites Families (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH0731908B2 (ja) * 1985-10-09 1995-04-10 株式会社東芝 半導体記憶装置
KR960009249B1 (ko) * 1987-04-24 1996-07-16 미다 가쓰시게 반도체 메모리
KR0133933B1 (ko) * 1988-11-09 1998-04-25 고스기 노부미쓰 기판바이어스 발생회로
JPH0341696A (ja) * 1989-07-10 1991-02-22 Sharp Corp 半導体記憶装置
GB9007793D0 (en) * 1990-04-06 1990-06-06 Foss Richard C Dram cell plate and precharge voltage generator
JPH04271090A (ja) * 1991-02-27 1992-09-28 Hitachi Ltd 半導体記憶装置
JPH0612896A (ja) * 1992-04-28 1994-01-21 Nec Corp 半導体記憶装置

Also Published As

Publication number Publication date
DE4446405A1 (de) 1995-06-29
DE4446405C2 (de) 2002-09-19
JP2849557B2 (ja) 1999-01-20
US5636169A (en) 1997-06-03
KR960002330B1 (ko) 1996-02-16
JPH07211072A (ja) 1995-08-11

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR100210716B1 (ko) 반도체 집적 회로 장치
KR970017598A (ko) 반도체 장치 및 그 제어 회로
KR930008859A (ko) 직류 전류를 제거한 데이타 출력 버퍼
KR960030231A (ko) 반도체 메모리장치의 전압 구동회로
KR920020717A (ko) 기판 바이어스 전압 발생 회로
KR970051206A (ko) 저전력용 센스앰프회로
KR950022107A (ko) 출력 트랜지스터에 연결된 게이트 전류 제어 트랜지스터의 게이트 전압제어 회로를 갖는 출력 버퍼 회로
IE52401B1 (en) Buffer amplifier circuit and address buffer circuit using such buffer amplifier circuit
KR880008336A (ko) 반도체 집적회로 장치
KR950022114A (ko) 프리차지 전압 발생회로
KR890007430A (ko) 반도체 장치의 출력회로
KR970051107A (ko) 내부전원전압 공급장치
JP2000021179A (ja) ブースト回路及びこれを用いた半導体装置
KR980005000A (ko) 반도체 메모리 장치
KR940025178A (ko) 데이터 출력회로
KR970051254A (ko) 반도체 메모리장치의 센스앰프 회로
KR900002516A (ko) 메모리장치의 공급전압 안정화회로
KR940018988A (ko) 어드레스 변이 검출을 발생시키는 어드레스 버퍼(An address buffer for generating an address transition detection)
KR980006913A (ko) 입력 누설전류가 없는 자동 모드 선택 장치
KR100280396B1 (ko) 센스앰프구동회로
KR950012459A (ko) 다(多)비트 출력 메모리 회로용 출력 회로
KR0168774B1 (ko) 이퀄라이징 펄스 제너레이터
KR940012089A (ko) 데이타 출력버퍼
JPH07249978A (ja) 出力回路装置
KR960035640A (ko) 반도체 메모리장치의 버퍼회로

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
G160 Decision to publish patent application
E701 Decision to grant or registration of patent right
GRNT Written decision to grant
FPAY Annual fee payment

Payment date: 20120127

Year of fee payment: 17

LAPS Lapse due to unpaid annual fee