KR920020717A - 기판 바이어스 전압 발생 회로 - Google Patents

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나오카즈 미야와키
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아오이 죠이치
가부시기가이샤 도시바
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Abstract

내용 없음

Description

기판 바이어스 전압 발생 회로
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제1도는 본 발명의 일실시예에 의한 기판 바이어스 전압 발생 회로의 구성을 나타낸 회로도.
제2도는 동 기판 바이어스 전압 발생 회로가 단독 동작 상태에 있을때의 동작 파형을 나타낸 타이밍차트.
제3도는 본 발명의 다른 실시예에 의한 기판 바이어스 전압 발생 회로에 있어서의 기판 바이어스 전압 검지 회로의 구성을 나타낸 회로도.

Claims (2)

  1. 반도체 기판에 인가된 기판 바이어스 전압을 검지하고, 기판 바이어스 전압 검지 신호를 출력하는 기판 바이어스 전압 검지 회로(1)와, 상기 기판 바이어스 전압 검지 회로에서 출력된 상기 바이어스 전압 검지 신호가 주어지고, 상기 기판 바이어스 전압의 절대치가 소정치 이하일 경우에는 구동 신호를 출력하며, 상기 기판 바이어스전압의 절대치가 소정치보다도 높을 경우에는 상기 구동 신호의 출력을 정지하는 기판 바이어스 구동 회로(2)와, 상기 기판 바이어스 구동 회로에서 상기 구동 신호가 주어지면, 상기 기판 바이어스 전압을 발생하는 전하 펌프회로(3)를 구비하고, 상기 기판 바이어스 전압 검지 회로를 구성하는 반도체 소자는 P채널 트랜지스터(P2)의 게이트와, N채널 트랜지스터의 백바이어스 전압이 인가되는 기판 단자만이 반도체 기판과 접속되어 있는 것을 특징으로 하는 기판 바이어스 전압 발생 회로.
  2. 제1항에 있어서, 상기 기판 바이어스 전압 검지 회로는 일단이 전원 전압 단자에 접속된 정상적으로 온 상태의 부하 소자(P1, R)와, 상기 부하 소자의 타단에 일단이 접속되고, 타단이 접지 전압 단자에 접속되며, 게이트에 기판 바이어스 전압이 공급되는 P채널 트랜지스터(P2)를 갖는 드라이버 회로를 구비하고, 상기 부하 소자와 상기 드라이버 회로를 접속하는 노드에서 상기 기판 바이어스 전압 검지 신호를 발생하는 것을 특징으로 하는 기판 바이어스 전압 발생 회로.
    * 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
KR1019920005797A 1991-04-08 1992-04-08 기판 바이어스 전압 발생 회로 KR960011810B1 (ko)

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Families Citing this family (22)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP3253726B2 (ja) * 1993-02-26 2002-02-04 株式会社東芝 半導体記憶装置の基板バイアス発生回路および基板バイアスレベルの制御方法
JP3379050B2 (ja) * 1993-11-15 2003-02-17 富士通株式会社 半導体装置
JP3110262B2 (ja) * 1993-11-15 2000-11-20 松下電器産業株式会社 半導体装置及び半導体装置のオペレーティング方法
US5461591A (en) * 1993-12-02 1995-10-24 Goldstar Electron Co., Ltd. Voltage generator for semiconductor memory device
JP2982591B2 (ja) * 1993-12-17 1999-11-22 日本電気株式会社 基板電位検知回路
JP3085073B2 (ja) * 1994-01-24 2000-09-04 富士通株式会社 スタティックｒａｍ
JP2812230B2 (ja) * 1995-02-15 1998-10-22 日本電気株式会社 バイアス電圧発生回路
US5694072A (en) * 1995-08-28 1997-12-02 Pericom Semiconductor Corp. Programmable substrate bias generator with current-mirrored differential comparator and isolated bulk-node sensing transistor for bias voltage control
JP3597281B2 (ja) * 1995-11-28 2004-12-02 株式会社ルネサステクノロジ 電位検出回路及び半導体集積回路
JP3614546B2 (ja) * 1995-12-27 2005-01-26 富士通株式会社 半導体集積回路
US5917365A (en) * 1996-04-19 1999-06-29 Texas Instruments Incorporated Optimizing the operating characteristics of a CMOS integrated circuit
JPH09293789A (ja) * 1996-04-24 1997-11-11 Mitsubishi Electric Corp 半導体集積回路
US6064250A (en) * 1996-07-29 2000-05-16 Townsend And Townsend And Crew Llp Various embodiments for a low power adaptive charge pump circuit
US5907255A (en) * 1997-03-25 1999-05-25 Cypress Semiconductor Dynamic voltage reference which compensates for process variations
KR100271633B1 (ko) * 1997-11-01 2000-11-15 김영환 지연회로
JP4337709B2 (ja) 2004-11-01 2009-09-30 日本電気株式会社 半導体集積回路装置
KR100733407B1 (ko) 2005-06-30 2007-06-29 주식회사 하이닉스반도체 반도체 메모리 소자의 벌크 바이어스 전압 레벨 검출기
US7573306B2 (en) * 2006-01-31 2009-08-11 Kabushiki Kaisha Toshiba Semiconductor memory device, power supply detector and semiconductor device
US8947158B2 (en) * 2012-09-03 2015-02-03 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and electronic device
US9264040B2 (en) * 2013-12-19 2016-02-16 Freescale Semiconductor, Inc. Low leakage CMOS cell with low voltage swing
US9704581B2 (en) * 2014-12-27 2017-07-11 Intel Corporation Voltage ramping detection
CN112019042B (zh) * 2020-09-10 2024-05-24 深圳市爱协生科技股份有限公司 一种多电源域电荷泵的开关管衬底的动态偏置电路及方法

Family Cites Families (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS59193056A (ja) * 1983-04-15 1984-11-01 Hitachi Ltd 基板バイアス電圧発生回路
JPS6216556A (ja) * 1985-07-15 1987-01-24 Toshiba Corp 基板バイアス発生回路
NL8701278A (nl) * 1987-05-29 1988-12-16 Philips Nv Geintegreerde cmos-schakeling met een substraatvoorspanningsgenerator.
US5122680A (en) * 1990-10-29 1992-06-16 International Business Machines Corporation Precision hysteresis circuit

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Publication number Publication date
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KR960011810B1 (ko) 1996-08-30
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JPH04309258A (ja) 1992-10-30

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