KR980005006A - Vcc 검출수단을 이용한 비트라인 전압 보상회로 - Google Patents

Vcc 검출수단을 이용한 비트라인 전압 보상회로 Download PDF

Info

Publication number
KR980005006A
KR980005006A KR1019960026507A KR19960026507A KR980005006A KR 980005006 A KR980005006 A KR 980005006A KR 1019960026507 A KR1019960026507 A KR 1019960026507A KR 19960026507 A KR19960026507 A KR 19960026507A KR 980005006 A KR980005006 A KR 980005006A
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
vcc
bit line
voltage
supply voltage
line voltage
Prior art date
Application number
KR1019960026507A
Other languages
English (en)
Inventor
안상욱
Original Assignee
김주용
현대전자산업 주식회사
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 김주용, 현대전자산업 주식회사 filed Critical 김주용
Priority to KR1019960026507A priority Critical patent/KR980005006A/ko
Publication of KR980005006A publication Critical patent/KR980005006A/ko

Links

Landscapes

  • Dram (AREA)

Abstract

본 발명은 MOS 디바이스의 Vt를 이용하는 것에 의해 비트라인을 프리챠지시켜주는 메모리 디바이스에 적용할 수 있도록 전압 검출 회로와 전압 부스트 회로를 이용하는 것에 의하여 비트라인 전압을 보상하여 줌으로써 낮은 공급전압 Vcc특성을 개선한 Vcc검출수단을 이용한 비트라인 전압 보상회로에 관한 것으로, 본 발명의 Vcc검출수단을 이용한 비트라인 전압 보상회로는 MOS 트랜지스터의 쌍으로 이루어진 MOS 디바이스와, 라이트 모드에서 ‘pre’신호를 입력하여 프리챠지시켜주는 한쪽 MOS 트랜지스터가 다른쪽 MOS 트랜지스터에다 보상된 비트라인 신호를 입력하는 것에 의해 비트라인 전압 Vbit이 공급 전압 Vcc까지 프리챠지되도록 제어되는 보상된 비트라인 신호를 생성하는 Vcc검출수단을 포함하는 것을 특징으로 한다.
상술한 바와같이, 비트라인 전압의 다운으로 인해 로우 Vcc 특성이 나빠지는 것을 막기위해 전압 검출 회로와 전압 부스트 회로로 이루어진 Vcc 검출수단을 이용하여 프리챠지시키는 트랜지스터를 콘트롤하는 신호를 만들게 하였고, 이 생성된 신호에 의해 비트라인 전압 Vbit 이 일정한 Vcc 이하에서 Vcc+Vt가 되게 함으로서 비트라인 전압이 Vcc까지 챠지시킬 수 있어 로우 Vcc에서의 특성을 개선할 수 있다.

Description

Vcc 검출수단을 이용한 비트라인 전압 보상회로
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제2도는 본 발명의 실시예에 따른 Vcc 검출수단을 이용한 비트라인 전압 보상회로를 개략적으로 도시한 회로구성도.

Claims (2)

  1. 반도체 메모리 장치에 있어서, 전원전압단과 비트라인 사이에 형성되고 소정의 프리챠지 신호의 입력에 응답된 스위칭 동작을 하는 제1프리챠지 수단; 전원전압단과 비트라인 사이에 상기 제1프리챠지 수단과 병렬 연결되고 소정의 전원전압검출신호를 제어 입력으로 하는 제2프리챠지 수단; 전원전압의 전압레벨을 검출하고 그에 응답된 상기 전원전압검출신호를 출력하는 Vcc검출수단을 구비하는 Vcc검출수단을 이용한 비트라인 전압 보상회로.
  2. 제1항에 잇어서, 상기 Vcc검출수단은 공급 전압 Vcc를 입력으로하여 공급 전압 Vcc가 일정전압이하로 내려갔을때 공급전압 Vcc의 레벨을 검출하여 공급 전압 Vcc의 레벨신호를 출력하는 전압 검출회로(1)와, 상기 전압 검출회로(1)에서 출력되는 공급전압 Vcc의 레벨신호를 입력하여 비트라인 신호의 전압 레벨을 공급 전압 Vcc에서 Vcc+Vt로 부스트시켜서 보상된 비트라인 신호를 출력하는 전압 부스트회로(2)를 포함하는 것을 특징으로 하는 Vcc검출수단을 이용한 비트라인 전압 보상회로.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
KR1019960026507A 1996-06-29 1996-06-29 Vcc 검출수단을 이용한 비트라인 전압 보상회로 KR980005006A (ko)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1019960026507A KR980005006A (ko) 1996-06-29 1996-06-29 Vcc 검출수단을 이용한 비트라인 전압 보상회로

