KR960025713A - 링 발진기 - Google Patents

링 발진기 Download PDF

Info

Publication number
KR960025713A
KR960025713A KR1019940040569A KR19940040569A KR960025713A KR 960025713 A KR960025713 A KR 960025713A KR 1019940040569 A KR1019940040569 A KR 1019940040569A KR 19940040569 A KR19940040569 A KR 19940040569A KR 960025713 A KR960025713 A KR 960025713A
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
node
ring oscillator
control signal
inverter
gate
Prior art date
Application number
KR1019940040569A
Other languages
English (en)
Other versions
KR0137992B1 (ko
Inventor
오영남
Original Assignee
김주용
현대전자산업 주식회사
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 김주용, 현대전자산업 주식회사 filed Critical 김주용
Priority to KR1019940040569A priority Critical patent/KR0137992B1/ko
Priority to TW084113340A priority patent/TW346726B/zh
Priority to US08/574,134 priority patent/US5606292A/en
Priority to GB9525965A priority patent/GB2296612B/en
Publication of KR960025713A publication Critical patent/KR960025713A/ko
Application granted granted Critical
Publication of KR0137992B1 publication Critical patent/KR0137992B1/ko

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03K—PULSE TECHNIQUE
    • H03K3/00—Circuits for generating electric pulses; Monostable, bistable or multistable circuits
    • H03K3/01—Details
    • H03K3/012—Modifications of generator to improve response time or to decrease power consumption
    • H—ELECTRICITY
    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03K—PULSE TECHNIQUE
    • H03K3/00—Circuits for generating electric pulses; Monostable, bistable or multistable circuits
    • H03K3/02—Generators characterised by the type of circuit or by the means used for producing pulses
    • H03K3/027—Generators characterised by the type of circuit or by the means used for producing pulses by the use of logic circuits, with internal or external positive feedback
    • H03K3/03—Astable circuits
    • H03K3/0315—Ring oscillators

Landscapes

  • Logic Circuits (AREA)
  • Dram (AREA)
  • Semiconductor Integrated Circuits (AREA)
  • Electronic Switches (AREA)
  • Manipulation Of Pulses (AREA)
  • Stabilization Of Oscillater, Synchronisation, Frequency Synthesizers (AREA)

Abstract

발명은 반도체 소자의 링 발진기에 관한 것으로, 상기 링 발진기의 인버터 체인부에서 발생하는 커런트의 소모를 최대한 줄이기 위하여 전압 축수 인버터 로직으로 인버터 체인부를 구성하고, 상기 인버터 체인부의 임의의 노드에서 출력된신호와 기준전압(Vref)이 입력되어 비교 증폭되는 비교기의 출력신호를 생성하고, 상기 비교기의 출력신호에 드라이버단의 부하를 고려하여 버퍼접속을 추가한 드라이브를 구현하였다.

Description

링 발진기
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제2도는 본 발명에 따른 링 발진기의 블럭도, 제3도는 본 발명의 제1실시예에 따른 링 발진기의 회로도, 제4도는 본 발명에 사용된 소자의 등가 회로도.

Claims (6)

  1. 반도체 소자의 링 발전기에 있어서, 소정의 제어신호(cont)의 전압상태에 따라 동작되어 일정 주기의 펄스를 발생시키기 위한 인버터 체인수단과, 상기 인버터 체인수단으로 부터의 출력펄스 및 기준전압(Vref)을 비교증폭 하여일정 주기의 펄스를 발생시키기 위한 비교수단을 구비하는 것을 특징으로 하는 링 발진기.
  2. 제 1 항에 있어서, 상기 비교수단으로 부터의 출력펄스를 완충하여 출력단자로 전달하기 위한 드라이버 수단을 추가로 구비하는 것을 특징으로 하는 링 발진기.
  3. 제 2 항에 있어서, 상기 드라이버 수단은, 상기 노드(N7) 및 출력단자(N10) 사이에 직렬접속된 안버터(G13,G14)로 구성된 것을 특징으로 하는 링 발진기.
  4. 제 1 항에 있어서, 상기 인버터 체인수단 및 상기 비교수단에 제어신호가 접속된 것을 특징으로 하는 링발진기.
  5. 제 1 항에 있어서, 상기 인버터 체인수단은, 상기 제어신호(cont) 및 노드(N5)의 신호를 논리조합한 신호를 노드(N4)로 출력하기 위한 NAND게이트(G8)와, 상기 노드(N4) 및 상기 노드(N5) 사이에 직렬접속된 인버터(G9 내지G12)로 구성된 것을 특징으로 하는 링 발진기.
  6. 제 1 항에 있어서, 상기 비교수단은, 전원전압(Vcc) 및 노드(N7) 사이에 접속된 PMOS트랜지스터(Q1)와, 전원전압(Vcc) 및 노드(N8) 사이에 접속된 PMOS트랜지스터(Q2)와, 상기 PMOS트랜지스터(Q1,Q2)의 게이트가 공통으로 접속된상기 노드(N8)와, 상기 노드(N7) 및 노드(N9) 사이에 접속되며 게이트가 상기 노드(N5)에 연결된 NMOS트랜지스터(Q3)와,상기 노드(N8) 및 노드(N9) 사이에 접속되며 게이트에 기준전압(Vref)이 연결된 NMOS트랜지스터(Q4)와, 상기 노드(N9) 및접지전압(Vss) 사이에 접속되며 게이트에 제어신호(cont)가 인가되는 NMOS트랜지스터(Q5)와, 전원전압(Vcc) 및 상기 노드(N7)사이에 접속되며 게이트에 제어신호(cont)가 인가되는 PMOS트랜지스터(Q6)로 구성된 것을 특징으로 하는 링 발진기.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
KR1019940040569A 1994-12-31 1994-12-31 링 발진기 KR0137992B1 (ko)

