KR920005479A - Mos드라이버회로 - Google Patents

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KR920005479A
KR920005479A KR1019900012348A KR900012348A KR920005479A KR 920005479 A KR920005479 A KR 920005479A KR 1019900012348 A KR1019900012348 A KR 1019900012348A KR 900012348 A KR900012348 A KR 900012348A KR 920005479 A KR920005479 A KR 920005479A
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Abstract

내용 없음.

Description

MOS 드라이버회로
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제 1 도는 종래의 MOS드라이버의 회로도.
제2a도는 낮은 Vcc에서의 종래의 MOS드라이버의 각부파형도.
제2b도는 높은 Vcc에서의 종래의 MOS드라이버의 각부파형도.
제 3 도는 본 발명에 의한 MOS드라이버의 회로도.
제4a도는 낮은 Vcc에서의 본 발명에 의한 MOS드라이버의 각부파형도.
제4b도는 높은 Vcc에서의 본 발명에 의한 MOS드라이버의 각부파형도.
* 도면의 주요부분에 대한 부호의 설명
NA1∼NA3 : NAND게이트 INT1, INT2 : 인버터
M1∼M2 : MOS트랜지스터 Cb : 부트스트랩 캐피시터
N1 : 부스팅노드 OT : 출력단자
CL : 클램핑수단 CP : 클램퍼수단
SW : 스위치수단 GN : 발생수단
N2' : 기준전압출력노드 BT : 부스팅수단
OE : 출력인에이블신호: 칩인이블신호
DB,: 입력신호

Claims (5)

  1. 드레인전극이 공급전압에 결합되고 소오스전극이 출력단자에 연결되고, 상기 출력단자를 "하이"상태로 구동시에 부스트된 전압이 인가되는 부스팅노드에 게이트 전극이 연결되는 풀업 NMOS트랜지스터 ; 및 드레인전극이 상기 출력단자에 연결되고, 소오스 전극이 접지전압에 결합되고, 상기 출력단자를 "로우"상태로 구동시에 턴온되는 풀다운 NMOS트랜지스터를 구비한 MOS드라이버회로에 있어서, 상기 부스팅노드에 인가되는 상기 부스트된 전압값이 설정된 전압값보다 클 때에는 상기 부스팅노드로부터 상기 출력노드로의 전류통로를 개방시켜 상기 설정된 전압값으로 상기 부스트된 전압값을 클램핑시키기 위한 클램퍼 수단을 구비하여서 된 것을 특징으로 하는 MOS드라이버회로.
  2. 제 1 항에 있어서, 상기 클램퍼수단은 상기 공급전압의 변동에 관계없이 일정한 기준전압을 발생하기 위한 발생수단 ; 및 상기 부스팅노드와 출력노드 사이에 연결되어 그의 제어전극에 가해지는 상기 발생수단의 기준전압과 자신의 스레쉬홀드전압의 합보다 상기 부스팅노드에 가해지는 부스트된 전압값이 더 클때에 턴온되는 스위치수단을 구비한 것을 특징으로 하는 MOS드라이버회로.
  3. 제 2 항에 있어서, 상기 발생수단은 상기 공급전압과 기준전압출력단자 사이에 연결되어 인에이블신호에 응답하여 턴온/턴오프되는 PMOS트랜지스터 ; 상기 기준전압출력단자와 상기 접지전압 사이에 순방향으로 연결되어 상기 기준전압을 제공하기 위한 n개의 다이오드 ; 상기 기준전압출력단자와 상기 n개의 다이오드 사이에 연결된그의 게이트전극에 가해지는 공급전압과 그의 소오스전극에 가해지는 기준전압의 차가 그의 스레쉬홀드 전압값의 이상이면 턴온되고 이하이면 턴오프되는 NMOS트랜지스터를 구비한 것을 특징으로 하는 MOS드라이버회로.
  4. 제 2 항에 있어서, 상기 스위치수단은 소오스전극이 상기 부스팅노드에 연결되고, 게이트 전극이 상기 기준전압과 결합되며, 드레인전극을 가지는 제 1 PMOS트랜지스터 ; 및 소오스전극이 상기 제 1 PMOS트랜지스터의 드레인전극이 연결되고, 드레인전극이 상기 출력노드에 연결되고 게이트전극이 상기 기준전압과 결합되는 제 2 PMOS트랜지스터를 구비하여서 된것을 특징으로 하는 MOS드라이버회로.
  5. 제 1 항에 있어서, 상기 클램퍼수단의 설정된 전압값을 정규의 공급전압값과 적어도 하나이상의 MOS트랜지스터의 스레쉬홀드전압값들의 합으로 설정하는 것을 특징으로 하는 MOS드라이버회로.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
KR1019900012348A 1990-08-10 1990-08-10 Mos 드라이버회로 KR930003010B1 (ko)