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1019960026507A KR980005006A (ko) 1996-06-29 1996-06-29 Vcc 검출수단을 이용한 비트라인 전압 보상회로

Publications (1)

Publication Number Publication Date
KR980005006A true KR980005006A (ko) 1998-03-30

Family

ID=66241157

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1019960026507A KR980005006A (ko) 1996-06-29 1996-06-29 Vcc 검출수단을 이용한 비트라인 전압 보상회로

Country Status (1)

Country Link
KR (1) KR980005006A (ko)

Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100695285B1 (ko) * 2005-10-06 2007-03-16 주식회사 하이닉스반도체 비트라인 이퀄라이즈 신호 구동 회로 및 방법
KR100706826B1 (ko) * 2005-09-08 2007-04-12 주식회사 하이닉스반도체 비트라인 프리차지 전압 발생 장치
KR100865587B1 (ko) * 2001-07-25 2008-10-28 스펜션 엘엘씨 판독 전압에서 공급 전압 변화를 보상하기 위해 공급 전압검출을 이용한 전압 부스트 회로
US7539064B2 (en) 2006-05-10 2009-05-26 Hynix Semiconductor Inc. Precharge circuit of semiconductor memory apparatus

Cited By (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100865587B1 (ko) * 2001-07-25 2008-10-28 스펜션 엘엘씨 판독 전압에서 공급 전압 변화를 보상하기 위해 공급 전압검출을 이용한 전압 부스트 회로
KR100706826B1 (ko) * 2005-09-08 2007-04-12 주식회사 하이닉스반도체 비트라인 프리차지 전압 발생 장치
US7447089B2 (en) 2005-09-08 2008-11-04 Hynix Semiconductor Inc. Bitline precharge voltage generator
KR100695285B1 (ko) * 2005-10-06 2007-03-16 주식회사 하이닉스반도체 비트라인 이퀄라이즈 신호 구동 회로 및 방법
US7539064B2 (en) 2006-05-10 2009-05-26 Hynix Semiconductor Inc. Precharge circuit of semiconductor memory apparatus

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR950030341A (ko) 반도체 소자의 부스트랩 회로
KR930008859A (ko) 직류 전류를 제거한 데이타 출력 버퍼
KR850008564A (ko) 반도체 집적회로 장치
KR910001750A (ko) 반도체 기억장치
KR930018852A (ko) 승압 단속 회로 및 이를 구비하는 출력버퍼회로
KR920017116A (ko) 전류 감지 증폭회로
KR980005006A (ko) Vcc 검출수단을 이용한 비트라인 전압 보상회로
KR870009398A (ko) 반도체 기억장치
KR930005023A (ko) 반도체 메모리의 고속 센싱장치
KR960019311A (ko) 양/음 고전압 발생 전원의 출력전위 리셋회로
KR950021980A (ko) 부트스트랩 회로
KR960043523A (ko) 클램프기능을 가지는 데이타 출력버퍼
KR960030399A (ko) 반도체 장치 및 이 반도체 장치의 클럭 신호 제어 방법
KR950012459A (ko) 다(多)비트 출력 메모리 회로용 출력 회로
KR950012703A (ko) 반도체 메모리 장치의 데이타 입력 버퍼
KR970063257A (ko) 안정된 비트라인 프리차지용 전압 발생기
KR970063253A (ko) 기판 전위의 변동을 방지할 수 있는 반도체 집적 회로
KR960039347A (ko) 반도체 집적 회로
KR920006989A (ko) 불휘발성 반도체기억장치
KR970063938A (ko) 반도체 소자의 출력버퍼 회로
KR970029750A (ko) 전압레벨 검출회로
KR980005027A (ko) 플래쉬 메모리 장치
KR910013275A (ko) 반도체 소자의 파워엎 안정회로
KR950022138A (ko) 반도체메모리장치의 입력버퍼
KR940017182A (ko) 데이타 출력 버퍼

Legal Events

Date Code Title Description
WITN Withdrawal due to no request for examination