KR980006880A - 반도체 메모리 장치의 출력 버퍼 - Google Patents
반도체 메모리 장치의 출력 버퍼 Download PDFInfo
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Abstract
본 발명은 풀업크랜지스터(P1)의 턴-온 신호레벨을 소정시간 동안에 소정값만큼 낮추도록 풀업트랜지스터(P1)의 게이트 단자 노드(D1)에 제 1 레벨변환부(1000)를 형성하고, 마찬가지로 풀다운트랜지스터(N1)의 턴-온신호레벨을 소정시간에 소정값만큼 올리도록 풀다운트랜지스터(N1)의 게이트 단자노드(D2)에 제2 레벨변환부(2000)를 형성하여, 출력 버퍼의 풀업트랜지스터(P1)및 풀다운트랜지스터(N1)가 구동할 시 그 모스트랜지스터에 흐르는 피크전류를 감소시켜 노이즈의 발생을 방지한다.
Description
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제2도는 본 발명의 일실시예에 따른 반도체 메모리 장치의 출력 버퍼 상세 회로도이다.
Claims (7)
- 풀업트랜지스터 및 풀다운트랜지스터를 포함하는 반도체 메모리 장치의 출력 버퍼에 있어서, 상기 풀업트랜지스터 및 풀다운 트랜지스터의 피크전류를 감소시키도록 상기 풀업트랜지스터 및 풀다운트랜지스터의 턴-온 신호레벨을 주기적인 소정시간 동안에 소정값으로 변화시키는 레벨변화수단을 구비하는 것을 특징으로 하는 반도체 메모리 장치의 출력 버퍼.
- 제 1 항에 있어서, 상기 레벨변화수단은 상기 풀업트랜지스터 및 풀다운트랜지스터의 각 턴-온 신호레벨을 모스트랜지스터의 소정 문턱전압값만큼 변화시키는 것을 특징으로 하는 반도체 메모리 장치의 출력 버퍼.
- 제 1 항에 있어서, 상기 레벨변환수단은 풀업 및 풀다운 트랜지스터의 게이트 단자를 각각 구동하는 제1및 제2레벨변환수단으로 구성되는 것을 특징으로 하는 반도체 메모리 장치의 출력 버퍼.
- 제3항에 있어서, 상기 제1레벨변환수단은 풀업트랜지스터의 게이트 단자 노드 전단에 직렬로 연결된 적어도 두개 이상의 짝수개 CMOS 인버터; 및 마지막 반전을 수행하는 제1 CMOS 인버터가 하이레벨을 반전시켜 로우레벨을 전달할 때 상기 제1 CMOS인버터를 제어하여 펄스가 발생되는 일정시간 동안에만 모스트랠지스터의 뭄턱전압값만큼 상승된 신호레벨을 전달하는 제어회로수단을 구비하는 것을 특징으로하는 반도체 메모리 장치의 출력 버퍼.
- 제 4 항에 있어서, 상기 제어회로수단은 로우 펄스를 생성하는 노아(NOR)게이트; 상기 노아 게이트 출력을 반전시키는 인버터; 상기 인버터의 출력에 제어받아 접지전압을 상기 제1 CMOS인버터의 제 1N채널 모스트랜지스터의 소오스 단자에 스위칭하는 제2 N채널 모스트랜지스터; 및 접지전압과 상기 제1 N채널 모스트랜지스터의 소오스 단자 사이에 다이오드 접속되어 문턱전압값의 변화를 제공하는 제2 N채널 모스트랜지스터를 구비하는 것을 특징으로하는 반도체 메모리 장치의 출력 버퍼.
- 제 3 항에 있어서, 상기 제2레벨변환수단은 풀다운트랜지스터의 게이트 단자 노드 전단에 직렬로 연결된 적어도 두 개 이상의 짝수개 CMOS 인버터; 및 마지막 반전을 수행하는 제 1 CMOS 인버터가 로우레벨을 반전시켜 하이레벨을 전달할 때 상기 제1 CMOS인버터를 제어하여 펄스가 발생되는 일정시간 동안에만 모스트랜지스터의 문턱전압값만큼 하강된 신호레벨을 전달하는 제어회로수단을 구비하는 것을 특징으로 하는 반도체 메모리 장치의 출력 버퍼.
- 제 6 항에 있어서, 상기 제어회로수단은 하이 펄스를 생성하는 낸드(NAND)게이트; 상기 내드 게이트의 출력을 반전시키는 인버터; 상기 인버터의 출력에 제어받아 전원전압을 상기 제1 CMOS인버터의 제1 P채널 모스트랜지스터의 소오스 단자에 스위칭하는 제1 P채널 모스트랜지스터; 및 전원전압과 상기 제1 P채널 모스트랜지스터의 소오스 단자에 다이오드 접속되어 문턱전압값의 변화를 제공하는 제2 P채널 모스트랜지스터를 구비하는 것을 특징으로하는 반도체 메모리 장치의 출력 버퍼.※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1019960024667A KR980006880A (ko) | 1996-06-27 | 1996-06-27 | 반도체 메모리 장치의 출력 버퍼 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1019960024667A KR980006880A (ko) | 1996-06-27 | 1996-06-27 | 반도체 메모리 장치의 출력 버퍼 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| KR980006880A true KR980006880A (ko) | 1998-03-30 |
Family
ID=66240547
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| KR1019960024667A KR980006880A (ko) | 1996-06-27 | 1996-06-27 | 반도체 메모리 장치의 출력 버퍼 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| KR (1) | KR980006880A (ko) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100568874B1 (ko) * | 2004-12-03 | 2006-04-10 | 삼성전자주식회사 | 반도체 메모리에서의 출력버퍼회로 |
| KR100907011B1 (ko) * | 2007-12-10 | 2009-07-08 | 주식회사 하이닉스반도체 | 반도체 메모리 장치의 출력 드라이버 |
-
1996
- 1996-06-27 KR KR1019960024667A patent/KR980006880A/ko not_active IP Right Cessation
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100568874B1 (ko) * | 2004-12-03 | 2006-04-10 | 삼성전자주식회사 | 반도체 메모리에서의 출력버퍼회로 |
| KR100907011B1 (ko) * | 2007-12-10 | 2009-07-08 | 주식회사 하이닉스반도체 | 반도체 메모리 장치의 출력 드라이버 |
| US7715249B2 (en) | 2007-12-10 | 2010-05-11 | Hynix Semiconductor Inc. | Semiconductor memory having an output driver equipped with a threshold voltage detecting circuit for adapting the drive capability thereof |
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