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IT02192590A IT1246491B (it) 1990-08-10 1990-10-30 Circuito pilota mos
JP2295171A JPH0821850B2 (ja) 1990-08-10 1990-10-31 Ｍｏｓドライバー回路
FR9013544A FR2665775B1 (fr) 1990-08-10 1990-10-31 Circuit de commande en technologie mos.
US07/621,829 US5065049A (en) 1990-08-10 1990-12-04 MOS driver circuit having clamp means to hold the output voltage constant regardless of variations in the operating voltage

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Families Citing this family (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE4128290C1 (ko) * 1991-08-27 1992-12-03 Samsung Electronics Co., Ltd., Suwon, Kr
US5367210A (en) * 1992-02-12 1994-11-22 Lipp Robert J Output buffer with reduced noise
KR940005509B1 (ko) * 1992-02-14 1994-06-20 삼성전자 주식회사 승압단속회로및이를구비하는출력버퍼회로
US5248907A (en) * 1992-02-18 1993-09-28 Samsung Semiconductor, Inc. Output buffer with controlled output level
US5457433A (en) * 1993-08-25 1995-10-10 Motorola, Inc. Low-power inverter for crystal oscillator buffer or the like
US5483179A (en) * 1994-04-20 1996-01-09 International Business Machines Corporation Data output drivers with pull-up devices
US6072353A (en) * 1995-04-26 2000-06-06 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. Logic circuit with overdriven off-state switching
US6118326A (en) * 1997-11-06 2000-09-12 Analog Devices, Inc. Two-phase bootstrapped CMOS switch drive technique and circuit
US7768309B2 (en) * 2007-12-03 2010-08-03 Luich Thomas M Low-noise PECL output driver
CN103580675B (zh) * 2012-07-24 2016-06-29 原景科技股份有限公司 驱动电路
CN103580677B (zh) * 2012-07-24 2016-09-28 原景科技股份有限公司 驱动电路

Family Cites Families (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4500799A (en) * 1980-07-28 1985-02-19 Inmos Corporation Bootstrap driver circuits for an MOS memory
US4484092A (en) * 1982-03-22 1984-11-20 Motorola, Inc. MOS Driver circuit having capacitive voltage boosting
US4458159A (en) * 1982-06-25 1984-07-03 International Business Machines Corporation Large swing driver/receiver circuit
JPS60113524A (ja) * 1983-11-24 1985-06-20 Yokogawa Hokushin Electric Corp アナログスイッチ回路
US4678944A (en) * 1985-05-13 1987-07-07 Advanced Micro Devices, Inc. Circuit for improving performance of an ECL-to-TTL translator
US4866308A (en) * 1988-04-11 1989-09-12 International Business Machines Corporation CMOS to GPI interface circuit
US4972104A (en) * 1988-06-03 1990-11-20 Fairchild Semiconductor Corporation TTL totem pole anti-simultaneous conduction circuit
JPH0626308B2 (ja) * 1988-07-08 1994-04-06 株式会社東芝 出力回路
US5021686B1 (en) * 1989-01-25 1994-03-15 Hitachi, Ltd. Logic circuit
US4998029A (en) * 1989-07-03 1991-03-05 Motorola, Inc. Dual supply ECL to TTL translator

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GB9023485D0 (en) 1990-12-12
US5065049A (en) 1991-11-12

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