KR950021980A - 부트스트랩 회로 - Google Patents

부트스트랩 회로 Download PDF

Info

Publication number
KR950021980A
KR950021980A KR1019930026087A KR930026087A KR950021980A KR 950021980 A KR950021980 A KR 950021980A KR 1019930026087 A KR1019930026087 A KR 1019930026087A KR 930026087 A KR930026087 A KR 930026087A KR 950021980 A KR950021980 A KR 950021980A
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
bootstrap
output
power supply
bootstrap circuit
charge storage
Prior art date
Application number
KR1019930026087A
Other languages
English (en)
Other versions
KR960012789B1 (ko
Inventor
오영남
Original Assignee
김주용
현대전자산업 주식회사
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 김주용, 현대전자산업 주식회사 filed Critical 김주용
Priority to KR1019930026087A priority Critical patent/KR960012789B1/ko
Priority to US08/348,192 priority patent/US5543750A/en
Priority to DE4442832A priority patent/DE4442832C2/de
Priority to JP6298366A priority patent/JP2826073B2/ja
Publication of KR950021980A publication Critical patent/KR950021980A/ko
Application granted granted Critical
Publication of KR960012789B1 publication Critical patent/KR960012789B1/ko

Links

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H03ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03KPULSE TECHNIQUE
    • H03K19/00Logic circuits, i.e. having at least two inputs acting on one output; Inverting circuits
    • H03K19/01Modifications for accelerating switching
    • H03K19/017Modifications for accelerating switching in field-effect transistor circuits
    • H03K19/01707Modifications for accelerating switching in field-effect transistor circuits in asynchronous circuits
    • H03K19/01714Modifications for accelerating switching in field-effect transistor circuits in asynchronous circuits by bootstrapping, i.e. by positive feed-back
    • GPHYSICS
    • G11INFORMATION STORAGE
    • G11CSTATIC STORES
    • G11C5/00Details of stores covered by group G11C11/00
    • G11C5/14Power supply arrangements, e.g. power down, chip selection or deselection, layout of wirings or power grids, or multiple supply levels
    • G11C5/145Applications of charge pumps; Boosted voltage circuits; Clamp circuits therefor

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Computing Systems (AREA)
  • General Engineering & Computer Science (AREA)
  • Mathematical Physics (AREA)
  • Dram (AREA)
  • Logic Circuits (AREA)
  • Static Random-Access Memory (AREA)
  • Dc-Dc Converters (AREA)
  • Continuous-Control Power Sources That Use Transistors (AREA)

Abstract

본 발명은 변농하는 전원전암에 따라 부트스트랩 회로기 구동해야 할 부하량을 조절하여 부트스트랩 히로의 효율을 조정함으로써, 적정한 승압전위를 얻을 수 있도록 구현한 부트스트랩 회로에 관한 기술이다.

Description

부트스트랩 회로
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제1도는 종래의 부트스트랩 회로의 한예를 도시한 회로구성도.
제2도는 종래의 전하보상 회로의 한예를 도시한 회로도.
제3도는 본 발명의 부트스트랩 회로의 제1실시예를 도시한 회로구성도.
제4도는 본 발명의 부트스트랩 회로의 제2실시예를 도시한 회로구성도.
제5도는 본 발명의 부트스트랩 회로에 사용된 전압 감지기의 실시예를 도시한 회로도.
* 도면의 주요부분에 대한 부호의 설명
1 : 부트스트랩 회로,2 : 전하 보상회로,
3 : 드라이버 회로,6 : 전압 감지기,
7,8 : 능동부하.

Claims (4)

  1. 부트스트랩(bootstrap) 수단과, 전원전압의 변동을 감지하는 전압 감지 수단과, 상기 부트스트랩 수단의 출력단에 접속되고 상기 전압 감지 수단의 출력에 의해 동작이 제어되며, 전원전압의 변동에 따라 상기 출력단이 구동해야 할 부하량을 조절하는 능동 부하를 포함하는 것을 특징으로 하는 부트스트랩 회로.
  2. 제1항에 있어서, 상기 능동 부하는, 전하 저장 수단과, 드레인은 상기 부트스트랩 수단의 출력단에 접속되고 게이트는 상기 전압 감지 수단의 출력신호에 의해 제어되며, 소오스가 상기 전하 저장 수단에 접속된 NMOS형 트랜지스터로 이루어지는 것을 특징으로 하느 부트스트랩 회로.
  3. 제1항에 있어서, 상기 능동 부하는, 전하 저장 수단과, 각각의 드레인은 상기 부트스트랩 수단의 출력단에 공통 접속되고 게이트는 상기 전압 감지 수단의 출력신호와 그 반전신호에 의해 각각 제어되며, 각각의 소오스는 상기 전하 저장 수단에 공통 접속된 NMOS형 트랜지스터 및 PMOS형 트랜지스터로 이루어지는 것을 특징으로 하는 부트스트랩 회로.
  4. 제2항 또는 제3항에 있어서, 상기 전압 감지 수단의 출력신호는, 부트스트랩 수단의 출력이 소자의 신뢰성을 저하시킬 정도로 승압되는 높은 전원전압에서는 하이 상태로 출력되고, 그 보다 낮은 전원전압에서는 로우 상태로 출력되는 것을 특징으로 하는 부트스트랩 회로.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
KR1019930026087A 1993-12-01 1993-12-01 부트스트랩 회로 KR960012789B1 (ko)