Priority Applications (4)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1019940040569A KR0137992B1 (ko) 1994-12-31 1994-12-31 링 발진기
TW084113340A TW346726B (en) 1994-12-31 1995-12-14 Ring oscillator for semiconductor device
US08/574,134 US5606292A (en) 1994-12-31 1995-12-18 Ring oscillator having its output amplified in a comparator
GB9525965A GB2296612B (en) 1994-12-31 1995-12-19 Ring oscillator for semiconductor device

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1019940040569A KR0137992B1 (ko) 1994-12-31 1994-12-31 링 발진기

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR960025713A true KR960025713A (ko) 1996-07-20
KR0137992B1 KR0137992B1 (ko) 1998-06-15

Family

ID=19406206

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1019940040569A KR0137992B1 (ko) 1994-12-31 1994-12-31 링 발진기

Country Status (4)

Country Link
US (1) US5606292A (ko)
KR (1) KR0137992B1 (ko)
GB (1) GB2296612B (ko)
TW (1) TW346726B (ko)

Families Citing this family (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6298446B1 (en) * 1998-06-14 2001-10-02 Alchemedia Ltd. Method and system for copyright protection of digital images transmitted over networks
US6463334B1 (en) * 1998-11-02 2002-10-08 Cardiac Pacemakers, Inc. Extendable and retractable lead
JP2000059185A (ja) * 1998-08-14 2000-02-25 Nec Corp 同期遅延回路
DE19856932A1 (de) * 1998-12-10 2000-06-15 Bosch Gmbh Robert Klirrgedämpfte Oszillatorschaltung
US6463570B1 (en) * 2000-07-26 2002-10-08 Advanced Micro Devices Apparatus and method for verifying process integrity
JP2010183269A (ja) * 2009-02-04 2010-08-19 Elpida Memory Inc 半導体装置
US8368728B2 (en) * 2009-02-24 2013-02-05 Chunghwa Picture Tubes, Ltd. Adaptive feedback control method of FSC display
KR101640470B1 (ko) * 2014-09-25 2016-07-18 재단법인 구미전자정보기술원 저전력 전압제어발진기
US10361190B2 (en) * 2015-07-15 2019-07-23 Mediatek Inc. Standard cell circuitries
CN110071704A (zh) * 2019-04-26 2019-07-30 成都锐成芯微科技股份有限公司 一种环形rc振荡器电路

Family Cites Families (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4388536A (en) * 1982-06-21 1983-06-14 General Electric Company Pulse generator for IC fabrication
US5285483A (en) * 1992-04-07 1994-02-08 Seiko Epson Corporation Phase synchronization circuit
JP3170038B2 (ja) * 1992-05-19 2001-05-28 株式会社東芝 不揮発性半導体記憶装置
US5272453A (en) * 1992-08-03 1993-12-21 Motorola Inc. Method and apparatus for switching between gain curves of a voltage controlled oscillator
US5416446A (en) * 1992-12-08 1995-05-16 At&T Corp. Digital programmable frequency generator
JP3265045B2 (ja) * 1993-04-21 2002-03-11 株式会社東芝 電圧制御発振器
US5442325A (en) * 1993-10-08 1995-08-15 Texas Instruments Incorporated Voltage-controlled oscillator and system with reduced sensitivity to power supply variation

Also Published As

Publication number Publication date
GB2296612A (en) 1996-07-03
TW346726B (en) 1998-12-01
US5606292A (en) 1997-02-25
GB9525965D0 (en) 1996-02-21
GB2296612B (en) 1999-07-21
KR0137992B1 (ko) 1998-06-15

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR100310493B1 (ko) 링 발진기 및 지연 회로
KR920015551A (ko) 기판 전위 검출 회로를 가진 반도체 집적회로 장치
KR920020717A (ko) 기판 바이어스 전압 발생 회로
KR950007285A (ko) 플립플롭형 증폭 회로
KR940027316A (ko) 저전력 모드 및 클럭 증폭기 회로를 가진 집적 회로
KR970055264A (ko) 차동 증폭기
KR940017201A (ko) 데이타 출력 버퍼
KR960025713A (ko) 링 발진기
KR970013732A (ko) 멀티파워를 사용하는 데이타 출력버퍼
KR920013441A (ko) 반도체집적회로
KR950016002A (ko) 3치 입력 버퍼 회로
KR940025178A (ko) 데이터 출력회로
JP3769310B2 (ja) 入力回路
JPH0555905A (ja) Ｃｍｏｓ論理ゲート
KR0179776B1 (ko) 워드라인 구동장치
KR100192571B1 (ko) 바이 씨 모오스 센스 앰프의 레벨 컨버터 회로
KR980006880A (ko) 반도체 메모리 장치의 출력 버퍼
KR950020695A (ko) 고전위 전달회로
KR0120586B1 (ko) 데이타 출력버퍼
KR960006281A (ko) 반도체 소자의 어드레스 버퍼 회로
KR960025710A (ko) 게이트 산화막의 스트레스를 줄인 하이 전압(Vpp) 펌프 회로
KR970076798A (ko) 반도체 메모리장치의 내부 전원전압 발생회로
KR970008171A (ko) 반도체 메모리 소자의 펄스 폭 제어 회로
KR970019060A (ko) 데이타 출력버퍼
KR970031311A (ko) 데이타 출력 버퍼

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
E701 Decision to grant or registration of patent right
GRNT Written decision to grant
FPAY Annual fee payment

Payment date: 20120127

Year of fee payment: 15

LAPS Lapse due to unpaid annual fee