KR930005023A - 반도체 메모리의 고속 센싱장치 - Google Patents

반도체 메모리의 고속 센싱장치 Download PDF

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Abstract

내용 없음.

Description

반도체 메모리의 고속 센싱장치
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제3도는 본 발명에 따른 센싱클럭 발생 회로도,
제4도는 본 발명의 센싱 동작을 설명하는 타이밍도.

Claims (13)

  1. 한쌍의 비트라인과 한쌍의 입출력 라인사이에 연결된 컬럼 게이트를 가지는 반도체 메모리장치에 있어서,상기 한쌍의 비트라인사이에 연결되고 하나의 방전노드를 가진 센스앰프(12)와, 상기 방정노드와 집지전압단사이에 연결된 전류통로와 상기 전류통로를 제어하는 전극을 가지는 풀다운 트랜지스터와, 상기 풀다운 트랜지스터의 제어전극에 접속된 출력노으돠, 충전노드와, 상기 충전노드와 출력노드사이에 채널이 연결되고 소정의 제1신호에 응답하는 피모오스 트랜지스터(51)와, 상기 출력노드와 접지전압단사이에 채널이 연결되고 상기 제1신호에응답하는 엔모오스 트랜지스터952)와, 상기 제1신호를 입력하고 상기 제1신호에 따라 동작하는 제1캐패시터를가지며 상기 충전노드에 연결된 제1부우스트회로와, 소정의 제2신호를 입력하고 상기 제2신호에 따라 동작하는제2캐패시터를 가지며 상기 충전노드에 연결된 제2부우스트회로와, 상기 제2신호를 입력하며 상기 컬럼 게이트를제어하는 신호를 출력하는 회로로 구성됨을 특징으로 하는 고속 센싱장치.
  2. 제1항에 있어서, 상기 제1신호가 로우어드레스 스트로브신호에 따름을 특징으로 하는 고속 센싱장치.
  3. 제1항에 있어서, 상기 제2신호가 컬럼 디코더로부터 출력되는 신호임을 특징으로 하는 고속 센싱장치.
  4. 제1항에 있어서, 상기 제1부우스트회로가 상기 제1신호의 반전된 신호와 상기 제2신호를 입력하고 상기 제1캐패시터의 일전극에 출력이 연결된 노아게이트와, 상기 제1캐패시터의 타전극에 게이트가 접속되고 전원전압단과 상기 충전노드사이에 채널이 연결된 절연게이트전계효과 트랜지스터를 더 구비함을 특징으로 하는 고속 센싱장치.
  5. 제1항에 있어서, 상기 제2부우스트회로가 상기 제2신호와 제1신호를 입력하는 낸드게이트와, 상기 낸드게이트의 출력을 반전시켜 상기 제2캐패시터의 일전극으로 인가하는 인버터를 더 구비하며, 상기 제2캐패시터의 타전극이 상기 충전노드에 연결되어 있음을 특징으로 하는 고속 센싱장치.
  6. 제1항에 있어서, 상기 회로가 상기 제2신호와 컬럼어드레스 신호를 입력하는 낸드게이트와, 상기 낸드게이트의 출력을 반전시켜 상기 컬럼게이트로 공급하는 인버터를 구비함을 특징으로 하는 고속 센싱장치.
  7. 제1항에 있어서, 상기 피모오스 트랜지스터의 게이트가 상기 제1신호의 지연 및 반전된 신호를 받으며, 상기 엔모오스 트랜지스터의 게이트가 상기 제1신호의 반전된 신호를 받음을 특징으로 하는 고속 센싱장치.
  8. 한쌍의 비트라인 사이에 게이트가 크로스 커플된 두개의 엠모오스 트랜지스터로 이루어진 센스앰프를 가지는 반도체 메모리 장치에 있어서, 상기 엔모오스 트랜지스터들의 사이에 놓인 방전노오드와 접지 전압단 사이에 형성된 전류통로와 상기 전류통로를 제어하는 제어전극을 가지는 풀다운 수단과, 충전노드와, 상기 제1신호에 응답하여 상기 풀다운 수단을 제어하며 상기 충전노오드와 접지전압단 사이에 연결된 메인 드라이버와, 상기 제1신호에 응답하는 제1캐패시터를 가지며 상기 충전노드를 제1전압레벨로 충전시키는 제1부우스트회로와, 제2신호에 응바하는 제2캐패시터를 가지며 상기 충전노드를 제2전압레벨로 충전시키는 제2부우스트 회로로 구성됨을 특징으로 하는 고속 센싱장치.
  9. 제8항에 있어서, 상기 충전노드가 상기 메인 드라이버의 전원전압원이 됨을 특징으로 하는 고속 센싱장치,
  10. 제8항 또는 제9항에 있어서, 상기 메인 드리이버가 상기 충전노드와 제어전극 사이에 채널이 연결되고 상기 제1신호의 지연 및 반전된 신호에 게이트가 연결된 풀업 트랜지스터 (51)와, 상기 제어전극과 접지 전압단 사이에 채널이 연결되고 상기 제1신호의 반전된 신호에 게이트가 연결된 풀다운 트랜지스터로 구성됨을 특징으로 하는 고속 센싱장치.
  11. 제8항에 있어서, 상기 제1신호가 로우 어드레스 스토로브 신호에 따름을 특징으로 하는 고속 센싱장치.
  12. 제8항에 있어서, 상기 제2신호가 컬럼 디코더로부터 출력되는 신호임을 특징으로 하는 고속 센싱장치.
  13. 제8항에 있어서, 상기 제2전압 레벨이 상기 전압 레벨보다 높음을 특징으로 하는 고속 센싱장치.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
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