Priority Applications (4)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1019930026087A KR960012789B1 (ko) 1993-12-01 1993-12-01 부트스트랩 회로
US08/348,192 US5543750A (en) 1993-12-01 1994-11-29 Bootstrap circuit
DE4442832A DE4442832C2 (de) 1993-12-01 1994-12-01 Spannungserhöhungsschaltung
JP6298366A JP2826073B2 (ja) 1993-12-01 1994-12-01 改良されたブートストラップ回路

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1019930026087A KR960012789B1 (ko) 1993-12-01 1993-12-01 부트스트랩 회로

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR950021980A true KR950021980A (ko) 1995-07-26
KR960012789B1 KR960012789B1 (ko) 1996-09-24

Family

ID=19369593

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1019930026087A KR960012789B1 (ko) 1993-12-01 1993-12-01 부트스트랩 회로

Country Status (4)

Country Link
US (1) US5543750A (ko)
JP (1) JP2826073B2 (ko)
KR (1) KR960012789B1 (ko)
DE (1) DE4442832C2 (ko)

Families Citing this family (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5828259A (en) * 1996-11-18 1998-10-27 International Business Machines Corporation Method and apparatus for reducing disturbances on an integrated circuit
US6072355A (en) * 1998-01-22 2000-06-06 Burr-Brown Corporation Bootstrapped CMOS sample and hold circuitry and method
US6188274B1 (en) 1999-06-04 2001-02-13 Sharp Laboratories Of America, Inc. Bootstrap capacitor power supply for low voltage mobile communications power amplifier
EP1143451A1 (en) * 2000-03-29 2001-10-10 STMicroelectronics S.r.l. Low-consumption charge pump for a nonvolatile memory
KR100752649B1 (ko) * 2005-07-07 2007-08-29 삼성전자주식회사 출력신호를 안정화하는 수단을 구비하는 라인구동회로
JP2009116684A (ja) * 2007-11-07 2009-05-28 Toshiba Corp 電圧発生回路
CN112947660B (zh) * 2021-02-20 2024-03-19 上海韦玏微电子有限公司 一种电源电压的预处理电路及预处理方法

Family Cites Families (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH077599B2 (ja) * 1984-05-25 1995-01-30 株式会社日立製作所 半導体集積回路装置
JPH0748310B2 (ja) * 1987-04-24 1995-05-24 株式会社東芝 半導体集積回路
JP2805973B2 (ja) * 1990-05-11 1998-09-30 日本電気株式会社 ブートストラップ回路
KR930003929B1 (ko) * 1990-08-09 1993-05-15 삼성전자 주식회사 데이타 출력버퍼
US5162668A (en) * 1990-12-14 1992-11-10 International Business Machines Corporation Small dropout on-chip voltage regulators with boosted power supply
EP0552404A1 (de) * 1992-07-23 1993-07-28 Siemens Aktiengesellschaft Schaltungsanordnung zur Begrenzung der Ausgangsspannung einer Spannungserhöhungsschaltung
JP2831914B2 (ja) * 1992-09-30 1998-12-02 株式会社東芝 半導体集積回路装置
JP2768172B2 (ja) * 1992-09-30 1998-06-25 日本電気株式会社 半導体メモリ装置

Also Published As

Publication number Publication date
US5543750A (en) 1996-08-06
JPH07235181A (ja) 1995-09-05
JP2826073B2 (ja) 1998-11-18
DE4442832C2 (de) 1997-02-27
DE4442832A1 (de) 1995-06-08
KR960012789B1 (ko) 1996-09-24

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR950030341A (ko) 반도체 소자의 부스트랩 회로
KR950021494A (ko) 데이타 출력버퍼
KR960032900A (ko) 반도체 집적회로용 입력 버퍼 회로
KR920020717A (ko) 기판 바이어스 전압 발생 회로
KR920017116A (ko) 전류 감지 증폭회로
KR910001746A (ko) 메모리 소자내의 센스 앰프 드라이버
KR900002323A (ko) 메모리 셀의 센스앰프 구동회로
KR930003147A (ko) 반도체 메모리 장치의 센프앰프 제어회로
KR900002552A (ko) 출력회로
KR930005029A (ko) 내부 전원 강압 회로
KR970012752A (ko) 반도체 집적회로
KR950021980A (ko) 부트스트랩 회로
KR870002596A (ko) 바이어스 전압 발생기를 포함하는 반도체 메모리 회로
KR970067368A (ko) 워드선 활성화전압의 안정화회로를 가지는 반도체기억장치
KR920005479A (ko) Mos드라이버회로
KR960035643A (ko) 반도체 메모리 소자
KR870009398A (ko) 반도체 기억장치
KR930001236A (ko) 전원전압 변동에 둔감한 특성을 갖는 기판 전압 레벨 감지회로
KR950015748A (ko) 반도체메모리장치의 승압레벨 감지회로
KR950012459A (ko) 다(多)비트 출력 메모리 회로용 출력 회로
KR950022128A (ko) 트랜지스터 회로
KR980005006A (ko) Vcc 검출수단을 이용한 비트라인 전압 보상회로
KR970051075A (ko) 반도체 메모리장치의 전압 승압회로
KR920006989A (ko) 불휘발성 반도체기억장치
KR970076798A (ko) 반도체 메모리장치의 내부 전원전압 발생회로

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
G160 Decision to publish patent application
E701 Decision to grant or registration of patent right
GRNT Written decision to grant
FPAY Annual fee payment

Payment date: 20120824

Year of fee payment: 17

EXPY Expiration of term